JPH11228787A - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPH11228787A JPH11228787A JP10031891A JP3189198A JPH11228787A JP H11228787 A JPH11228787 A JP H11228787A JP 10031891 A JP10031891 A JP 10031891A JP 3189198 A JP3189198 A JP 3189198A JP H11228787 A JPH11228787 A JP H11228787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- paste composition
- manufactured
- copper
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エポキシ樹脂系ペースト組成物のリードフレ
ームに対するピール強度、特に銅リードフレームに対す
るピール強度を向上させ、銅リードフレームを使用した
際にもリフロークラックのない樹脂ペースト組成物及び
これを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤及び充填材を含
み、さらに、これらの総量１００重量部に対してアセチ
ルアセトン錯塩０．０１〜１．０重量部を含有する樹脂
ペースト組成物並びにこの樹脂ペースト組成物を用いて
半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導
体装置。
ームに対するピール強度、特に銅リードフレームに対す
るピール強度を向上させ、銅リードフレームを使用した
際にもリフロークラックのない樹脂ペースト組成物及び
これを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤及び充填材を含
み、さらに、これらの総量１００重量部に対してアセチ
ルアセトン錯塩０．０１〜１．０重量部を含有する樹脂
ペースト組成物並びにこの樹脂ペースト組成物を用いて
半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導
体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ配線板な
どに接着するのに好適な接着剤ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置に関する。
半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ配線板な
どに接着するのに好適な接着剤ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の実装方式は、高密度実装の
点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行
しているが、基板への実装には基板全体を赤外線などで
加熱するリフローソルダリングが用いられ、パッケージ
が２００℃以上の高温に加熱されるため、パッケージ内
部、特に、特に接着剤層中又は封止材中に含まれる水分
の急激な気化・膨張によりパッケージクラックが発生
し、半導体装置の信頼性が低下するという問題があっ
た。この問題は、４２アロイリードフレームよりも銅リ
ードフレームにおいて特に深刻であり、解決が急務とな
っている。
点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行
しているが、基板への実装には基板全体を赤外線などで
加熱するリフローソルダリングが用いられ、パッケージ
が２００℃以上の高温に加熱されるため、パッケージ内
部、特に、特に接着剤層中又は封止材中に含まれる水分
の急激な気化・膨張によりパッケージクラックが発生
し、半導体装置の信頼性が低下するという問題があっ
た。この問題は、４２アロイリードフレームよりも銅リ
ードフレームにおいて特に深刻であり、解決が急務とな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の問題点を解消し、エポキシ樹脂系ペースト組成物
のリードフレームに対するピール強度、特に銅リードフ
レームに対するピール強度を向上させ、銅リードフレー
ムを使用した際にもリフロークラックのない樹脂ペース
ト組成物及びこれを用いた半導体装置を提供するもので
ある。
技術の問題点を解消し、エポキシ樹脂系ペースト組成物
のリードフレームに対するピール強度、特に銅リードフ
レームに対するピール強度を向上させ、銅リードフレー
ムを使用した際にもリフロークラックのない樹脂ペース
ト組成物及びこれを用いた半導体装置を提供するもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、エポキシ樹
脂、硬化剤及び充填材を含み、さらに、これらの総量１
００重量部に対して、アセチルアセトン錯塩０．０１〜
１．０重量部を含有する樹脂ペースト組成物及びこの組
成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止
してなる半導体装置に関する。前記のアセチルアセトン
錯塩としては、一般式（Ｉ）
脂、硬化剤及び充填材を含み、さらに、これらの総量１
００重量部に対して、アセチルアセトン錯塩０．０１〜
１．０重量部を含有する樹脂ペースト組成物及びこの組
成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止
してなる半導体装置に関する。前記のアセチルアセトン
錯塩としては、一般式（Ｉ）
【化２】 〔式中、Ｍはニッケル（II）、アルミニウム、ベリリウ
ム、クロム（III）、コバルト（II）、コバルト（II
I）、銅（II）、インジウム（III）、鉄（II）、リチウ
ム（Ｉ）、マグネシウム（II）、マンガン（II）又は亜
鉛（II）を表す〕で示されるアセチルアセトン錯塩が好
ましい。
