JP4172257B2 - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂ペースト組成物、さらに詳しくはＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子をリードフレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の基板に接着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体用基板としては従来の金属フレームだけでなく、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等が使用されてきており、半導体素子を接着する基板の表面状態は大きく変化してきている。また従来の金属フレームに関しても、低コスト化の面からめっき工程などが変わり、金属フレームめっき面の表面状態が大きく変化してきている。このため、従来の樹脂ペースト組成物を使用すると、ブリードアウトと呼ばれる、樹脂成分の基板へのにじみ出し現象が生じることがあり、半導体装置の信頼性及び半導体装置の生産性を低下させる原因となっている。このブリードアウトを防止するために、含フッ素化合物や含フッ素樹脂を配合した樹脂ペースト組成物が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平０５−３３１３５５号公報
【特許文献２】
特開平０７−２２１１２６号公報
【特許文献１】
特開２００１−１１１０７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、樹脂ペースト組成物に、分子中に燐原子を含む有機チタン化合物を添加することで、樹脂と充填材の親和性を向上させることにより、従来技術の問題点であった金属フレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の各種基板へのブリードアウトを低減することができ、且つ、反応性が高く、硬化性が良好で、接着性に優れる樹脂ペースト組成物を提供するものである。
また、本発明は、上記樹脂ペースト組成物を用いて高信頼性で高生産性の半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（Ａ）少なくとも１種類以上の熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤又はラジカル開始剤から選択される少なくとも１種類以上の化合物、（Ｃ）分子中に燐原子を含む有機チタン化合物及び（Ｄ）充填材を含有してなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を基板に接着した後、封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられる（Ａ）成分の熱硬化性樹脂としては特に制限は無く、エポキシ樹脂、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル化合物、マレイミド樹脂、ビニルエーテル化合物、ビニル化合物、シアネート樹脂など各種のものが用いられる。また、それぞれの熱硬化性樹脂を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０００７】
エポキシ樹脂の例としては、１分子中に１個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限はなく、例えばアルキルモノグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、アルキルフェニルモノグリシジルエーテル、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３，３−ペンタメチルジシロキサン、アルキルモノグリシジルエステル、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂［ＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成エポキシ（株）、商品名）、Ｒ−３０１（三井化学（株）、商品名）、ＹＬ−９８０（ジャパンエポキシレジン（株）商品名）］、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂［ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）、商品名）］、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂［Ｒ−１７１０（三井化学（株）、商品名）］、フェノールノボラック型エポキシ樹脂［Ｎ−７３０Ｓ（大日本インキ化学工業（株）、商品名）、Ｑｕａｔｒｅｘ−２０１０（ダウ・ケミカル社、商品名）］、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂［ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（東都化成（株）、商品名）、ＥＯＣＮ−１００（日本化薬（株）、商品名）］、多官能エポキシ樹脂［ＥＰＰＮ−５０１（日本化薬（株）、商品名）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２（ダウ・ケミカル社、商品名）、ＶＧ−３０１０（三井化学（株）、商品名）、１０３２Ｓ（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名）］、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂［ＨＰ−４０３２（大日本インキ化学工業（株）、商品名）］、ジシクロ型エポキシ樹脂［ＥＰ−４０８８Ｓ（旭電化工業（株）、商品名）、ＸＤ−１０００−Ｌ（日本化薬（株）、商品名）］、脂環式エポキシ樹脂［ＥＨＰＥ−３１５０、ＣＥＬ−３０００（ダイセル化学工業（株）、商品名）、ＤＭＥ−１００（新日本理化（株）、商品名）、ＥＸ−２１６Ｌ（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、脂肪族エポキシ樹脂［Ｗ−１００（新日本理化（株）、商品名）、ＹＨ−３００（東都化成（株）、商品名）］、エポキシ化ポリブタジエン［ＰＢ−３６００（ダイセル化学工業（株）、商品名）、Ｅ−１０００−３．５（日本石油化学（株）、商品名）］、エポキシ化植物油［Ｓ−３００Ｋ、Ｌ−５００（ダイセル化学工業（株）、商品名）］、アミン型エポキシ樹脂 ［ＥＬＭ−１００（住友化学工業（株）、商品名）、ＹＨ−４３４Ｌ（東都化成（株）、商品名）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（三菱瓦斯化学（株）、商品名）、ＧＯＴ、ＧＡＮ（日本化薬（株）、商品名）］、エチレン／プロピレングリコール変性ビスフェノール型エポキシ樹脂［ＥＰ−４０００Ｓ（旭電化工業（株）、商品名）、ＢＥＯ−６０Ｅ（新日本理化（株）、商品名）］、水素添加ビスフェノール型エポキシ樹脂［ＥＸＡ−７０１５（日本化薬（株）、商品名）、ＳＴ−５０８０（東都化成（株）、商品名）］、レゾルシン型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２０１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、カテコール骨格を有するエポキシ樹脂［ＥＸＡ−７１２０（大日本インキ化学工業（株）、商品名）］、ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、ヘキサンディネルグリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１２（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、エチレン／プロピレングリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−８１０、８１１、８５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、ビフェニル型エポキシ樹脂［ＹＸ−４０００Ｈ（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名］、下記一般式（Ｉ）
【０００８】
【化１】
（式中、ａは０〜５の整数を表す）で表されるエポキシ樹脂［Ｅ−ＸＬ−２４、Ｅ−ＸＬ−３Ｌ（三井化学（株）、商品名）］、ウレタン変性エポキシ樹脂［ＥＰＵ−１５、ＥＰＵ−１８（旭電化工業（株）、商品名）］、ゴム変性エポキシ樹脂［ＥＰＲ−４０３２、ＥＰＲ−１３０９（旭電化工業（株）、商品名）］、キレート変性エポキシ樹脂［ＥＰ−４９−１０、ＥＰＵ−７８−１１（旭電化工業（株）、商品名）］、グリシジルエステル型エポキシ樹脂［ＹＤ−１７１、ＹＤ−１７２（東都化成（株）、商品名）、ＡＫ−６０１（日本化薬（株）、商品名）］などが挙げられる。なかでも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、１分子中に１個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と併用することが好ましく、１分子中に１個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂総量中の０〜５０重量％とすることが好ましく、０〜３５重量％とすることがより好ましい。なお、１分子中に１個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を使用する場合には、通常、エポキシ樹脂総量中の１重量％以上の量で用いられる。
【０００９】
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の例としては、１分子中に１個以上のアクリル基又はメタクリル基を有する化合物であれば特に制限は無いが、例えば下記の一般式（ＩＩ）〜（Ｘ）で表されるモノ又はジアクリル酸エステル化合物又はモノ又はジメタクリル酸エステル化合物及び一般式（ＸＩ）等の多官能アクリル酸エステル化合物又は多官能メタクリル酸エステル化合物が使用できる。
【００１０】
（１）一般式（ＩＩ）
【化２】
〔式中、Ｒ1は水素又はメチル基を表し、Ｒ2は炭素数１〜１００、好ましくは炭素数１〜３６の２価の鎖状構造又は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す〕
で示される化合物。
【００１１】
一般式（ＩＩ）で示される化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシルアクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デシルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−３−エン−８（又は９）−イルアクリレート等のアクリレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デシルメタクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］ デカ−３−エン−８（又は９）−イルメタクリレート等のメタクリレート化合物がある。
