JP2002179769A - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接着剤層の厚みを一定にすることができ、そ
れにより接着強度のバラツキや半導体素子の傾きを低減
できる樹脂ペースト組成物、及び、これを用いた、生産
性が高く、高信頼性の半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤、
（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）エポキシ樹脂硬化剤、
（Ｅ）平均粒径１０μｍ未満の充填材及び（Ｆ）平均粒
径（Ｒ）が１０〜５０μｍで且つ粒子の９０体積％以上
が０．５Ｒ〜１．５Ｒμｍの範囲内の粒径を有する球状
銀粉を均一分散させてなる樹脂ペースト組成物、並び
に、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持
部材に接着した後、封止してなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ配線板等に
接着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用い
た半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体のダイボンディング材とし
ては、Ａｕ−Ｓｉ共晶、半田、樹脂ペースト組成物等が
知られているが、作業性及びコストの点から樹脂ペース
ト組成物が広く使用されている。

【０００３】従来のエポキシ樹脂系ペーストでは、加熱
硬化の際にペーストに含まれる溶剤や反応性希釈剤が揮
発して、ペースト硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が発
生する。その結果、接着強度のばらつきが大きくなり、
また半導体素子の傾きが生じ、結果としてワイヤーボン
ド時に不良となる確率が高いという欠点があった。さら
に半導体装置の実装方式は高密度実装の点から、従来の
ピン挿入方式から表面実装方式へと移行しているが、基
板への実装には基板全体を赤外線等で加熱するリフロー
ソルダリングが用いられ、パッケージが２００℃以上の
高温に加熱されるため、パッケージ内部、特に接着剤層
中又は封止材中に含まれる水分の急激な気化・膨張によ
りパッケージクラックが発生し、半導体装置の信頼性が
低下するという問題があった。この問題は４２アロイリ
ードフレームよりも銅リードフレームにおいて特に深刻
である。その理由としては、銅リードフレームに対して
接着剤の接着力が低いことと、銅リードフレームのほう
が４２アロイリードフレームよりも線膨張係数が大きい
ためにＳｉチップとの線膨張係数の差が大きくなり、チ
ップクラックやチップ反りが発生するということがあ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、樹脂ペース
ト組成物のボイドを低減し、且つ接着層の厚み（ボンド
ライン厚み）を一定にすることにより、接着強度のばら
つきや半導体素子の傾きを低減でき、その結果ワイヤー
ボンド時の不良を低減することができる樹脂ペースト組
成物を提供することを目的とする。更に、本発明は、樹
脂ペースト組成物の銅リードフレームに対するピール強
度を向上させ、かつ樹脂ペースト組成物を低応力化する
ことによりチップクラックやチップ反りの発生を抑制す
ることで半田リフロー時のリフロークラックの発生を低
減させることができる樹脂ペースト組成物及びこれを用
いた生産性が高く、高信頼性の半導体装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）アクリ
ル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、
（Ｂ）ラジカル開始剤、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）エ
ポキシ樹脂硬化剤、（Ｅ）平均粒径１０μｍ未満の充填
材、（Ｆ）平均粒径（Ｒ）が１０〜５０μｍで且つ粒子
の９０％体積以上が０．５Ｒ〜１．５Ｒμｍの範囲内の
粒径を有する球状銀粉を均一分散させてなる樹脂ペース
ト組成物に関する。また、本発明は、この樹脂ペースト
組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封
止してなる半導体装置に関する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる（Ａ）成分の
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物は、１分子中に１個以上のアクリロイルオキシ基又
はメタクリロイルオキシ基を有する化合物であり、例え
ば、下記の一般式（Ｉ）〜（Ｘ）で表される化合物が使
用できる。 （１）一般式（Ｉ）

【０００７】

【化１】 〔式中、Ｒ^１は水素又はメチル基を表し、Ｒ^２は炭素数
１〜１００、好ましくは炭素数１〜３６の２価の脂肪族
又は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す。〕で示さ
れる化合物。

【０００８】一般式（Ｉ）で示される化合物としては、
メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルア
クリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルア
クリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアク
リレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレー
ト、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オ
クチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレー
ト、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデ
シルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシル
アクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリル
アクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘ
キシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリ
シクロ［５．２．１．０^２，６］デシルアクリレート、
２−（トリシクロ）［５．２．１．０^２，６］デカ−３
−エン−８又は９−イルオキシエチルアクリレート等の
アクリレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピル
メタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチ
ルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミル
メタクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシル
メタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメ
タクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノ
ニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシ
ルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシ
ルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステ
アリルメタクリレート、イソステアリルメタクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタ
クリレート、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デシ
ルメタクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．
０^{２ ，６}］デカ−３−エン−８又は９−イルオキシエチ
ルメタクリレート等のメタクリレート化合物がある。 （２）一般式（ＩＩ）

