KR20150023916A - 산화방지방법 및 반도체 제품의 제조방법 - Google Patents

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아츠시 미즈타니
기영 박
테츠야 시미즈
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

전자 재료에 사용되는 구리 또는 구리 합금 표면의 산화방지방법으로서, 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 포함하는 금속 부식 방지제를 제공하는 단계; 및 상기 구리 또는 구리 합금 표면에 상기 금속 부식 방지제를 적용하는 공정을 갖고, 상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단 상기 유기 아민 화합물은 알킨올아민이 아닌 산화방지방법.

Description

산화방지방법 및 반도체 제품의 제조방법{METHOD OF PREVENTING OXIDATION AND METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR PRODUCT}
본 발명은 산화방지방법, 반도체 제품의 제조방법에 관한 것이다.
칩형 부품의 등장과 함께, 부품을 실장하기 위해서 종래의 스루홀 실장 방식을 사용하는 것 대신해 표면 실장 방식이 주류로 되고 있다. 표면 실장 방식에 있어서, 기판에 크림 땜납을 인쇄하고, 이 상에 전자 부품을 위치시킨다. 이어서, 상기 땜납은 적외선이나 열풍의 제공에 의해 용융되어 이들을 접합시킨다. 그러나, 이 방식은 단자의 수가 집적도의 상승이나 소자의 다기능화를 위해서 크게 증가했기 때문에, DIP(Dual Inline Package) 및 SOP(Small Outline Package)와 같은 종래의 패키지에 있어서도 최근 요구를 만족시키지 않는 경향이 있다. 따라서, 미소화된 단자를 갖는 QFP(Quad Flat Package) 및 LCC(Leaded Chip Carrier), 및 저면에 원형핀을 격자상으로 늘어 놓은 핀 홀더와 같은 PGA(Pin Grid Array) 등의 새로운 패키지가 도입되고 있다. 또한, 대규모 LSI에 있어서, 수천의 외부와의 접속이 요구되기 때문에, 상기 LSI는 BGA(Ball Grid Array) 등의 높은 단자 밀도를 지닌 패키지를 이용한다.
또한, 최근에는 베어 칩(bare chip)의 플립칩 실장이 제안되고 있다. 이 공정에 있어서는 반도체 칩을 수지에 밀봉한 패키지로 형성하지 않고, 그대로 반도체의 베어 칩을 실장할 수 있다. 예를 들면, 이 기술을 이용하여 패키지의 밀봉 공정이나 그 내부에서의 본딩 와이어의 설치를 사용하지 않는 효율적인 공정을 통하여 반도체 발광 소자나 반도체 메모리를 실장할 수 있다.
외부와 전기적 접속을 확보하도록 상기 칩의 단자와 리드 프레임에 대해서는 도전 재료로서 구리 또 그것의 합금이 사용되는 경우가 많다. 한편, 구리 재료의 표면은 쉽게 산화될 수 있다. 따라서, 제조 공정 중에, 특히 일시 저장이나 반송이 있는 경우, 상기 구리 재료 표면의 산화 열화를 방지하기 위한 처리가 요구된다.
산화를 방지하면서 구리의 부식을 억제하는 재료로서, 벤조트리아졸 등의 아졸계 화합물을 함유하는 용액이 구리 표면을 도포하는 것이 제안되어 있다(비특허문헌 1, 2). 또한, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정 후에 야기되는 구리 표면의 산화 열화를 방지하기 위해서, 아졸계 화합물, 알칸올 아민 등을 함유하는 약액이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2).
