JP3740485B2 - 電子放出素子、電子源、画像表示装置の製造方法及び駆動方法 - Google Patents
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Description
先ず、基板1上に一対の素子電極2,3を形成する〔図3(a)〕。
続いて、素子電極2,3間を接続する導電性膜4を形成する〔図3(b)〕。
素子電極2,3間に電流を流し、導電性膜4の一部に第2の間隙5を形成する「フォーミング工程」を行う〔図3(c)〕。
さらに、炭素化合物ガスを含有する雰囲気中にて、前記素子電極2,3間に電圧を印加して、第2の間隙5内の基板1上、及びその近傍の導電性膜4上にカーボン膜6を形成する「活性化工程」を行い、電子放出素子が形成される〔図3(d)〕。
前記休止時間が10msec以上であることを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
前記パルス電圧は、休止時間が10msec以上の電流測定用パルス電圧を前記第1の導電体と前記第2の導電体との間に印加することによって測定される電流値に基づいて設定されることを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに、休止時間をおいてパルス電圧を繰り返し印加する第2の工程と、を有する、複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、
前記ユニットに印加されるパルス電圧は、休止時間が10msec以上の電流測定用パルス電圧を前記ユニットに印加することによって測定される電流値に基づいて設定されることを特徴とする電子源の製造方法である。
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに、休止時間をおいてパルス電圧を繰り返し印加する第2の工程と、を有する、複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、
前記休止時間が10msec以上であることを特徴とする電子源の製造方法である。
前記第1の導電体と第2の導電体間に印加するパルス電圧の休止時間を10msec以上とすることを特徴とする電子放出素子の駆動方法。
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに印加するパルス電圧の休止時間を10msec以上とすることを特徴とする電子源の駆動方法である。
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに印加するパルス電圧の休止時間を10msec以上とすることを特徴とする画像表示装置の駆動方法である。
先ず、基板1を用意し、この上に第1の素子電極2及び第2の素子電極3とからなる一対の電極を形成する〔図3(a)〕。
一対の素子電極2,3間を接続する導電性膜4を形成する〔図3(b)〕。
導電性膜4に第2の間隙5を形成する「フォーミング工程」を行う〔図3(c)〕。
「フォーミング工程」の後に、好ましくは「活性化工程」を施し、カーボン膜6を形成する〔図3(d)〕。
以上の各工程を経て得られた電子放出素子は、安定化工程を行うことが好ましい。
電子源などのように複数の電子放出素子の均一性が必要な場合は、さらに、「特性調整工程」を行う。
先に説明した電子放出素子の製造工程(1)と同様にして、基板91上に、各々が一対の素子電極92,93からなるユニットを複数個形成する〔図9(a)〕。基板91、素子電極92,93は、先に説明した電子放出素子の基板1、素子電極2,3にそれぞれ相当する。
Y方向の各ユニットの素子電極3を共通に接続するY方向配線94を形成する〔図9(b)〕。Y方向配線94(及び後述するX方向配線96)の材料に関しては、低抵抗である事が望まれ、材料、膜厚、配線幅等が適宜設定される。具体的には、例えば、銀粒子を含有する感光性ペーストを用い、スクリーン印刷した後、乾燥させてから、所定のパターンに露光、現像し、焼成して形成することができる。
Y方向配線94と後述するX方向配線96とを絶縁するために、層間絶縁層95を形成する〔図9(c)〕。尚、層間絶縁層95は、Y方向配線94に交差するように、且つ後述するX方向配線96と素子電極92とが接続するように、当該接続部にコンタクトホールを開けて形成する。層間絶縁層95は例えば、PbOを主成分とする感光性のガラスペーストをスクリーン印刷した後、露光−現像し、焼成して形成することができる。
次に、X方向配線96を、Y方向配線94に交差するように、層間絶縁層95上に形成する〔図9(d)〕。具体的には、例えば、層間絶縁層95の上に、銀(Ag)粒子を含有するペーストをスクリーン印刷した後乾燥させ、焼成して形成することができる。また、この時、層間絶縁層95のコンタクトホール部分で素子電極92と、X方向配線96とが接続される。
図2に示す構成の電子放出素子を作製した。図2(a)は本素子の平面図を、図2(b)は(a)のA−A’断面図を示している。図2において、1は基板、2、3は素子電極(一対の電極)、4は導電性膜、5は第2の間隙、6はカーボン膜、7は第1の間隙である。
ガラス基板と該ガラス基板を覆うSiO2を主体とする膜とから構成され、該ガラス基板は、モル比でSiO2を67%と、K2Oを4.4%と、Na2Oを4.5%含む基板1を用いた。尚、ガラス基板の歪み点は570℃であり、SiO2を主体とする膜としては、上記ガラス基板上にSiO2をスパッタリング蒸着法で約380nmの厚さに形成した。