ム、クロム（III）、コバルト（II）、コバルト（II
I）、銅（II）、インジウム（III）、鉄（II）、リチウ
ム（Ｉ）、マグネシウム（II）、マンガン（II）又は亜
鉛（II）を表す〕で示されるアセチルアセトン錯塩が好
ましい。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるエポキシ樹脂
としては、特に制限はないが、硬化性の点から１分子中
に２個以上のエポキシ基を有する化合物が好ましい。こ
のようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂〔ＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成工業
(株)製）、Ｒ−３０１（油化シェルエポキシ(株)製）、
ＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ(株)製）〕、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂〔Ｒ−１７１０（三井化学
(株)製）〕、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂〔ＹＤ
Ｆ−１７０（東都化成(株)製）〕、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂〔Ｎ−７３０Ｓ（大日本インキ化学工
業(株)製）、Quatrex−２０１０（ダウ・ケミカル社
製）〕、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂〔ＹＤＣ
Ｎ−７０２Ｓ（東都化成(株)製）、ＥＯＣＮ−１００
（日本化薬(株)製）〕、多官能エポキシ樹脂〔ＥＰＰＮ
−５０１（日本化薬(株)製）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２
（ダウ・ケミカル社製）、ＶＧ−３０１０（三井化学
(株)製）、１０３２Ｓ（油化シェルエポキシ(株)
製）〕、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂〔ＨＰ−
４０３２（大日本インキ化学工業(株)製）〕、脂環式エ
ポキシ樹脂〔ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業
(株)製）〕、アミン型エポキシ樹脂〔ＥＬＭ−１００
（住友化学工業(株)製）、ＹＨ−４３４Ｌ（東都化成
(株)製）〕、レゾルシン型エポキシ樹脂〔デナコールＥ
Ｘ−２０１（ナガセ化成工業(株)製）〕、ネオペンチル
グリコール型エポキシ樹脂〔デナコールＥＸ−２１１
（ナガセ化成工業(株)製）〕、ヘキサンディネルグリコ
ール型エポキシ樹脂〔デナコールＥＸ−２１２（ナガセ
化成工業(株)製）〕、エチレン・プロピレングリコール
型エポキシ樹脂〔デナコールＥＸ−８１０、８１１、８
５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６
１（ナガセ化成工業(株)製）〕及び一般式（II）
としては、特に制限はないが、硬化性の点から１分子中
に２個以上のエポキシ基を有する化合物が好ましい。こ
のようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂〔ＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成工業
(株)製）、Ｒ−３０１（油化シェルエポキシ(株)製）、
ＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ(株)製）〕、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂〔Ｒ−１７１０（三井化学
(株)製）〕、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂〔ＹＤ
Ｆ−１７０（東都化成(株)製）〕、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂〔Ｎ−７３０Ｓ（大日本インキ化学工
業(株)製）、Quatrex−２０１０（ダウ・ケミカル社
製）〕、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂〔ＹＤＣ
Ｎ−７０２Ｓ（東都化成(株)製）、ＥＯＣＮ−１００
（日本化薬(株)製）〕、多官能エポキシ樹脂〔ＥＰＰＮ
−５０１（日本化薬(株)製）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２
（ダウ・ケミカル社製）、ＶＧ−３０１０（三井化学
(株)製）、１０３２Ｓ（油化シェルエポキシ(株)
製）〕、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂〔ＨＰ−
４０３２（大日本インキ化学工業(株)製）〕、脂環式エ
ポキシ樹脂〔ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業
(株)製）〕、アミン型エポキシ樹脂〔ＥＬＭ−１００
（住友化学工業(株)製）、ＹＨ−４３４Ｌ（東都化成
(株)製）〕、レゾルシン型エポキシ樹脂〔デナコールＥ
Ｘ−２０１（ナガセ化成工業(株)製）〕、ネオペンチル
グリコール型エポキシ樹脂〔デナコールＥＸ−２１１
（ナガセ化成工業(株)製）〕、ヘキサンディネルグリコ
ール型エポキシ樹脂〔デナコールＥＸ−２１２（ナガセ
化成工業(株)製）〕、エチレン・プロピレングリコール
型エポキシ樹脂〔デナコールＥＸ−８１０、８１１、８
５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６
１（ナガセ化成工業(株)製）〕及び一般式（II）
【化３】 〔式中、ｎは０〜５の整数を表す〕で示されるエポキシ
樹脂〔Ｅ−ＸＬ−２４、Ｅ−ＸＬ−３Ｌ（三井化学(株)
製）〕などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂を適宜