【０００９】

【化２】 〔式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ前記のものを表す。〕
で示される化合物。

【００１０】一般式（ＩＩ）で示される化合物として
は、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シプロピルアクリレート、ダイマージオールモノアクリ
レート等のアクリレート化合物、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレー
ト、ダイマージオールモノメタクリレート等のメタクリ
レート化合物等がある。 （３）一般式（ＩＩＩ）

【００１１】

【化３】 〔式中、Ｒ^１は前記のものを表し、Ｒ^３は水素、メチル
基又はフェノキシメチル基を表し、Ｒ^４は水素、炭素数
１〜６のアルキル基、フェニル基又はベンゾイル基を表
し、ｎは１〜５０の整数を表す。〕で示される化合物。

【００１２】一般式（ＩＩＩ）で示される化合物として
は、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレン
グリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールア
クリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エ
トキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリ
レート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、
メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−フ
ェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレング
リコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコ
ールアクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアク
リレート等のアクリレート化合物、ジエチレングリコー
ルメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、２−
メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメ
タクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、メ
トキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシ
ポリエチレングリコールメタクリレート、２−フェノキ
シエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコー
ルメタクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルメタク
リレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメ
タクリレート等のメタクリレート化合物がある。 （４）一般式（ＩＶ）

【００１３】

【化４】 〔式中、Ｒ^１は前記のものを表し、Ｒ^５はフェニル基、
ニトリル基、−Ｓｉ（ＯＲ^６）_３（Ｒ^６は炭素数１〜６
のアルキル基を表す）又は下記の式の基

【００１４】

【化５】 （Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９はそれぞれ独立に水素又は炭素数
１〜６のアルキル基を表し、Ｒ^１０は水素又は炭素数１
〜６のアルキル基又はフェニル基を表す）を表し、ｍは
０、１、２又は３の数を表す。〕で示される化合物。

【００１５】一般式（ＩＶ）で示される化合物として
は、ベンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレ
ート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
リレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチ
ルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルア
クリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジニルアクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジニルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェ
ート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェー
ト、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタ
レート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェン
サクシネート等のアクリレート化合物、ベンジルメタク
リレート、２−シアノエチルメタクリレート、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメ
タクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルア
ミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタ
クリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジニルメタクリレート、メタクリロキシエチルホ
スフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホ
スフェート等のメタクリレート、β−メタクリロイルオ
キシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロ
イルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のメタ
クリレート化合物がある。 （５）一般式（Ｖ）

【００１６】

【化６】 〔式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ前記のものを表す。〕
で示される化合物。

【００１７】一般式（Ｖ）で示される化合物としては、
エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、
１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリ
レート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート
等のジアクリレート化合物、エチレングリコールジメタ
クリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，
９−ノナンジオールジメタクリレート、１，３−ブタン
ジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジ
メタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、
ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート等のジ
メタクリレート化合物がある。 （６）一般式（ＶＩ）

【００１８】

【化７】 〔式中、Ｒ^１、Ｒ^３及びｎはそれぞれ前記のものを表
し、ただしＲ^３が水素又はメチル基であるとき、ｎは１
ではない。〕で示される化合物。

【００１９】一般式（ＶＩ）で示される化合物として
は、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレー
ト化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタ
クリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレー
ト等のジメタクリレート化合物がある。 （７）一般式（ＶＩＩ）

【００２０】

【化８】 〔式中、Ｒ^１は前記のものを表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は
それぞれ独立に水素又はメチル基を表す。〕で示される
化合物。

【００２１】一般式（ＶＩＩ）で示される化合物として
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェ
ノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの
反応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビス
フェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モ
ルとの反応物等がある。 （８）一般式（ＶＩＩＩ）

【００２２】

【化９】 〔式中、Ｒ^１、Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ前記のもの
を表しＲ^１３及びＲ^１４はそれぞれ独立に水素又はメチ
ル基を表し、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜２０の整数
を表す。〕で示される化合物。

【００２３】一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物とし
ては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフ
ェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアク
リレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビ
スフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物の
ジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ
又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加
物のジメタクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサ
イド付加物のジメタクリレート等がある。 （９）一般式（ＩＸ）