【００１２】
（２）一般式（ＩＩＩ）
【化３】
〔式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ前記のものを表す〕
で示される化合物。
【００１３】
一般式（ＩＩＩ）で示される化合物としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、ダイマージオールモノアクリレート等のアクリレート化合物、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシブチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、ダイマージオールモノメタクリレート等のメタクリレート化合物等がある。
【００１４】
（３）一般式（ＩＶ）
【化４】
〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ3は水素、メチル基又はフェノキシメチル基を表し、Ｒ4は水素、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基又はベンゾイル基を表し、ｎは１〜５０の整数を表す〕
で示される化合物。
【００１５】
一般式（ＩＶ）で示される化合物としては、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート等のアクリレート化合物、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、２−フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメタクリレート等のメタクリレート化合物
【００１６】
（４）一般式（Ｖ）
【化５】
〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ5はフェニル基、ニトリル基、トリシクロ［５．２．１．０2,6］−３−デセニル基、−Si (OR6)3（Ｒ6は炭素数１〜６のアルキル基を表す）、下記の式の基
【００１７】
【化６】
（Ｒ7、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ独立に水素又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ10は水素又は炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表す）を表し、ｍは０、１、２又は３の数を表す〕
で示される化合物。
【００１８】
一般式（Ｖ）で示される化合物としては、ベンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、２−（トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−３−エン−８（又は９）−イルオキシ）エチルアクリレート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、４−アクリロイルオキシ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−アクリロイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、アクリロキシエチルホスフェート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のアクリレート化合物、ベンジルメタクリレート、２−シアノエチルメタクリレート、２−（トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−３−エン−８（又は９）−イルオキシ）エチルメタクリレート、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート４−メタクリロイルオキシ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−メタクリロイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、メタクリロキシエチルホスフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート等のメタクリレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のメタクリレート化合物がある。
【００１９】
（５）一般式（ＶＩ）
【化７】
〔式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ前記のものを表す〕
で示される化合物。
【００２０】
一般式（ＶＩ）で示される化合物としては、エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート等のジアクリレート化合物、エチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート等のジメタクリレート化合物がある。
【００２１】
（６）一般式（ＶＩＩ）
【化８】
〔式中、Ｒ1、Ｒ3及びｎはそれぞれ前記のものを表す〕
で示される化合物。
【００２２】
一般式（ＶＩＩ）で示される化合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレート化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート等のジメタクリレート化合物がある。
【００２３】
（７）一般式（ＶＩＩＩ）
【化９】
〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ11及びＲ12はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表す〕
で示される化合物。
【００２４】
一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの反応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モルとの反応物等がある。
【００２５】
（８）一般式（ＩＸ）
【化１０】
〔式中、Ｒ1、Ｒ11及びＲ12はそれぞれ前記のものを表しＲ13及びＲ14はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜２０の整数を表す〕
で示される化合物。
【００２６】
一般式（ＩＸ）で示される化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジメタクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジメタクリレート等がある。
【００２７】
（９）一般式（Ｘ）
【化１１】
〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17及びＲ18はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、ｘは１〜２０の整数を表す〕
で示される化合物。
【００２８】
一般式（Ｘ）で示される化合物としては、ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー、ビス（メタクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー等がある。
【００２９】
（１０）一般式（ＸＩ）
【化１２】
〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、ｒ、ｓ、ｔ及びｕはそれぞれ独立に繰り返し数の平均値を示す０以上の数であり、ｒ＋ｔは０．１以上、好ましくは０．３〜５であり、ｓ＋ｔは１以上、好ましくは１〜１００である〕
で示される化合物。
【００３０】
一般式（ＸＩ）で示される化合物としては、無水マレイン酸を付加させたポリブタジエンと分子内に水酸基を持つアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物を反応させて得られる反応物及びその水素添加物があり、例えばＭＭ−１０００−８０、ＭＡＣ−１０００−８０（共に、日本石油化学（株）、商品名）等がある。
【００３１】
その他の多官能アクリル酸エステル化合物又は多官能メタクリル酸エステル化合物としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンのポリエチレンオキサイド付加物のトリアクリレート、トリメチロールプロパンのポリプロピレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘプタアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘプタアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘプタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘキサアクリレート等の多官能アクリレート化合物、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンのポリエチレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、トリメチロールプロパンのポリプロピレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘプタメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘプタメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘプタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘキサメタクリレート等のメタクリレート化合物がある。
【００３２】
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
（Ａ）成分の熱硬化性樹脂の量は、樹脂ペースト組成物の総量１００重量部に対して１〜９５重量部とすることが好ましく、５〜８０重量部とすることがより好ましい。
【００３３】
本発明に用いられる（Ｂ）成分の硬化剤又はラジカル開始剤から選択される少なくとも１種類以上の化合物としては、（Ａ）成分である熱硬化性樹脂の種類によって各種のものが用いられ、それらを単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。通常、エポキシ樹脂、シアナート樹脂、ビニルエーテル化合物、マレイミド樹脂等には硬化剤が、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド樹脂、ビニルエーテル化合物、ビニル化合物等にはラジカル開始剤が用いられる。
