JP3736349B2 - ペースト組成物並びにこれを用いた保護膜及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野 】
本発明は、熱可塑性樹脂を用いたペースト組成物並びにこれを用いた保護膜及び半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子部品の小型化、薄型化が進み、樹脂封止型パッケージ形態が、プリント基板挿入型(例えば、DIP:Dual in−line Package)から、表面実装型、例えば、基板上に直接ベアチップを搭載するチップオンボード(COB:Chip on Board)やフリップチップ実装、更にはQFP(Quad Flat Package)、BGA(Ball Grid Array)に変化してきている。この分野においては、従来の熱硬化性エポキシ樹脂液状封止材に加え、熱可塑性樹脂型液状封止材も開発・上市されている。これらの液状封止材は、ICやLSIのチップを直接封止するのに使用されるため、高い信頼性が要求される。実装形態における表面実装の普及により、半導体素子の信頼性確保には、赤外線リフロー等に対する高い耐リフロー性が要求される。挿入型パッケージをマザーボードなどの回路基板に実装するときには、リード部のみの局所的加熱により実装していたが、表面実装型パッケージでは、赤外線リフローやベーパーフェーズリフロー、はんだ浸漬などの工程を経るため、パッケージ全体が200〜250℃の高温に曝される。そのため、保管中にパッケージが吸湿した水分が実装加熱時にパッケージ内部で気化膨張し、それによって生じる応力が封止樹脂の破壊強度を超えると、パッケージ内部から外部に向けてクラックが走る現象が起こる。また、半導体回路を保護している窒化珪素などのパッシベーション膜と封止樹脂との間に剥離が生じたり、金などのボンディングワイヤの断線が生じるなどの問題がある。
【0003】
封止材の改質による耐リフロー性向上の手法としては、フィラーや樹脂等の組成の変更により、封止材の吸湿率を低下させて保管中にパッケージが吸湿する水分量を減らす、基材等との接着力を高める等の手法が一般的である。しかし、このような手法では、耐リフロー性の向上と使い勝手との両立が難しいため、特に液状封止材においては良好な耐リフロー性を示す材料は提案されていなかった。例えば、シリカなどのフィラーの配合量を増やして封止材を低吸湿化する方法がある。この場合、封止材の低線膨張化が可能になり、半導体素子へのダメージが少なくなるという効果も得られる。しかし、シリカフィラーの粒度分布を最適化することにより90重量%以上の充填率が可能になっているものの、充填率を上げると増粘して成形性不良が生じるなどの問題があった。
【0004】
一方、耐リフロー向上のための他の手段として、実装加熱時に半導体パッケージ内部で発生する気化水分を排出するための貫通孔を設ける方法もある。例えば、モールド型封止材では、特開平9−219471号公報に提案されている貫通孔を穿設する方法、特開平9−8179号公報に示される半導体素子の裏面側を樹脂多孔質体で選択的に封止する方法などがある。しかし、逆に半導体素子内部に水分が入ることもあり、耐リフロー性と並んで重要な耐湿性が必ずしも十分でないという問題点があった。また、半導体素子の裏面側を樹脂多孔質体で選択的に封止する方法では、樹脂多孔質体シートを予め金型内に配置する工程が必要であり、生産性に問題がある。さらに、キャビティ型BGAやμBGAなど、金型を用いたトランスファー成形による封止が困難な半導体パッケージには適用が困難であった。
【0005】
また、多孔質な絶縁塗料による、ハイブリッドICなどの電気・電子部品の被覆法が知られているが(特公平5−55197号公報)、耐リフロー性向上を目的とするものではなく、むしろ、水の浸入を防いで耐湿性を保持するために、ワックスなどの含浸剤で二次加工する必要があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、良好な耐リフロー性と耐湿信頼性を両立する半導体封止用ペースト組成物、並びにこれを用いた保護膜、耐リフロー性及び耐湿信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題点を解決するために種々検討を重ねた結果、樹脂を有機溶剤で溶解した溶液に無機充填材を分散したペースト組成物を作製し、ICやLSIのチップ上に塗布、乾燥することにより、良好な耐リフロー性と耐湿信頼性を併せ持つ半導体素子が得られることを見出した。これは、このようなペースト組成物が硬化した塗膜においては、塗膜内部には、フィラーの粒子間に残る空隙や、有機溶剤の蒸発経路である微細な空隙が残り、塗膜表面には、樹脂が密に充填された透湿率の低い層が形成されるためと思われる。
【0008】
本発明は、(A)熱可塑性樹脂100重量部、(B)エポキシ樹脂5〜150重量部、(C)カップリング剤0.1〜30重量部、(D)粉末状無機充填材100〜3500重量部、(E)ゴム弾性を有する粉末20〜300重量部及び(F)有機溶剤150〜3500重量部を必須成分とするペースト組成物であって、
上記熱可塑性樹脂(A)及び上記エポキシ樹脂(B)の合計と上記粉末状無機充填材(D)及び上記ゴム弾性を有する粉末(E)の合計との重量比が、[(A)+(B)]:[(D)+(E)]が5:95〜18:82であり、
ペースト組成物を塗布、乾燥して塗膜を形成したときに、空隙率が3体積%以上で、40℃、90%RHにおける透湿度が500g/m2・24h以下である塗膜を形成するペースト組成物(ただし、上記エポキシ樹脂が、エポキシ基を有する液状シリコーンである場合を除き、かつ、下記一般式
【化2】
(ここで、1、m、nは1〜50の整数である。)
で表される繰り返し単位からなるポリアミドシリコーン重合体100重量部、ジエチレングリコールジメチルエーテル230重量部、平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末700重量部、平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の微粉末68重量部、カップリング剤1重量部及びエポキシ化合物30重量部からなるペースト組成物を除く。)を提供するものである。
【0009】
本発明においては、熱可塑性樹脂(A)が芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体とジアミノシリコーンを必須成分とするジアミンとを重縮合させて得られるポリアミドシリコーン共重合体又はポリアミドイミドシリコーン共重合体であることが好ましい。
【0010】
本発明においては、エポキシ樹脂(B)が脂環式エポキシ樹脂であることが好ましい。
【0011】
本発明においては、カップリング剤(C)がシランカップリング剤、チタネートカップリング剤及びアルミネートカップリング剤からなる群から選ばれる1種又は2種以上のカップリング剤であることが好ましい。
【0012】
本発明においては、ゴム弾性を有する粉末(E)がシリコーンゴム粉末であることが好ましい。
【0013】
本発明はまた、上記のペースト組成物を半導体部品の表面に塗布、乾燥して得られる空隙率が3体積%以上で、40℃、90%RHにおける透湿度が500g/m2・24h以下の保護膜を提供するものである。
【0014】
本発明はまた、上記の保護膜を有する半導体装置を提供するものである。
【0015】
