JP3506185B2 - 接着剤及び半導体装置 - Google Patents

接着剤及び半導体装置

Info

Publication number
JP3506185B2
JP3506185B2 JP02866794A JP2866794A JP3506185B2 JP 3506185 B2 JP3506185 B2 JP 3506185B2 JP 02866794 A JP02866794 A JP 02866794A JP 2866794 A JP2866794 A JP 2866794A JP 3506185 B2 JP3506185 B2 JP 3506185B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
manufactured
resin
component
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP02866794A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07238268A (ja
Inventor
信雄 市村
潤 竹田津
晃 景山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP02866794A priority Critical patent/JP3506185B2/ja
Publication of JPH07238268A publication Critical patent/JPH07238268A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3506185B2 publication Critical patent/JP3506185B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は接着剤及び半導体装置に
関し、さらに詳しくはリフローソルダリング時にリフロ
ークラックの無い高信頼性の半導体装置を得ることがで
きる接着剤及びこれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造する際の半導体
素子とリードフレーム(支持部材)の接合方法として、
(1)金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として
用いる方法、(2)エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系
等の有機材料等に銀粉等を分散させてペースト状態と
し、これを接着剤として用いる方法などがある。しかし
ながら、前者の方法ではコストが高く、350℃〜40
0℃程度の高い熱処理が必要であり、また接着剤が硬
く、熱応力によってチップの破壊が起こるため、最近で
は銀粉を含んだ銀ペーストを用いる後者の方法が主流と
なっている。この方法は、一般に銀ペーストをディスペ
ンサーやスタンピングマシンを用いてリードフレームの
ダイパッドに塗布した後、半導体素子をダイボンディン
グし、加熱硬化させて接着するものである。加熱硬化の
方法としては、オーブン中で硬化させるバッチ方式と、
加熱されたプレート上で硬化させるインライン方式とが
ある。さらにこの半導体装置は、外部を封止材により封
止後、基板上に半田付けされ実装される。現在、高密
度、高効率の実装のため、半田実装は半導体装置のリー
ドを基板に直接半田付けする面付け実装法が主流となっ
ている。半田実装には、基板全体を赤外線などで加熱す
るリフローソルダリングが用いられ、パッケージは20
0℃以上の高温に加熱される。このため、パッケージ内
部、特に接着層中または封止材中に含まれる水分が気化
してダイパッドと封止材の間に回り込み、パッケージに
クラック(リフロークラック)が生じ、半導体装置の信
頼性が低下する欠点があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の欠点を除去し、リフロークラックの無い接着剤及
びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
支持部材に接合するための接着剤であって、(1)エポ
キシ基を有するポリブタジエン化合物、(2)硬化剤、
(3)アクリル基又はメタクリル基を有する有機化合
(4)遊離ラジカル重合開始剤及び(5)エポキシ
基を2個以上有するエポキシ樹脂(但し(1)成分を除
く)を含有してなる接着剤。ならびにこの接着剤を用い
て半導体素子を支持部材に接着してなる半導体装置に関
する。
【0005】本発明に用いられるエポキシ基を有するポ
リブタジエン化合物は既に公知の化合物であり、例えば
エポキシ化ポリブタジエンBF−1000(アデカアー
ガス化学社製)、R−15EPI、R−45EPI、末
端エポキシ化ポリブタジエンR−15EPT、R−45
EPT(いずれも出光化学社製)、EP−1054(日
本曹達社製)などが挙げられる。エポキシ基を有するポ
リブタジエン化合物は組み合わせて用いてもよい。
【0006】本発明に用いられる硬化剤には、特に制限
はないが、例えばフェノールノボラック樹脂H−1(明
和化成工業社製)、フェノールアラルキル樹脂XL−2
25(三井東圧化学社製)、ジシアンジアミドSP−1
0(日本カーバイド社製)、二塩酸ジヒドラジドAD
H、PDH、SDH(四国化成工業社製)、マイクロカ
プセル型硬化剤ノバキュア(旭化成工業社製)などが挙
げられる。
【0007】本発明に用いられるアクリル基又はメタク
リル基を有する有機化合物も既に公知の化合物であり、
例えば脂環式アクリレートFA−513A、脂環式メタ
クリレートFA−513M(日立化成工業社製)、脂環
式ジアクリレートR−684(日本化薬社製)、脂肪族
ジアクリレートHDDA(日本化薬社製)、脂肪族ジメ
タクリレートNPG、1.3BG、4G、10G(新中
村化学社製)、芳香族ジメタクリレートBPE−10
0、BPE−200、BPE−500、BPE−130
0(新中村化学社製)などが挙げられる。これらのアク
リル基又はメタクリル基を有する有機化合物は組み合わ
せて用いてもよい。
【0008】本発明の遊離ラジカル重合開始剤には、特
に制限はないが、例えばパークミルD、ナイパーD(い
ずれも日本油脂社製)などが挙げられる。
【0009】本発明においては、耐リフロークラック性
の点からエポキシ基を有するポリブタジエン化合物のエ
ポキシ基1当量に対して、硬化剤を0.5〜1.5当量
とすることが好ましく、また、当該ポリブタジエン化合
物100重量部に対してアクリル基又はメタクリル基を
