JPH1192740A - 樹脂ペースト組成物および半導体装置 - Google Patents

樹脂ペースト組成物および半導体装置

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JPH1192740A
JPH1192740A JP9258428A JP25842897A JPH1192740A JP H1192740 A JPH1192740 A JP H1192740A JP 9258428 A JP9258428 A JP 9258428A JP 25842897 A JP25842897 A JP 25842897A JP H1192740 A JPH1192740 A JP H1192740A
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和彦 山田
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雅夫 川澄
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応性が高く、硬化性が良好で、接着性に優
れ、しかも可使時間の長い非導電性樹脂ペースト組成物
及びこの非導電性樹脂ペースト組成物を用いて製造が容
易な半導体装置を提供する。 【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
(C)フィラーおよび(D)一般式(I) 【化1】 (ただし、式中、R1は水素、炭素数1〜4のアルキル
基又は水酸基、R2及びR3はそれぞれ独立に水素、炭素
数1〜4のアルキル基、カルボキシル基又はアルキルオ
キシカルボニル基、R4及びR5はそれぞれ独立に水素又
は炭素数1〜4のアルキル基を示し、R1が水酸基であ
ること、R2がカルボキシル基又はアルキルオキシカル
ボニル基であること及びR3がカルボキシル基又はアル
キルオキシカルボニル基であることのうち少なくともい
ずれか一つの場合を必須とする)で表されるベンゾトリ
アゾール化合物を含有してなる樹脂ペースト組成物並び
にこの樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部
材に接着した後、封止してなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂ペースト組成
物、さらに詳しくはIC、LSI等の半導体素子をリー
ドフレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板
等の支持部材に接着するのに好適な樹脂ペースト組成物
およびこれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の観
点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行
しているが、基盤への実装には基板全体を赤外線等で加
熱するリフローソルダリングが用いられ、パッケージが
200℃以上の高温に加熱されるため、パッケージ内
部、特に接着剤層中または封止材中に含まれる水分の急
激な気化・膨張によりパッケージクラックが発生し、半
導体装置の信頼性が低下するという問題があった。この
問題は、42アロイリードフレームよりも銅フレームに
おいて特に深刻な問題であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】請求項1における発明
は、上記の従来技術の問題をなくし、反応性が高く、硬
化性が良好で、接着性に優れ、しかも可使時間の長い非
導電性樹脂ペースト組成物を提供するものである。請求
項2における発明は、上記非導電性樹脂ペースト組成物
を用いて製造が容易な半導体装置を提供するものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)エポキ
シ樹脂、(B)硬化剤、(C)フィラーおよび(D)一
般式(I)
【化2】 (ただし、式中、R1は水素、炭素数1〜4のアルキル
基又は水酸基、R2及びR3はそれぞれ独立に水素、炭素
数1〜4のアルキル基、カルボキシル基又はアルキルオ
キシカルボニル基(ここで、アルキル基は炭素数1〜4
のものが好ましい)、R4及びR5はそれぞれ独立に水素
又は炭素数1〜4のアルキル基を示し、R1が水酸基で
あること、R2がカルボキシル基又はアルキルオキシカ
ルボニル基であること及びR3がカルボキシル基又はア
ルキルオキシカルボニル基であることのうち少なくとも
いずれか一つの場合を必須とする)で表されるベンゾト
リアゾール化合物を含有してなる樹脂ペースト組成物に
関する。また、本発明は、上記の樹脂ペースト組成物を
用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止してな
る半導体装置に関する。