組み合わせて用いることもできる。
樹脂〔Ｅ−ＸＬ−２４、Ｅ−ＸＬ−３Ｌ（三井化学(株)
製）〕などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂を適宜
組み合わせて用いることもできる。
【０００６】また、エポキシ樹脂として、ポリプロピレ
ングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリ
コールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシ
ジルエーテル等の低分子量エポキシ樹脂はより高分子量
のものと併用することが好ましい。このようなエポキシ
樹脂の市販品としては、ＥＤ−５０３（旭電化(株)
製）、ＬＳ−７９７０（信越化学工業(株)製）等があ
る。本発明のエポキシ樹脂としては、１分子中にエポキ
シ基を１個だけ有するエポキシ化合物を含んでいてもよ
い。このようなエポキシ化合物は、エポキシ樹脂全量に
対して０〜４０重量％の範囲で使用することが好まし
く、０〜２０重量％の範囲で使用することがより好まし
い。市販品としては、ＰＧＥ（日本火薬(株)製）、ＰＰ
−１０１（東都化成(株)製）、ＥＤ−５０２、５０３、
５０９（旭電化(株)製）、ＹＥＤ−１２２（油化シェル
エポキシ(株)製）、ＫＢＭ−４０３、ＬＳ−７９７０
（信越化学工業(株)製）、ＴＳＬ−８３５０、ＴＳＬ−
８３５５、ＴＳＬ−９９０５（東芝シリコーン(株)製）
等の反応希釈剤が挙げられる。
ングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリ
コールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシ
ジルエーテル等の低分子量エポキシ樹脂はより高分子量
のものと併用することが好ましい。このようなエポキシ
樹脂の市販品としては、ＥＤ−５０３（旭電化(株)
製）、ＬＳ−７９７０（信越化学工業(株)製）等があ
る。本発明のエポキシ樹脂としては、１分子中にエポキ
シ基を１個だけ有するエポキシ化合物を含んでいてもよ
い。このようなエポキシ化合物は、エポキシ樹脂全量に
対して０〜４０重量％の範囲で使用することが好まし
く、０〜２０重量％の範囲で使用することがより好まし
い。市販品としては、ＰＧＥ（日本火薬(株)製）、ＰＰ
−１０１（東都化成(株)製）、ＥＤ−５０２、５０３、
５０９（旭電化(株)製）、ＹＥＤ−１２２（油化シェル
エポキシ(株)製）、ＫＢＭ−４０３、ＬＳ−７９７０
（信越化学工業(株)製）、ＴＳＬ−８３５０、ＴＳＬ−
８３５５、ＴＳＬ−９９０５（東芝シリコーン(株)製）
等の反応希釈剤が挙げられる。
【０００７】本発明に用いられる硬化剤としては、特に
制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂〔Ｈ
−１（明和化成工業(株)製）、ＶＲ−９３００（三井化
学(株)製）〕、フェノールアラルキル樹脂〔ＸＬ−２２
５（三井化学(株)製）〕、アリル化フェノールノボラッ
ク樹脂〔ＡＬ−ＶＲ−９３００（三井化学(株)製）〕、
特殊フェノール樹脂〔ＰＰ−７００−３００（日本石油
化学(株)製）〕、ジシアンジアミド（試薬）、二塩酸ジ
ヒドラジド〔ＡＤＨ、ＰＤＨ、ＳＤＨ（日本ヒドラジン
工業(株)製）〕、マイクロカプセル型硬化剤〔ノバキュ
ア（旭化成工業(株)製）〕などが挙げられる。硬化剤の
配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０１
〜９０重量部とするのが好ましく、０．１〜５０重量部
とすることがより好ましい。硬化剤の配合量が０．０１
重量部未満であると耐リフロークラック性が低下する傾
向があり、９０重量部を超えると粘度が上昇し、作業性
が低下する傾向がある。
制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂〔Ｈ
−１（明和化成工業(株)製）、ＶＲ−９３００（三井化
学(株)製）〕、フェノールアラルキル樹脂〔ＸＬ−２２
５（三井化学(株)製）〕、アリル化フェノールノボラッ
ク樹脂〔ＡＬ−ＶＲ−９３００（三井化学(株)製）〕、
特殊フェノール樹脂〔ＰＰ−７００−３００（日本石油
化学(株)製）〕、ジシアンジアミド（試薬）、二塩酸ジ
ヒドラジド〔ＡＤＨ、ＰＤＨ、ＳＤＨ（日本ヒドラジン
工業(株)製）〕、マイクロカプセル型硬化剤〔ノバキュ
ア（旭化成工業(株)製）〕などが挙げられる。硬化剤の
配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０１
〜９０重量部とするのが好ましく、０．１〜５０重量部
とすることがより好ましい。硬化剤の配合量が０．０１
重量部未満であると耐リフロークラック性が低下する傾
向があり、９０重量部を超えると粘度が上昇し、作業性
が低下する傾向がある。
【０００８】本発明に用いられるペースト樹脂組成物に
は、必要に応じて硬化促進剤を添加することができる。
硬化促進剤としては、有機ボロン塩化合物〔ＥＭＺ・
Ｋ、ＴＰＰＫ（北興化学(株)製）〕、三級アミン類及び
その塩〔ＤＢＵ、Ｕ−ＣＡＴ１０２、１０６、８３０、
８４０、５００２（サンアプロ社製）〕、イミダゾール
類〔キュアゾール、２Ｐ４ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−
ＯＫ（四国化成(株)製）〕などが挙げられる。硬化剤及
び必要に応じて添加される硬化促進剤は、単独で用いて
もよく、また、複数種の硬化剤及び硬化促進剤を適宜組
み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の使用量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して１〜２０重量部が好まし
い。
は、必要に応じて硬化促進剤を添加することができる。
硬化促進剤としては、有機ボロン塩化合物〔ＥＭＺ・
Ｋ、ＴＰＰＫ（北興化学(株)製）〕、三級アミン類及び