【００３４】
（Ｂ）成分の硬化剤の例としては、（Ａ）成分の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合には、フェノールノボラック樹脂［Ｈ−１（明和化成（株）、商品名）、ＶＲ−９３００（三井化学（株）、商品名）］、フェノールアラルキル樹脂［ＸＬ−２２５（三井化学（株）、商品名）］、アリル化フェノールノボラック樹脂［ＡＬ−ＶＲ−９３００（三井化学（株）、商品名）］、下記一般式（ＸＩＩ）
【００３５】
【化１３】
（式中、Ｒ19はメチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ20は水素又はメチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｂは２〜４の整数を示す。）で表される特殊フェノール樹脂［ＰＰ−７００−３００（日本石油化学（株）製、商品名）］、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＡＤ、アリル化ビスフェノールＳ、多官能フェノール［ｐ−ＣＲ、ＴｒｉｓＰ−ＰＨＢＡ、ＭＴＰＣ、ＴｒｉｓＰ−ＲＳ（本州化学工業（株）、商品名）］等のフェノール化合物、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルケトン、３，４′−ジアミノジフェニルケトン、４，４′−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４′−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４′−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４′−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４′−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフエノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、トリスジメチルアミノメチルフェノール、ピペリジン、メンタンジアミン、ボロントリフルオライドモノエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−ウンデセン−７、 ６−ブチル−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−ウンデセン−７、 １，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−ノネン−５ 等のアミン化合物、ジシアンジアミド、下記一般式（ＸＩＩＩ）
【００３６】
【化１４】
（式中、Ｒ21はｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基等の２価の芳香族基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を示す。）で表される二塩基酸ジヒドラジド［ＡＤＨ、ＰＤＨ、ＳＤＨ（いずれも日本ヒドラジン工業（株）製、商品名）］、エポキシ樹脂とアミン化合物の反応物からなるマイクロカプセル型硬化剤［ノバキュア（旭化成工業（株）製、商品名）］、Ｕ−ＣＡＴ３５０２Ｔ、Ｕ−ＣＡＴ３５０３Ｎ（サンアプロ（株）、商品名）等の尿素化合物、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水イタコン酸、無水コハク酸、無水ドデシルコハク酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、３又は４−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、３又は４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト（７）−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフイド二無水物、４，４′−（４，４′−イソプロピリデンジフェノキシ）−ビス（フタル酸無水物）、４，４′−［デカン−１，１０−ジイルビス（オキシカルボニル）］ジフタル酸二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物等の酸無水物、ＫＴ−９９０、ＣＰ−７７（旭電化工業（株）、商品名）、ＳＩ−Ｌ８５、ＳＩ−Ｌ１４５（三新化学工業（株）、商品名）等のカチオン重合触媒、ポリメルカプト化合物、ポリアミド化合物等が挙げられる。またこれらの硬化剤を適宜組み合わせて用いてもよい。
（Ａ）成分の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂場合、硬化剤の量は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．１〜１０００重量部が好ましく、０．５〜５００重量部がより好ましい。
【００３７】
本発明に用いられる（Ｂ）のラジカル開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化物が好ましく、また樹脂ペースト組成物の硬化性及び保存安定性の点から、急速加熱試験での過酸化物の分解温度が７０〜１７０℃のものが好ましい。
ラジカル開始剤の具体例としては、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ ２−エチルヘキサノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等がある。
【００３８】
ラジカル開始剤の配合量は、（Ａ）成分の総量１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、０．５〜１０重量部が特に好ましい。この配合割合が０．１重量部未満であると、硬化性が低下する傾向があり、２０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
【００３９】
本発明に用いられる（Ｃ）の分子中に燐原子を含む有機チタン化合物としては特に制限はないが、ブリード抑制効果の点からチタン酸エステル化合物が好ましい。
分子中に燐原子を含む有機チタン化合物の具体例としては、イソプロピルトリス（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート等のチタン酸エステル化合物、ポリホスフェートチタネート等のチタネートポリマーがある。チタネートポリマーのＧＰＣによって測定した数平均分子量は５００〜５，０００であることが好ましく、１，０００〜３，０００であることがより好ましい。
分子中に燐原子を含む有機チタン化合物の配合量は、樹脂ペースト組成物の総量１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、０．０５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が０．０１重量部未満であると、ブリード抑制効果が低減する傾向があり、１０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の安定性が低下する傾向がある。
【００４０】
本発明に用いられる（Ｄ）の充填材としては特に制限はなく、各種のものが用いられるが、例えば金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム等の粉体が挙げられる。これらのうち、半導体パッケージの構造上、樹脂ペースト組成物に対して電気伝導性が要求される場合については、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス等の導電性の充填材を使用するのが好ましい。また樹脂ペースト組成物に対して電気絶縁性が要求される場合については、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム等の電気絶縁性の充填材を使用するのが好ましい。
【００４１】
充填材の粒径は特に制限はないが、通常、平均粒径が０．０５〜５０μｍであることが好ましく、０．１〜３０μｍであることがより好ましい。
充填材の配合量は特に限定しないが、樹脂ペースト組成物総量に対して２０〜９０重量％が好ましく、３０〜８５重量％であることがより好ましい。この配合量が２０重量％未満であると、熱時の接着強度が低下する傾向があり、９０重量％を超えると、粘度が増大し、作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が低下する傾向がある。
【００４２】
（Ｄ）の充填材は、そのまま他の成分と混合してもよいが、あらかじめ（Ｃ）の有機チタン化合物で表面処理した後にその他の成分と混合してもよい。充填材を有機チタン化合物で表面処理する方法としては、例えばエタノールに（Ｃ）の有機チタン化合物をあらかじめ溶解させた溶液中に（Ｄ）の充填材を加え、４０℃で１２時間撹拌後、エタノール及び未反応の有機チタン化合物を除去し、乾燥して得る方法がある。
【００４３】
本発明の樹脂ペースト組成物には、必要に応じて、硬化促進剤を添加してもよい。本発明に用いられる硬化促進剤としては、特に制限はないが、例えば（Ａ）成分の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合には、有機ボロン塩化合物［ＥＭＺ・Ｋ、ＴＰＰＫ（北興化学工業（株）、商品名）］、イミダゾール類［キュアゾール、２Ｐ４ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−ＯＫ（四国化成（株）、商品名）］などが挙げられる。
【００４４】
また、ラジカル開始剤の促進剤としてはナフテン酸コバルト、オクテン酸コバルト、ナフテン酸マンガン、五酸化バナジウム、アミン化合物、４級アンモニウム塩等がある。
【００４５】
必要に応じて添加される硬化促進剤は、それぞれ単独で用いてもよく、また、複数種の硬化促進剤を適宜組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
本発明の樹脂ペースト組成物には、必要に応じて、可とう化材を添加してもよい。本発明に用いられる可とう化材としては、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が用いられるが、例えばポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリル化ポリブタジエン、メタクリル化ポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。これらの可とう化材の分子量には特に制限はないが、通常、数平均分子量が５００〜５００，０００であることが好ましく、１，０００〜２００，０００であることがより好ましい。また可とう化材の配合量としては、（Ａ）成分１００重量部に対して１〜１００重量部使用することが好ましく、５〜７０重量部使用することがより好ましい。この配合量が１重量部未満であると可とう化効果に劣り、１００重量部を超えると、粘度が増大し、樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾向がある。