有する有機化合物を50〜200重量部および遊離ラジ
カル重合開始剤を0.1〜10重量部の範囲で用いるこ
とが好ましい。
【0010】本発明はさらにエポキシ基を2個以上有す
るエポキシ樹脂を上記のポリブタジエン化合物100重
量部に対して、好ましくは500重量部以下として併用
る。例えばビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
スフェノールADなどとエピクロロヒドリンとから誘導
されるビスフェノール型エポキシ樹脂、例えばAER−
X8501 (旭化成工業社製)、YDF−170(東
都化成工業社製)、R−710(三井石油化学社製)、
ノボラック型エポキシ樹脂N−730S(大日本インキ
社製)、フェノールノボラック型エポキシ樹脂Quat
rex−2010(ダウ・ケミカル社製)、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂YDCN−702S(東都化
成工業社製)、EOCN−100(日本化薬社製)、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂R−301、YL−98
0(油化シェルエポキシ社製)、多官能エポキシ樹脂E
PPN−501(日本化薬社製)、TACTIX−74
2(ダウ・ケミカル社製)、VG−3101(三井石油
化学社製)、1032S(油化シェルエポキシ社製)、
ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂HP−4032
(大日本インキ社製)、脂環式エポキシ樹脂EHPE−
3150(ダイセル化学社製)などが挙げられる。これ
らのエポキシ樹脂を適宜組み合わせて用いてもよい。さ
らに必要に応じて、フェニルグリシジルエーテル、クレ
ジルグリシジルエーテル、パラターシャリブチルフェニ
ルグリシジルエーテル、パラセカンダリフェニルグリシ
ジルエーテル、アミン型エポキシ樹脂ELM−100
(住友化学社製)、ED−502、503(旭電化社
製)、YED−122(油化シェルエポキシ社製)、K
BM−403、LS−7970(信越化学社製)、TS
L−8350、8355、9905(東芝シリコーン社
製)などの1分子中に1〜2個のエポキシ基を有する反
応性希釈剤などを用いてもよい。反応性希釈剤は、接着
剤に対して、通常15重量%以下の量で用いられる。
【0011】本発明に必要に応じて用いられる充填剤と
しては、シリカ粉、アルミナ粉、銀粉等が用いられ、粒
径、形状等に制限はないが、銀粉が好ましく、フレーク
状、樹枝状、球形、不定形等の銀粉が使用可能である。
例えば、シルベストTCG−1(徳力化学研究所製)、
シルフレークAgc−A(福田金属箔粉工業社製)など
が挙げられる。充填剤は通常接着剤に対して50〜85
重量%の範囲で用いられる。
【0012】さらに、本発明になる接着剤は、硬化性を
向上させるために硬化促進剤を含有することができ、そ
の例としては有機ボロン塩EMZ・K、TPP・K(北
興化学社製)、三級アミン類およびその塩DBU、U−
CAT102、106、830、340、5002(サ
ンアプロ社製)、キュアゾールC11Z−CNS、C
11Z、2P4MHZ、2PHZなどのイミダゾール類
(四国化成工業社製)などが挙げられる。これらの硬化
促進剤は単独で用いてもよく、数種類の硬化促進剤を適
宜組み合わせてもよく、使用量は通常用いられる量とさ
れる。
【0013】また本発明になる接着剤はその使用時の塗
布作業性をより良好にするため、必要に応じて有機溶
剤、例えば、ブチルセロソルブ、カルビトール、酢酸ブ
チルセロソルブ、酢酸カルビトール、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、α−テルピネオール等の比較的沸
点の高い有機溶剤を含有することができる。有機溶剤の
使用量は通常接着剤の20重量%以内の量とされる。
【0014】本発明になる接着剤は、更に必要に応じて
KBM−573(信越化学社製)などのシランカップリ
ング剤、チタンカップリング剤などの接着力向上剤、ア
ニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などの濡れ性
向上剤、シリコーン油などの消泡剤等を適宜添加するこ
とができる。
【0015】本発明になる接着剤は、例えば前記のエポ
キシ基を有するポリブタジエン化合物、前記の硬化剤、
前記のアクリル基又はメタクリル基を有する有機化合物
及び必要に応じて前記のエポキシ樹脂、前記の反応性希
釈剤、前記の溶剤とをフラスコ内で溶解させ、これに遊
離ラジカル重合開始剤を加えて製造される。溶解は必要
により60〜80℃に加熱して行うことができる。さら
に、必要により充填剤、硬化促進剤、シランカップリン
グ剤などの添加剤が混合される。充填剤を混合する装置
としては、例えば三本ロール、プラネタリミキサ、らい
かい機、ボールミルなどが挙げられる。本発明になる接
着剤は、半導体素子をリードフレームなどの支持部材に
接着させる際に用いられる半導体素子用接着剤として用
いることが好ましい。
【0016】本発明になる接着剤を用いた半導体装置
は、以下の製造工程を経て製造される。すなわち、リー
ドフレームなどの支持部材に本発明の接着剤を注射筒を
用いたディスペンス法、スタンピング法、スクリーン印
刷などにより塗布した後、半導体素子を圧着し、その後
熱風循環式乾燥器、ヒートブロックなどの加熱装置を用
いて加熱硬化して半導体素子を支持部材に接合し、その
後通常のワイヤボンディング工程、封止工程を経て半導
体装置とされる。
【0017】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例1 YDCN−702S(クレゾールノボラック樹脂、東都
化成工業社製商品名)30重量部にR−15EPT(エ
ポキシ化ポリブタジエン、出光化学社製商品名)20重
量部、フェノール樹脂H−1(フェノールノボラック樹
脂、明和化成工業社製商品名)10重量部及び酢酸ブチ
ルセロソルブ20重量部を加え、80℃に加熱して1時
間撹拌しワニスを得た。その後23℃〜25℃まで冷却
し、R−684(脂環式ジアクリレート、日本化薬社製
商品名)、パークミルD(ラジカル重合開始剤、日本油
脂社製商品名)、キュアゾール2P4MHZ(イミダゾ
ール、四国化成工業社製商品名)、銀粉TCG−1(徳
力化学研究所製商品名)を表1に示す配合比(重量部、
以下同じ)でらいかい機により混合し接着剤を得た。こ
の接着剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行