上記基板1上に、スパッタリング蒸着法により、Tiを厚さ5nmに、Ptを厚さ50nmに順次堆積した。素子電極2,3及び素子電極間隔Lとなるべきパターンをホトレジストで形成し、次にドライエッチングを行い、素子電極間隔L:20μm、電極幅W:800μmとした素子電極2,3を形成した。
一対の素子電極2,3間を繋ぐように、有機Pd溶液をスピンナーにより回転塗布し、温度300℃で12分間の加熱焼成処理を行った。また、こうして形成した導電性膜4(主元素をPdとした薄膜)の膜厚は10nmであり、シート抵抗値は2×104Ω/□であった。
焼成後の導電性膜4を、レーザーにより直接に描画するパターニングを行って所定のパターンに形成した。素子幅W’は600μmとした。
上述の工程(a)〜(d)を終えた基板1を図5に示す測定評価装置(真空チャンバー)内にセットした。図中、50は電流計、51は電源、52は電流計、53は高圧電源、54はアノード電極、55は真空装置、56は排気ポンプである。排気ポンプ56により装置55内部を1×10-3Paの真空度に達するまで排気した。その後、電源51により、素子電極2,3間に電圧を印加し、フォーミング工程を行った。本実施例では、パルス幅T1を1msec、パルス間隔T2を50msecとし、矩形波の波高値(フォーミング時のピーク電圧)は0.1Vステップで昇圧させてフォーミング工程を行った。このあと、装置内部を1×10-6Paの真空環境に保持した。
続いて、トルニトリルをアンプルに封じたものをスローリークバルブを通して装置55内に導入し、1.3×10-4Paを維持した。次に、フォーミング工程を施した素子に、図7に示した波形で波高値を18Vとして活性化工程を行った。ここでパルス幅T1は1msec、T2を20msecとし、パルス間隔T3は19msecとした。時間は60分間とした。T4は1周期である。活性化工程終了後に、スローリークバルブを閉め、装置内部を排気した。
真空装置55及び電子放出素子をヒーターにより加熱して約250℃に維持しながら真空装置55内の排気を続けた。20時間後、ヒーターによる加熱をやめ、室温に戻したところ、真空装置内の圧力は、6×10-8Pa程度に達した。
上述の工程で作製した5つの電子放出素子のうち、一つの素子Aを用いて以下の電子放出特性の測定を実施した。
比較例1として、ガラス基板としてソーダライムガラスを使用した以外は、実施例1と同様にして工程(g)まで行った。本比較例で使用したソーダライムガラスは、SiO2を74%と、K2Oを3%とNa2Oを12%含むものである。
実施例2として、上述の実施例1で用いた基板1の代わりに、モル比でSiO2を66%と、K2Oを5.4%とNa2Oを5.0%含み、歪み点が582℃であるガラス基板上に、スパッタリング蒸着法により厚み380nmのSiO2を主体とする膜を形成した基板1を使用した以外は、実施例1と同様にして工程(g)まで行った。本例においても、実施例1と同様に、5つの電子放出素子A〜Dを作製した。
実施例3として、上述の実施例1で用いた、モル比でSiO2を67%と、K2Oを4.4%とNa2Oを4.5%含むガラス基板上に、スパッタリング蒸着法でSiO2を主体とする膜を約380nmの厚みで形成した基板を使用した。本実施例においては、1つの電子放出素子を作製した。
トルニトリルをアンプルに封じたものをスローリークバルブを通して真空内に導入し、1.3×10-4Paを維持した。
次に、安定化工程を行った。具体的には、真空装置及び電子放出素子をヒーターにより加熱して約250℃に維持しながら真空装置内の排気を続けた。20時間後、ヒーターによる加熱をやめ、室温に戻したところ、真空装置内の圧力は、6×10-8Pa程度に達した。
次に、特性調整工程を行った。この特性調整工程においては、図8に示したパルス電圧を印加した。特性シフト電圧のパルス幅であるT1を1msec、測定用駆動電圧のパルス幅であるT1’を100μsec、休止時間T3を15.5msecとした。また測定用のパルス電圧(測定用駆動電圧)の電圧値V2を15.75Vに固定した。つまり、先ず、電圧値V1のパルス電圧(特性シフト電圧)を印加した後に、電圧値V2のパルス電圧(測定用駆動電圧)を印加して該パルス電圧(測定用駆動電圧)における素子電流Ifを計測する。この時、計測される素子電流Ifの値の目標値を2.50mAとし、計測された素子電流Ifが上記目標値であれば、この工程と終了する。しかしながら、目標値よりも高い場合には、該目標値に近づくように、次に印加するパルス電圧(特性シフト電圧)の電圧値V1を制御した。
本実施例は、実施例1で用いた基板1上に複数の電子放出素子を配列形成することで電子源を作製し、さらに、この電子源を用いた画像表示装置を作製した。尚、それぞれの電子放出素子の製造方法は、実施例1と同様である。
実施例1で用いた基板1で用いた基板1と同様の基板91上に、各々が一対の素子電極92,93からなるユニットを多数形成した〔図9(a)〕。素子電極92,93は、基板91上に、スパッタ法によって先ず下引き層として厚さ5nmのTi、その上に厚さ40nmのPtを成膜した後、ホトレジストを塗布し、露光、現像、エッチングという一連のフォトリソグラフィー法によってパターニングして形成した。