【００２４】

【化１０】 〔式中、Ｒ^１は前記のものを表し、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ
^１７及びＲ^１８はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表
し、ｘは１〜２０の整数を表す。〕で示される化合物。

【００２５】一般式（ＩＸ）で示される化合物として
は、ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキ
サン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン
−ジメチルシロキサンコポリマー、ビス（メタクリロキ
シプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリ
ロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサ
ンコポリマー等がある。 （１０）一般式（Ｘ）

【００２６】

【化１１】 〔式中、Ｒ^１は前記のものを表し、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは
それぞれ独立に繰り返し数の平均値を示す０以上の数で
あり、ｒ＋ｔは０．１以上、好ましくは０．３〜５であ
り、ｓ＋ｕは１以上、好ましくは１〜１００である。〕
で示される化合物。

【００２７】一般式（Ｘ）で示される化合物としては、
無水マレイン酸を付加させたポリブタジエンと、２−ヒ
ドロキシエチルアクリレート又は２−ヒドロキシエチル
メタクリレートとを反応させて得られる反応物及びその
水素添加物があり、例えばＭＭ−１０００−８０、ＭＡ
Ｃ−１０００−８０（共に、日本石油化学（株）商品
名）等がある。

【００２８】（Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物又
はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物
を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。

【００２９】本発明に用いられる（Ｂ）成分のラジカル
開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過
酸化物が好ましく、また樹脂ペースト組成物の硬化性及
び粘度安定性の点から、急速加熱試験での過酸化物の分
解温度が７０〜１７０℃のものが好ましい。

【００３０】ラジカル開始剤の具体例としては、１，
１，３，３−テトラメチルパーオキシ２−エチルヘキサ
ノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シ
クロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレー
ト、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサ
イド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等があ
る。

【００３１】（Ｂ）成分のラジカル開始剤の配合量は、
（Ａ）成分の総量１００重量部に対して０．１〜１０重
量部が好ましく、０．５〜５重量部が特に好ましい。こ
の配合割合が０．１重量部未満であると、硬化性が低下
する傾向があり、１０重量部を超えると、揮発分が多く
なり、硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる
傾向がある。

【００３２】本発明に用いられる（Ｃ）成分のエポキシ
樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有す
る化合物であれば特に制限はないが、例えばビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂［ＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成工
業（株）、商品名）、Ｒ−３０１（油化シェルエポキシ
（株）、商品名）、ＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ
（株）、商品名）］、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
［ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）、商品名）］、ビス
フェノールＡＤ型エポキシ樹脂［Ｒ−１７１０（三井化
学工業（株）、商品名）］、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂［Ｎ−７３０Ｓ（大日本インキ化学工業
（株）、商品名）、Ｑｕａｔｒｅｘ−２０１０（ダウ・
ケミカル社、商品名）］、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂［ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（東都化成（株）、商品
名）、ＥＯＣＮ−１００（日本化薬（株）、商品
名）］、多官能エポキシ樹脂［ＥＰＰＮ−５０１（日本
化薬（株）、商品名）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２（ダウ・
ケミカル社、商品名）、ＶＧ−３０１０（三井化学
（株）、商品名）、１０３２Ｓ（油化シェルエポキシ
（株）、商品名）］、ナフタレン骨格を有するエポキシ
樹脂［ＨＰ−４０３２（大日本インキ化学工業（株）、
商品名）］、脂環式エポキシ樹脂［ＣＥＬー３０００
（ダイセル化学工業（株）、商品名）］、エポキシ化ポ
リブタジエン［ＰＢ−３６００（ダイセル化学工業
（株）商品名）、Ｅ−１０００−６．５（日本石油化学
（株）、商品名）］、アミン型エポキシ樹脂［ＥＬＭ−
１００（住友化学工業（株）、商品名）、ＹＨ−４３４
Ｌ（東都化成（株）、商品名）］、レゾルシン型エポキ
シ樹脂［デナコールＥＸ−２０１（ナガセ化成工業
（株）、商品名）］、ネオペンチルグリコール型エポキ
シ樹脂［デナコールＥＸ−２１１（ナガセ化成工業
（株）、商品名）］、ヘキサンディネルグリコール型エ
ポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１２（ナガセ化成工業
（株）、商品名）］、エチレン・プロピレングリコール
型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−８１０、８１１、８
５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６
１（ナガセ化成工業（株）、商品名）］、下記一般式
（ＸＩ）で表されるエポキシ樹脂［Ｅ−ＸＬ−２４、Ｅ
−ＸＬ−３Ｌ（三井化学（株）、商品名）］