일본특허 제3463045호 명세서 JP-A-2004-146669호 공보("JP-A"는 미심사 공개된 일본특허 출원을 의미한다)
Michael Carano，Circuit World，vol. 37/2, 2011, p.12-19 N. Robert Sorensen，Advances in Coatings Technologies for Corrosion and Wear Resistant Coating, 1995, p.153-161
상기의 단자 표면의 보호 재료로서, 공정 단계에 있어서 필요에 따라서, 산화 열화를 억제하기 위해서 수지 필름의 표면을 코팅하는 것이 고려된다. 상기 기술은 필름의 코팅 및 박리 등의 복잡한 공정이 요구되기 때문에, 보다 효율적인 기술이 소망된다. 따라서, 상기 각 문헌에 기재된 기술 등이 고려된다. 이것에 대해서, 본 발명자들은 이들 기술의 효과를 실험적으로 확인했지만, 이들은 상기 문헌에 개시된 재료의 단순한 적용이 구리 표면에 대해 산화방지성을 충분하게 발휘할 수 없다는 것을 이해하게 되었다. 한편, 플립·칩 접속용의 전자 부품 등에 있어서, 특히, 부품측의 단자가 쉽게 산화될 수 있는 구리 재료로 구성되고, 그 상에 땜납이 위치된다. 따라서, 땜납이 가해지기 직전에 단자 표면에 대하여 효과적인 산화방지처리가 요구된다. 이와 같이, 상술한 바와 같은 최근의 반도체 소자의 실장 방법은 특히, 산화방지성능의 철저한 개량을 필요로 한다.
본 발명은 전자 재료에 포함되는 구리 또는 구리 합금(이하, 이들을 총칭해서 "구리 재료"라고 한다)의 각각의 표면에 산화방지성을 부여할 수 있는 산화방지방법, 이것을 이용한 반도체 제품의 제조방법의 제공을 목적으로 한다.
상기의 과제는 이하의 수단에 의해 해결될 수 있다.
{1} 전자 재료로서 사용되는 구리 또는 구리 합금 표면의 산화방지방법으로서,
질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 갖는 금속 부식 방지제를 제공하는 단계; 및
구리 또는 구리 합금 표면에 금속 부식 방지제를 적용하는 단계를 포함하고,
상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단 상기 유기 아민 화합물은 알칸올아민이 아닌 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{2} 상기 {1}에 있어서,
상기 유기 아민 화합물의 탄화수소 부위가 탄소 원자 1∼10개의 알킬기를 갖는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{3} 상기 {1} 또는 {2}에 있어서,
상기 금속 부식 방지제 중의 질소 함유 복소 방향족 화합물의 함유율은 0.01∼5질량%인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{4} 상기 {1} 내지 {3} 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속 부식 방지제 중의 유기 아민 화합물의 함유율은 0.01∼5질량%인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{5} 상기 {1} 내지 {4} 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속 부식 방지제는 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 모두 용해하는 용제를 더 포함하고, 상기 용제는 수성 매체인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{6} 상기 {1} 내지 {5} 중 어느 하나에 있어서,
상기 유기 아민 화합물의 Clog P값이 0 이상인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{7} 상기 {1} 내지 {6} 중 어느 하나에 있어서,
상기 유기 아민 화합물은 벤질아민, m-크실릴렌디아민, tert-부틸아민, n-헥실아민, 시클로헥실아민, n-옥틸아민, 2-에틸헥실아민, 1-메틸부틸아민 또는 디에틸아민인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{8} 상기 {1} 내지 {7} 중 어느 하나에 있어서,
상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 이미다졸 화합물, 피라졸 화합물, 트리아졸 화합물, 테트라졸 화합물, 피리딘 화합물 또는 퀴놀린 화합물인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{9} 상기 {1} 내지 {8} 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속 부식 방지제 중의 유기 아민 화합물의 함유량은 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물 100질량부에 대하여, 30∼300질량부인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{10} 상기 {1} 내지 {9} 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속 부식 방지제는 수용성 유기 용제를 더 갖는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{11} 상기 {1} 내지 {10} 중 어느 하나에 있어서,
상기 구리 또는 구리 합금이 땜납의 설치를 위한 단자를 구성하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{12} 상기 {1} 내지 {11} 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속 부식 방지제는 침지, 유동, 적하 또는 분무에 의해 구리 또는 구리 합금 표면에 적용되는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{13} 상기 {1} 내지 {12} 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속 부식 방지제는 매엽식 세정 장치를 사용하여 구리 또는 구리 합금 표면에 적용되는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{14} 상기 {1} 내지 {13} 중 어느 하나에 있어서,
상기 전자 재료는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
{15} 상기 {14}에 기재된 산화방지방법을 따라서 반도체 소자의 구리 또는 구리 합금 표면에 산화방지처리를 실시하는 단계, 및
처리된 반도체 소자가 실장된 반도체 제품을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제품의 제조방법.