その塩〔ＤＢＵ、Ｕ−ＣＡＴ１０２、１０６、８３０、
８４０、５００２（サンアプロ社製）〕、イミダゾール
類〔キュアゾール、２Ｐ４ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−
ＯＫ（四国化成(株)製）〕などが挙げられる。硬化剤及
び必要に応じて添加される硬化促進剤は、単独で用いて
もよく、また、複数種の硬化剤及び硬化促進剤を適宜組
み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の使用量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して１〜２０重量部が好まし
い。
【０００９】本発明に用いられる充填材としては、特に
制限はなく、各種のものが用いられるが、例えば、金、
銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス鋼等
の導電性充填材、酸化珪素、窒化硼素、硼酸アルミニウ
ム等の非導電性充填材の粉体が挙げられる。充填材の配
合量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物の総
量１００重量部に対して５〜９５重量部とするのが好ま
しく、２０〜８０重量部とするのがより好ましい。この
配合量が５重量部未満であると、粘度が低くなり作業性
が低下する傾向があり、９５重量部を超えると、逆に粘
度が高くなり作業性が低下する傾向がある。
制限はなく、各種のものが用いられるが、例えば、金、
銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス鋼等
の導電性充填材、酸化珪素、窒化硼素、硼酸アルミニウ
ム等の非導電性充填材の粉体が挙げられる。充填材の配
合量は、特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物の総
量１００重量部に対して５〜９５重量部とするのが好ま
しく、２０〜８０重量部とするのがより好ましい。この
配合量が５重量部未満であると、粘度が低くなり作業性
が低下する傾向があり、９５重量部を超えると、逆に粘
度が高くなり作業性が低下する傾向がある。
【００１０】本発明の樹脂ペースト組成物は、上記のよ
うなエポキシ樹脂、硬化剤及び充填材と、さらに、上記
の一般式（Ｉ）で示されるアセチルアセトン錯塩を含有
するものである。一般式（Ｉ）で示されるアセチルアセ
トン錯塩は、具体的にはニッケル（II）アセチルアセト
ナート、アルミニウムアセチルアセトナート、ベリリウ
ムアセチルアセトナート、クロム（III）アセチルアセ
トナート、コバルト（II）アセチルアセトナート、コバ
ルト（III）アセチルアセトナート、銅（II）アセチル
アセトナート、インジウム（III）アセチルアセトナー
ト、鉄（II）アセチルアセトナート、リチウム（Ｉ）ア
セチルアセトナート、マグネシウム（II）アセチルアセ
トナート、マンガン（II）アセチルアセトナート、亜鉛
（II）アセチルアセトナートなどである。これらのう
ち、アルミニウムアセチルアセトナート〔Ｃ15Ｈ21Ａｌ
Ｏ6〕、銅（II）アセチルアセトナート〔Ｃｕ(ＣＨ3Ｃ
ＯＣＨＣＯＣＨ3)2〕、亜鉛アセチルアセトナート〔Ｚ
ｎ(ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)2〕、コバルト（III）アセ
チルアセトナート〔Ｃｏ(ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)3〕
などが好ましく、特にアルミニウムアセチルアセトナー
ト及び銅アセチルアセトナートが好ましい。
うなエポキシ樹脂、硬化剤及び充填材と、さらに、上記
の一般式（Ｉ）で示されるアセチルアセトン錯塩を含有
するものである。一般式（Ｉ）で示されるアセチルアセ
トン錯塩は、具体的にはニッケル（II）アセチルアセト
ナート、アルミニウムアセチルアセトナート、ベリリウ
ムアセチルアセトナート、クロム（III）アセチルアセ
トナート、コバルト（II）アセチルアセトナート、コバ
ルト（III）アセチルアセトナート、銅（II）アセチル
アセトナート、インジウム（III）アセチルアセトナー
ト、鉄（II）アセチルアセトナート、リチウム（Ｉ）ア
セチルアセトナート、マグネシウム（II）アセチルアセ
トナート、マンガン（II）アセチルアセトナート、亜鉛
（II）アセチルアセトナートなどである。これらのう
ち、アルミニウムアセチルアセトナート〔Ｃ15Ｈ21Ａｌ
Ｏ6〕、銅（II）アセチルアセトナート〔Ｃｕ(ＣＨ3Ｃ
ＯＣＨＣＯＣＨ3)2〕、亜鉛アセチルアセトナート〔Ｚ
ｎ(ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)2〕、コバルト（III）アセ
チルアセトナート〔Ｃｏ(ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)3〕
などが好ましく、特にアルミニウムアセチルアセトナー
ト及び銅アセチルアセトナートが好ましい。
【００１１】上記一般式（Ｉ）で示されるアセチルアセ
トン錯塩の配合量は、エポキシ樹脂、硬化剤及び充填材
の総量１００重量部に対して０．０１〜１．０重量部の
範囲とするのが好ましい。この配合量が０．０１重量部
未満であると、ピール強度向上効果が充分ではなく、
１．０重量部を超えるとピール強度が低下し、樹脂ペー
スト組成物の粘度安定性も低下する傾向がある。
トン錯塩の配合量は、エポキシ樹脂、硬化剤及び充填材
の総量１００重量部に対して０．０１〜１．０重量部の
範囲とするのが好ましい。この配合量が０．０１重量部
未満であると、ピール強度向上効果が充分ではなく、
１．０重量部を超えるとピール強度が低下し、樹脂ペー
スト組成物の粘度安定性も低下する傾向がある。
【００１２】本発明の樹脂ペースト組成物には、ペース
ト組成物の作製時の作業性及び使用時の塗布作業性をよ
り良好ならしめるため、必要に応じて希釈剤を添加する
ことができる。これらの希釈剤としては、ブチルセロソ