【００３３】

【化１２】 〔式中、ｖは０〜５の整数を表す。〕などが挙げられ
る。なかでも、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポ
キシ化ポリブタジエン、ノボラック型エポキシ樹脂が好
ましい。これらのエポキシ樹脂は、１種単独で用いても
よいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００３４】（Ｃ）成分のエポキシ樹脂としては、分子
量又は数平均分子量が１６０〜３０００のものが好まし
い。数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーにより標準ポリスチレンの検量線を利用して測定
（以下、ＧＰＣ法という）した値である。また、エポキ
シ当量が８０〜１０００であることが好ましく、１００
〜５００であることがより好ましい。また、（Ｃ）成分
のエポキシ樹脂は（Ａ）成分の総量１００重量部に対し
て１〜１００重量部使用するのが好ましく、５〜３０重
量部使用することがより好ましい。この配合量が１重量
部未満であるか又は１００重量部を超えると接着強度が
低下する傾向がある。

【００３５】また、エポキシ樹脂として、１分子中に１
個のエポキシ基を有する化合物［単官能エポキシ化合物
（反応性希釈剤）］を含んでいてもよい。このような単
官能エポキシ化合物の市販品としては、ＰＧＥ（日本化
薬（株）、商品名、フェニルグリシジルエーテル）、Ｐ
Ｐ−１０１（東都化成（株）、商品名、アルキルフェノ
ールモノグリシジルエーテル）、ＥＤ−５０２（旭電化
工業（株）、商品名、脂肪族モノグリシジルエーテ
ル）、ＥＤ−５０９（旭電化工業（株）、商品名、アル
キルフェノールモノグリシジルエーテル）、ＹＥＤ−１
２２（油化シェルエポキシ（株）、商品名、アルキルフ
ェノールモノグリシジルエーテル）、ＫＢＭ−４０３
（信越化学工業（株）、商品名、３−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン）、ＴＳＬ−８３５０、ＴＳＬ
−８３５５、ＴＳＬ−９９０５（東芝シリコーン
（株）、商品名、３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、１−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，
３，３，３−ペンタメチルジシロキサン）などが挙げら
れる。単官能エポキシ化合物は、本発明の樹脂ペースト
組成物の特性を阻害しない範囲で使用されるが、エポキ
シ樹脂全量１００重量部に対して１０重量部以下で使用
されることが好ましく、１〜５重量部で使用されること
が好ましい。

【００３６】本発明に（Ｄ）成分として用いられるエポ
キシ樹脂硬化剤としては、特に制限はないが、ジシアン
ジアミド、下記一般式（ＸＩＩ）

【００３７】

【化１３】 （式中、Ｒ^１９はｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基
等の２価の芳香族基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐鎖
のアルキレン基を示す）で表される二塩基酸ジヒドラジ
ド［ＡＤＨ、ＰＤＨ、ＳＤＨ（いずれも日本ヒドラジン
工業（株）、商品名）］、エポキシ樹脂とアミン化合物
の反応物からなるマイクロカプセル型硬化剤［ノバキュ
ア（旭化成工業（株）、商品名）］等が挙げられる。ま
た、これらのエポキシ樹脂硬化剤は、１種単独で用いて
もよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｄ）成分のエポキシ樹脂硬化剤の配合量は、エポキシ
樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部が好まし
く、１〜２０重量部がより好ましい。エポキシ樹脂硬化
剤の配合量が０．１重量部未満であると硬化性に劣る傾
向があり、５０重量部を超えると樹脂組成物の安定性が
悪くなる傾向がある。

【００３８】さらに、本発明の樹脂ペースト組成物には
必要に応じて硬化促進剤を添加することができる。硬化
促進剤としては、有機ボロン塩化合物［ＥＭＺ・Ｋ、Ｔ
ＰＰＫ（北興化学工業（株）製、商品名）等］、三級ア
ミン類又はその塩［ＤＢＵ、Ｕ−ＣＡＴ１０２、１０
６、８３０、８４０、５００２（いずれもサンアプロ社
商品名）等］、イミダゾール類［キュアゾール、２Ｐ４
ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−ＯＫ（いずれも四国化成
（株）商品名）等］などが挙げられる。硬化促進剤の配
合量は、通常、エポキシ樹脂に対して２０重量部以下の
量とされることが好ましい。必要に応じて添加される硬
化促進剤は、１種単独で用いてもよく、複数種の硬化促
進剤を適宜組み合わせて用いてもよい。