{16} 구리 또는 구리 합금 표면을 갖는 반도체 기판; 및
표면 에 형성된 보호 필름을 갖는 반도체 기판 제품으로서,
상기 보호 필름은 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 갖고, 상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단 상기 유기 아민 화합물은 알칸올아민이 아닌 것을 특징으로 하는 반도체 기판 제품.
{17} 구리 또는 구리 합금의 표면에 산화방지성을 부여하는 금속 부식 방지제로서,
상기 금속 부식 방지제는 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 갖고, 상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단 상기 유기 아민 화합물은 알칸올아민이 아닌 것을 특징으로 하는 금속 부식 방지제.
{18} 상기 {17}에 있어서,
상기 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 용해하는 수성 매체를 더 갖고, 상기 매체는 수성 매체인 것을 특징으로 하는 금속 부식 방지제.
본 발명에 있어서, "갖는다"란, "포함한다" 또는 "함유한다"라는 의미뿐만 아니라 열린 의미로 해석되어야 한다. 또한, "제공한다"란 본 발명의 범위를 임의로 제한하지 않고, 재료를 합성 내지 제조하는 것만이 아니라, 구입에 의해 조달하는 것을 포함하는 넓은 의미이다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 전자 재료에 포함되는 구리 재료의 표면에 산화방지성을 부여할 수 있다. 이것은 반도체 제조에 있어서의 제조 효율 및 제조 품질을 모두 크게 높일 수 있다. 또한, 본 발명의 방법은 최근 제안되고 있는 베어 칩의 플립 칩 실장 공정에 특히 적합하고, 공정에 있어서 가공 효율 및 제품 품질의 개선에 기여한다.
본 발명의 다른 특징 및 잇점이 이하에 수반되는 도면을 적절히 참조하여 하기 설명으로부터 더욱 구체적으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 바람직한 일실시형태를 개략적으로 나타낸 요부 확대 단면도이다.
도 2는 본 발명의 방법의 바람직한 일실시형태에 따른 과정을 나타내는 플로우 차트이다.
이하, 본 발명에 따른 방법 및 금속 부식 방지제의 바람직한 실시형태가 베어 칩의 플립 칩 실장을 전제한 도 1 및 도 2를 기초로 하여 상세하게 설명된다. 본 실시형태에 있어서, 도 1(공정(a))에 나타내는 바와 같이 반도체 기판(1)로서 실리콘제의 것이 사용된다. 그 상에 Ti 또는 그 합금의 층(Ti층)(2)이 형성되고, 상기 Ti층을 통하여 Cu 또는 그 합금의 층(Cu층)(3)이 형성된다. 상기 Cu층(3)을 형성하는 방법은 특별하게 한정되지 않는다. 상기 방법의 예 중 하나는 전해 도금법에 의한 막 제조가 포함된다(도 2 공정[I]).
임의의 변경없이 다음 처리 공정으로 반송되는 실시형태로서, 그 예로는 도 2의 공정 루트(1)를 통하여, 공정[V]에 있어서의 Cu층(3)의 표면에 땜납의 층(SnAg층)(4)이 형성된 실시형태가 포함된다. 여기서 형성된 SnAg층은 그 후 적절하게 용융되어, 반구상 땜납 범프가 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 다음 공정[VI]으로 진행되고 리플로우 처리를 행함으로써, 상기 땜납 범프를 통하여 베어 칩 또는 전자 부품의 실장 등이 행해질 수 있다.
본 발명에 따른 바람직한 실시형태는 도 2의 공정 루트(2)를 취한다. 즉, 본루트에 있어서, 공정[IV]의 부재 보존이 행해진다. 상기 공정에 있어서, 이러한 보존(일시 저장)이 행해지는 다양한 이유가 있다. 이러한 이유 중 하나의 예는 다른 제조 설비나 공장으로 이동시킬 때의 반송을 위한 보존이 포함된다. 다른 예로는 머신 트러블에 의한 일시적인 제조 라인의 중단이 포함된다. 이 때, 구리 재료의 산화가 현저해진다. 본 실시형태에 있어서, 상기 산화를 억제 또는 방지하기 위해서, 공정[II]로서, 특정한 금속 부식 방지제(보호액)를 반도체 소자(10)의 구리 재료 표면에 적용한다. 본 실시형태에 따라서, 상기 반도체 소자(10)의 구리 재료층의 표면이 보호층이 제공되고 이 공정에 의해 바람직하게 구리 재료와 산소의 접촉을 억제하고, 그 결과, 양호한 산화방지성을 발휘할 수 있다. 이어서, 과잉한 금속 부식 방지제를 세척하기 위해서, 세정이 행해진다(공정[III]). 이하, 상기 공정[II] 및 여기에 사용되는 금속 부식 방지제가 설명된다. 여기서, 편의상 도 1에서, 이 금속 부식 방지제가 적용되는 예로서, 노즐(5)로부터 금속 부식 방지제(S)를 사출 또는 분무하는 실시형태가 게시되지만, 본 발명이 이 실시형태로 한정되어 해석되는 것은 아니다.