ルブ、カルビトール、酢酸ブチルセロソルブ、酢酸カル
ビトール、エチレングリコールジエチルエーテル、α−
テルピネオール等の比較的沸点の高い有機溶剤が挙げら
れる。
ト組成物の作製時の作業性及び使用時の塗布作業性をよ
り良好ならしめるため、必要に応じて希釈剤を添加する
ことができる。これらの希釈剤としては、ブチルセロソ
ルブ、カルビトール、酢酸ブチルセロソルブ、酢酸カル
ビトール、エチレングリコールジエチルエーテル、α−
テルピネオール等の比較的沸点の高い有機溶剤が挙げら
れる。
【００１３】本発明の樹脂ペースト組成物には、さらに
必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸
湿剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等
の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面
活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機
イオン交換体等のイオントラップ剤などを適宜添加する
ことができる。
必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸
湿剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等
の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面
活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機
イオン交換体等のイオントラップ剤などを適宜添加する
ことができる。
【００１４】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、エポキシ樹脂、硬化剤、充填材及び一般式（Ｉ）の
アセチルアセトン錯塩を、必要に応じて用いられる各種
添加剤とともに、一括又は分割して攪拌器、らいかい
器、３本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解
装置を適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加
熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペース
ト状とすればよい。
は、エポキシ樹脂、硬化剤、充填材及び一般式（Ｉ）の
アセチルアセトン錯塩を、必要に応じて用いられる各種
添加剤とともに、一括又は分割して攪拌器、らいかい
器、３本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解
装置を適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加
熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペース
ト状とすればよい。
【００１５】本発明においては、さらに、上記のように
して製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と
支持部材とを接着した後、封止することにより半導体装
置とすることがてきる。本発明の樹脂ペースト組成物を
用いて半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着
させるには、まず、支持部材上に樹脂ペースト組成物を
ディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法な
どにより塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オー
ブン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化す
ることにより行うことができる。さらに、ワイヤボンド
工程を経た後、通常の方法により封止することにより完
成された半導体装置とすることができる。
して製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と
支持部材とを接着した後、封止することにより半導体装
置とすることがてきる。本発明の樹脂ペースト組成物を
用いて半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着
させるには、まず、支持部材上に樹脂ペースト組成物を
ディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法な
どにより塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オー
ブン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化す
ることにより行うことができる。さらに、ワイヤボンド
工程を経た後、通常の方法により封止することにより完
成された半導体装置とすることができる。
【００１６】
【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方
法で作製したもの、あるいは入手したものである。
が、本発明はこれによって制限されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方
法で作製したもの、あるいは入手したものである。
【００１７】（１）エポキシ樹脂の調製 ＹＤＦ−１７０（東都化成(株)製ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量＝１７０）１０重量
部及びＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ(株)製ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝１８５）１