本発明の半導体装置としては、保護膜が、半導体装置中のチップを封止している封止材であるものであることが好ましい。
【0016】
また、本発明の半導体装置においては、上記封止材中の1〜20μm径の空隙の占める割合が、封止材中の0.0032〜100μm径の空隙の体積の1〜100体積%であることが好ましい。
【0017】
上記の半導体装置においては、チップがチップ支持基板に搭載されており、チップ支持基板が、チップの端子が接続されているインナー接続部、半導体外部との接続を行うためのアウター接続部、及び、インナー接続部とアウター接続部を接続する配線部を備えているものであることが好ましい。例えば、インナー接続部が、絶縁性基材の一方の面に形成された配線パターンであり、アウター接続部が、絶縁性基材の裏面に形成され、配線部により配線パターンに接続された複数の電極部であり、チップが絶縁性基材の配線パターンが形成された面上に半導体素子接着用接着剤にて接合されており、チップの端子と配線パターンとが金線で接続されていることが好ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明における熱可塑性樹脂(A)については特に制限はないが、例えば、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルアミド樹脂等が挙げられる。これらのうち、芳香族ジカルボン酸若しくは芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体とジアミンとを重縮合した熱可塑性樹脂が好ましい。ジアミンとしては、特に制限はないが、下記一般式(I)で表される芳香族ジアミンが好ましい。
【0019】
【化3】
(ここで、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、Xは単結合、
【化4】
を表し、ここで、R5及びR6はそれぞれ独立して水素、炭素数1〜4の低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基又はフェニル基を表す。)
【0020】
また、本発明においては、熱可塑性樹脂(A)が芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体とジアミノシリコーンを必須成分とするジアミンとを重縮合させて得られるポリアミドシリコーン共重合体又はポリアミドイミドシリコーン共重合体であることが好ましい。即ち、芳香族ジカルボン酸若しくは芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体とジアミンとの重縮合において、ジアミンとして、ジアミノシリコーン、又はジアミノシリコーンと芳香族ジアミン等の他のジアミンを用いて得られるポリアミドシリコーン共重合体又はポリアミドイミドシリコーン共重合体であることが好ましい。
【0021】
ジアミノシリコーンとしては、下記一般式(II)で示されるジアミノシリコーンが好ましい。
【0022】
【化5】
(式中、Y1は二価の炭化水素基、例えば炭素数1〜4のアルキレン基、炭素数5〜8のシクロアルキレン基、炭素数6〜12のアリーレン基等であり、Y2は一価の炭化水素基、例えば炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基等であり、2個のY1は同一でも異なっていてもよく、複数個のY2は互いに同一でも異なっていてもよく、mは1以上の整数、好ましくは1〜50の整数である。)
【0023】
芳香族ジカルボン酸は、芳香核に2個のカルボキシル基を有するものであり、芳香族トリカルボン酸は、芳香核に3個のカルボキシル基を有し、かつ3個のカルボキシル基のうち2個は隣接炭素原子に結合しているものである。もちろん、この芳香核はヘテロ原子が導入されたものでもよく、また2個以上の芳香核がアルキレン基、酸素、カルボニル基などで結合されたものであってもよい。さらに、芳香核に例えばアルコキシ基、アリルオキシ基、アルキルアミノ基、ハロゲンなどの縮合反応に関与しない置換基が導入されていてもよい。
【0024】
芳香族ジカルボン酸の具体例としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸−4,4′、ジフェニルスルホンジカルボン酸−4,4′、ジフェニルジカルボン酸−4,4′、ナフタレンジカルボン酸−1,5等を挙げることができるが、これらの中ではテレフタル酸及びイソフタル酸が好ましい。特にテレフタル酸とイソフタル酸との混合物の使用は、生成する重合体の溶解性の点からより好ましい。芳香族ジカルボン酸の反応性酸誘導体としては、例えば、芳香族ジカルボン酸のジハライド、例えば、ジクロライド又はジブロマイド、ジエステル等が挙げられる。
【0025】
芳香族トリカルボン酸の具体例としては、例えば、トリメリット酸、3,3,4′−ベンゾフェノントリカルボン酸、2,3,4′−ジフェニルトリカルボン酸、2,3,6−ピリジントリカルボン酸、3,4,4′−ベンズアニリドトリカルボン酸、1,4,5−ナフタレントリカルボン酸、2′−クロロベンズアニリド−3,4,4′−トリカルボン酸等を挙げることができる。また、芳香族トリカルボン酸の反応性酸誘導体としては、例えば、芳香族トリカルボン酸の酸無水物、ハライド、エステル、アミド、アンモニウム塩等が挙げられる。具体的には、トリメリット酸無水物、トリメリット酸無水物モノクロライド、1,4−ジカルボキシ−3−N,N−ジメチルカルバモイルベンゼン、1,4−ジカルボメトキシ−3−カルボキシベンゼン、1,4−ジカルボキシ−3−カルボフェノキシベンゼン、2,6−ジカルボキシ−3−カルボメトキシピリジン、1,6−ジカルボキシ−5−カルバモイルナフタレン、上記芳香族トリカルボン酸類とアンモニア、ジメチルアミン、トリエチルアミン等からなるアンモニウム塩などが挙げられる。これらのうち、トリメリット酸無水物、トリメリット酸無水物モノクロライドが好ましい。
【0026】
(a)上記一般式(I)で表されるエーテル結合を有する芳香族ジアミンとしては、例えば、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]シクロヘキサン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]シクロペンタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、4,4′−カルボニルビス(p−フェニレンオキシ)ジアニリン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル等が挙げられる。これらの内では、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンが好ましい。
【0027】
(b)上記(a)を除いた芳香族ジアミンとしては、例えば、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4′−[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4′−[1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、3,3′−[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラエチルジフェニルエーテル、2,2−[4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニル]プロパン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【0028】