[금속 부식 방지제(보호액)]
(질소 함유 복소 방향족 화합물)
본 발명의 금속 부식 방지제는 질소 함유 복소 방향족 화합물을 함유한다. 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물로서, 5원환 구조를 갖는 것 또는 6원환 구조를 갖는 것이 바람직하다. 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물로서, 이미다졸 화합물, 피라졸 화합물, 트리아졸 화합물, 테트라졸 화합물, 피리딘 화합물 또는 퀴놀린 화합물이 더욱 바람직하다. 여기서, 본 명세서에 있어서 특별히 언급하지 않는 한, 단어 말미에 붙은 "화합물"이란 해당 화합물의 기본 골격을 유지해서 수식된 유도체를 포함하는 의미이다. 전형적으로는 상기 화합물에 임의의 치환기를 부여한 구조를 포함하는 의미이다. 상기 치환기는 특별하게 한정되지 않는다. 그 예로는 하기 치환기 T가 포함된다. 또한, 상기 화합물 이외에, 그 염 및 그 이온을 포함하는 의미이다.
치환기 T는 하기 치환기가 포함된다.
상기 치환기는 알킬기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 알킬기, 예를 들면 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸, 펜틸, 헵틸, 1-에틸펜틸, 벤질, 2-에톡시에틸 및 1-카르복시메틸), 알케닐기(바람직하게는 탄소 원자 2∼20개의 알케닐기, 예를 들면 비닐, 알릴 및 올레일), 알키닐기(바람직하게는 탄소 원자 2∼20개의 알키닐기, 예를 들면 에티닐, 부타디이닐 및 페닐에티닐), 시클로알킬기(바람직하게는 탄소 원자 3∼20개의 시클로알킬기, 예를 들면 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실 및 4-메틸시클로헥실), 아릴기(바람직하게는 탄소 원자 6∼26개의 아릴기, 예를 들면 페닐, 1-나프틸, 4-메톡시페닐, 2-클로로페닐 및 3-메틸페닐), 헤테로환기(바람직하게는 탄소 원자 2∼20개의 헤테로환기, 더욱 바람직하게는 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로부터 선택되는 적어도 1개의 헤테로 원자를 갖는 5 또는 6원환의 헤테로환기이고, 예를 들면 2-피리딜, 4-피리딜, 2-이미다졸릴, 2-벤즈이미다졸릴, 2-티아졸릴 및 2-옥사졸릴), 알콕시기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 알콕시기, 예를 들면 메톡시, 에톡시, 이소프로필옥시 및 벤질옥시), 아릴옥시기(바람직하게는 탄소 원자 6∼26개의 아릴옥시기, 예를 들면 페녹시, 1-나프틸옥시, 3-메틸페녹시 및 4-메톡시페녹시), 알콕시카르보닐기(바람직하게는 탄소 원자 2∼20개의 알콕시카르보닐기, 예를 들면 에톡시카르보닐 및 2-에틸헥실옥시카르보닐), 아미노기(바람직하게는 탄소 원자 0∼20개의 아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 예를 들면 아미노, N,N-디메틸아미노, N,N-디에틸아미노, N-에틸아미노 및 아닐리노), 술파모일기(바람직하게는 탄소 원자 0∼20개의 술파모일기, 예를 들면 N,N-디메틸술파모일 및 N-페닐술파모일), 아실기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 아실기, 예를 들면 아세틸, 프로피오닐, 부티릴 및 벤조일), 아실옥시기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 아실옥시기, 예를 들면 아세틸옥시 및 벤조일옥시), 카르바모일기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 카르바모일기, 예를 들면 N,N-디메틸카르바모일 및 N-페닐카르바모일), 아실아미노기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 아실아미노기, 예를 들면 아세틸아미노 및 벤조일아미노), 술폰아미드기((바람직하게는 탄소 원자 0∼20개의 술폰아미드기, 예를 들면 메탄술폰아미드, 벤젠술폰아미드, N-메틸메탄술폰아미드, N-에틸벤젠술폰아미드), 알킬티오기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 알킬티오기, 예를 들면 메틸티오, 에틸티오, 이소프로필티오, 벤질 티오), 아릴티오기(바람직하게는 탄소 원자 6∼26개의 아릴티오기, 예를 들면 페닐티오, 1-나프틸티오, 3-메틸페닐티오, 4-메톡시페닐티오), 알킬 또는 아릴술포닐기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개의 알킬 또는 아릴술포닐기, 예를 들면 메틸술포닐, 에틸술포닐, 벤젠술포닐), 히드록실기, 카르복실기, 술포기, 시아노기, 할로겐 원자(예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자)가 포함된다. 