った。試験結果を表1に示す。
【0018】実施例2 エピコート1001(ビスA型エポキシ樹脂、油化シェ
ルエポキシ社製商品名)30重量部にR−15EPT
(エポキシ化ポリブタジエン、出光化学社製商品名)1
8重量部、フェノール樹脂H−1(フェノールノボラッ
ク樹脂、明和化成工業社製商品名)6重量部及び酢酸ブ
チルセロソルブ20重量部を加え、80℃に加熱して1
時間撹拌しワニスを得た。その後23℃〜25℃まで冷
却し、R−684(脂環式ジアクリレート、日本化薬社
製商品名)、パークミルD(ラジカル重合開始剤、日本
油脂社製商品名)、キュアゾール2P4MHZ(イミダ
ゾール、四国化成工業社製商品名)、銀粉TCG−1
(徳力化学研究所製商品名)を表1に示す配合比でらい
かい機により混合し接着剤を得た。この接着剤を用い、
下記の半田リフロークラック試験を行った。試験結果を
表1に示す。
【0019】実施例3 YDCN−702S(クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、東都化成工業社製商品名)30重量部にR−45
EPT(エポキシ化ポリブタジエン、出光化学社製商品
名)10重量部、フェノール樹脂H−1(フェノールノ
ボラック樹脂、明和化成工業社製商品名)10重量部及
び酢酸ブチルセロソルブ15重量部を加え、80℃に加
熱して1時間撹拌しワニスを得た。その後23℃〜25
℃まで冷却し、FA−513A(脂環式アクリレート、
日立化成工業社製商品名)、パークミルD (ラジカル
重合開始剤、日本油脂社製商品名)、キュアゾール2P
4MHZ(イミダゾール、四国化成工業社製商品名)、
銀粉TCG−1(徳力化学研究所製商品名)を表1に示
す配合比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この
接着剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行っ
た。試験結果を表1に示す。
【0020】比較 R−45EPT(エポキシ化ポリブタジエン、出光化学
社製商品名)30重量部、フェノール樹脂H−1(フェ
ノールノボラック樹脂、明和化成工業社製商品名)5重
量部及び酢酸ブチルセロサルブ13重量部を加え、80
℃に加熱して1時間撹拌しワニスを得た。その後23℃
〜25℃まで冷却し、R−684(脂環式ジアクリレー
ト、日本化薬社製商品名)、パークミルD(ラジカル重
合開始剤、日本油脂社製商品名)、キュアゾール2P4
MHZ(イミダゾール、四国化成工業社製商品名)、銀
粉TCG−1(徳力化学研究所製商品名)を表1に示す
配合比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この接
着剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行っ
た。試験結果を表1に示す。
【0021】比較例 YDCN−702S(クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、東都化成工業社製商品名)30重量部及び酢酸ブ
チルセロソルブ13重量部、及びフェノール樹脂H−1
(フェノールノボラック樹脂、明和化成工業社製商品
名)6重量部を加え、80℃に加熱して1時間撹拌して
ワニスを得た。その後23℃〜25℃まで冷却し、キュ
アゾール2P4MHZ(イミダゾール、四国化成工業社
製商品名)銀粉TCG−1(徳力化学研究所製商品名)
を表1に示す配合比(重量部、以下同じ)でらいかい機
により混合し接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の
半田リフロークラック試験を行った。試験結果を表1に
示す。
【0022】比較例 エピコート1001(ビスA型エポキシ樹脂、油化シェ
ルエポキシ社製商品名)30重量部、フェノール樹脂H
−1(フェノールノボラック樹脂、明和化成工業社製商
品名)5重量部及び酢酸ブチルセロソルブ13重量部を
加え、80℃に加熱して1時間撹拌してワニスを得た。
その後23℃〜25℃まで冷却し、キュアゾール2P4
MHZ(イミダゾール、四国化成工業社製商品名)銀粉
TCG−1(徳力化学研究所製商品名)を表1に示す配
合比(重量部、以下同じ)でらいかい機により混合し接
着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田リフローク
ラック試験を行った。試験結果を表1に示す。
【0023】半田リフロークラック試験方法 実施例及び比較例により得た接着剤を用い、下記リード
フレームとシリコンチップを、下記の硬化条件により硬
化し接着した。その後日立化成工業製エポキシ封止材
(商品名CEL−4620)により封止し、半田リフロ
ー試験用パッケージを得た。そのパッケージを温度及び
湿度がそれぞれ85℃、85%の条件に設定された恒温
恒湿槽中で48時間吸湿させた。その後215℃/90
秒のリフロー条件で半田リフローを行い、パッケージの
外部クラックの発生数を顕微鏡(倍率:15倍)で観察
した。5個のサンプルについてクラックの発生したサン
プル数を示す。 チップサイズ:8mm×10mm パッケージ:QFP、14mm×20mm×2mm フレーム:42アロイ 硬化条件:180℃まで30分で昇温、180℃で6時
間硬化
【0024】
【表1】
【0025】表1により、比較例ではパッケージに外部
クラックが発生し、半導体装置の信頼性低下につながる
が、本発明の接着剤によれば、パッケージの外部クラッ
クの発生が抑制され、信頼性の高いパッケージが得られ
ることが示される。
【0026】
【発明の効果】本発明になる接着剤は、半導体装置のダ
イボンディング剤として使用した場合に、半田リフロー
時のペースト層の剥離を抑えることができ、リフローク
ラックの発生を低減し、半導体装置としての信頼性を向
上させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C09J 9/02 C09J 9/02 (56)参考文献 特開 昭61−28520(JP,A) 特開 昭55−31818(JP,A) 特開 平5−67361(JP,A) 特表 平5−501783(JP,A) 橋本邦之編著,プラスチック材料講座 [1]エポキシ樹脂,日刊工業新聞社, 1969年 5月30日,28−30 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C09J 4/00 - 201/10 H01L 21/52 C08L 63/00 - 101/16 C08G 59/00 - 59/72

