KR100953008B1 - 에폭시 블리드 아웃 방지제 - Google Patents
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Abstract
저응력 타입의 다이본딩 수지를 이용했을 경우에도, 다이본딩 강도나, 어셈블리 특성에 악영향을 주지 않고, 변색 방지 처리나 밀봉처리 효과를 손상하지 않는 에폭시 블리드 아웃 방지제를 제공한다.
탄소 원자가 3개 이상 24개 이하인 플루오로탄화수소기 CxHyFz-(x=3∼24, y=0∼48, z=1∼49, y+z≤2x+l)와 극성기 R-를 가진 불소 함유 유기화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 다이본딩 공정에 있어서의 에폭시 블리드 아웃 방지제.
Description
본 발명은, 리드 프레임이나 프린트 배선판 등의 반도체 배선기재와 IC 칩을 에폭시 수지에 의해서 접착 고정하는 다이본딩(die bonding) 공정에 있어서의 에폭시 블리드 아웃 방지제 및 방지 방법에 관한 것이다.
리드 프레임이나 프린트 배선판 등의 반도체 배선기재와 IC 칩을 에폭시 수지에 의해서 접착 고정하는 다이본딩 공정에 있어서는, 접착면(통상, 금, 은, 동, 팔라듐 등의 도금이 실시되고 있다)의 표면 거칠기가 너무 크거나, 표면이 변색 방지제, 밀봉처리제 등의 유기물로 오염되어 있으면, 에폭시 수지 도포시에, 수지 또는 첨가제가 스며나오는 경우(에폭시 블리드 아웃)가 발생한다. 이러한 에폭시 블리드 아웃은, 다이본딩 강도를 저하시키거나, 그 후의 와이어본딩(wire bonding) 공정에서의 불량 원인이 된다. 종래, 이러한 에폭시 블리드 아웃을 방지하기 위해서 접착면의 표면 거칠기를 작게 하거나, 모세관 현상을 억제하거나, 표면을 세정하여 오염물을 제거하거나 한다. 그러나, 접착면의 표면 거칠기는, 다이본딩 강도나, 어셈블리 머신의 화상 인식 능력에 영향을 미치기 때문에, 무조건 작게 할 수는 없다. 또한, 표면을 세정하는 것은, 변색 방지 처리나 밀봉처리 효과까지 손상해 버리기 때문에 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 카르본산, 티올 등을 주성분으로 하는 용액에 기재(基材)를 침지하고, 1∼수분자 두께 정도의 유기 피막을 흡착시킴으로써, 기재면의 표면 거칠기를 변경하거나 변색 방지 피막이나 밀봉처리 피막을 세정 박리하지 않고, 또한, 흡착하는 유기 피막이 매우 얇기 때문에, 와이어본딩성(wire bondability), 몰딩성(moldability) 등의 어셈블리 특성에 악영향을 주지 않고, 에폭시 블리드 아웃을 방지할 수 있는 것이 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
그러나, 최근의 반도체 칩의 대형화나 반도체 패키지의 박형화에 따라서, 휨의 문제 등을 개선하기 위해서, 저응력, 저탄성, 저점도의 다이본딩 수지(이하, 저응력 타입의 다이본딩 수지라 한다)의 사용이 많아지고 있으며, 이들 수지는 스며나오기쉬운 성분을 함유하고 있는 경우가 많고, 그 결과, 에폭시 블리드 아웃이 발생하기 쉬워지고 있다. 상기 특허 문헌 1의 기술로는, 저응력 타입의 다이본딩 수지를 이용했을 경우에는, 대응할 수 없고 에폭시 블리드 아웃이 발생해 버린다. 따라서, 저응력 타입의 다이본딩 수지에도 대응할 수 있는 에폭시 블리드 아웃 방지제의 개발이 요망되고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개평11-195662호 공보
[발명이 해결하고자 하는 과제]
본 발명은, 리드 프레임이나 프린트 배선판 등의 반도체 배선기재와 IC 칩을 에폭시 수지에 의해서 접착 고정하는 다이본딩 공정에 있어서, 상술한 저응력 타입의 다이본딩 수지를 이용했을 경우에도, 다이본딩 강도나, 어셈블리 특성에 악영향을 주지 않고, 변색 방지 처리나 밀봉처리 효과를 손상시키는 경우가 없으며, 에폭시 블리드 아웃의 발생을 방지할 수 있는 에폭시 블리드 아웃 방지제를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명자들은, 열심히 연구를 행한 결과, 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유한 용액에 기재(基材)를 침지하고, 도금면의 표면에 유기 피막을 흡착시키는 것에 의해서 에폭시 블리드 아웃을 방지하는 공정에서, 종래보다 더 저응력 타입의 다이본딩 수지에 대해서도 블리드 아웃을 방지하는 효과를 가진 일군의 유기 화합물을 발견하였다. 즉, 상기 문헌에 기재된 카르본산, 티올화합물등 보다 에폭시 블리드 아웃 방지 효과가 높은 화합물을 발견하여 본 발명을 이루기에 이르렀다.