【００３９】本発明に用いられる（Ｅ）成分の充填材と
しては、平均粒径が１０μｍ未満であれば特に制限はな
く、各種のものが用いられるが、例えば金、銀、銅、ニ
ッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス、酸化ケイ素、
窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素等の粉体が
挙げられる。この充填材の平均粒径が１０μｍ以上であ
ると、ペーストの均一性、各種物性が低下する。好まし
い平均粒径は０．５〜７μｍであり、０．８〜５μｍで
あることがより好ましい。形状としては、鱗片状、球
状、塊状、樹枝状、板状等が挙げられるが、鱗片状、球
状が好ましい。（Ｅ）成分の充填材の配合量は特に限定
しないが、樹脂ペースト組成物総量に対して２０〜８５
重量％が好ましく、４０〜８２重量％がより好ましい。
この配合量が２０重量％未満であると、熱時の接着強度
が低下する傾向があり、８５重量％を超えると、粘度が
増大し、作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が低下
する傾向がある。

【００４０】本発明に用いられる（Ｆ）成分の球状銀粉
は、平均粒径が１０〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０
μｍ、より好ましくは１０〜２５μｍ、特に好ましくは
１２〜２０μｍのものである。平均粒径が１０μｍ未満
ではボンドライン厚みを一定に保つのが難しく、５０μ
ｍを超えると、樹脂ペースト組成物の使用時の塗布作業
性が低下する傾向がある。また、（Ｆ）成分の球状銀粉
は、その粒子の９０体積％以上、好ましくは９３体積％
以上が、平均粒径（Ｒ）に対して０．５Ｒ〜１．５Ｒμ
ｍの範囲内の粒径を有するものである。粒径の範囲が上
記条件からはずれると、ボンドライン厚みを一定に保つ
のが難しくなる。（Ｆ）成分の球状銀粉の配合量として
は、樹脂ペースト組成物総量に対して好ましくは０．５
〜２０重量％、より好ましくは０．８〜１５重量％、さ
らに好ましくは１〜１２重量％である。この配合量が
０．５重量％未満ではボンドライン厚みを一定に保つの
が難しくなり、２０重量％を超えると樹脂ペースト組成
物中の樹脂分と（Ｆ）成分の球状銀粉とが分離し、沈降
が起こりやすくなる傾向がある。

【００４１】本発明の樹脂ペースト組成物には可とう化
材を添加することができる。本発明に用いられる可とう
化材としては、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が用いら
れるが、例えばポリブタジエン、マレイン化ポリブタジ
エン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ末
端アクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリ
ロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリ
ルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等の液状ゴ
ム、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプ
ロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイ
ミド等の熱可塑性樹脂などが挙げられる。

【００４２】液状ゴムとしては、数平均分子量が５００
〜１０，０００のものが好ましく、１，０００〜５，０
００のものがより好ましい。分子量が小さすぎると可と
う化効果に劣る傾向があり、分子量が大きすぎると樹脂
ペースト組成物の粘度が上昇し作業性に劣る傾向があ
る。数平均分子量は蒸気圧浸透法で測定した値又はＧＰ
Ｃ法により測定した値である。熱可塑性樹脂としては、
数平均分子量が１０，０００〜３００，０００のものが
好ましく、２０，０００〜２００，０００のものがより
好ましい。分子量が小さすぎると可とう化効果に劣る傾
向があり、分子量が大きすぎると、樹脂ペースト組成物
の粘度が上昇し作業性に劣る傾向がある。また可とう化
材の配合量としては、（Ａ）成分１００重量部に対して
１０〜１００重量部使用することが好ましく、３０〜８
０重量部使用することがより好ましい。この配合量が１
０重量部未満であると可とう化効果に劣り、１００重量
部を超えると、粘度が増大し、樹脂ペースト組成物の作
業性が低下する傾向がある。

【００４３】本発明の樹脂ペースト組成物にはカップリ
ング剤を添加することができる。本発明に用いられるカ
ップリング剤としては特に制限はなく、シランカップリ
ング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系
カップリング剤、ジルコネート系カップリング剤、ジル
コアルミネート系カップリング剤等の各種のものが用い
られる。

【００４４】カップリング剤の具体例としては、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス
（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロ
キシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジ
ルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイ
ミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，
４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラ
ン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメ
チルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシ
アネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリル
トリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネー
ト、エトキシシラントリイソシアネート等のシランカッ
プリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオ
クチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス
（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ
（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス
（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネ
ート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレン
チタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピル（ジオクチルホスフェート）チタネ
ート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イ
ソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル・アミノエチル）チ
タネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネー
ト、ジイソステアロイルエチレンチタネート等のチタネ
ート系カップリング剤、アセトアルコキシアルミニウム
ジイソプロピオネート等のアルミニウム系カップリング
剤、テトラプロピルジルコネート、テトラブチルジルコ
ネート、テトラ（トリエタノールアミン）ジルコネー
ト、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウムア
セチルアセトネートアセチルアセトンジルコニウムブチ
レート、ステアリン酸ジルコニウムブチレート等のジル
コネート系カップリング剤等がある。