【００４７】
本発明の樹脂ペースト組成物には、必要に応じて、シランカップリング剤を添加してもよい。本発明に用いられるシランカップリング剤としては特に制限はなく、例えばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロキシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラントリイソシアネート等が挙げられる。カップリング剤の配合量は、樹脂ペースト組成物の総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が０．１重量部未満であると、接着強度の向上効果に劣り、１０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
【００４８】
本発明になる樹脂ペースト組成物には、さらに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤、粘度調整のための溶剤等を単独又は数種類を組み合わせて、適宜添加することができる。なお、溶剤を添加する場合、ボイドの点から樹脂ペースト組成物の総量に対して３重量％以下とすることが好ましい。
【００４９】
本発明の樹脂ペースト組成物を製造するには、（Ａ）少なくとも１種類以上の熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤又はラジカル開始剤から選択される少なくとも１種類以上の化合物、（Ｃ）分子中に燐原子を含む有機チタン化合物及び（Ｄ）充填材を、必要に応じて用いられる各種添加剤とともに、一括又は分割して撹拌器、ライカイ機、３本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペースト状とすれば良い。
本発明の樹脂ペースト組成物は、２５℃における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓであることが好ましく、４０〜１５０Ｐａ・ｓであることがより好ましい。
【００５０】
本発明においては、さらに上記のようにして製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と基板とを接着した後、封止することにより半導体装置とすることができる。
【００５１】
基板としては、銅、４２アロイ等の金属リードフレーム、セラミック基板、銅等のヒートスプレッダー、ガラスエポキシ基板、ＢＴ基板、アリブ基板、ポリイミド基板等の樹脂基板、ポリイミド製等のテープキャリア等が挙げられる。なお、上記の各種基板上には、銅等の配線が施されていてもよく、金属リードフレームや配線の表面には、金、銀、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、ニッケル、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｓｎ−Ｎｉ等のめっきが施されているか、ソルダーレジストでコートされていてもよい。また、ヒートスプレッダー表面には、金、銀、ニッケルメッキ又は黒化処理、ソルダーレジストコートが施されていてもよい。
【００５２】
本発明の樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を基板に接着させるには、まず基板上に樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブン又はヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化することにより行うことができる。さらに、ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法により封止することにより完成された半導体装置とすることができる。
【００５３】
上記加熱硬化は、低温での長時間硬化の場合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温度１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２２０℃で、５秒〜３時間、好ましくは１５秒〜１時間行うことが好ましい。
封止は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂を含む封止材を用いるモールディング（トランスファーモールディング）、ポッティング、プリモールド等により行なうことができる。
【００５４】
【実施例】
次に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれによって制限されるものではない。
比較例及び実施例で用いた化合物を以下に例示する。
（１）アクリル酸エステル化合物及びメタクリル酸エステル化合物
ＤＣＰ−Ａ（共栄社化学社製、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートの商品名）、Ｒ−５５１（日本化薬社製ビスフェノールＡポリエチレングリコールジアクリレートの商品名、式（ＩＸ）中ｐ＋ｑの平均値が４）、ラウリルアクリレート。
（２）エポキシ樹脂
ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量＝１７０）、ＹＬ−９８０（ジャパンエポキシレジン（株）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量＝１８５）、ＰＰ−１０１（東都化成（株）、アルキルフェニルグリシジルエーテルの商品名、エポキシ当量＝２３０）。
ＹＤＦ−１７０／７．５重量部及びＹＬ−９８０／７．５重量部を８０℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。
【００５５】
（３）ラジカル開始剤
ジクミルパーオキサイド。
（４）エポキシ樹脂硬化剤
Ｈ−１（明和化成（株）製、フェノールノボラック樹脂の商品名）。
Ｈ−１／１．０重量部及び希釈剤としてＰＰ−１０１／２．０重量部を１００℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一なフェノール樹脂溶液を得た。
（５）有機チタン化合物
ＫＲ４６Ｂ（味の素社製テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネートの商品名）、ＫＲ１３８Ｓ（味の素社製ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネートの商品名）。
【００５６】
（６）硬化促進剤
２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成（株）製、イミダゾール化合物の商品名）。
（７）可とう化材
ＣＴＢＮ１３００×３１（宇部興産社製カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体の商品名、数平均分子量：１０，０００）、ＰＢ−４７００（ダイセル化学工業社製エポキシ化ポリブタジエンの商品名、数平均分子量：３，５００）。
（７）シランカップリング剤
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン。
【００５７】
（８）充填材
ＢＮ−ＧＰ（電気化学工業社製窒化ホウ素の商品名、平均粒径：２μｍ）
ＴＣＧ−１（徳力化学研究所社製銀粉の商品名、平均粒径：２μｍ）
【００５８】
表１に示す配合割合で、各材料を混合し、３本ロールを用いて混練した後、６．７×１０2Ｐａ以下（５トル（Ｔｏｒｒ）以下）で１０分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。
この樹脂ペースト組成物の特性（粘度、接着強度、ブリードアウト）を下記に示す方法で調べた。その結果を表１に示す。
【００５９】
（１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器社製）を用いて２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。
（２）接着強度：実施例１、２及び比較例１については約８０μｇ、実施例３、４、５、６及び比較例２、３については約２００μｇの樹脂ペースト組成物をＡｇめっき付き銅リードフレーム上に塗布し、この上に２ｍｍ×２ｍｍのＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、さらに１５０℃に設定したオーブンに投入し１時間加熱硬化させた。これを自動接着力試験装置（ＢＴ１００、Dage社製）を用い、室温における剪断接着強度（ｋｇ／チップ）を測定した。
（３）ブリードアウト：実施例１、２及び比較例１については約１６０μｇ、実施例３、４、５、６及び比較例２、３については約４００μｇの樹脂ペースト組成物をＡｇめっき付き銅リードフレーム、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき付き銅リードフレーム及びポリイミド基板上に塗布し、２５℃で１時間放置した後、１５０℃に設定したオーブンに投入し１時間加熱硬化させた。これについて光学顕微鏡を用いて、硬化物からのＡｇめっき面、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき面及びポリイミド面へのにじみ幅を観察測定した。
【００６０】
【表１】
なお、表１のエポキシ硬化剤としてのフェノール樹脂溶液は、エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂（商品名Ｈ−１）１．６６重量部と、希釈剤としてのエポキシ樹脂（ＰＰ−１０１）３．３４重量部からなる。
【００６１】
表１の結果から、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例１、２、３、４、５及び６）は従来の有機チタン化合物を添加していない樹脂ペースト組成物（比較例１、２及び３）に比較して、各種基板へのブリードアウトの抑制に関して顕著な効果が見られた。
さらに、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例１、２、３、４、５及び６）は比較例１、２及び３に比較して同等の粘度及び接着強度を示しており、有機チタン化合物を添加してもその他の特性に関しては大きな悪影響を与えないことが確認された。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体装置のダイボンディング材として使用した場合に、金属フレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の種々基板へのブリードアウトの発生を抑えることができる。また、本発明の樹脂ペースト組成物は塗布作業性が良好で、硬化性に優れ、低温から高温に渡って優れた接着強度を有する。