본 발명은 이하와 같다.
(1) 탄소 원자가 3개 이상 24개 이하인 플루오로탄화수소기 CxHyFz-(x=3∼24, y=0∼48, z=1∼49, y+z≤2x+1)와 극성기 R-를 가진 불소 함유 유기화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 다이본딩 공정에 있어서의 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(2) 극성기 R-가, 황(S), 질소(N), 인(P), 산소(O) 중의 어느 하나를 포함하는 극성기인 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(3) 극성기 R-가, 메르캅토기, 아미노기, 함질소복소환기, 인산에스테르기, 카르복실기중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 (2)에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(4) 함질소복소환기가, 이미다졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸릴기, 및 이들의 유도체중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 (3)에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(5) 변색 방지제 또는 밀봉처리제를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)∼(4) 중의 어느 하나에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(6) 변색 방지제가, 함질소 복소 환상 화합물(含窒素複素環狀化合物)을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (5)에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(7) 함질소 복소 환상 화합물이, 이미다졸 유도체, 트리아졸 유도체, 테트라졸 유도체, 티아졸 유도체중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상기 (6)에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제.
(8) 상기 (1)∼(7)중의 어느 하나에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액에 배선기재를 침지하거나, 또는 상기 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액을 배선기재에 산포(散布)·도포(塗布)하는 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지 방법.
(9) 상기 (1)∼(7)중의 어느 하나에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액에 배선기재를 침지하거나, 또는 상기 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액을 배선기재에 산포(散布)·도포(塗布)함으로써 에폭시 블리드 아웃 방지 처리를 실시한 것을 특징으로 하는 배선기재.
(10) 상기 (1)∼(7)중의 어느 하나에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제가 표면에 흡착하고 있는 것을 특징으로 하는 배선기재.
(11) 상기 (9) 또는 (10)에 기재된 배선기재를 이용한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
[발명의 효과]
본 발명의 에폭시 블리드 아웃 방지제를 이용하여 리드 프레임, 프린트 배선판 등의 반도체 배선기재 표면에 에폭시 블리드 아웃 방지 기능을 가진 유기 화합물을 흡착시키는 에폭시 블리드 아웃 방지 처리를 행하는 것에 의해서, 저응력 타입의 다이본딩 수지에 대해서도, 변색 방지 효과나 밀봉처리 효과를 손상하지 않고 다이본딩 공정에 있어서의 에폭시 블리드 아웃을 방지하는 것이 가능하다. 또한, 와이어본딩 특성이나 몰딩성 등의 어셈블리 특성에도 악영향을 주는 경우가 없다.
[도 1] 실시예의 내(耐)에폭시 블리드 아웃성 평가에 있어서의 에폭시 블리드 아웃량의 측정 방법을 나타내는 도면이다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
본 발명의 에폭시 블리드 아웃 방지제는, 탄소 원자가 3개 이상 24개 이하인 플루오로탄화수소기 CxHyFz-(x=3∼24, y=0∼48, z=1∼49, y+z≤2x+1)와 극성기 R-를 가지는 불소 함유 유기화합물을 함유한다.