(c)上記(a)及び(b)の芳香族ジアミン並びに上記一般式(II)で示されるジアミノシリコーンを除いたジアミンとしては、例えば、ピペラジン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレンジアミン、3−メチルヘプタメチレンジジアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。
これらのジアミンは、単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0029】
例えば、上記の芳香族ジカルボン酸若しくは芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体とジアミンとを重縮合した熱可塑性樹脂を用いる場合、ジアミンの総量1モル当たり、芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体0.8〜1.2モル、より好ましくは0.95〜1.05モル用いて重縮合を行って得られる樹脂を用いることが好ましい。ジアミンの総量に対して等モルの芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体を使用したときに、最も高分子量の樹脂が得られ、好ましい。ジアミン1モル当たりに使用する芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体の量が0.8モル未満であっても、1.2モルを超えても、得られる樹脂の分子量が低下して、塗膜の機械的強度、耐熱性等が低下する傾向がある。
【0030】
本発明に用いられるエポキシ樹脂(B)としては、1分子内にエポキシ基を2個以上有するものが好ましい。エポキシ樹脂(B)としては、特に下記一般式(III)又は一般式(IV)に示す脂環式エポキシ樹脂を用いることが好ましく、このような脂環式エポキシ樹脂を用いることにより、良好な接着強度を得ることができる。
【0031】
【化6】
(式中、Rは3価の有機基であり、s、t及びuは、1〜100の整数である。)
【化7】
(式中、R′は、1価の有機基であり、nは1〜100の整数である。)
【0032】
エポキシ樹脂は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
【0033】
本発明のペースト組成物におけるエポキシ樹脂(B)の添加量は、熱可塑性樹脂(A)100重量部に対して5〜150重量部が好ましく、10〜100重量部がより好ましく、15〜50重量部が更に好ましい。エポキシ樹脂(B)の添加量が5重量部未満の場合は、接着性が低下する傾向があり、150重量部を超えると、乾燥時の硬化収縮が大きく、かつ弾性率が高くなり、吸湿性が増して耐湿特性が悪化する傾向がある。また、本発明のペースト組成物には、必要に応じて、アミン系、酸無水物系、その他硬化剤など、エポキシ樹脂(B)の硬化剤を適量、単独で、又は組み合わせて添加することができる。アミン系の硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等の脂肪族アミン、メンセンジアミン、イソフォロンジアミン等の脂環式ポリアミン、メタフェニレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン等の芳香族第一アミン、これらの樹脂アダクト等が挙げられる。酸無水物系硬化剤としては、例えばメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸等の脂環式酸無水物、ドデセニル無水コハク酸、ポリアゼライン酸無水物等の脂肪族酸無水物、無水フタル酸等の芳香族酸無水物、無水ヘット酸、テトラブロモ無水フタル酸等のハロゲン化酸無水物等が挙げられる。その他の硬化剤としては、例えば、第三アミン類、イミダゾール類、ポリアミノアミド系、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、フェノール樹脂、イソシアネート化合物、ルイス酸、ブレンステッド酸等が挙げられる。また、これらの硬化剤を用いた潜在性硬化剤を使用することもできる。
硬化剤(G)を添加する場合、その量はエポキシ樹脂(B)100重量部に対して1〜100重量部とすることが好ましく、5〜90重量部とすることがより好ましい。
【0034】
本発明において、カップリング剤(C)としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート等のチタネートカップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムアセチルアセトネート等のアルミネートカップリング剤をおのおの単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの内、アルミネートカップリング剤が好ましい。
【0035】
本発明のペースト組成物中のカップリング剤(C)の配合量は、熱可塑性樹脂(A)100重量部に対して0.1〜30重量部とすることが好ましく、0.3〜5重量部とすることがより好ましい。カップリング剤が0.1重量部未満では、接着性の向上や粘度の低減が不十分となる傾向があり、また30重量部を超えると、ペースト組成物が増粘したり、硬化物の物性低下を起こす傾向がある。
【0036】
本発明において、粉末状無機充填材(D)としては、特に制限はなく、例えば、二酸化珪素粉末、窒化ホウ素粉末、二酸化チタン粉末、二酸化ジルコニウム粉末、アルミナ粉末等を用いることができる。通常、二酸化珪素粉末が好適に用いられる。また、二酸化珪素粉末を、二酸化チタン粉末、二酸化ジルコニウム粉末又はアルミナ粉末と組み合わせて用いることにより、塗膜の熱伝導性を向上させることができる。
【0037】
本発明のペースト組成物中の粉末状無機充填材(D)は、平均粒径0.1〜40μmのものが好ましい。平均粒径が0.1μm未満では表面積が大きくなるため、充填率を上げることができなくなる傾向があり、40μmを超えると、沈降性が大きくなり、ペースト組成物の経時安定性が劣る傾向がある。また、平均粒径の異なる2種以上の粉末状無機充填材を組み合わせて使用してもよい。本発明のペースト組成物の濡れ広がり性を抑えるために、平均粒径0.1μm未満の粉末状無機充填材をペースト組成物総量中、10重量%以下の量で使用することもできる。
【0038】
粉末状無機充填材(D)としては、球状や破砕状、その他の形状のものを、濡れ広がり性等の作業性と特性を考慮して、単独で、または組み合わせて使用することができる。
【0039】
本発明のペースト組成物中の粉末状無機充填材(D)の配合量は、熱可塑性樹脂(A)100重量部に対して100〜3500重量部が好ましく、200〜3000重量部がより好ましく、600〜1200重量部が更に好ましく、800〜1200重量部が特に好ましい。粉末状無機充填材(D)の配合量が100重量部未満であると、チキソトロピー性が不足し、厚膜形成が困難となる傾向があり、また3500重量部を超えると得られる塗膜の強度、耐湿性が劣る傾向がある。
【0040】