本発明の半導体装置は、上記の樹脂ペースト組成物を使用しているため、信頼性及び生産性に優れる。
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂ペースト組成物、さらに詳しくはＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子をリードフレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の基板に接着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体用基板としては従来の金属フレームだけでなく、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等が使用されてきており、半導体素子を接着する基板の表面状態は大きく変化してきている。また従来の金属フレームに関しても、低コスト化の面からめっき工程などが変わり、金属フレームめっき面の表面状態が大きく変化してきている。このため、従来の樹脂ペースト組成物を使用すると、ブリードアウトと呼ばれる、樹脂成分の基板へのにじみ出し現象が生じることがあり、半導体装置の信頼性及び半導体装置の生産性を低下させる原因となっている。このブリードアウトを防止するために、含フッ素化合物や含フッ素樹脂を配合した樹脂ペースト組成物が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平０５−３３１３５５号公報
【特許文献２】
特開平０７−２２１１２６号公報
【特許文献１】
特開２００１−１１１０７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、樹脂ペースト組成物に、分子中に燐原子を含む有機チタン化合物を添加することで、樹脂と充填材の親和性を向上させることにより、従来技術の問題点であった金属フレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の各種基板へのブリードアウトを低減することができ、且つ、反応性が高く、硬化性が良好で、接着性に優れる樹脂ペースト組成物を提供するものである。
また、本発明は、上記樹脂ペースト組成物を用いて高信頼性で高生産性の半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（Ａ）少なくとも１種類以上の熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤又はラジカル開始剤から選択される少なくとも１種類以上の化合物、（Ｃ）分子中に燐原子を含む有機チタン化合物及び（Ｄ）充填材を含有してなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を基板に接着した後、封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられる（Ａ）成分の熱硬化性樹脂としては特に制限は無く、エポキシ樹脂、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル化合物、マレイミド樹脂、ビニルエーテル化合物、ビニル化合物、シアネート樹脂など各種のものが用いられる。また、それぞれの熱硬化性樹脂を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０００７】
エポキシ樹脂の例としては、１分子中に１個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限はなく、例えばアルキルモノグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、アルキルフェニルモノグリシジルエーテル、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３，３−ペンタメチルジシロキサン、アルキルモノグリシジルエステル、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂［ＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成エポキシ（株）、商品名）、Ｒ−３０１（三井化学（株）、商品名）、ＹＬ−９８０（ジャパンエポキシレジン（株）商品名）］、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂［ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）、商品名）］、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂［Ｒ−１７１０（三井化学（株）、商品名）］、フェノールノボラック型エポキシ樹脂［Ｎ−７３０Ｓ（大日本インキ化学工業（株）、商品名）、Ｑｕａｔｒｅｘ−２０１０（ダウ・ケミカル社、商品名）］、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂［ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（東都化成（株）、商品名）、ＥＯＣＮ−１００（日本化薬（株）、商品名）］、多官能エポキシ樹脂［ＥＰＰＮ−５０１（日本化薬（株）、商品名）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２（ダウ・ケミカル社、商品名）、ＶＧ−３０１０（三井化学（株）、商品名）、１０３２Ｓ（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名）］、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂［ＨＰ−４０３２（大日本インキ化学工業（株）、商品名）］、ジシクロ型エポキシ樹脂［ＥＰ−４０８８Ｓ（旭電化工業（株）、商品名）、ＸＤ−１０００−Ｌ（日本化薬（株）、商品名）］、脂環式エポキシ樹脂［ＥＨＰＥ−３１５０、ＣＥＬ−３０００（ダイセル化学工業（株）、商品名）、ＤＭＥ−１００（新日本理化（株）、商品名）、ＥＸ−２１６Ｌ（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、脂肪族エポキシ樹脂［Ｗ−１００（新日本理化（株）、商品名）、ＹＨ−３００（東都化成（株）、商品名）］、エポキシ化ポリブタジエン［ＰＢ−３６００（ダイセル化学工業（株）、商品名）、Ｅ−１０００−３．５（日本石油化学（株）、商品名）］、エポキシ化植物油［Ｓ−３００Ｋ、Ｌ−５００（ダイセル化学工業（株）、商品名）］、アミン型エポキシ樹脂 ［ＥＬＭ−１００（住友化学工業（株）、商品名）、ＹＨ−４３４Ｌ（東都化成（株）、商品名）、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（三菱瓦斯化学（株）、商品名）、ＧＯＴ、ＧＡＮ（日本化薬（株）、商品名）］、エチレン／プロピレングリコール変性ビスフェノール型エポキシ樹脂［ＥＰ−４０００Ｓ（旭電化工業（株）、商品名）、ＢＥＯ−６０Ｅ（新日本理化（株）、商品名）］、水素添加ビスフェノール型エポキシ樹脂［ＥＸＡ−７０１５（日本化薬（株）、商品名）、ＳＴ−５０８０（東都化成（株）、商品名）］、レゾルシン型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２０１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、カテコール骨格を有するエポキシ樹脂［ＥＸＡ−７１２０（大日本インキ化学工業（株）、商品名）］、ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、ヘキサンディネルグリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−２１２（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、エチレン／プロピレングリコール型エポキシ樹脂［デナコールＥＸ−８１０、８１１、８５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６１（ナガセケムテックス（株）、商品名）］、ビフェニル型エポキシ樹脂［ＹＸ−４０００Ｈ（ジャパンエポキシレジン（株）、商品名］、下記一般式（Ｉ）
【０００８】
【化１】
【０００９】
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の例としては、１分子中に１個以上のアクリル基又はメタクリル基を有する化合物であれば特に制限は無いが、例えば下記の一般式（ＩＩ）〜（Ｘ）で表されるモノ又はジアクリル酸エステル化合物又はモノ又はジメタクリル酸エステル化合物及び一般式（ＸＩ）等の多官能アクリル酸エステル化合物又は多官能メタクリル酸エステル化合物が使用できる。
【００１０】
（１）一般式（ＩＩ）
【化２】
で示される化合物。
【００１１】
一般式（ＩＩ）で示される化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシルアクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デシルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−３−エン−８（又は９）−イルアクリレート等のアクリレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デシルメタクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］ デカ−３−エン−８（又は９）−イルメタクリレート等のメタクリレート化合物がある。
【００１２】
（２）一般式（ＩＩＩ）
【化３】
で示される化合物。
【００１３】
一般式（ＩＩＩ）で示される化合物としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、ダイマージオールモノアクリレート等のアクリレート化合物、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシブチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、ダイマージオールモノメタクリレート等のメタクリレート化合物等がある。
【００１４】
（３）一般式（ＩＶ）
【化４】
で示される化合物。
【００１５】
一般式（ＩＶ）で示される化合物としては、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート等のアクリレート化合物、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、２−フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメタクリレート等のメタクリレート化合物