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を支持部材に接合するための
    接着剤であって、(1)エポキシ基を有するポリブタジ
    エン化合物、(2)硬化剤、(3)アクリル基又はメタ
    クリル基を有する有機化合物(4)遊離ラジカル重合
    開始剤及び(5)エポキシ基を2個以上有するエポキシ
    樹脂(但し(1)成分を除く)を含有してなる接着剤。
  2. 【請求項2】 (5)成分が、ビスフェノール型エポキ
    シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラ
    ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
    樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂及び脂環式
    エポキシ樹脂から選択されるものである請求項1記載の
    接着剤。
  3. 【請求項3】 さらに充填剤を含有する請求項1又は2
    記載の接着剤。
  4. 【請求項4】 充填剤が銀粉である請求項1、又は3
    記載の接着剤。
  5. 【請求項5】 請求項1〜のいずれかに記載の接着剤
    を用いて半導体素子を支持部材に接着してなる半導体装
    置。
JP02866794A 1994-02-28 1994-02-28 接着剤及び半導体装置 Expired - Lifetime JP3506185B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02866794A JP3506185B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 接着剤及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02866794A JP3506185B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 接着剤及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07238268A JPH07238268A (ja) 1995-09-12
JP3506185B2 true JP3506185B2 (ja) 2004-03-15