【００４５】カップリング剤の配合量は、（Ａ）成分の
総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１重量部未満であると、接着強度の向上効果に劣
り、１０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物
中にボイドが生じ易くなる傾向がある。

【００４６】本発明になる樹脂ペースト組成物には、さ
らに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等
の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性
剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡
剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤等、粘度調
整のための溶剤を単独又は数種類を組み合わせて、適宜
添加することができる。なお、溶剤を添加する場合、ボ
イドの点から３重量％以下とすることが好ましい。

【００４７】本発明になる樹脂ペースト組成物を製造す
るには、（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメタクリ
ル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤、（Ｃ）エ
ポキシ樹脂、（Ｄ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｅ）平均粒
径１０μｍ未満の充填材及び（Ｆ）平均粒径（Ｒ）が１
０〜５０μｍで且つ粒子の９０体積％以上が０．５Ｒ〜
１．５Ｒμｍの範囲の粒径を有する球状銀粉を、必要に
応じて用いられる各種添加剤とともに、一括又は分割し
て撹拌器、ライカイ器、３本ロール、プラネタリーミキ
サー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投入
し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は分
散して均一なペースト状とすれば良い。

【００４８】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支
持部材に接着した後、封止することにより半導体装置と
することができる。

【００４９】支持部材としては、例えば、４２アロイリ
ードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、
ガラスエポキシ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂から
なる基板）、ＢＴ基板（シアネートモノマー及びそのオ
リゴマーとビスマレイミドからなるＢＴレジン使用基
板）等の有機基板が挙げられる。

【００５０】本発明の樹脂ペースト組成物を用いて半導
体素子をリードフレーム等の支持部材に接着させるに
は、まず支持部材上に樹脂ペースト組成物をディスペン
ス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等により塗布
した後、半導体素子を圧着し、その後オーブン又はヒー
トブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化することによ
り行うことができる。さらに、ワイヤボンド工程を経た
後、通常の方法により封止することにより完成された半
導体装置とすることができる。

【００５１】上記加熱硬化は、低温での長時間硬化の場
合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温
度１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２２０℃で、
５秒〜３時間、好ましくは１５秒〜１時間行うことが好
ましい。

【００５２】

【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。

【００５３】比較例で用いたエポキシ樹脂、硬化剤は以
下のようにして作製したものを用いた。 （１）エポキシ樹脂の調製 ＹＤＦー１７０（東都化成（株）製、商品名、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝１７０）７．
５重量部及びＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ（株）
製、商品名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキ
シ当量＝１８５）７．５重量部を８０℃に加熱し、１時
間撹拌を続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。 （２）硬化剤の調製 Ｈ−１（明和化成（株）製、商品名、フェノールノボラ
ック樹脂、ＯＨ当量＝１０６）１．０重量部及び希釈剤
としてＰＰ−１０１（東都化成（株）製、商品名、アル
キルフェニルグリシジルエーテル、エポキシ当量＝２３
０）２．０重量部を１００℃に加熱し、１時間撹拌を続
け、均一なフェノール樹脂溶液を得た。

【００５４】比較例及び実施例で用いた化合物を以下に
例示する。 （１）硬化促進剤 ２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成（株）製のイミダゾール類の商
品名） （２）希釈剤 ＰＰ−１０１（東都化成（株）製アルキルフェニルグリ
シジルエーテルの商品名、エポキシ当量＝２３０） （３）アクリル酸エステル化合物及びメタクリル酸エス
テル化合物 Ｒ−５５１（日本化薬（株）製ジアクリレートの商品
名、ビスフェノールＡポリエチレングリコールジアクリ
レート、一般式（ＶＩＩＩ）、Ｒ^１＝Ｈ、Ｒ^１１＝ＣＨ
_３、Ｒ^１２＝ＣＨ_３、Ｒ^１３＝Ｈ、Ｒ^１４＝Ｈ、ｐ＋ｑ
＝約４）、ラウリルアクリレート（一般式（Ｉ）、Ｒ^１
＝Ｈ、Ｒ^２＝−Ｃ_１２Ｈ_２４−） （４）ラジカル開始剤 ジクミルパーオキサイド （５）エポキシ樹脂 ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）製、商品名、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝１７０、分子
量＝３４０） Ｅ−１０００−６．５（日本石油化学（株）製エポキシ
化ポリブタジエンの商品名、エポキシ当量＝２４６、数
平均分子量＝約１，０００） （６）エポキシ樹脂硬化剤 ジシアンジアミド （７）可とう化材 ＣＴＢＮ１３００×３１（宇部興産（株）製カルボキシ
末端アクリロニトリルポリブタジエン共重合体の商品
名） （８）カップリング剤 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン （９）充填材 ＴＣＧ−１（徳力化学研究所社製の銀粉の商品名、形
状：鱗片状、平均粒径＝２μｍ） ＡＧＦ−２０Ｓ（徳力化学研究所社製の球状銀粉の商品
名、平均粒径（Ｒ）＝２０μｍ、０．５Ｒ〜１．５Ｒの
範囲内の粒径を有する粒子の割合＝９３体積％）