상기 플루오로탄화수소기로서는, 플루오로알킬기, 2중결합을 가진 플루오로알케닐기, 3중결합을 가진 플루오로알키닐기(fluoroalkynyl group) 등을 들 수 있 고, 플루오로알킬기가 바람직하다. 또한, 이들 플루오로탄화수소기는, 플루오로탄화수소기 전체의 탄소 원자가 3개에서 24개이면, 직쇄형상인 것이어도 좋고, 측쇄를 가지고 있어도 좋다. 플루오로탄화수소기의 탄소수 x는, 3∼24이며, 5∼12인 것이 특히 바람직하다. 탄소수가 너무 적으면 에폭시 블리드 아웃 방지 효과가 낮고, 너무 많으면 몰딩성(몰딩 수지의 밀착성)을 저하시킨다. 또한, 불소수 z는, 많을수록 에폭시 블리드 아웃 방지 효과가 높지만, 탄소수가 많고 분자가 긴 경우에는, 불소수가 너무 많으면 몰딩성의 저하를 초래하는 경우도 있으므로, 불소수 z는 11∼25가 바람직하다.
상기 플루오로탄화수소기로서는, F(CF2)6-, F(CF2)8-, F(CF2)10-, F(CF2)6(CH2)2 -, F(CF2)8(CH2)2-, F(CF2)10(CH2)2-, 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 상기 극성기 R-로서는, 황(S), 질소(N), 인(P), 산소(O)의 어느 하나를 포함하는 극성기, 예를 들면, 메르캅토기, 아미노기, 함질소복소환기, 인산에스테르기, 카르복실기중의 어느 하나를 바람직하게 이용할 수 있고, 함질소복소환기로서는, 예를 들면, 이미다졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸릴기, 및 그들의 유도체를 바람직하게 이용할 수 있다.
상기 극성기가 인산 에스테르기인 경우는, 모노에스테르(-OP(O)(OH)2), 디에스테르((-O)2P(O)(OH)), 트리에스테르((-O)3P(O))을 이용할 수 있다.
함질소복소환기인 이미다졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸릴기에 대해서는, 이성체가 존재하지만, 본 발명에서는, 이성체의 어느 것이라도 이용할 수 있고, 또 한 혼합물이어도 상관없다. 합성의 형편상, 함질소 환상화합물의 질소가 직접 플루오로탄화수소기와 결합하고 있는 것을 얻기 쉽고, 바람직하게 이용할 수 있다. 또한, 이미다졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸릴기의 유도체로서는, 치환기로서 알킬기나 페닐기를 가진 것 등을 들 수 있다.
따라서, 본 발명의 에폭시 블리드 아웃 방지제를 위한 바람직한 함불소 유기 화합물로서는, 상기 플루오로탄화수소기 CxHyFz-를 A-로서 나타내면, 예를 들어, A-SH, A-NH2, A-OP(O)(OH)2, (A-O)2P(O)(OH), (A-O)3P(O), A-COOH, A-N2C3H3(1-이미다졸릴), A-N3C2H2(1,2,3-트리아졸-1-일), A-N4CH(1-테트라졸릴) 등을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 블리드 아웃 방지제는, 물, 유기용매 등의 용매에 용해시켜, 에폭시 블리드 아웃 방지제 용액으로서 이용한다. 상기 방지제 용액중의 상기 유기 화합물의 농도는 0.1㎎/L∼100g/L, 바람직하게는 10㎎/L∼10g/L이다.
상기 유기 화합물의 농도가 너무 낮은 경우에는, 에폭시 블리드 아웃 방지 효과가 없고, 또한 농도가 너무 높아도, 효과가 포화하여, 그 이상의 효과를 기대할 수 없기 때문에 바람직하지 않다.