本発明に用いられるゴム弾性を有する粉末(E)としては、例えば、ウレタンゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム等の粉末が挙げられ、これらのうちでは、シリコーンゴム粉末が好ましい。また、ゴム弾性を有する粉末(E)の平均粒径は、0.1〜20μmであることが好ましく、球状微粒子であることが好ましい。ゴム弾性を有する粉末(E)の平均粒径が0.1μm未満では、十分な分散ができなくなることがあり、ペースト組成物の経時安定性が低下する傾向があり、また20μmを超えると塗膜の表面が平滑でなく、皮膜強度が低下する傾向がある。
【0041】
本発明のペースト組成物中のゴム弾性を有する粉末(E)の配合量は、熱可塑性樹脂(A)100重量部に対して20〜300重量部が好ましく、60〜120重量部がより好ましく、80〜120重量部が更に好ましい。ゴム弾性を有する粉末(E)の配合量が20重量部未満であると、低弾性の特性が損なわれ、硬化物がクラック等を生じる傾向があり、また300重量部を超えると、硬化物の強度が低下する傾向がある。
【0042】
本発明に用いられる有機溶剤(F)としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル化合物、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、4−メチル−2−シクロヘキサノン等の脂環式ケトン化合物などが挙げられる。本発明においては、粉末状無機充填材(D)及びゴム酸性を有する粉末(E)は、ペースト組成物作製時に、有機溶剤(F)に混合して使用される。
【0043】
本発明のペースト組成物中の有機溶剤(F)の配合量は、熱可塑性樹脂(A)100重量部に対して150〜3500重量部が好ましく、150〜1000重量部がより好ましく、200〜1000重量部が更に好ましく、300〜600重量部が更に好ましい。有機溶剤の配合量が150重量部未満であると、固形分の比率が高いため、塗布性が悪く、塗布層を一定の厚みに保つことが困難になる傾向があり、3500重量部を超えると、粘度が低いため、不溶成分が分散せずに沈降しやすくなり、またペーストとしての経時安定性が悪くなり厚膜塗布できなくなる傾向がある。
【0044】
また、本発明のペースト組成物を製造する際には、着色材を添加してもよく、例えば、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、無機顔料等を使用することができる。
【0045】
本発明の好ましい態様のペースト組成物は、例えば、熱可塑性樹脂(A)として芳香族ジカルボン酸又はその反応性酸誘導体とジアミンとを重縮合して得られるポリアミド樹脂100重量部、エポキシ樹脂(B)5〜150重量部、必要に応じて用いられるエポキシ樹脂(B)の硬化剤(G)をエポキシ樹脂(B)100重量部に対して1〜100重量部、及びカップリング剤(C)0.1〜30重量部を、有機溶剤(F)150〜3500重量部に溶解させてなる重合体ワニスに、粉末状無機充填材(D)100〜3500重量部及びゴム弾性を有する粉末(E)10〜700重量部を添加し、らいかい機、三本ロール、ボールミル等で混合混練することにより製造することができる。
【0046】
本発明のペースト組成物を半導体部品等の表面に塗布し、乾燥して、保護膜を形成することができる。即ち、本発明のペースト組成物を塗布後、加熱乾燥して有機溶剤を揮発させるのみで、容易に塗膜を形成することができる。加熱乾燥時にエポキシ樹脂(B)の硬化も行うが、その硬化反応は一般的なエポキシ樹脂系の封止材料を用いた場合に比べ、微小である。
【0047】
本発明のペースト組成物を塗布、乾燥して塗膜を形成した場合、塗膜内部には、樹脂で充填されずに残った粉末状無機充填材(D)の粉末間の空隙や、有機溶剤(F)が揮発して抜けた後に微細な空隙の残った層が形成され、塗膜表面(外気及びチップ、チップ支持基板等の被覆された部品に接する塗膜の表面)には、塗膜内部と比較して空隙の少ない、若しくはない、樹脂成分が多い密な層が形成される。特に、チップのAl端子部は、樹脂成分で被覆され、接着しており、この層の存在によりパッケージの耐湿信頼性が確保される。表面の層により塗膜の耐湿性及び強度が保たれると同時に、内部に残った微細な空隙が、リフロー時に塗膜内部で発生する気化水分等のガスの緩衝、発散に効果があるため、樹脂と充填材が密に充填された素材と比較して、耐リフロー性が向上する。このとき、透湿率が低い密な表面層と、微細な空隙を持つ層との間は、明確な境界を有していても、連続的に変化していてもよい。
【0048】
本発明のペースト組成物は、上記(A)、(B)、(C)、(D)、(E)及び(F)を必須成分とし、更に、このペースト組成物を塗布、乾燥して塗膜を形成したときに、空隙率が塗膜全体の3体積%以上で、40℃、90%RH(Relative humidity:相対湿度)における透湿度が500g/m2・24h以下である塗膜を形成しうるものである必要がある。塗膜中の空隙率は、塗膜全体の好ましくは3〜30体積%、より好ましくは5〜30体積%、更に好ましくは5〜20体積%である。空隙率が3体積%未満の場合は、ガスの緩衝、発散が十分に行われないために、耐リフロー性が低下する。また、塗膜の透湿度は、好ましくは30〜500g/m2・24hとされる。透湿度が500g/m2・24hを超えると、外部からの水分等の浸入が大きく、塗膜の耐湿信頼性が低下し、半導体素子の耐湿性が低下する。塗膜の透湿度が30g/m2・24h未満であると、塗膜の耐湿信頼性は向上するが、実装加熱時に塗膜内部で気化した吸湿水分が排出、緩衝される経路が十分に確保されなくなり、クラックが生じやすくなる傾向がある。
【0049】
空隙率を透湿度を上記の適正な範囲に保った塗膜を半導体部品の保護膜として用いることにより、耐リフロー性及び耐湿性の良好な半導体装置が得られる。塗膜の空隙率及び透湿度を上記範囲に制御するためには、熱可塑性樹脂(A)及びエポキシ樹脂(B)からなる樹脂成分、(A)+(B)と、粉末状無機充填材(D)及びゴム弾性を有する粉末(E)からなる充填材成分、(D)+(E)との比率、即ち、[(A)+(B)]:[(D)+(E)]の重量比を、5:95〜18:82とすることが好ましく、6:94〜15:85とすることがより好ましい。例えば、樹脂成分としてポリアミドシリコーン共重合体:脂環式エポキシ樹脂の8:2(重量比)の混合物を、充填材成分として二酸化珪素粉末:シリコーンゴム粉末の9:1(重量比)の混合物を、有機溶剤としてジエチレングリルジメチルエーテルを用いたペースト組成物を、70℃/120℃/160℃のステップ乾燥を行い、乾燥(硬化)塗膜の厚みを100〜1000μmとした場合、樹脂成分:充填材成分の重量比を13:87にすると、空隙率が3体積%以上で、透湿度が40℃90%RHの条件において500g/m2・24h以下の塗膜が得られる。また、樹脂成分:充填材成分の重量比を5:95又は19:81とした場合、塗膜の空隙率が3体積%未満になったり、又は透湿度が40℃90%RHの条件において500g/m2・24hより高くなったりするため、耐リフロー性と耐湿信頼性を併せ持つ半導体装置用のペースト組成物が得られない。
【0050】