【００１６】
（４）一般式（Ｖ）
【化５】
【００１７】
【化６】
で示される化合物。
【００１８】
一般式（Ｖ）で示される化合物としては、ベンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、２−（トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−３−エン−８（又は９）−イルオキシ）エチルアクリレート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、４−アクリロイルオキシ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−アクリロイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、アクリロキシエチルホスフェート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のアクリレート化合物、ベンジルメタクリレート、２−シアノエチルメタクリレート、２−（トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ−３−エン−８（又は９）−イルオキシ）エチルメタクリレート、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート４−メタクリロイルオキシ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−メタクリロイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、メタクリロキシエチルホスフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート等のメタクリレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のメタクリレート化合物がある。
【００１９】
（５）一般式（ＶＩ）
【化７】
で示される化合物。
【００２０】
一般式（ＶＩ）で示される化合物としては、エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート等のジアクリレート化合物、エチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート等のジメタクリレート化合物がある。
【００２１】
（６）一般式（ＶＩＩ）
【化８】
で示される化合物。
【００２２】
一般式（ＶＩＩ）で示される化合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレート化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート等のジメタクリレート化合物がある。
【００２３】
（７）一般式（ＶＩＩＩ）
【化９】
で示される化合物。
【００２４】
一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの反応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モルとの反応物等がある。
【００２５】
（８）一般式（ＩＸ）
【化１０】
で示される化合物。
【００２６】
一般式（ＩＸ）で示される化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジメタクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジメタクリレート等がある。
【００２７】
（９）一般式（Ｘ）
【化１１】
で示される化合物。
【００２８】
一般式（Ｘ）で示される化合物としては、ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー、ビス（メタクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー等がある。
【００２９】
（１０）一般式（ＸＩ）
【化１２】
で示される化合物。
【００３０】
一般式（ＸＩ）で示される化合物としては、無水マレイン酸を付加させたポリブタジエンと分子内に水酸基を持つアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物を反応させて得られる反応物及びその水素添加物があり、例えばＭＭ−１０００−８０、ＭＡＣ−１０００−８０（共に、日本石油化学（株）、商品名）等がある。
【００３１】
その他の多官能アクリル酸エステル化合物又は多官能メタクリル酸エステル化合物としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンのポリエチレンオキサイド付加物のトリアクリレート、トリメチロールプロパンのポリプロピレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘプタアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘプタアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘプタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘキサアクリレート等の多官能アクリレート化合物、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンのポリエチレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、トリメチロールプロパンのポリプロピレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘプタメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘプタメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘプタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリエチレンオキサイド付加物のヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールのポリプロピレンオキサイド付加物のヘキサメタクリレート等のメタクリレート化合物がある。
【００３２】
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
（Ａ）成分の熱硬化性樹脂の量は、樹脂ペースト組成物の総量１００重量部に対して１〜９５重量部とすることが好ましく、５〜８０重量部とすることがより好ましい。
【００３３】
本発明に用いられる（Ｂ）成分の硬化剤又はラジカル開始剤から選択される少なくとも１種類以上の化合物としては、（Ａ）成分である熱硬化性樹脂の種類によって各種のものが用いられ、それらを単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。通常、エポキシ樹脂、シアナート樹脂、ビニルエーテル化合物、マレイミド樹脂等には硬化剤が、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、マレイミド樹脂、ビニルエーテル化合物、ビニル化合物等にはラジカル開始剤が用いられる。
【００３４】
（Ｂ）成分の硬化剤の例としては、（Ａ）成分の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合には、フェノールノボラック樹脂［Ｈ−１（明和化成（株）、商品名）、ＶＲ−９３００（三井化学（株）、商品名）］、フェノールアラルキル樹脂［ＸＬ−２２５（三井化学（株）、商品名）］、アリル化フェノールノボラック樹脂［ＡＬ−ＶＲ−９３００（三井化学（株）、商品名）］、下記一般式（ＸＩＩ）
【００３５】
【化１３】
【００３６】
【化１４】
（Ａ）成分の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂場合、硬化剤の量は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．１〜１０００重量部が好ましく、０．５〜５００重量部がより好ましい。
【００３７】
本発明に用いられる（Ｂ）のラジカル開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化物が好ましく、また樹脂ペースト組成物の硬化性及び保存安定性の点から、急速加熱試験での過酸化物の分解温度が７０〜１７０℃のものが好ましい。
ラジカル開始剤の具体例としては、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ ２−エチルヘキサノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等がある。
【００３８】
ラジカル開始剤の配合量は、（Ａ）成分の総量１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましく、０．５〜１０重量部が特に好ましい。この配合割合が０．１重量部未満であると、硬化性が低下する傾向があり、２０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
【００３９】
本発明に用いられる（Ｃ）の分子中に燐原子を含む有機チタン化合物としては特に制限はないが、ブリード抑制効果の点からチタン酸エステル化合物が好ましい。
分子中に燐原子を含む有機チタン化合物の具体例としては、イソプロピルトリス（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート等のチタン酸エステル化合物、ポリホスフェートチタネート等のチタネートポリマーがある。チタネートポリマーのＧＰＣによって測定した数平均分子量は５００〜５，０００であることが好ましく、１，０００〜３，０００であることがより好ましい。
分子中に燐原子を含む有機チタン化合物の配合量は、樹脂ペースト組成物の総量１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、０．０５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が０．０１重量部未満であると、ブリード抑制効果が低減する傾向があり、１０重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の安定性が低下する傾向がある。
【００４０】
本発明に用いられる（Ｄ）の充填材としては特に制限はなく、各種のものが用いられるが、例えば金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム等の粉体が挙げられる。これらのうち、半導体パッケージの構造上、樹脂ペースト組成物に対して電気伝導性が要求される場合については、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレス等の導電性の充填材を使用するのが好ましい。また樹脂ペースト組成物に対して電気絶縁性が要求される場合については、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム等の電気絶縁性の充填材を使用するのが好ましい。