이들 중 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 헤테로환기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카르보닐기, 아미노기, 아실아미노기, 히드록실기 및 할로겐 원자가 더욱 바람직하다. 특히 바람직하게는 알킬기, 알케닐기, 헤테로환기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아미노기, 아실아미노기 및 히드록실기이다.
또한, 상기 치환기 T로서 열거된 각각의 기는 상기의 치환기 T로 더 치환되어도 된다.
본 명세서에 있어서, 치환기의 정의는 넓은 의미로 이해되어야 한다. 예를 들면, "알킬", "알케닐" 및 "알키닐"이 사용되는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 이들 기는 직쇄, 분기쇄 또는 환상이어도 된다.
상기 질소 함유 복소 방향족 화합물로서, 분자내에 2개 이상의 질소 원자를 갖고, 축환 구조를 갖는 질소 함유 복소 방향족 화합물이 바람직하고, 분자내에 3개 이상의 질소 원자를 갖고, 축환 구조를 갖는 질소 함유 복소 방향족 화합물이 더욱 바람직하다. 여기서, "2개 이상의 질소 원자" 또는 "3개 이상의 질소 원자"는 축환을 구성하는 원자가 바람직하다. 이러한 질소 함유 복소 방향족 화합물로서, 이미다졸 화합물, 트리아졸 화합물 또는 테트라졸 화합물이 바람직하다.
질소 함유 복소 방향족 화합물의 구체예로서, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(히드록시에틸)아미노에틸]벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시에틸)벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 테트라졸, 5-아미노테트라졸 및 1H-테트라졸 펜타아세트산으로부터 선택되는 화합물이 더욱 바람직하다.
질소 함유 복소 방향족 화합물은 금속 부식 방지제 중에 0.0001질량% 이상으로 함유되는 것이 바람직하고, 0.001질량% 이상으로 함유되는 것이 보다 바람직하게, 0.01질량% 이상으로 함유되는 것이 특히 바람직하다. 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 상한으로서, 25질량% 이하로 함유되는 것이 바람직하고, 10질량% 이하로 함유되는 것이 보다 바람직하고, 5질량% 이하로 함유되는 것이 특히 바람직하다. 상기 하한값 이상으로 설정함으로써 효과적인 산화방지성을 달성할 수 있다. 한편, 상기 상한값 이하로 설정함으로써 보존 안정성을 부여할 수 있어 바람직하다.
(유기 아민 화합물)
본 발명의 금속 부식 방지제는 알칸올아민(히드록실기로 치환된 알킬기를 갖는 아민)을 제외한 탄화수소 부위 및 아민 부위를 성분으로서 포함하는 유기 아민 화합물을 함유한다. 상기 탄화수소 부위는 탄소 및 수소로 구성된 부위(원자단)를 말한다. 상기 부위는 치환기 Z를 갖고 있어도 된다. 이 치환기 Z의 옵션에 있어서, 수산기 또는 수산기 함유기는 아니다. 상기 치환기 Z로서, 상기 치환기 T 중에서 카르복실기, 술포기, 알콕시기, 아릴옥시기 및 티올기가 바람직하다. 이들 기 중에 바람직한 것은 상기 치환기 T와 동일하다. 상기 탄화수소 부위의 더욱 바람직한 예는 알킬기(바람직하게는 탄소 원자 1∼20개, 더욱 바람직하게는 탄소 원자 1∼10개), 아릴기(바람직하게는 탄소 원자 6∼16개, 더욱 바람직하게는 탄소 원자 6∼10개), 알케닐기(바람직하게는 탄소 원자 2∼30개, 더욱 바람직하게는 탄소 원자 2∼10개)가 포함된다. 상기 알킬기, 아릴기 및 알케닐기는 각각 치환기 Z를 더 갖고 있어도 된다. 여기서, 알킬기는 아랄킬기를 포함하는 것을 의미한다. 여기서, 탄소수는 치환기 Z를 포함한 탄소수를 의미한다.