용매로서 물을 이용하는 경우, 상기 유기 화합물이 물에 녹기 어려운 경우에는, 필요에 따라서 알코올, 케톤 등의 유기용제를 첨가한다. 첨가하는 양은, 상기 유기 화합물이 물에 녹는데 필요한 농도 정도면 되지만, 통상 0.1g/L∼200g/L이고, 바람직하게는 1g/L∼50g/L이다. 첨가하는 양이 너무 적으면 용해성이 낮고, 또한 너무 많아도 상기 유기 화합물을 용해하는 효과는 변하지 않을 뿐만 아니라, 상기 유기 화합물의 농도가 너무 묽어져서 바람직하지 않다.
또한, 상기 유기 화합물이 물에 녹기 어려운 경우에는, 필요에 따라서, 음이온계, 양이온계, 비이온계 계면활성제중의 어느 하나 또는 이들 혼합물을 1㎍/L∼10g/L, 바람직하게는 10㎍/L∼1g/L을 첨가한다.
또한, 방지제 용액중에는, 필요에 따라서, 인산계, 붕산계, 유기산계의 pH 완충제를 0.1g/L∼200g/L, 바람직하게는 1∼50g/L첨가한다. 너무 적으면 pH 완충 효과가 낮고, 너무 많으면 효과가 포화하여, 많이 첨가할 이점이 없다.
또한, 방지제 용액중에 금속의 용출이 있는 경우는 필요에 따라서, 금속 은폐제(complexing agent)로서, 아민계, 아미노카르본산계, 카르본산계의 착화제를 0.1g/L∼200g/L, 바람직하게는 1g/L∼50g/L을 첨가한다. 너무 적으면 금속을 착화하여 은폐하는 효과가 적고, 너무 많으면 효과가 포화하여, 많이 첨가할 이점이 없다.
에폭시 블리드 아웃 방지제 용액의 pH는 특히 한정할 필요는 없지만, 통상은 pH 1∼14의 사이이며, pH 2∼12로 처리하는 것이 바람직하다. 이 범위를 일탈하면, 소재의 손상이 크고, 에폭시 블리드 아웃 방지 효과가 낮다.
또한, 에폭시 블리드 아웃 방지제 용액의 온도는, 수용액으로 행할 수 있는 온도 범위에서 가능하지만, 통상 5∼90℃, 바람직하게는 10∼60℃로 한다. 온도가 너무 낮으면 에폭시 블리드 아웃 효과가 낮고, 너무 높아도 효과가 포화하여, 작업성이 나빠질 뿐만 아니라, 온도를 높게 하는 이점이 없다.
용매로서 유기용매를 이용하는 경우, 유기용매로서는, 메탄올, 에탄올, 이소 프로판올 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤을 들 수 있다. 유기용매를 이용할 때의 에폭시 블리드 아웃 방지제 용액의 온도는 실온이 바람직하다.
또한, 에폭시 블리드 아웃 방지제 용액으로의 처리 시간은, 효과를 고려하여 0.1초 이상 300초 이하로 적절히 조정하면 좋고, 작업의 재현성과 효율을 고려하면 1초 이상 120초 이하가 바람직하다. 너무 짧으면, 에폭시 블리드 아웃 방지의 효과가 낮고, 또 작업의 재현성이 어려워지며, 너무 길어도 효과가 포화하고, 또한 작업 효율이 낮아진다.
또한, 에폭시 블리드 아웃 방지 방법은, 에폭시 블리드 아웃 방지제 용액에 배선기재를 침지하거나, 또는 에폭시 블리드 아웃 방지제 용액을 기재에 샤워, 스프레이 등에 의해 산포하거나, 스핀 코터(spin coater) 등에 의해 도포하는 등 접촉시킨 후, 세정, 건조하면 좋다.