【００４１】
充填材の粒径は特に制限はないが、通常、平均粒径が０．０５〜５０μｍであることが好ましく、０．１〜３０μｍであることがより好ましい。
充填材の配合量は特に限定しないが、樹脂ペースト組成物総量に対して２０〜９０重量％が好ましく、３０〜８５重量％であることがより好ましい。この配合量が２０重量％未満であると、熱時の接着強度が低下する傾向があり、９０重量％を超えると、粘度が増大し、作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が低下する傾向がある。
【００４２】
（Ｄ）の充填材は、そのまま他の成分と混合してもよいが、あらかじめ（Ｃ）の有機チタン化合物で表面処理した後にその他の成分と混合してもよい。充填材を有機チタン化合物で表面処理する方法としては、例えばエタノールに（Ｃ）の有機チタン化合物をあらかじめ溶解させた溶液中に（Ｄ）の充填材を加え、４０℃で１２時間撹拌後、エタノール及び未反応の有機チタン化合物を除去し、乾燥して得る方法がある。
【００４３】
本発明の樹脂ペースト組成物には、必要に応じて、硬化促進剤を添加してもよい。本発明に用いられる硬化促進剤としては、特に制限はないが、例えば（Ａ）成分の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合には、有機ボロン塩化合物［ＥＭＺ・Ｋ、ＴＰＰＫ（北興化学工業（株）、商品名）］、イミダゾール類［キュアゾール、２Ｐ４ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−ＯＫ（四国化成（株）、商品名）］などが挙げられる。
【００４４】
また、ラジカル開始剤の促進剤としてはナフテン酸コバルト、オクテン酸コバルト、ナフテン酸マンガン、五酸化バナジウム、アミン化合物、４級アンモニウム塩等がある。
【００４５】
必要に応じて添加される硬化促進剤は、それぞれ単独で用いてもよく、また、複数種の硬化促進剤を適宜組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
本発明の樹脂ペースト組成物には、必要に応じて、可とう化材を添加してもよい。本発明に用いられる可とう化材としては、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が用いられるが、例えばポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリル化ポリブタジエン、メタクリル化ポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。これらの可とう化材の分子量には特に制限はないが、通常、数平均分子量が５００〜５００，０００であることが好ましく、１，０００〜２００，０００であることがより好ましい。また可とう化材の配合量としては、（Ａ）成分１００重量部に対して１〜１００重量部使用することが好ましく、５〜７０重量部使用することがより好ましい。この配合量が１重量部未満であると可とう化効果に劣り、１００重量部を超えると、粘度が増大し、樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾向がある。
【００４７】
本発明の樹脂ペースト組成物には、必要に応じて、シランカップリング剤を添加してもよい。本発明に用いられるシランカップリング剤としては特に制限はなく、例えばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロキシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラントリイソシアネート等が挙げられる。カップリング剤の配合量は、樹脂ペースト組成物の総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が０．１重量部未満であると、接着強度の向上効果に劣り、１０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
【００４８】
本発明になる樹脂ペースト組成物には、さらに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤、粘度調整のための溶剤等を単独又は数種類を組み合わせて、適宜添加することができる。なお、溶剤を添加する場合、ボイドの点から樹脂ペースト組成物の総量に対して３重量％以下とすることが好ましい。
【００４９】
本発明の樹脂ペースト組成物を製造するには、（Ａ）少なくとも１種類以上の熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤又はラジカル開始剤から選択される少なくとも１種類以上の化合物、（Ｃ）分子中に燐原子を含む有機チタン化合物及び（Ｄ）充填材を、必要に応じて用いられる各種添加剤とともに、一括又は分割して撹拌器、ライカイ機、３本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペースト状とすれば良い。
本発明の樹脂ペースト組成物は、２５℃における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓであることが好ましく、４０〜１５０Ｐａ・ｓであることがより好ましい。
【００５０】
本発明においては、さらに上記のようにして製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と基板とを接着した後、封止することにより半導体装置とすることができる。
【００５１】
基板としては、銅、４２アロイ等の金属リードフレーム、セラミック基板、銅等のヒートスプレッダー、ガラスエポキシ基板、ＢＴ基板、アリブ基板、ポリイミド基板等の樹脂基板、ポリイミド製等のテープキャリア等が挙げられる。なお、上記の各種基板上には、銅等の配線が施されていてもよく、金属リードフレームや配線の表面には、金、銀、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、ニッケル、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｓｎ−Ｎｉ等のめっきが施されているか、ソルダーレジストでコートされていてもよい。また、ヒートスプレッダー表面には、金、銀、ニッケルメッキ又は黒化処理、ソルダーレジストコートが施されていてもよい。
【００５２】
本発明の樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を基板に接着させるには、まず基板上に樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブン又はヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化することにより行うことができる。さらに、ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法により封止することにより完成された半導体装置とすることができる。
【００５３】
上記加熱硬化は、低温での長時間硬化の場合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温度１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２２０℃で、５秒〜３時間、好ましくは１５秒〜１時間行うことが好ましい。
封止は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂を含む封止材を用いるモールディング（トランスファーモールディング）、ポッティング、プリモールド等により行なうことができる。
【００５４】
【実施例】
次に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれによって制限されるものではない。
比較例及び実施例で用いた化合物を以下に例示する。
（１）アクリル酸エステル化合物及びメタクリル酸エステル化合物
ＤＣＰ−Ａ（共栄社化学社製、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートの商品名）、Ｒ−５５１（日本化薬社製ビスフェノールＡポリエチレングリコールジアクリレートの商品名、式（ＩＸ）中ｐ＋ｑの平均値が４）、ラウリルアクリレート。
（２）エポキシ樹脂
ＹＤＦ−１７０（東都化成（株）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量＝１７０）、ＹＬ−９８０（ジャパンエポキシレジン（株）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量＝１８５）、ＰＰ−１０１（東都化成（株）、アルキルフェニルグリシジルエーテルの商品名、エポキシ当量＝２３０）。
ＹＤＦ−１７０／７．５重量部及びＹＬ−９８０／７．５重量部を８０℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。
【００５５】
（３）ラジカル開始剤
ジクミルパーオキサイド。
（４）エポキシ樹脂硬化剤
Ｈ−１（明和化成（株）製、フェノールノボラック樹脂の商品名）。
Ｈ−１／１．０重量部及び希釈剤としてＰＰ−１０１／２．０重量部を１００℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一なフェノール樹脂溶液を得た。
（５）有機チタン化合物
ＫＲ４６Ｂ（味の素社製テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネートの商品名）、ＫＲ１３８Ｓ（味の素社製ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネートの商品名）。
【００５６】
（６）硬化促進剤
２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成（株）製、イミダゾール化合物の商品名）。
（７）可とう化材
ＣＴＢＮ１３００×３１（宇部興産社製カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体の商品名、数平均分子量：１０，０００）、ＰＢ−４７００（ダイセル化学工業社製エポキシ化ポリブタジエンの商品名、数平均分子量：３，５００）。
（７）シランカップリング剤
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン。
【００５７】
（８）充填材
ＢＮ−ＧＰ（電気化学工業社製窒化ホウ素の商品名、平均粒径：２μｍ）
ＴＣＧ−１（徳力化学研究所社製銀粉の商品名、平均粒径：２μｍ）
【００５８】
表１に示す配合割合で、各材料を混合し、３本ロールを用いて混練した後、６．７×１０2Ｐａ以下（５トル（Ｔｏｒｒ）以下）で１０分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。