【0005】
【発明の実施の形態】次に、本発明の樹脂ペースト組成
物について詳細に説明する。本発明に用いられる(A)
成分であるエポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上
のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限はない
が、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂〔N−
730S(大日本インキ化学工業(株)商品名)、Quatre
x−2010(ダウ・ケミカル社商品名)〕、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂〔YDCN−702(東都
化成工業(株)商品名)、EOCN−100(日本化薬
(株)商品名)〕、ビスフェノールA型エポキシ樹脂〔A
ER−X8501(旭化成工業(株)商品名)、YL−9
80(油化シェルエポキシ(株)商品名)〕、ビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂〔YDF−170(東都化成(株)
商品名)〕、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂〔R−
1710(三井石油化学工業(株)商品名)〕、多官能エ
ポキシ樹脂〔EPPN−501(日本化薬(株)商品
名)、TACTIX−742(ダウ・ケミカル社商品
名)、VG−3010(三井石油化学工業(株)商品
名)、1032S(油化シェルエポキシ(株)商品
名)〕、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂〔HP−
4032(大日本インキ化学工業(株)商品名)〕、脂環
式エポキシ樹脂〔EHPE−3150(ダイセル化学工
業(株)商品名)〕、アミン型エポキシ樹脂〔ELM−1
00(住友化学工業(株)商品名)、YH−434L(東
都化成(株)商品名)〕、レゾルシン型エポキシ樹脂〔デ
ナコールEX−201(ナガセ化成工業(株)商品名〕、
ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂〔デナコールE
X−212(ナガセ化成工業(株)商品名〕、エチレン・
プロピレングリコール型エポキシ樹脂〔デナコールEX
−810、811、850、851、821、830、
832、841、861(ナガセ化成工業(株)商品
名〕、下記一般式(II)で表されるエポキシ樹脂〔E−
XL−24、E−XL−3L(三井東圧化学(株)商品
名〕などが挙げられる。また、これらのエポキシ樹脂を
適宜組合わせて用いてもよい。
【0006】
【化3】 (ただし、式中、nは0〜5の整数である)
【0007】PGE(日本化薬(株)商品名)、PP−1
01(東都化成(株)商品名)、ED−502、509
(旭電化工業(株)商品名)、YED−122(油化シェ
ルエポキシ(株)商品名)、KBM−403(信越化学工
業(株)商品名)、TSL−8350、TSL−835
5、TSL−9905(東芝シリコーン(株)商品名)な
どの1分子中に1個のエポキシ基を有する化合物(反応
性希釈剤)をエポキシ樹脂の一部として使用してもよ
い。反応性希釈剤は、本発明の樹脂ペースト樹脂組成物
の特性を阻害しない範囲で使用されるが、エポキシ樹脂
中10重量%以下で使用されることが好ましい。
【0008】本発明の硬化剤には特に制限はないが、例
えばフェノールノボラック樹脂〔H−1(明和化成(株)
商品名)、VR−9300(三井東圧化学(株)商品
名)〕、フェノールアラルキル樹脂〔XL−225(三
井東圧化学(株)商品名)〕、アリル化フェノールノボラ
ック樹脂〔AL−VR−9300(三井東圧化学(株)商
品名)〕、下記一般式(III)で表される特殊フェノー
ル樹脂〔PP−700−300(日本石油化学(株)商品
名)〕、ジシアンジアミド、下記一般式(IV)で表され
る二塩酸ジヒドラジド〔ADH、PDH、SDH(いず
れも日本ヒドラジン工業(株)商品名)〕、エポキシ樹脂
とアミン化合物の反応物〔ノバキュア(マイクロカプセ
ル型硬化剤、旭化成工業(株)商品名〕等が挙げられる。
硬化剤(B)の配合量は、エポキシ樹脂に対して0.0
1〜90重量%が好ましく、0.1〜50重量%がより
好ましい。
【0009】
【化4】 (ただし、式中、R6はメチル基、エチル基等のアルキ
ル基、R7は水素又は炭化水素基、nは2〜4の整数を
示す)
【0010】
【化5】 (ただし、式中、R8は、m−フェニレン基、p−フェ
ニレン基等の2価のの芳香族基、炭素数2〜12の直鎖
状又は分枝状のアルキレン基を示す)
【0011】さらに、本発明の樹脂ペースト組成物には
必要に応じて硬化促進剤を添加することができる。硬化
促進剤としては有機ボロン塩〔EMZ・K、TPPK