또한, 에폭시 블리드 아웃 방지제에 주성분인 상기 함불소유기화합물과 함께, 도금 피막이나 금속 소재 등의 금속 표면의 변색 방지제나 밀봉처리제를 함유시킴으로써, 변색 방지 효과, 밀봉처리 효과와 블리드 아웃 효과를 동시에 부여할 수 있다.
이러한 변색 방지제 또는 밀봉처리제로서는, 각각 공지의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면 변색 방지제로서는, 이미다졸 유도체, 트리아졸 유도체, 테트라졸 유도체, 티아졸 유도체 등의 함질소 복소 환상 화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 에폭시 블리드 아웃 방지 처리를 실시하는 것에 의해서, 배선기 재 표면의 도금면에는 상기 함불소 유기화합물이 흡착하여, 1∼수분자 정도의 두께의 함불소 유기화합물로 이루어진 피막이 형성된다. 그 때문에, 도금면과 에폭시 수지와의 접촉각(contact angle)을 증가시켜, 에폭시 수지가 스며나오는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 흡착하는 함불소 유기화합물의 피막은 매우 얇기 때문에, 와이어본딩성, 몰딩성 등의 어셈블리 특성에는 악영향을 미치지 않는다. 또한, 변색 방지 효과나 밀봉처리 효과를 손상하지도 않는다. 상기의 방법에 따라 에폭시 블리드 아웃 방지 처리를 가한 배선기재, 및 그것을 이용한 반도체 패키지도 본 발명에 포함된다.
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1∼10
구리합금(Cu:97.7%-Sn:2.0%-Ni:0.2%-P:0.03%)으로 제작된 리드 프레임 기재(基材)에 밀착성 향상을 위해서 하층으로서 구리 스트라이크 도금을 행한 후, 리드 프레임 전체면에 금도금, 은도금, 구리도금의 어느 하나를 실시하였다. 그 후 표 1에 기재한 에폭시 블리드 아웃 방지제 처리를 침지에 의해 실시하였다.
한편, 실시예 8, 9, 10에서 이용한 에폭시 블리드 아웃 방지제의 극성기 -N2C3H3, -N3C2H2, -N4CH는, 각각 1-이미다졸릴기, 1,2,3-트리아졸-1-일기, 1-테트라졸릴기이다.
이러한 기재(基材)에 대해서, 다이본딩을 행하여, 내(耐)에폭시블리드 아웃 성(내(耐)EBO성), 와이어 본딩성(W/B성), 몰딩성, 내변색성의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1중, 욕 조성(bath composition)에 있어서의 「-」는 첨가하지 않는 것을 나타내고, 평가에 있어서의 「-」는 평가 대상이 평가되지 않았음을 나타낸다.
내(耐)에폭시 블리드 아웃성의 평가는 이하의 방법으로 행하였다.
시판되는 저응력 다이본딩용 에폭시 수지(에이블본드 8340(Ablebond 8340), 에이블스틱사 제품)를 에폭시 블리드 아웃 방지제 처리를 행한 도금면에 주사기를 이용하여 도포한 후, 대기중에서 핫 플레이트로, 175℃, 30분 가열 경화한 후, 에폭시 도포부를 금속 현미경(100배)으로 관찰하였다. 도 1에 나타낸 바와 같이 다이본딩용 에폭시 수지의 주위에 보여지는 에폭시 블리드 아웃(도 1 중에서, 다이본딩용 에폭시 수지는 검은 원으로 나타나고, 그 검은 원의 주위에 약간 옅게 보이는 폭이 좁은 부분이 에폭시 블리드 아웃부를 나타내고 있다)에 있어서, 에폭시 블리드 아웃이 가장 심한 부분의 스며나오는 양(EBO량)을 측정하여, 아래와 같이 평가하였다.
○ : 10㎛미만
△ : 10㎛이상 100㎛미만
× : 100㎛이상
와이어 본딩성의 평가는 이하의 방법으로 행하였다.
25㎛의 금 와이어를 이용하여, 초음파 병용 열압착 방식(온도: 200℃, 하중:50g, 시간:10ms)으로 와이어 본딩을 행하고, 인장 테스터로 인장강도를 측정하 여, 아래와 같이 평가하였다.