０重量部を８０℃に加熱し、１時間攪拌を続け、均一な
エポキシ樹脂溶液を得た。 （２）硬化剤の調製 Ｈ−１（明和化成(株)製フェノールノボラック樹脂の商
品名、ＯＨ当量＝１０６）１．０重量部及び希釈剤とし
てＰＰ−１０１（東都化成(株)製アルキルフェニルグリ
シジルエーテルの商品名、エポキシ当量＝２３０）２．
０重量部を１００℃に加熱し、１時間攪拌を続け、均一
なフェノール樹脂溶液を得た。
ポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量＝１７０）１０重量
部及びＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ(株)製ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝１８５）１
０重量部を８０℃に加熱し、１時間攪拌を続け、均一な
エポキシ樹脂溶液を得た。 （２）硬化剤の調製 Ｈ−１（明和化成(株)製フェノールノボラック樹脂の商
品名、ＯＨ当量＝１０６）１．０重量部及び希釈剤とし
てＰＰ−１０１（東都化成(株)製アルキルフェニルグリ
シジルエーテルの商品名、エポキシ当量＝２３０）２．
０重量部を１００℃に加熱し、１時間攪拌を続け、均一
なフェノール樹脂溶液を得た。
【００１８】（３）硬化促進剤 ２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成(株)製のイミダゾール類の商品
名）である。 （４）充填材 ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製、銀粉、商品名）であ
る。
名）である。 （４）充填材 ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製、銀粉、商品名）であ
る。
【００１９】実施例１〜４及び比較例１〜２ 表１に示す配合割合で各材料を混合し、３本ロールを用
いて混練した後、５トル（Torr）以下で１０分間脱泡処
理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹脂ペース
ト組成物の特性（粘度、ピール強度及び耐リフロー性）
を下記の方法で測定し、結果を表１に示す。
いて混練した後、５トル（Torr）以下で１０分間脱泡処
理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹脂ペース
ト組成物の特性（粘度、ピール強度及び耐リフロー性）
を下記の方法で測定し、結果を表１に示す。
【００２０】 粘度 ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器社製）を用いて２５℃に
おける粘度（Pa・s）を測定した。 ピール強度 樹脂ペースト組成物を銅リードフレーム上に約３．２mg
塗布し、この上に８mm×８mmのＳｉチップ（厚さ０．４
mm）を圧着し、さらに２００℃に設定したヒートブロッ
ク上に載せ、６０秒加熱した。これを自動接着力装置
（日立化成工業(株)製）を用いて２４０℃における引き
剥がし強さ（kg／チップ）を測定した。
おける粘度（Pa・s）を測定した。 ピール強度 樹脂ペースト組成物を銅リードフレーム上に約３．２mg
塗布し、この上に８mm×８mmのＳｉチップ（厚さ０．４
mm）を圧着し、さらに２００℃に設定したヒートブロッ
ク上に載せ、６０秒加熱した。これを自動接着力装置
（日立化成工業(株)製）を用いて２４０℃における引き
剥がし強さ（kg／チップ）を測定した。
【００２１】 耐リフロー性 各実施例及び比較例により得た樹脂ペースト組成物を用
い、下記のリードフレームとＳｉチップを、下記の硬化
条件により硬化し、接着した。その後、日立化成工業社
製エポキシ封止材（商品名ＣＥＬ−４６２０）により封
止し、半田リフロー試験用パッケージを得た。そのパッ
ケージを温度及び湿度がそれぞれ８５℃、８５％の条件
に設定された恒温恒湿槽中で７２時間吸湿させた。その
後、２４０℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを
行い、パッケージの外部クラックの発生数を顕微鏡（倍
率：１５倍）で観察した。５個のサンプルについてクラ
ックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ：８mm×１０mm パッケージ：ＱＦＰ、１４mm×２０mm×２mm フレーム：銅 硬化条件：１８０℃まで３０分かけて昇温し、１８０℃
で６時間硬化させる。
い、下記のリードフレームとＳｉチップを、下記の硬化
条件により硬化し、接着した。その後、日立化成工業社
製エポキシ封止材（商品名ＣＥＬ−４６２０）により封
止し、半田リフロー試験用パッケージを得た。そのパッ
ケージを温度及び湿度がそれぞれ８５℃、８５％の条件
に設定された恒温恒湿槽中で７２時間吸湿させた。その
後、２４０℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを
行い、パッケージの外部クラックの発生数を顕微鏡（倍
率：１５倍）で観察した。５個のサンプルについてクラ
ックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ：８mm×１０mm パッケージ：ＱＦＰ、１４mm×２０mm×２mm フレーム：銅 硬化条件：１８０℃まで３０分かけて昇温し、１８０℃
で６時間硬化させる。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１に示した結果から、アセチルアセトン
錯塩を含まないペースト組成物（比較例１）及びアセチ
ルアセトン錯塩を過剰に含むペースト組成物（比較例
２）では、全てのパッケージに外部クラックが発生し、
半導体装置の信頼性低下につながるが、本発明の樹脂ペ
ースト組成物（実施例１〜４）を用いればピール強度で
良好な値を示し、耐リフロー性が著しく優れていた。こ
のことから、本発明の接着剤ペースト組成物によれば、
パッケージの外部クラックの発生が抑制され、銅リード