次に、Y方向の複数の素子電極93を共通に接続する、複数本のY方向配線94を形成した〔図9(b)〕。Y方向配線94は、銀(Ag)粒子を含有する感光性ぺーストを用い、スクリーン印刷した後、乾燥させてから、所定のパターンに露光、現像し、この後480℃前後の温度で焼成して形成した。
Y方向配線94に交差するように、且つ後述するX方向配線96と素子電極92とが接続するように、当該接続部にコンタクトホールを開けて、層間絶縁層95を形成した〔図9(c)〕。層間絶縁層95は、PbOを主成分とする感光性のガラスペーストをスクリーン印刷した後、露光、現像し、これを480℃前後の温度で焼成して形成した。
次に、X方向配線96を、Y方向配線94に交差するように、層間絶縁層95上に形成した〔図9(d)〕。具体的には、先に形成した層間絶縁層95の上に、銀(Ag)粒子を含有するぺーストをスクリーン印刷した後乾燥させ、480℃前後の温度で焼成した。層間絶縁層95のコンタクトホール部分で素子電極92と、X方向配線96とが接続された。
次に、各素子電極92,93間を繋ぐように、液滴付与手段により、導電性膜97を構成する材料を塗布した。具体的には、導電性膜97としてPd膜を得る目的で、有機Pd含有溶液を用いた。この溶液の液滴を液滴付与手段として、ピエゾ素子を用いたインクジェット噴射装置を用い、ドット径が60μmとなるように調整して電極間に付与した。その後この基板を空気中にて、350℃で10分間の加熱焼成処理をして酸化パラジウム(PdO)とした。ドットの直径は約60μm、厚みは最大で10nmの膜が得られた。以上の工程により、PdOからなる導電性膜97が形成された〔図9(e)〕。
次に、フォーミング工程を行った。
次に活性化工程を行った。
次に、上記工程で作製した電子源を用いて、図10に示す構成の画像表示装置を作製した。
上述の工程で製造した画像表示装置に対して、実施例1で実施した特性調整工程を実施した。
2,3 素子電極
4 導電性膜
5 第2の間隙
6 カーボン膜
7 第1の間隙
50 電流計
51 電源
52 電流計
53 高圧電源
54 アノード電極
55 真空装置
56 排気ポンプ-
91 基板-
92、93 素子電極
94 Y方向配線
95 層間絶縁層
96 X方向配線
97 導電性膜
100 外囲器
102 フェースプレート
103 ガラス基板
104 蛍光膜
105 メタルバック
106 支持枠
107 電子放出素子
111 表示パネル
112 走査回路
113 制御回路
114 シフトレジスタ
115 ラインメモリ
116 同期信号分離回路
117 情報信号発生器
118 フェースプレート
110 電子源基板
Claims (18)
- SiO 2 を主成分としNa 2 OとK 2 Oを含有し、且つ、Na 2 Oに対するK 2 Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO 2 を主体とする膜とから構成された基板上に第1の導電体と第2の導電体とを配置する第1の工程と、前記第1の導電体と第2の導電体間に、パルス電圧を休止時間をおいて繰り返し印加する第2の工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、
前記休止時間が10msec以上であることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記電圧パルスの休止時間が、100msec以下である請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記第1及び第2の導電体は、それぞれカーボン膜を含み、前記第2の工程は、1×10-6Pa以上の真空度のもとで行われる請求項1または2に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記第2の工程は、炭素化合物ガスを含む雰囲気中にて行われる請求項1または2に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記SiO2を主体とする膜は厚さが50nm以上1μm以下である請求項1乃至4のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
- SiO 2 を主成分としNa 2 OとK 2 Oを含有し、且つ、Na 2 Oに対するK 2 Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO 2 を主体とする膜とから構成された基板上に第1の導電体と第2の導電体とを配置する第1の工程と、前記第1の導電体と第2の導電体間に、パルス電圧を休止時間をおいて繰り返し印加する第2の工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、
前記パルス電圧は、休止時間が10msec以上の電流測定用パルス電圧を前記第1の導電体と前記第2の導電体との間に印加することによって測定される電流値に基づいて設定されることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - SiO 2 を主成分としNa 2 OとK 2 Oを含有し、且つ、Na 2 Oに対するK 2 Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO 2 を主体とする膜とから構成された基板上に、第1の導電体と第2の導電体とを有する複数個のユニットと、該ユニットの一方の導電体に接続する複数本のX方向配線と、該ユニットの他方の導電体に接続する複数本のY方向配線とを配置する第1の工程と、