Family

ID=12254872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02866794A Expired - Lifetime JP3506185B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 接着剤及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3506185B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4644692B2 (ja) * 2000-03-07 2011-03-02 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 電極間接続体の製造方法
JP3765731B2 (ja) * 2000-04-10 2006-04-12 住友ベークライト株式会社 ダイアタッチペースト及び半導体装置
US20070018315A1 (en) * 2003-03-18 2007-01-25 Craig Hugh P Conductive adhesive composition
JP4600429B2 (ja) * 2007-05-28 2010-12-15 日立化成工業株式会社 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP5879675B2 (ja) * 2010-06-17 2016-03-08 日立化成株式会社 半導体用接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置、および接着剤組成物
JP5556488B2 (ja) * 2010-08-06 2014-07-23 デクセリアルズ株式会社 対向電極接続用接着剤
JP5662104B2 (ja) * 2010-10-26 2015-01-28 京セラケミカル株式会社 導電性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP6979326B2 (ja) * 2017-10-20 2021-12-15 日本化薬株式会社 樹脂組成物及び電子部品用接着剤

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
橋本邦之編著,プラスチック材料講座[1]エポキシ樹脂,日刊工業新聞社,1969年 5月30日,28−30

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07238268A (ja) 1995-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002179769A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
CN1332217A (zh) 具有烯丙基或乙烯基的环氧树脂芯片固定粘合剂
JP3461023B2 (ja) 接着剤および半導体装置
JP4228582B2 (ja) 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2001181482A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2003221573A (ja) 接合材料及びこれを用いた半導体装置
JP3506185B2 (ja) 接着剤及び半導体装置
JP2002012738A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JPH07326635A (ja) 接着剤および半導体装置
JP3511129B2 (ja) 樹脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP3912076B2 (ja) 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JPH0669257A (ja) 半導体素子用接着剤および半導体装置
JPH1192740A (ja) 樹脂ペースト組成物および半導体装置
JP2003335924A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JPH06196513A (ja) 接着剤および半導体装置
JP3511126B2 (ja) 非導電性樹脂ペーストおよび半導体装置
JP3511118B2 (ja) 接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP3259501B2 (ja) 導電性樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JPH06181227A (ja) 接着剤及び半導体装置
JP2021082640A (ja) 導電性ペーストおよび半導体装置
JPH11228787A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP4419227B2 (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP3200251B2 (ja) 半導体装置およびそれに用いるエポキシ樹脂組成物
JPH06326139A (ja) 接着剤及び半導体装置
JPH06322349A (ja) 接着剤及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20031210

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226

Year of fee payment: 10

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131226

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term