(いずれも北興化学工業(株)商品名)等〕、三級アミン
類またはその塩〔DBU、U−CAT102、106、
830、840、5002(いずれもサンアプロ社商品
名)等〕、イミダゾール類〔キュアゾール、2P4MH
Z、C17Z、2PZ−OK(いずれも四国化成(株)商
品名)等〕などが挙げられる。硬化促進剤の配合量は、
通常、エポキシ樹脂に対して20.0重量%以下の量と
されることが好ましい。硬化剤および必要に応じて添加
される硬化促進剤は、それぞれ単独で用いてもよく、複
数種の硬化剤および硬化促進剤を適宜組合わせて用いて
もよい。
【0012】本発明に用いられる(C)成分であるフィ
ラーとしては特に制限はなく、各種のものが用いられ
る。例えば、窒化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、酸化チタン、酸化マグネシウム、窒化アルミニウ
ム、炭化ケイ素、タルク、炭酸カルシウム等の非導電性
の粉体、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ス
テンレス等の金属の粉体が挙げられるる。フィラー
(C)の配合量は、樹脂ペースト組成物に対して5〜9
5重量%が好ましく、20〜80重量%がより好まし
い。
【0013】一般式(I)で表される化合物としては、
ベンゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル、ベンゾトリアゾール−4−カルボン酸、ベンゾトリ
アゾール−5−カルボン酸、ベンゾトリアゾール−4−
カルボン酸エチル等がある。一般式(I)で表される化
合物の配合量は、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)及
びフィラー(C)の総量に対して0.01〜1重量%が
好ましく、0.05〜0.5重量%がより好ましい。こ
の配合量が少なすぎるとピール強度の向上効果が低下す
る傾向があり、多すぎると樹脂ペーストの粘度安定性が
低下する傾向がある。
【0014】本発明になる樹脂ペースト組成物は、ペー
スト組成物作成時の作業性および使用時の塗布作業性を
より良好ならしめるため、必要に応じて希釈剤を添加す
ることができる。これらの希釈剤としては、ブチルセロ
ソルブ、カルビトール、酢酸ブチルセロソルブ、酢酸カ
ルビトール、エチレングリコールジエチルエーテル、α
−テルピネオールなどの比較的沸点の高い有機溶剤が好
ましい。その使用量は樹脂ペースト組成物全体に対して
0〜30重量%の範囲で使用することが好ましい。
【0015】本発明になる樹脂ペースト組成物には、さ
らに必要に応じてシランカップリング剤、チタンカップ
リング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フ
ッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消
泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤などを適
宜添加することができる。
【0016】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)フィラ
ー、(D)一般式(I)で表される化合物並びに必要に
応じて添加される希釈剤および各種添加剤とともに一括
または分割して攪拌器、らいかい器、3本ロール、プラ
ネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組合わせ、
必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練または分散
して均一なペースト状とすればよい。
【0017】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と基
板とを接着した後、封止して半導体装置とすることがで
きる。本発明の樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子
をリードフレーム等の基板に接着させるには、まず基板
上に樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン
印刷法、スタンピング法などにより塗布した後、半導体
素子を圧着し、その後オーブンまたはヒートブロックな
どの加熱装置を用いて加熱硬化することにより行うこと
ができる。さらに、ワイヤボンド工程を経た後、通常の
方法により封止することにより完成された半導体装置と
することができる。
【0018】
【実施例】次に、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれらによって制限されるものではない。
実施例および比較例で用いたエポキシ樹脂およびフェノ
