JP6187436B2 - 電子放出装置及びそれを備えるトランジスタ - Google Patents
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Description
4,5:トランジスタ
12:基板
12A:凸部
13:下側絶縁膜
14:電子放出膜
16:絶縁膜
18:引き出し電極
20:レーザ光照射装置
32:上側絶縁膜
33:遮蔽電極
34:アノード膜
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の上方に設けられており、開口が形成されている電子放出膜と、
前記電子放出膜に向けて光を照射するように構成されている光照射装置と、を備え、
前記電子放出膜は、前記開口を画定する端部に前記光が照射したときに、前記端部から電子を放出するように構成されており、
前記電子放出膜の前記開口は、前記基板の上面に対して直交する方向から観測したときに、長手方向を持って伸びる形状を有しており、
前記光照射装置は、電界の振動面が前記長手方向に直交する直線偏光のレーザ光を照射するように構成されている、電子放出装置。 - 前記基板の材料は、前記光照射装置の前記光に対して透明であり、
前記光照射装置は、前記基板を透過して前記電子放出膜に前記光を照射するように構成されている、請求項1に記載の電子放出装置。 - 前記電子放出膜の上方に設けられており、開口が形成されている引き出し電極をさらに備えており、
前記引き出し電極の前記開口は、前記電子放出膜の前記開口の上方に配置されている、請求項1又は2に記載の電子放出装置。 - 前記基板の上面に対して直交する方向から観測したときに、前記電子放出膜の前記開口を画定する前記端部は、前記引き出し電極の前記開口の範囲内に存在する、請求項3に記載の電子放出装置。
- 前記基板の上面には、凸部が形成されており、
前記凸部の側面の一部は、前記電子放出膜で被覆されており、
前記凸部の頂面は、前記電子放出膜の前記開口を介して露出する、請求項3又は4に記載の電子放出装置。 - 基板と、
前記基板の上方に設けられており、開口が形成されているカソード膜と、
前記カソード膜の上方に設けられているアノード膜と、
前記カソード膜に向けて光を照射するように構成されている光照射装置と、を備え、
前記カソード膜は、前記開口を画定する端部に前記光が照射したときに、前記端部から電子を放出するように構成されており、
前記カソード膜の前記開口は、前記基板の上面に対して直交する方向から観測したときに、長手方向を持って伸びる形状を有しており、
前記光照射装置は、電界の振動面が前記長手方向に直交する直線偏光のレーザ光を照射するように構成されている、トランジスタ。 - 前記基板の材料は、前記光照射装置の前記光に対して透明であり、
前記光照射装置は、前記基板を透過して前記カソード膜に前記光を照射するように構成されている、請求項6に記載のトランジスタ。 - 前記カソード膜と前記アノード膜の間に設けられており、開口が形成されている引き出し電極をさらに備えており、
前記引き出し電極の前記開口は、前記カソード膜の前記開口の上方に配置されている、請求項6又は7に記載の電子放出装置。 - 前記基板の上面に対して直交する方向から観測したときに、前記カソード膜の前記開口を画定する前記端部は、前記引き出し電極の前記開口の範囲内に存在する、請求項8に記載のトランジスタ。
- 前記基板の上面には、凸部が形成されており、
前記凸部の側面の一部は、前記カソード膜で被覆されており、
前記凸部の頂面は、前記カソード膜の前記開口を介して露出する、請求項8又は9に記載のトランジスタ。 - 基板と、
前記基板の上方に設けられており、開口が形成されている電子放出膜と、
前記電子放出膜の上方に設けられており、開口が形成されている引き出し電極と、を備え、
前記電子放出膜は、前記開口を画定する端部に光が照射したときに、前記端部から電子を放出するように構成されており、
前記引き出し電極の前記開口は、前記電子放出膜の前記開口の上方に配置されており、
前記基板の上面には、凸部が形成されており、
前記凸部の側面の一部は、前記電子放出膜で被覆されており、
前記凸部の頂面は、前記電子放出膜の前記開口を介して露出する、電子放出装置。 - 基板と、
前記基板の上方に設けられており、開口が形成されているカソード膜と、
前記カソード膜の上方に設けられているアノード膜と、
前記カソード膜と前記アノード膜の間に設けられており、開口が形成されている引き出し電極と、を備え、
前記カソード膜は、前記開口を画定する端部に光が照射したときに、前記端部から電子を放出するように構成されており、
前記引き出し電極の前記開口は、前記カソード膜の前記開口の上方に配置されており、
前記基板の上面には、凸部が形成されており、
前記凸部の側面の一部は、前記カソード膜で被覆されており、
前記凸部の頂面は、前記カソード膜の前記開口を介して露出する、トランジスタ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014234782A JP6187436B2 (ja) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 電子放出装置及びそれを備えるトランジスタ |
CN201580050591.6A CN107078003B (zh) | 2014-11-19 | 2015-10-02 | 电子发射装置和设置有其的晶体管 |
PCT/JP2015/078115 WO2016080091A1 (ja) | 2014-11-19 | 2015-10-02 | 電子放出装置及びそれを備えるトランジスタ |
US15/503,539 US9779906B2 (en) | 2014-11-19 | 2015-10-02 | Electron emission device and transistor provided with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014234782A JP6187436B2 (ja) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 電子放出装置及びそれを備えるトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100121A JP2016100121A (ja) | 2016-05-30 |
JP6187436B2 true JP6187436B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=56013649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014234782A Expired - Fee Related JP6187436B2 (ja) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 電子放出装置及びそれを備えるトランジスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9779906B2 (ja) |