フレームを使用した際にも信頼性の高いパッケージが得
られることが確認された。
錯塩を含まないペースト組成物（比較例１）及びアセチ
ルアセトン錯塩を過剰に含むペースト組成物（比較例
２）では、全てのパッケージに外部クラックが発生し、
半導体装置の信頼性低下につながるが、本発明の樹脂ペ
ースト組成物（実施例１〜４）を用いればピール強度で
良好な値を示し、耐リフロー性が著しく優れていた。こ
のことから、本発明の接着剤ペースト組成物によれば、
パッケージの外部クラックの発生が抑制され、銅リード
フレームを使用した際にも信頼性の高いパッケージが得
られることが確認された。
【００２４】
【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、ＩＣ、
ＬＳＩ等の半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキ
シ配線板などに接着するのに好適であり、半導体装置の
ダイボンディング剤として使用した場合に銅リードフレ
ームにおいても、半田リフロー時のペースト層の剥離を
抑えることができ、リフロークラックの発生を低減させ
る。その結果、信頼性の著しく向上した半導体装置を提
供することができる。
ＬＳＩ等の半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキ
シ配線板などに接着するのに好適であり、半導体装置の
ダイボンディング剤として使用した場合に銅リードフレ
ームにおいても、半田リフロー時のペースト層の剥離を
抑えることができ、リフロークラックの発生を低減させ
る。その結果、信頼性の著しく向上した半導体装置を提
供することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤及び充填材を含
み、さらに、これらの総量１００重量部に対してアセチ
ルアセトン錯塩０．０１〜１．０重量部を含有する樹脂
ペースト組成物。 - 【請求項２】 アセチルアセトン錯塩が一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｍはニッケル（II）、アルミニウム、ベリリウ
ム、クロム（III）、コバルト（II）、コバルト（II
I）、銅（II）、インジウム（III）、鉄（II）、リチウ
ム（Ｉ）、マグネシウム（II）、マンガン（II）又は亜
鉛（II）を表す〕で示される化合物である請求項１記載
の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）においてＭが銅又はアルミ
ニウムである請求項１記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項４】 請求項１記載の樹脂ペースト組成物を用
いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031891A JPH11228787A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10031891A JPH11228787A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11228787A true JPH11228787A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12343657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10031891A Pending JPH11228787A (ja) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11228787A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001207022A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2001288338A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US6404068B1 (en) * | 1998-08-21 | 2002-06-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same |
| JP2005531667A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ロード コーポレーション | 界面接着剤 |
| WO2018105056A1 (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日立化成株式会社 | 封止用樹脂組成物、硬化物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160056A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-09 | Toshiba Corp | Resin sealing type semiconductor device |
| JPH0359063A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH05342910A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
| JPH06136341A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-17 | Toray Ind Inc | 接着剤 |
| JPH06192396A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Nissan Chem Ind Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物 |