아민부는 제 1 아미노기(-NH2), 제 2 아미노기(-NHR) 및 제 3 아미노기(-NR2)를 포함하는 총칭이다. 여기서 R은 알킬기(바람직하게는 탄소 원자 1∼6개), 아릴기(바람직하게는 탄소 원자 6∼24개), 알케닐기(바람직하게는 탄소 원자 2∼8개)이다. 상기 알킬기, 아릴기 및 알케닐기는 각각 수산기 또는 수산기 함유 기를 갖지 않지만, 치환기 Z는 갖고 있어도 된다. 상기 탄소 원자는 치환기 Z를 포함하는 개수를 의미한다. 특히, 바람직하게는 제 1 아미노기 및 제 2 아미노기이고, 제 1 아미노기가 특히 바람직하다.
유기 아민 화합물에 있어서 임의의 개수의 아민 부위가 허용될 수 있지만, 1∼4개인 것이 바람직하고, 1 또는 2개인 것이 더욱 바람직하다.
유기 아민 화합물의 Clog P값은 0 이상인 것이 바람직하다. 특히, Clog P값이 0 이상인 지방족 유기 아민 화합물이 바람직하다. 또한, ClogP 값이 0.5 이상인 유기 아민 화합물이 더욱 바람직하다. ClogP 값의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 3 이하이다.
본 발명에 있어서, Clog P값은 Cambridge Soft Corporation으로부터 입수할 수 있는 컴퓨터 프로그램 ChemDraw Ultra를 사용하여 계산된 값이다. 본 발명에 있어서, ChemDraw Ultra(version: 8.0 April 23, 2003)을 사용하여 계산된 값이 사용되었다.
여기서, "Clog P값"은 분배계수 P의 상용 대수값을 의미한다. log P는 어떤 유기 화합물이 오일(일반적으로는 1-옥타놀)과 물로 구성된 2상계의 평형계에서 어떻게 분배될지를 정량적인 수치로서 나타내는 물성값이다. 상기 log P는 이하의 식으로 나타내어진다.
logP = log(Coil/Cwater)
식 중, Coil은 오일상 중의 화합물의 몰농도를 나타내고, Cwater는 수상 중의 화합물의 몰농도를 나타낸다.
상기 log P가 0을 넘어서 플러스로 커지면 유용성(oil solubility)이 증가하고, 마이너스 수치의 절대값이 커지면 수용성이 증가하는 것을 의미한다. log P는 유기 화합물의 수용성과 부의 상관이 있고, 유기 화합물의 친수성 및 소수성을 추정하는 파라미터로서 널리 이용되고 있다.
본 발명에 있어서, 유기 아민의 Clog P값이 0 이상이고, 즉, 유기 아민이 비교적 더욱 소수성인 것이 바람직하다. 이 이유는 불분명한 점을 포함하지만, 이하와 같이 추정된다. 질소 함유 복소 방향족 화합물은 구리 재료 표면에 흡착해서 흡착 막을 구성하고, 상기 유기 아민 화합물이 작용하는 것이 예상된다. 이 때, 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 상응하여 소수성 흡착 막을 형성한다고 생각된다. 이것과 유기 아민 화합물의 탄화수소 부위가 특유한 친화성을 나타냄으로써 비교적 보다 높은 폐쇄성을 지닌 보호막을 형성하는 것이라 상정된다. 또한, 이 작용의 관점으로부터 보면, 탄화수소 부위에 수산기를 갖는 유기 아민 화합물이 그 효과를 저해한다고 생각된다. 이 작용은 매체로서 수성 매체를 사용했을 때에 더욱 현저해진다고 생각된다.