本発明のペースト組成物を半導体部品の表面にディスペンス、スクリーン印刷等、公知の方法により塗布、乾燥することにより本発明の保護膜を形成するに際し、塗布対象となる半導体部品としては、半導体装置に用いられる半導体部品であれば特に制限はない。例えば、BGA、CSP、TCPなどのチップの端子と接続されるインナー接続部、半導体装置外部との接続を行うためのアウター接続部、及び、インナー接続部とアウター接続部を接続する配線部を備えたチップ支持基板に搭載されたチップが挙げられる。本発明の保護膜は、空隙率が保護膜全体の3体積%以上、好ましくは3〜30体積%、より好ましくは5〜30体積%であり、40℃、90%RHにおける透湿度が500g/m2・24h以下、好ましくは30〜500g/m2・24hとされる。
【0051】
本発明の保護膜を形成する場合、ペースト組成物中に用いた有機溶剤等の種類に応じて、適切な乾燥条件を設定することが好ましい。例えば、ペースト組成物を半導体部品の表面に塗布し、50〜100℃で0.5〜2時間、次いで101〜140℃で0.5〜2時間、次いで141〜180℃で0.5〜2時間加熱することにより乾燥することが好ましい。例えば、樹脂成分としてポリアミドシリコーン共重合体:脂環式エポキシ樹脂の8:2(重量比)の混合物を、充填材成分として二酸化珪素粉末:シリコーンゴム粉末の9:1(重量比)の混合物を、有機溶剤としてジエチレングリルジメチルエーテルを用いたペースト組成物を、70℃1時間/120℃1時間/160℃1時間のステップ乾燥を行った場合には、空隙率及び透湿度が上記範囲内にあり、良好な特性を有する保護膜が得られるが、160℃のみで乾燥した場合は、保護膜に膨れを生じ、良好な特性を有する保護膜が得られない場合がある。
【0052】
本発明の半導体装置は、半導体装置中の半導体部品の保護膜として、上記本発明の保護膜を有するものである。例えば、保護膜が、半導体装置中のチップを封止している封止材であることが好ましい。
【0053】
また、本発明の半導体装置においては、封止材中の1〜20μm径の空隙の占める割合が、封止材中の0.0032〜100μm径の空隙の体積の1〜100体積%であることが好ましく、10〜100体積%であることがより好ましく、20〜100体積%であることがより好ましく、30〜100体積%であることが更に好ましい。封止材中の0.0032〜100μm径の空隙の体積中、1〜20μm径の空隙の割合が1体積%未満であると、実装加熱時にパッケージ(封止材)内部で発生した気化水分が排出・緩衝される経路が十分に確保されないためにクラックが生じやすくなる傾向がある。更に、50μm径以上の空隙は、0.0032〜100μm径の空隙の体積の30体積%以下であることが好ましい。50μm以上の径の空隙が0.0032〜100μm径の空隙の体積中の30体積%を超えると、実装加熱時の気化水分の排出・緩衝経路は十分に確保されるものの、水分がパッケージ(封止材)内部に容易に浸入してパッケージの耐湿信頼性が低下する傾向がある。
【0054】
本発明の半導体装置の構造としては、例えば、上記チップがチップ支持基板に搭載されており、チップ支持基板が、チップの端子が接続されているインナー接続部、半導体外部との接続を行うためのアウター接続部、及び、インナー接続部とアウター接続部を接続する配線部を備えているものが挙げられる。例えば、インナー接続部が、絶縁性基材の一方の面に形成された配線パターンであり、アウター接続部が、絶縁性基材の裏面に形成され、配線部により配線パターンに接続された複数の電極部であり、チップが絶縁性基材の配線パターンが形成された面上に半導体素子接着用接着剤にて接合されており、チップの端子と配線パターンとが金線で接続されていることが好ましい。
【0055】
また、半導体装置のパッケージ構造についても、半導体素子全体又は半導体素子の一部が上記封止材で封止されている構造であれば特に限定するものではなく、例えば(1)BGAパッケージ、(2)CSP(Chip Size Package、(3)TCP(Tape−Carrier Package)などが好適である。
【0056】
【実施例】
次に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらにより制限されるものではない。
実施例及び比較例で用いたポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)は、芳香族ジカルボン酸成分としてのイソフタル酸クロライドと、一般式(I)(R1、R2、R3、R4=H、X=−C(CH3)2−)で表される芳香族ジアミン(2,2−ビス(ジアミノフェノキシフェニル)プロパン)及び一般式(II)(Y1=−C3H6−、Y2=−CH3、m=38)(モル比90:10)からなるジアミンとを重縮合して得られた熱可塑性樹脂であり、重量平均分子量は60000である。脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)は、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(エポキシ当量170〜200、C126H194O33)である。カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)は、アルミネートカップリング剤である。エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)は、アミンアダクト系潜在性硬化剤である。
【0057】
実施例1
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)128重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)32重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル250重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を100重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)8重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0058】
実施例2
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)144重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)36重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル250重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を100重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)8重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0059】
比較例1
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)40重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)10重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル150重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を100重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)8重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0060】