JP (1) | JP6187436B2 (ja) |
CN (1) | CN107078003B (ja) |
WO (1) | WO2016080091A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7032738B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-03-09 | 国立大学法人京都大学 | 検出素子、放射線検出装置、およびコンプトンカメラ |
CN110767519B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-03-04 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种场发射电子源结构及其形成方法、电子源、微波管 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4711147Y1 (ja) * | 1968-03-14 | 1972-04-25 | ||
NL6904912A (ja) * | 1969-03-29 | 1970-10-01 | ||
US4063269A (en) * | 1976-01-09 | 1977-12-13 | Hamamatsu Terebi Kabushiki Kaisha | Semiconductor photoelectron emission device |
US4094703A (en) * | 1976-12-30 | 1978-06-13 | Cornell Research Foundation | Solar energy converter |
US4616248A (en) * | 1985-05-20 | 1986-10-07 | Honeywell Inc. | UV photocathode using negative electron affinity effect in Alx Ga1 N |
US4906894A (en) * | 1986-06-19 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectron beam converting device and method of driving the same |
US5552659A (en) * | 1994-06-29 | 1996-09-03 | Silicon Video Corporation | Structure and fabrication of gated electron-emitting device having electron optics to reduce electron-beam divergence |
US5618216C1 (en) * | 1995-06-02 | 2001-06-26 | Advanced Vision Tech Inc | Fabrication process for lateral-emitter field-emission device with simplified anode |
US5616061A (en) * | 1995-07-05 | 1997-04-01 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Fabrication process for direct electron injection field-emission display device |
JPH10289650A (ja) | 1997-04-11 | 1998-10-27 | Sony Corp | 電界電子放出素子及びその製造方法並びに電界電子放出型ディスプレイ装置 |
US6376985B2 (en) | 1998-03-31 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Gated photocathode for controlled single and multiple electron beam emission |
US6914374B2 (en) * | 2002-01-09 | 2005-07-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Planar electron emitter apparatus with improved emission area and method of manufacture |
JP2003208855A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Yyl:Kk | 電界放出装置及び方法 |
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JP5413716B2 (ja) | 2009-04-28 | 2014-02-12 | 国立大学法人東京農工大学 | 電子放出装置および電子放出方法 |
-
2014
- 2014-11-19 JP JP2014234782A patent/JP6187436B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-10-02 CN CN201580050591.6A patent/CN107078003B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-02 US US15/503,539 patent/US9779906B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-02 WO PCT/JP2015/078115 patent/WO2016080091A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170243712A1 (en) | 2017-08-24 |
CN107078003A (zh) | 2017-08-18 |
WO2016080091A1 (ja) | 2016-05-26 |
US9779906B2 (en) | 2017-10-03 |
JP2016100121A (ja) | 2016-05-30 |
CN107078003B (zh) | 2018-12-18 |
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Legal Events
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