○ : 10gf 이상
× : 10gf 미만
몰딩 특성의 평가는 이하의 방법으로 행하였다.
시판되는 몰딩용 에폭시 수지(스미토모 백라이트 제품 EME-6300)를 에폭시 블리드 아웃 방지제 처리를 행한 도금면에 도포한 후, 175℃, 5시간 가열 경화하고, 그 후, 전단 강도를 측정하여, 이하와 같이 평가했다.
○ : 10kgf/㎠ 이상
× : 10kgf/㎠ 미만
변색 방지 효과의 평가는, 이하의 방법으로 행하였다.
40℃, 습도 90%로 96시간 가습한 후, 외관 관찰을 행하여, 아래와 같이 평가하였다.
○ : 변색이 없음
× : 변색이 있음
비교예 1
주성분으로서 카르본산을 이용하여, 표 1에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제 처리를 실시한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 에폭시 블리드 아웃 방지제 처리를 행하여, 실시예 1과 동일하게 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 2
에폭시 블리드 아웃 방지제 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 표 1에 기재된 기판을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 행하여, 실시예 1과 동일하게 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1-1]
[표 1-2]
[표 1-3]
Claims (13)
- 탄소 원자가 3개 이상 24개 이하인 플루오로탄화수소기 CxHyFz-(x=3∼24, y=0∼48, z=1∼49, y+z≤2x+l)와 극성기 R-를 가진 불소 함유 유기화합물을 함유하고,극성기 R-가, 메르캅토기, 아미노기, 함질소복소환기, 인산에스테르기, 카르복실기 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다이본딩 공정에 있어서의 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 1 항에 있어서, 함질소복소환기가, 이미다졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸릴기, 및 이들의 유도체중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 1 항에 있어서, 변색 방지제 또는 밀봉처리제를 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 2 항에 있어서, 변색 방지제 또는 밀봉처리제를 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 3 항에 있어서, 변색 방지제가, 함질소 복소 환상 화합물(含窒素複素環狀化合物)을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 4 항에 있어서, 변색 방지제가, 함질소 복소 환상 화합물(含窒素複素環狀化合物)을 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 5 항에 있어서, 함질소 복소 환상 화합물이, 이미다졸 유도체, 트리아졸 유도체, 테트라졸 유도체, 티아졸 유도체중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 6 항에 있어서, 함질소 복소 환상 화합물이, 이미다졸 유도체, 트리아졸 유도체, 테트라졸 유도체, 티아졸 유도체중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에폭시 블리드 아웃 방지제.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중의 어느 한 항에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액에 배선기재를 침지하거나, 또는 상기 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액을 배선기재에 산포(散布)·도포(塗布)하는 것을 특징으로 하는 에폭시블리드 아웃 방지 방법.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중의 어느 한 항에 기재된 에폭시블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액에 배선기재를 침지하거나, 또는 상기 에폭시 블리드 아웃 방지제를 함유하는 용액을 배선기재에 산포(散布)·도포(塗布)함으로써 에폭시 블리드 아웃 방지 처리를 실시한 것을 특징으로 하는 배선기재.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중의 어느 한 항에 기재된 에폭시 블리드 아웃 방지제가 표면에 흡착하고 있는 것을 특징으로 하는 배선기재.
- 제 10 항에 기재된 배선기재를 이용한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제 11 항에 기재된 배선기재를 이용한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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WO2011074496A1 (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | レジンブリードアウト防止剤 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0221626A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Narumi China Corp | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
JPH11195662A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Energy Corp | エポキシブリ−ドアウト防止剤及び防止方法 |
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---|---|---|---|---|
JPH01272125A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4172257B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2008-10-29 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0221626A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Narumi China Corp | 半導体素子塔載用セラミック基板 |
JPH11195662A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Energy Corp | エポキシブリ−ドアウト防止剤及び防止方法 |
JP2001011107A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
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