JP4637233B2 - 電子放出素子の製造方法及びこれを用いた画像表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1絶縁層3となる絶縁層30を基板1の表面に形成し、続いて、第2絶縁層4となる絶縁層40を絶縁層30の上面に積層する。そして、絶縁層40の上面にゲート電極5となる導電層50を積層する(図6(a))。絶縁層40の材料は、絶縁層30の材料よりも、後述する工程3で用いるエッチング液(エッチャント)に対してエッチング量が多くなるように、絶縁層30の材料とは異なる材料が選択される。
次に、導電層50、絶縁層40、絶縁層30に対するエッチング処理(第1エッチング処理)を行う。
続いて、絶縁層40に対するエッチング処理(第2エッチング処理)を行う(図6(c))。
導電性膜(6A)を構成する材料からなる膜60Aを、基板1の表面から、第1絶縁層3のカソード電極2側の側面となる斜面22を経て、第1絶縁層3の上面21に至るように、堆積する。
続いて、導電性膜(60A、60B)に対してエッチング処理(第3エッチング処理)を行う。
導電性膜6Aに電子を供給するためのカソード電極2を形成する(図6(g))。この工程は、他の工程の前や後に変更することもできる。尚、カソード電極2を用いずに、カソード電極2の機能を導電性膜(カソード)6Aが兼ねることもできる。その場合には、工程6は省略できる。
上記工程5又は工程6の後に、少なくとも第1絶縁層3の側面上(側面に導電性膜6Aが残っていればその上)に導電性材料を堆積させて、被膜9Aを形成する。
基板1は電子放出素子を支持するための基板である。石英ガラス,Na等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラスなどを用いることができる。基板1に必要な機能としては、機械的強度が高いだけでなく、ドライエッチング、ウェットエッチング、現像液等のアルカリや酸に対して耐性があることが挙げられる。また、画像表示装置に用いる場合は、加熱工程などを経るので、積層する部材と熱膨張率差が小さいものが望ましい。また熱処理を考慮すると、ガラス内部からのアルカリ元素等が電子放出素子に拡散しづらい材料が望ましい。
上記第1エッチング処理では、エッチングガスをプラズマ化して材料に照射することで材料の精密なエッチング加工が可能な、RIE(Reactive Ion Etching)を用いることが好ましい。
工程3では、エッチング液によって絶縁層40がエッチングされる量に対して、エッチング液によって絶縁層3がエッチングされる量が十分に低くなるようにエッチング液が選択される。
工程4において、導電性膜(60A、60B)は、蒸着法、スパッタ法等の真空成膜技術により形成される。
第3エッチング処理としてはドライエッチング、ウェットエッチングの何れでも構わないが、他材料とのエッチング選択比の容易さを考慮して、ウェットエッチングを行うことが好ましい。
カソード電極2は、前記ゲート電極5と同様に導電性を有しており、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術、フォトリソグラフィー技術により形成することができる。カソード電極2の材料は、ゲート電極5と同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。
工程7は、例えば、前述したように第1絶縁層3の斜面上に位置する導電性膜6Aの膜厚が高抵抗になり過ぎる場合などに好ましく行われる。
(1)電子放出部となる導電性膜6Aの突起部が第1絶縁層3と広い面積を持って接触し、機械的な密着力があがる(密着強度の上昇)。
(2)電子放出部となる導電性膜6Aの突起部と第1絶縁層3との熱的な接触面積が広がり、電子放出部で発生する熱を効率よく第1絶縁層3に逃がすことが可能となる(熱抵抗の低減)。
(3)第1絶縁層3の上面に対して傾斜を備えることで、絶縁層―真空−金属界面で生じる三重点での電界強度を弱め、異常な電界発生による放電現象を防止することが可能となる。
(電子放出における散乱の説明)
図4(a)において、導電性膜6Aの突起部の先端からゲート電極5に向かって電界放出された電子は、その一部もしくは全てが、ゲート電極5或いはゲート電極上の導電性膜6Bに衝突する。
図6を参照して、本実施例に係る電子放出素子の製造方法を説明する。
本実施例で作成した電子放出素子の基本的な作製方法は実施例1と同様であるので、ここでは実施例1との違いだけ述べる。
本実施例で作成した電子放出素子の基本的な作製方法は実施例1と同様であるので、ここでは実施例1との違いだけ述べる。
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本実施例で作成した電子放出素子の基本的な作製方法は実施例1と同様であるので、ここでは実施例1との違いだけ述べる。
5 ゲート電極
6A、6B 導電性層
7 凹部(リセス)
Claims (12)
- 電子放出素子の製造方法であって、
上面と該上面と角部を介して接続する側面とを備え、前記上面と共に凹部を形成するように、前記上面の上に、前記上面と離間して、ゲート電極が設けられている絶縁層の上に、前記側面から前記上面にかけて延在し、前記角部の少なくとも一部を覆う、導電性膜を形成する第1工程と、
前記導電性膜をその膜厚方向にエッチング処理する第2工程と、を含み、
前記第1工程は、前記導電性膜の原料が前記絶縁層の前記上面に対して入射する角度が、前記導電性膜の原料が前記絶縁層の前記側面に対して入射する角度よりも、90度に近い角度となる、指向性を有する成膜方法を用いて行うことで、前記導電性膜を形成する工程であることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記第1工程により、前記導電性膜が前記ゲート電極の上に延在して形成され、
前記第2工程により、前記導電性膜の前記ゲート電極の上に位置する部分と、前記導電性膜の前記絶縁層の上に位置する部分との間に間隙を形成することを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。 - 前記ゲート電極は、その側面と前記絶縁層の前記上面との成す角度が、前記絶縁層の前記側面と前記上面との成す角度よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の電子放出素子の製造方法。
- 電子放出素子の製造方法であって、
上面と側面と前記側面の一部に設けられた凹部とを備え、前記凹部が前記側面と角部を介して接続する底面を有する、絶縁性の段差形成部材の上に、前記側面から前記凹部の前記底面にかけて延在し、前記角部の少なくとも一部を覆う、導電性膜を形成する第1工程と、
前記導電性膜をその膜厚方向にエッチング処理する第2工程と、を含み、
前記第1工程は、前記導電性膜の原料が前記底面に対して入射する角度が、前記導電性膜の原料が前記側面に対して入射する角度よりも、90度に近い角度となる、指向性を有する成膜方法を用いて行うことで、前記導電性膜を形成する工程であることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記段差形成部材の前記上面の上にゲート電極が設けられており、前記第1工程により、前記導電性膜が前記ゲート電極の上に延在して形成され、
前記第2工程により、前記導電性膜の前記ゲート電極の上に位置する部分と、前記導電性膜の前記段差形成部材の上に位置する部分との間に間隙を形成することを特徴とする請求項4に記載の電子放出素子の製造方法。 - 前記第2工程が、ウェットエッチング処理であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記第2工程は、前記エッチング処理の前に、前記導電性膜の表面を酸化する酸化処理を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記酸化処理と、前記エッチング処理とを、繰り返すことを特徴とする請求項7に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記第2工程の後に、前記導電性膜の、前記角部の上に位置する部分を、低仕事関数材料によって被覆することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記第2工程の後に、前記側面の上に導電性材料を堆積させる工程を有することを特徴とする請求項9に記載の電子放出素子の製造方法。
- 前記指向性を有する成膜方法が、指向性スパッタ法であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
- 複数の電子放出素子と、該複数の電子放出素子から放出された電子が照射されることで発光する発光体と、を備える画像表示装置の製造方法であって、前記複数の電子放出素子の各々が、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の製造方法で製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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