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに、休止時間をおいてパルス電圧を繰り返し印加する第2の工程と、を有する、複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、
前記ユニットに印加されるパルス電圧は、休止時間が10msec以上の電流測定用パルス電圧を前記ユニットに印加することによって測定される電流値に基づいて設定されることを特徴とする電子源の製造方法。 - SiO 2 を主成分としNa 2 OとK 2 Oを含有し、且つ、Na 2 Oに対するK 2 Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO 2 を主体とする膜とから構成された基板上に、第1の導電体と第2の導電体とを有する複数個のユニットと、該ユニットの一方の導電体に接続する複数本のX方向配線と、該ユニットの他方の導電体に接続する複数本のY方向配線とを配置する第1の工程と、
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに、休止時間をおいてパルス電圧を繰り返し印加する第2の工程と、を有する、複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法であって、
前記休止時間が10msec以上であることを特徴とする電子源の製造方法。 - 前記第1及び第2の導電体の各々はカーボン膜を含み、前記第2の工程は、1×10-6Pa以上の真空度のもとで行われる請求項8に記載の電子源の製造方法。
- 前記第2の工程は、炭素化合物ガスを含む雰囲気中にて行われることを特徴とする請求項8に記載の電子源の製造方法。
- 前記パルス電圧は、前記選択された1以上のユニットの各々に、前記選択されたX方向配線の抵抗値に依存する電圧降下を補償する電圧値を加えたパルス電圧である請求項8乃至10のいずれかに記載の電子源の製造方法。
- 前記選択されたX方向配線の抵抗値に依存した電圧降下を補償する電圧は、前記Y方向配線を介して印加される請求項11に記載の電子源の製造方法。
- 前記第2の工程におけるパルス電圧が、前記電流測定用パルス電圧を兼ねる請求項8乃至12のいずれかに記載の電子源の製造方法。
- 電子源と、該電子源から放出された電子線の照射によって発光する発光体基板とを有する画像表示装置の製造方法であって、前記電子源が請求項7乃至13のいずれかに記載の電子源の製造方法により製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
- SiO2を主成分としNa2OとK2Oを含有し、且つ、Na2Oに対するK2Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO2を主体とする膜とからなる基板と、該基板上に配置された第1の導電体と第2の導電体とを有する電子放出素子の駆動方法であって、
前記第1の導電体と第2の導電体間に印加するパルス電圧の休止時間を10msec以上とすることを特徴とする電子放出素子の駆動方法。 - 前記SiO2を主体とする膜は厚さが50nm以上1μm以下である請求項15に記載の電子放出素子の駆動方法。
- SiO2を主成分としNa2OとK2Oを含有し、且つ、Na2Oに対するK2Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO2を主体とする膜とからなる基板と、該基板上に配置された、第1の導電体と第2の導電体とを有する複数個のユニットと、該ユニットの一方の導電体に接続する複数本のX方向配線と、該ユニットの他方の導電体に接続する複数本のY方向配線とを有する電子源の駆動方法であって、
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに印加するパルス電圧の休止時間を10msec以上とすることを特徴とする電子源の駆動方法。 - SiO2を主成分としNa2OとK2Oを含有し、且つ、Na2Oに対するK2Oのモル比が0.5以上2.0以下である部材と、該部材上に積層されたSiO2を主体とする膜とからなる基板と、該基板上に配置された、第1の導電体と第2の導電体とを有する複数個のユニットと、該ユニットの一方の導電体に接続する複数本のX方向配線と、該ユニットの他方の導電体に接続する複数本のY方向配線とを有する電子源と、該電子源から放出された電子線の照射によって発光する発光体基板とを有する画像表示装置の駆動方法であって、
前記複数のX方向配線の中から所望のX方向配線を選択すると共に、該選択されたX方向配線に接続する複数のユニットの中から選択された1以上のユニットに接続するY方向配線を選択し、前記選択されたX方向配線とY方向配線とを通じて前記選択された1以上のユニットに印加するパルス電圧の休止時間を10msec以上とすることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
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