| JPH09316166A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置 |
-
1998
- 1998-02-16 JP JP10031891A patent/JPH11228787A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160056A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-09 | Toshiba Corp | Resin sealing type semiconductor device |
| JPH0359063A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH05342910A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペースト |
| JPH06136341A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-17 | Toray Ind Inc | 接着剤 |
| JPH06192396A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-12 | Nissan Chem Ind Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物 |
| JPH09316166A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404068B1 (en) * | 1998-08-21 | 2002-06-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same |
| JP2001207022A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2001288338A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005531667A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ロード コーポレーション | 界面接着剤 |
| WO2018105056A1 (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日立化成株式会社 | 封止用樹脂組成物、硬化物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4507488B2 (ja) | 接合材料 | |
| JP3010843B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物およびこの組成物を用いた半導体装置 | |
| JP3461023B2 (ja) | 接着剤および半導体装置 | |
| JPH11228787A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH1192740A (ja) | 樹脂ペースト組成物および半導体装置 | |
| JP3506185B2 (ja) | 接着剤及び半導体装置 | |
| JPH0669257A (ja) | 半導体素子用接着剤および半導体装置 | |
| JP3259501B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP3511126B2 (ja) | 非導電性樹脂ペーストおよび半導体装置 | |
| JP2003335924A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH0536738A (ja) | 導電性樹脂ペーストおよび半導体装置 | |
| JPH1050142A (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物および半導体装置 | |
| JPH06151480A (ja) | 導電性樹脂ペーストおよび半導体装置 | |
| JPH04218524A (ja) | 導電性樹脂ペーストおよび半導体装置の製造法 | |
| JP2004359830A (ja) | 導電性接着剤組成物 | |
| JPH09194813A (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JPH06196513A (ja) | 接着剤および半導体装置 | |
| JP2000226432A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3200251B2 (ja) | 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11106454A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH10195408A (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3511118B2 (ja) | 接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
| JPH10152664A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH0881669A (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物および半導体装置 | |
| JP2003147316A (ja) | 接着用樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070308 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070628 |