【００５５】表１に示す配合割合で、各材料を混合し、
３本ロールを用いて混練した後、６６６．６１Ｐａ（５
トル（Ｔｏｒｒ））以下で１０分間脱泡処理を行い、樹
脂ペースト組成物を得た。この樹脂ペースト組成物の特
性（粘度、接着強度、ボンドライン厚み、ピール強度、
チップ反り、耐リフロー性）を下記に示す方法で調べ
た。その結果を表１に示す。

【００５６】（１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計
器社製）を用いて２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を測
定した。 （２）ダイシェア強度：樹脂ペースト組成物をＡｇめっ
き付き銅リードフレーム上に約０．２ｍｇ塗布し、この
上に２ｍｍ×２ｍｍのＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）
を圧着し、さらにオーブンで１５０℃まで３０分で昇温
し１５０℃で１時間硬化させた。これを自動接着力試験
装置（ＢＴ１００、Ｄａｇｅ社製）を用い、室温の剪断
接着強度（Ｎ／チップ）を測定した。なおダイシェア強
度の測定は２０個の試験片について行った。 （３）ボンドライン厚み：樹脂ペースト組成物をあらか
じめマイクロメータで厚みを測っておいた銅リードフレ
ーム上に約０．２ｍｇを塗布し、この上にあらかじめマ
イクロメータで厚みを測っておいた２ｍｍ×２ｍｍのＳ
ｉチップを圧着し、さらにオーブンで１５０℃まで３０
分で昇温し１５０℃で１時間硬化させた。硬化後にマイ
クロメータで厚みを測定し、この値からあらかじめ測っ
ておいたリードフレームとチップの厚みを減じた値をボ
ンドライン厚みとした。なおボンドライン厚みの測定は
２０個の試験片について行った。 （４）ボイド：樹脂ペースト組成物を銅リードフレーム
上に約４．０ｍｇを塗布し、この上に８ｍｍ×１０ｍｍ
のＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオー
ブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間硬
化させた。これを、走査型超音波顕微鏡を用い観察し、
硬化後の樹脂ペースト組成物中に含まれるチップと基材
の間の水平方向の断面のボイドの占有面積を求めた。 （５）ピール強度：樹脂ペースト組成物を銅リードフレ
ーム上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に８ｍｍ×８ｍ
ｍのＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオ
ーブンで１０５℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間
硬化させた。これを自動接着力装置（日立化成工業
（株）製、内製）を用い、２４０℃における引き剥がし
強さ（Ｎ／チップ）を測定した。 （６）チップ反り：樹脂ペースト組成物を銅リードフレ
ーム上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に５ｍｍ×１３
ｍｍのＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着し、さらに
オーブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時
間硬化させた。これを表面粗さ計（ｓｌｏａｎ社製、Ｄ
ｅｋｔｕｋ ３０３０）を用い、チップ反り（μｍ）を
測定した。 （７）耐リフロー性：実施例及び比較例により得た樹脂
ペースト組成物を用い、下記リードフレームとＳｉチッ
プを、下記の硬化条件により硬化し接着した。その後日
立化成工業（株）製エポキシ封止材（商品名ＣＥＬ−４
６２０）により封止し、半田リフロー試験用パッケージ
を得た。そのパッケージを温度及び湿度がそれぞれ８５
℃、８５％の条件に設定された恒温高湿槽中で９６時間
吸湿させた。その後２４０℃／１０秒のリフロー条件で
半田リフローを行い、パッケージの内部クラックの発生
数を走査型超音波顕微鏡で観察した。７個のサンプルに
ついてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ：４．９ｍｍ×９．５ｍｍ パッケージサイズ：８ｍｍ×１８ｍｍ×２．７ｍｍ 支持部材：銅リードフレーム 硬化条件：１５０℃まで３０分で昇温、１５０℃で１時
間硬化