比較例2
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)188重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)62重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル375重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を100重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)8重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0061】
実施例1、2及び比較例1、2のペースト組成物をテフロン板上に塗布し、オーブンに入れて70℃で1時間、120℃で1時間、次いで160℃で1時間順次昇温させながら乾燥、固化して、約0.5mm厚の硬化物塗膜を得た。塗膜の空隙率を、比重測定により求めた。すなわち、ペースト組成物の有機溶剤以外の各成分の比重からそれら成分全体の理論比重bを求め、次いで塗膜の比重aを求め、空隙率=(1−a/b)×100で求めた。塗膜の透湿度は、JIS Z 0208(温湿度条件B、即ち温度40℃、相対湿度90%RH)により求めた。その結果を表1に示す。
【0062】
次に図1に示す半導体装置を作製し、耐リフロー性及び耐湿性を測定した。即ち、絶縁性基材7の一方の面に金メッキ端子11及び配線パターン(図示せず)を有し、もう一つの面に配線部9によりそれらと導通し、外部と接続する複数の電極部12を有する24mm×24mm×厚さ0.56mmのチップ支持基板5(商品名:E−679K、日立化成工業(株)製)を用意し、その金メッキ端子11と電極部12を除く面に厚さ約20μmの絶縁保護レジスト(商品名:PSR4000AUS5、太陽インキ(株)製)を塗布した。このチップ支持基板5に、半導体素子の形状と同等の広さに半導体素子用の接着剤3(商品名:EN−4500、日立化成工業(株)製)を約8mg塗布し、次いで、その上に9mm×9mm×厚さ0.48mmのチップにAl配線した模擬半導体素子2を搭載した。半導体素子2を搭載したチップ支持基板5をオーブンに入れて接着剤3を硬化させ、次いで、半導体素子2とチップ支持基板5の金メッキ端子11を太さ30μmの金線4でワイヤボンディングした。さらに、ペースト組成物を塞き止めてペースト組成物の基板外への流出を防ぐために、ダム材1b(商品名:HIR−2500、日立化成工業(株)製)を設けた。半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、実施例1、2及び比較例1、2の各ペースト組成物0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、半導体素子2を搭載し、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5をオーブンに入れて、70℃で1時間、120℃で1時間、及び160℃で1時間順次昇温させながらペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。こえらの半導体装置を実装する際には、ハンダボール8が設けられる。
【0063】
耐リフロー性試験として、半導体装置を恒温恒湿器(85℃/60%RH)に168時間放置し、その後半導体装置の表面温度が240℃/10秒になるように設定した赤外線リフロー装置を通し、クラックや剥離等の発生を調べた(リフロー回数:1回)。結果を表1に示す。
【0064】
耐湿性試験として、半導体装置の所定の端子に10Vの電圧を加えたまま恒温恒湿器(85℃/85%RH)に放置し、半導体素子2上のアルミ配線のオープン、及びアルミ配線間の絶縁不良が発生するまでの時間を測定した。結果を表1に示す。
【0065】
【表1】
1) クラック、剥離発生基板数/試験投入枚数
【0066】
ペースト組成物A
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)128重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)32重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル280重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の微粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を110重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)6重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0067】
ペースト組成物B
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)40重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)10重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル90重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の微粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を110重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)2重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0068】
ペースト組成物C
ポリアミドシリコーン共重合体(商品名:HIMAL、日立化成工業(株)製)320重量部と脂環式エポキシ樹脂(商品名:EHPE3150、ダイセル化学工業(株)製)80重量部をジエチレングリコールジメチルエーテル710重量部に溶解させワニス化した。これに平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)を970重量部加え、更に平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の微粉末(商品名:KMP−598、信越化学工業(株)製)を110重量部、カップリング剤(商品名:プレンアクトAL−M、味の素(株)製)1重量部、エポキシ硬化剤(商品名:アミキュアMY−H、味の素(株)製)16重量部を加え、3本ロールで混練してペースト組成物を調製した。
【0069】
ペースト組成物D
ビフェニル型エポキシ樹脂と硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を用い、これらの樹脂合計160重量部と、平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)970重量部とを混合し、3本ロールで混練し、ペースト組成物を調製した。
【0070】
ペースト組成物E:シリコーン