この樹脂ペースト組成物の特性（粘度、接着強度、ブリードアウト）を下記に示す方法で調べた。その結果を表１に示す。
【００５９】
（１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器社製）を用いて２５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。
（２）接着強度：実施例１、２及び比較例１については約８０μｇ、実施例３、４、５、６及び比較例２、３については約２００μｇの樹脂ペースト組成物をＡｇめっき付き銅リードフレーム上に塗布し、この上に２ｍｍ×２ｍｍのＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、さらに１５０℃に設定したオーブンに投入し１時間加熱硬化させた。これを自動接着力試験装置（ＢＴ１００、Dage社製）を用い、室温における剪断接着強度（ｋｇ／チップ）を測定した。
（３）ブリードアウト：実施例１、２及び比較例１については約１６０μｇ、実施例３、４、５、６及び比較例２、３については約４００μｇの樹脂ペースト組成物をＡｇめっき付き銅リードフレーム、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき付き銅リードフレーム及びポリイミド基板上に塗布し、２５℃で１時間放置した後、１５０℃に設定したオーブンに投入し１時間加熱硬化させた。これについて光学顕微鏡を用いて、硬化物からのＡｇめっき面、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき面及びポリイミド面へのにじみ幅を観察測定した。
【００６０】
【表１】
【００６１】
表１の結果から、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例１、２、３、４、５及び６）は従来の有機チタン化合物を添加していない樹脂ペースト組成物（比較例１、２及び３）に比較して、各種基板へのブリードアウトの抑制に関して顕著な効果が見られた。
さらに、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例１、２、３、４、５及び６）は比較例１、２及び３に比較して同等の粘度及び接着強度を示しており、有機チタン化合物を添加してもその他の特性に関しては大きな悪影響を与えないことが確認された。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体装置のダイボンディング材として使用した場合に、金属フレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の種々基板へのブリードアウトの発生を抑えることができる。また、本発明の樹脂ペースト組成物は塗布作業性が良好で、硬化性に優れ、低温から高温に渡って優れた接着強度を有する。
本発明の半導体装置は、上記の樹脂ペースト組成物を使用しているため、信頼性及び生産性に優れる。
Claims (10)
- （Ａ）少なくとも１種類以上の熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）分子中に燐原子を含む有機チタン化合物及び（Ｄ）充填材を含有し、２５℃における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓである、半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- （Ｃ）の分子中に燐原子を含む有機チタン化合物がチタン酸エステル化合物である請求項１に記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- （Ｄ）の充填材が電気伝導性の充填材である請求項１又は２に記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- （Ｄ）の充填材が電気絶縁性の充填材である請求項１又は２に記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- （Ｄ）の充填材をあらかじめ（Ｃ）の分子中に燐原子を含む有機チタン化合物で表面処理した請求項１〜４何れかに記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- さらに硬化促進剤を添加してなる請求項１〜５何れかに記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- さらに可とう化材を添加してなる請求項１〜６何れかに記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- 可とう化材が液状ゴム又は熱可塑性樹脂又はそれらの組み合わせである請求項７に記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- さらにシランカップリング剤を添加してなる請求項１〜８何れかに記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物。
- 請求項１〜９何れかに記載の半導体装置のダイボンディング材用樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を基板に接着した後、封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338056A JP4172257B2 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002338056A JP4172257B2 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008147700A Division JP4706722B2 (ja) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004168933A JP2004168933A (ja) | 2004-06-17 |
| JP4172257B2 true JP4172257B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=32701386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002338056A Expired - Fee Related JP4172257B2 (ja) | 2002-11-21 | 2002-11-21 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4172257B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7326369B2 (en) * | 2005-03-07 | 2008-02-05 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Low stress conductive adhesive |
| KR100953008B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2010-04-14 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 에폭시 블리드 아웃 방지제 |
| JP5027598B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2012-09-19 | 京セラケミカル株式会社 | 接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| CN102027058A (zh) * | 2008-05-14 | 2011-04-20 | 汉高有限公司 | 固化性组合物及其应用 |
| JP2010215786A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| KR101200196B1 (ko) | 2010-11-18 | 2012-11-13 | 금호석유화학 주식회사 | 도전성 페이스트 조성물 |
| JP6799934B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-12-16 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、および半導体装置 |
| JP2020063343A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 日東シンコー株式会社 | 樹脂組成物 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61264019A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用組成物 |
| JP3985433B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2007-10-03 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP3446730B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2003-09-16 | 松下電工株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| CN1235971C (zh) * | 2000-11-29 | 2006-01-11 | 太阳油墨制造株式会社 | 液状热固化性树脂组合物与印刷电路板及其制造方法 |
| JP4752109B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2011-08-17 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2004018715A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
-
2002
- 2002-11-21 JP JP2002338056A patent/JP4172257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004168933A (ja) | 2004-06-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051104 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080321 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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