상기 유기 아민 화합물의 예로는 특히, 에틸아민, 벤질아민, 디에틸아민, n-부틸아민, 3-메톡시프로필아민, tert-부틸아민, n-헥실아민, 시클로헥실아민, n-옥틸아민, 2-에틸헥실아민, o-크실렌디아민, m-크실릴렌디아민, 1-메틸부틸아민, 에틸렌디아민(EDA), 1,3-프로판디아민, 2-아미노벤질아민, N-벤질에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, N-메틸-N-부틸아민, p-크실릴렌디아민, N-(3-아미노프로필)모르폴린, 폴리에틸렌이민 및 폴리알릴아민이 포함된다.
상기 유기 아민 화합물은 금속 부식 방지제 중에서 0.001질량% 이상으로 함유되는 것이 바람직하고, 0.01질량% 이상으로 함유되는 것이 더욱 바람직하고, 0.1질량% 이상으로 함유되는 것이 특히 바람직하다. 상기 유기 아민 화합물의 상한은 50질량% 이하로 함유되는 것이 바람직하고, 30질량% 이하로 함유되는 것이 더욱 바람직하고, 5질량% 이하로 함유되는 것이 특히 바람직하다. 상기 하한값 이상으로 설정함으로써 더욱 양호한 산화방지능을 발휘할 수 있어 바람직하다. 한편, 상기 상한값 이하로 설정함으로써 효과적으로 보존 안정성을 유지하면서, 냄새를 저감할 수 있어 바람직하다.
상기 유기 아민 화합물이 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물과의 관계로 규정되면, 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물 100질량부에 대하여, 산화방지능을 부여하는 관점으로부터, 10질량부 이상의 양으로 함유되는 것이 바람직하고, 20질량부 이상의 양으로 함유되는 것이 더욱 바람직하고, 30질량부 이상의 양으로 함유되는 것이 특히 바람직하다. 상기 유기 아민 화합물의 상한은 1,000질량부 이하로 함유되는 것이 바람직하고, 500질량부 이하로 함유되는 것이 더욱 바람직하고, 300질량부 이하로 함유되는 것이 특히 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 있어서의 질소 함유 복소 방향족 화합물과 유기 아민 화합물을 병용함으로써 양호한 성능이 달성되는 이유는 미해명의 점을 포함한다. 그러나, 상술한 것 이외에 이하의 것을 근거로 하여 설명할 수 있다. 즉, 질소 함유 복소 방향족 화합물은 구리 재료의 표면에 대해서 강한 흡착성을 갖는다. 이 흡착막(분자막)의 형성에 의해, 산소와 구리 재료의 접촉이 억제됨으로써 산화방지 효과가 발휘될 수 있다. 그러나, 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 구리 재료의 표면 상에 완전하게 치밀히 배치되지 않아서 산소가 침입할 수 있는 간극이 상당 정도 존재한다. 본 발명에 따르면, 상기 유기 아민 화합물이 상기 간극으로 효과적으로 들어가거나, 또는 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물의 층에 상기 유기 아민 화합물이 적층되는 형태로 흡착층이 형성됨으로써 더욱 효과적으로 산소의 침입을 차단하는 것이라고 추정된다. 이러한 효과는 임의의 화합물에 의해서도 달성될 수 있다고 이해되기 곤란하지만, 이것은 특정한 유기 아민 화합물이 질소 함유 복소 방향족 화합물과의 특유한 친화성을 갖고, 반도체 제품의 품질을 유지하면서, 그 산화방지 기능 및 세척성 간의 양호한 상승 효과가 발생되고 있기 때문이라고 이해된다.
(매체)
본 발명의 금속 부식 방지제에 있어서, 그 매체로서 수성 매체가 사용되는 것이 바람직하고, 상기 금속 부식 방지제는 각 함유 성분이 균일하게 용해한 수용액인 것이 바람직하다. 물(수성 매체)의 함유량은 금속 부식 방지제의 전체 질량에 대하여 50∼99.5질량%인 것이 바람직하고, 55∼95질량%인 것이 바람직하다. 이와 같이, 물이 주성분(50질량% 이상)인 경우, 유기 용제의 비율이 높은 경우와 비교해서 저렴하고, 환경에 적합하다는 점에서 바람직하다. 물(수성 매체)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 용해 성분을 함유하는 수성 매체이어도 좋고, 또는 불가피한 미량의 혼합 성분을 함유하고 있어도 된다. 특히, 증류수, 이온 교환수, 또는 초순수 등의 정화된 물이 바람직하고, 반도체 장치 제조에 사용되는 초순수가 특히 바람직하다.