シリコーン樹脂160重量部と平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)970重量部とを混合し、3本ロールで混練し、ペースト組成物を調製した。
【0071】
ペースト組成物F
レゾール型フェノール樹脂160重量部と平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末(商品名:FB−74、電気化学工業(株)製)970重量部とを混合し、さらにメチルエチルケトン160重量部にて希釈してペースト組成物を調製した。
【0072】
これらペースト組成物の塗膜中の空隙径及び空隙分布は、水銀ポロシメトリーにより求めた。すなわち、各ペースト組成物をテフロンシート上に適量塗布した後、ペースト組成物A、B、Cについては70℃1時間、120℃1時間及び160℃1時間で順次昇温しながら加熱乾燥し、ペースト組成物D及びEは100℃で30分間、及び150℃で3時間、順次昇温しながら加熱乾燥し、ペースト組成物Fは150℃で2時間加熱乾燥し、厚さ0.5mmのシート状硬化塗膜を作製した。次いで、各塗膜を5mm×20mmの大きさに切断し、これの空隙分布を水銀ポロシメータ AUTOSCAN−33 POROSIMETER(QUANTACHROME製)を用いて、空隙の直径が0.0032〜100μmの範囲で測定した。次いで、得られた空隙分布から、1〜20μmの空隙が占める割合を{(1〜20μm径の空隙が示す体積)/(0.0032〜100μmの空隙が占める体積)}×100により算出した。また、上記の方法で得られた塗膜の空隙率及び透湿度は、上記と同様にして求めた。すなわち、すなわち、ペースト組成物の有機溶剤以外の各成分の比重からそれら成分全体の理論比重bを求め、次いで塗膜の比重aを求め、空隙率=(1−a/b)×100で求めた。塗膜の透湿度は、JIS Z 0208(温湿度条件B、即ち温度40℃、相対湿度90%RH)により求めた。その結果を表2に示す。
【0073】
半導体装置
図1に示すように、絶縁性基材7の一方の面に金メッキ端子11及び配線パターン(図示せず)を有し、もう一つの面に配線部9によりそれらと導通し、外部と接続する複数の電極部12を有する24mm×24mm×厚さ0.56mmのチップ支持基板5(商品名:E−679K、日立化成工業(株)製)を用意し、その金メッキ端子11と電極部12を除く面に厚さ約20μmの絶縁保護レジスト(商品名:PSR4000AUS5、太陽インキ(株)製)を塗布した。このチップ支持基板5に、半導体素子の形状と同等の広さに半導体素子用の接着剤3(商品名:EN−4500、日立化成工業(株)製)を約8mg塗布し、次いで、その上に9.6mm×10.2mm×厚さ0.40mmのチップにAl配線した模擬半導体素子2を搭載した。半導体素子2を搭載したチップ支持基板5をオーブンに入れて接着剤3を硬化させ、次いで、半導体素子2とチップ支持基板5の金メッキ端子11を太さ30μmの金線4でワイヤボンディングした。さらに、ペースト組成物を塞き止めてペースト組成物の基板外への流出を防ぐために、ダム材1b(商品名:HIR−2500、日立化成工業(株)製)を設けた。
【0074】
実施例3
上記の半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、ペースト組成物A0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5を、70℃で1時間、120℃で1時間、及び160℃で1時間順次昇温させながらペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。
【0075】
比較例3
上記の半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、ペースト組成物B0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5を、70℃で1時間、120℃で1時間、及び160℃で1時間順次昇温させながらペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。
【0076】
比較例4
上記の半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、ペースト組成物C0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5を、70℃で1時間、120℃で1時間、及び160℃で1時間順次昇温させながらペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。
【0077】
比較例5
上記の半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、ペースト組成物D0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5を、100℃で30分、150℃で3時間順次昇温させながらペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。
【0078】
比較例6
上記の半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、ペースト組成物E0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5を、100℃で30分、150℃で3時間順次昇温させながらペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。
【0079】
比較例7
上記の半導体素子2を搭載したチップ支持基板5の搭載面に、ペースト組成物F0.8gを、半導体素子2及び金線4が完全に隠れるようにポッティングした。次いで、ペースト組成物をポッティングしたチップ支持基板5を、150℃で2時間加熱してペースト組成物を乾燥、固化し、硬化した封止材1aでパッケージされた半導体装置を得た。
【0080】
上記で得られた半導体装置の耐リフロー性を評価するために、温度85℃、相対湿度60%RHの雰囲気中に168時間放置して吸湿処理を行った後、半導体装置の表面温度が240℃/10秒になるように設定した赤外線リフロー装置に通して、クラックや剥離等の発生を調べた(耐リフロー性試験)。
【0081】
上記で得られた半導体装置の耐湿信頼性を評価するために、温度121℃、圧力2気圧の飽和水蒸気圧のプレッシャークッカー内に放置して、所定時間ごとにAl配線の不良をチェックして不良率が50%になるまでのパッケージ寿命を調べた(PCT試験)。これらの評価結果を表2に示す。
【0082】
【表2】
1)封止材1a中の二酸化珪素粉末及びシリコーンゴム弾性体の合計量の重量%(計算値)
【0083】
【発明の効果】
本発明のペースト組成物を塗布、乾燥して半導体装置の保護膜又は封止材とすることにより、良好な耐リフロー性及び耐湿信頼性を備えた半導体装置を得ることができる。すなわち、本発明のペースト組成物を塗布、乾燥して半導体装置を封止した場合、半導体装置は、内部に空隙を有し透湿度が適度な範囲に調整された封止材で封止される。従って、例えばリフロー時にパッケージ内部で発生する気化水分が容易に排出・緩衝される経路が確保されているため、半導体装置は優れた耐リフロー性を示す。さらに、封止材表面近傍及び半導体素子能動面近傍には、透湿度の低い樹脂密度の高い層が形成されるため、耐湿性にも優れる。加えて、本発明の半導体装置は、製造工程数を増やすことなく、既存の半導体パッケージ製造設備を用いて製造可能であるので、コスト的にも有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の一態様を示す断面図である。