【００５７】

【表１】

【００５８】表１の結果から、本発明の樹脂ペースト組
成物（実施例１及び２）は従来のエポキシ樹脂を用いた
樹脂ペースト組成物（比較例１）に比較してボイドが占
有率が小さく、ボンドライン厚みを一定にすることが可
能になっている。このことから、本発明の樹脂ペースト
組成物によれば、ボイドを低減し、ボンドライン厚みを
一定にすることができ、その結果、接着強度のばらつき
や半導体素子の傾きを低減できることが確認された。さ
らに、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例１及び２）
は従来のエポキシ樹脂を用いた樹脂ペースト組成物（比
較例１）及び同一のアクリル酸エステル化合物を用いて
エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を添加しない場合
（比較例２）に比較してピール強度、チップ反りで良好
な値を示し、耐リフロー性も優れていた。

【００５９】

【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体
装置のダイボンディング材として使用した場合にボンド
ライン厚みを一定にすることができ、接着強度のばらつ
きやチップの傾きを低減することができる。その結果ワ
イヤーボンド時の不良を低減でる。さらに銅リードフレ
ームにおいても、チップクラックやチップ反り及び半田
リフロー時のペースト層の剥離を抑えることができ、リ
フロークラックの発生を低減させる。その結果、半導体
装置としての信頼性を向上させることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｆターム(参考） 4J002 AA01X AC00X AC02X BF02X BG04X CD01W CD02W CD04W CD05W CD06W CD18W CF00X CH07X CM04X DA077 DA078 DA087 DA097 DE147 DF017 DJ007 DJ017 DK007 EH109 EQ026 ER026 FD017 FD146 FD20X FD208 FD209 GJ01 4J036 AA01 AD08 AF06 AF08 AJ05 AJ08 AK03 DC31 DC35 FA01 FA02 FA04 FA05 FA06 FA13 FB02 FB03 FB05 FB11 FB12 FB14 JA07 KA01 5F047 AA11 AA17 BA23 BA34 BA37 BA40 BA53 BB11 BB16

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
   タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤、
   （Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）エポキシ樹脂硬化剤、
   （Ｅ）平均粒径１０μｍ未満の充填材及び（Ｆ）平均粒
   径（Ｒ）が１０〜５０μｍで且つ粒子の９０体積％以上
   が０．５Ｒ〜１．５Ｒμｍの範囲内の粒径を有する球状
   銀粉を均一分散させてなる樹脂ペースト組成物。
2. 【請求項２】 （Ｆ）成分の球状銀粉を、樹脂ペースト
   組成物総量に対して０．５〜２０重量％含有する請求項
   １に記載の樹脂ペースト組成物。
3. 【請求項３】 （Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物
   又はメタクリル酸エステル化合物１００重量部に対して
   （Ｃ）成分のエポキシ樹脂を１〜１００重量部含有する
   請求項１又は２に記載の樹脂ペースト組成物。
4. 【請求項４】 （Ｃ）成分のエポキシ樹脂１００重量部
   に対して、（Ｄ）成分のエポキシ樹脂硬化剤を０．１〜
   ５０重量部含有する請求項１、２又は３に記載の樹脂ペ
   ースト組成物。
5. 【請求項５】 （Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物
   又はメタクリル酸エステル化合物１００重量部に対して
   （Ｂ）成分のラジカル開始剤を０．１〜１０重量部、樹
   脂ペースト組成物総量に対して（Ｅ）成分の充填材を２
   ０〜８５重量％含有する請求項１、２、３又は４に記載
   の樹脂ペースト組成物。
6. 【請求項６】 さらに可とう化材を添加してなる請求項
   １、２、３、４又は５に記載の樹脂ペースト組成物。
7. 【請求項７】 可とう化材が液状ゴム又は熱可塑性樹脂
   である請求項６に記載の樹脂ペースト組成物。
8. 【請求項８】 （Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物
   又はメタクリル酸エステル化合物１００重量部に対して
   可とう化材を１０〜１００重量部含有する請求項６又は
   ７に記載の樹脂ペースト組成物。
9. 【請求項９】 さらにカップリング剤を添加してなる請
   求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の樹脂ペ
   ースト組成物。
10. 【請求項１０】 （Ａ）成分のアクリル酸エステル化合
    物又はメタクリル酸エステル化合物１００重量部に対し
    てカップリング剤を０．１〜１０重量部含有する請求項
    ９に記載の樹脂ペースト組成物。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の樹
    脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着
    した後、封止してなる半導体装置。