ール樹脂溶液は以下のようにして調製した。 (1)エポキシ樹脂の調製 YDF−170(東都化成(株)商品名、ビスフェノール
F型エポキシ樹脂、エポキシ当量=170)7.5重量
部およびYL−980(油化シェルエポキシ(株)商品
名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量=
185)7.5重量部を80℃に加熱し、1時間攪拌を
続け、均一なエポキシ樹脂を得た。
【0019】(2)フェノール樹脂溶液の調製 H−1(明和化成(株)商品名、フェノールノボラック樹
脂、水酸基当量=106)1.0重量部およびPP−1
01(東都化成(株)商品名、アルキルフェニルグリシジ
ルエーテル、エポキシ当量=230)2.0重量部を1
00℃に加熱し、1時間攪拌を続け、均一なフェノール
樹脂溶液を得た。
【0020】実施例1〜3及び比較例1〜2 表1に示す配合割合で、上記エポキシ樹脂、硬化剤とし
て上記のフェノール樹脂溶液、硬化促進剤2P4MHZ
〔四国化成(株)商品名、イミダゾール化合物〕、フィラ
ーとして銀粉〔TCG−1、徳利化学研究所(株)商品
名〕を、ベンゾトリアゾール化合物を混合し、3本ロー
ルを用いて混練した後、5トール(Torr)以下で10分
間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹
脂ペースト組成物の特性(粘度、ピール強度及び耐リフ
ロー性)を下記に示す方法で調べた。その結果を表1に
示す。
【0021】(1)粘度:EHD型回転粘度計(東京計
器社製)を用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定し
た。 (2)ピール強度:樹脂ぺ一スト組成物を銅リードフレ
ーム上に約3.2mgを塗布し、この上に8mm×8mmのシ
リコンチップ(厚さO.4mm)を圧着し、さらに200
℃に設定したヒートブロック上に載せ、60秒間加熱し
た。これを自動接着力装置(日立化成工業(株)製)を用
い、240℃における引き剥がし強さ(kg/チップ)を
測定した。 (3)耐リフロー性:実施例及び比較例により得た樹脂
ぺ一スト組成物を用い、下記仕様の銅製リードフレーム
と8mm×10mmのシリコンチップを、180℃まで30
分で昇温し、180℃で6時間加熱して硬化し接着し
た。その後、日立化成工業(株)製エポキシ封止材(商品
名CEL−4620)により封止し、半田リフロー試験
用パッケージ(QFP,大きさ14mm×20mm×2mm)
を得た。同じ試験用パッケージを5個作製した。各パッ
ケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃及び85%の条
件に設定された恒温恒湿槽中に72時間放置し、吸湿さ
せた。その後240℃/10秒のリフロー条件で半田リ
フローを行い、パッケージの外部クラックの発生数を顕
微鏡(倍率15倍)で観察した。クラックの発生したパ
ッケージ数を示す。
【0022】
【表1】
【0023】表1の比較例1、2では全てのパッケージ
に外部クラックが発生し、半導体装置の信頼性小さい
が、実施例1〜4で本発明の樹脂ぺ一スト組成物を用い
た場合パッケージの外部クラックの発生が抑制され、信
頼性の高いパッケージが得られることが確認された。
【0024】
【発明の効果】請求項1における樹脂ぺ一スト組成物
は、半導体装置のダイボンデイング剤として使用した場
合に、半田リフロー時のぺ一スト層の剥離を抑えること
ができ、リフロークラックの発生を低減できる。請求項
2における半導体装置は、上記の樹脂ペースト組成物を
使用しているため、信頼性に優れる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
    (C)フィラーおよび(D)一般式(I) 【化1】 (ただし、式中、R1は水素、炭素数1〜4のアルキル
    基又は水酸基、R2及びR3はそれぞれ独立に水素、炭素
    数1〜4のアルキル基、カルボキシル基又はアルキルオ
    キシカルボニル基、R4及びR5はそれぞれ独立に水素又
    は炭素数1〜4のアルキル基を示し、R1が水酸基であ
    ること、R2がカルボキシル基又はアルキルオキシカル
    ボニル基であること及びR3がカルボキシル基又はアル
    キルオキシカルボニル基であることのうち少なくともい
    ずれか一つの場合を必須とする)で表されるベンゾトリ
    アゾール化合物を含有してなる樹脂ペースト組成物。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の樹脂ペースト組成物を用
    いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる
    半導体装置。
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