Claims (19)
- (A)熱可塑性樹脂100重量部、(B)エポキシ樹脂5〜150重量部、(C)カップリング剤0.1〜30重量部、(D)粉末状無機充填材100〜3500重量部、(E)ゴム弾性を有する粉末20〜300重量部及び(F)有機溶剤150〜3500重量部を必須成分とするペースト組成物であって、
上記熱可塑性樹脂(A)及び上記エポキシ樹脂(B)の合計と上記粉末状無機充填材(D)及び上記ゴム弾性を有する粉末(E)の合計との重量比が、[(A)+(B)]:[(D)+(E)]が5:95〜18:82であり、
ペースト組成物を塗布、乾燥して塗膜を形成したときに、空隙率が3体積%以上で、40℃、90%RHにおける透湿度が500g/m2・24h以下である塗膜を形成するペースト組成物(ただし、上記エポキシ樹脂が、エポキシ基を有する液状シリコーンである場合を除き、かつ、下記一般式
で表される繰り返し単位からなるポリアミドシリコーン重合体100重量部、ジエチレングリコールジメチルエーテル230重量部、平均粒径30μmの球状二酸化珪素粉末700重量部、平均粒径15μmのシリコーンゴム弾性体の微粉末68重量部、カップリング剤1重量部及びエポキシ化合物30重量部からなるペースト組成物を除く。)。 - 空隙率が9体積%以上である請求項1記載のペースト組成物。
- ペースト組成物を塗布し、70℃で1時間、次いで120℃で1時間、次いで160℃で1時間加熱することにより乾燥して塗膜を形成したときに、空隙率が3体積%以上で、40℃、90%RHにおける透湿度が500g/m2・24h以下である塗膜を形成する請求項1又は2記載のペースト組成物。
- エポキシ樹脂(B)の硬化剤(G)を更に含有する請求項1又は2記載のペースト組成物。
- 熱可塑性樹脂(A)が芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導体とジアミノシリコーンを必須成分とするジアミンとを重縮合させて得られるポリアミドシリコーン共重合体又はポリアミドイミドシリコーン共重合体である請求項1又は2記載のペースト組成物。
- エポキシ樹脂(B)が脂環式エポキシ樹脂である請求項1又は2記載のペースト組成物。
- カップリング剤(C)がシランカップリング剤、チタネートカップリング剤及びアルミネートカップリング剤からなる群から選ばれる1種又は2種以上のカップリング剤である請求項1又は2記載のペースト組成物。
- 粉末状無機充填材(D)が二酸化珪素粉末である請求項1又は2記載のペースト組成物。
- ゴム弾性を有する粉末(E)がシリコーンゴム粉末である請求項1又は2記載のペースト組成物。
- エポキシ樹脂(B)100重量部に対して、さらにエポキシ樹脂(B)の硬化剤(G)を1〜100重量部含有する請求項1又は2記載のペースト組成物。
- 請求項1又は2記載のペースト組成物を半導体部品の表面に塗布、乾燥して得られ、空隙率が3体積%以上で、40℃、90%RHにおける透湿度が500g/m2・24h以下である保護膜。
- ペースト組成物を半導体部品の表面に塗布し、50〜100℃で0.5〜2時間、次いで101〜140℃で0.5〜2時間、次いで141〜180℃で0.5〜2時間加熱することにより乾燥して得られる請求項11記載の保護膜。
- 空隙率が3〜30体積%で、40℃、90%RHにおける透湿度が30〜500g/m2・24hである請求項11記載の保護膜。
- 請求項11記載の保護膜を有する半導体装置。
- 保護膜が、半導体装置中のチップを封止している封止材である請求項14記載の半導体装置。
- 封止材中の1〜20μm径の空隙の占める割合が、封止材中の0.0032〜100μm径の空隙の体積の1〜100体積%である請求項15記載の半導体装置。
- 封止材が、空隙率が3〜30体積%で、40℃、90%RHにおける透湿度が30〜500g/m2・24hである請求項16記載の半導体装置。
- チップがチップ支持基板に搭載されており、チップ支持基板が、チップの端子が接続されているインナー接続部、半導体外部との接続を行うためのアウター接続部、及び、インナー接続部とアウター接続部を接続する配線部を備えているものである請求項15記載の半導体装置。
- インナー接続部が、絶縁性基材の一方の面に形成された配線パターンであり、アウター接続部が、絶縁性基材の裏面に形成され、配線部により配線パターンに接続された複数の電極部であり、チップが絶縁性基材の配線パターンが形成された面上に半導体素子接着用接着剤にて接合されており、チップの端子と配線パターンとが金線で接続されている請求項18記載の半導体装置。
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DE102004039693B4 (de) * | 2004-08-16 | 2009-06-10 | Infineon Technologies Ag | Vergussmasse, Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls |
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CN104356603B (zh) * | 2014-11-27 | 2016-08-24 | 黑龙江省科学院石油化学研究院 | 一种用于制备防雷击分流条的半导体胶膜材料及其制备方法 |
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WO2020026818A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラ株式会社 | フレーク状封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
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JP2713320B2 (ja) | 1991-11-11 | 1998-02-16 | 富士通株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
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DE69304086T2 (de) * | 1992-01-07 | 1997-04-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polyimide, ritzehärtbare Harzzusammensetzungen mit den Polyimide, Formkörper auf die Harzzusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung von deren Polyimiden |
US5294835A (en) * | 1992-07-28 | 1994-03-15 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same |
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