상기 물 이외의 매체의 예로는 하기 수용성 유기 용제(알콜 화합물 등)와의 혼합액이 포함된다. 또한, 본 발명에 있어서, 안전성의 점에서 혼합액이 물을 50질량% 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 수용성 유기 용제는 표면 장력이 낮고, 점도가 낮고, 수성 매체에 균일하게 분산 또는 용해되는 것이 바람직하다. 소정 함유량으로 수용성 유기 용제가 균일하게 용해하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 낮은 표면 장력 및 낮은 점도로 인하여, 상기 수용성 유기 용제는 매엽식 세정 장치에 더욱 적합한 약액으로서 기능한다.
상기 "수용성 유기 용제"란 물과 임의의 비율로 혼합할 수 있는 유기 용제이다. 상기 수용성 유기 용제의 예로는 메틸알콜, 에틸알콜, 1-프로필알콜, 2-프로필알콜, 2-부탄올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤, 1,6-헥산디올, 시클로헥산디올, 소르비톨, 크실리톨, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 1,3-부탄디올 및 1,4-부탄디올 등의 알콜 화합물 용제, 및 알킬렌글리콜알킬에테르(예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 디에틸렌글리콜모노부틸에테르) 등의 에테르 화합물 용제, 포름아미드, 모노메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 아세트아미드, 모노메틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디에틸 아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드 화합물 용제, 디메틸술폰, 디메틸술폭시드 및 술포란 등의 황 함유 화합물 용제, γ-부티로락톤 및 δ-발레로락톤 등의 락톤 화합물 용제가 포함된다.
(계면활성제)
본 발명의 금속 부식 방지제는 계면활성제를 더 함유해도 되고, 구체적으로, 음이온 계면활성제 및 비이온 계면활성제를 함유해도 좋다.
·음이온 계면활성제
음이온 계면활성제는 특별하게 한정되지 않지만, 통상, 친수기와 친유기를 분자내에 갖고, 친수기의 부분이 수용액 중에서 분해되어 음이온이 되거나 또는 음이온성을 나타내는 화합물을 의미한다. 여기서, 음이온 계면활성제는 수소 원자를 지닌 산으로서 존재하거나 산의 분해로부터 얻어진 음이온이어도 되고, 산의 염이어도 된다. 음이온성을 나타내고 있으면, 비해리성 재료이어도 되고, 또한 산 에스테르 등도 포함된다.
상기 음이온 계면활성제에 있어서, 탄소 원자 3개 이상의 음이온 계면활성제가 바람직하고, 탄소 원자 5개 이상의 음이온 계면활성제가 더욱 바람직하고, 탄소 원자 10개 이상의 음이온 계면활성제가 특히 바람직하다. 상한은 특별히 없지만, 탄소 원자 40개 이하인 음이온 계면활성제가 실용적 한계이다.
탄소 원자 10개∼40개의 음이온 계면활성제의 구체예는 탄소 원자 10개∼40개의 카르복실산 화합물, 탄소 원자 10개∼40개의 포스포네이트 화합물, 탄소 원자 10개∼40개의 술폰산 화합물이 포함된다. 특히, 알킬술폰산, 알킬벤젠술폰산, 알킬 나프탈렌술폰산, 알킬디페닐에테르술폰산(바람직하게는 모노술폰산 또는 디술폰산), 지방산 아미드술폰산, 폴리옥시에틸렌알킬에테르카르복실산, 폴리옥시에틸렌알킬에테르아세트산, 폴리옥시에틸렌알킬에테르프로피온산, 알킬포스폰산, 지방산 및 그들의 염이 바람직하다. 이들 중, 알킬디페닐에테르모노술폰산, 알킬디페닐에테르디술폰산 또는 그들의 염 또는 그들의 혼합물이 바람직하다. 상기 "염"의 예로는 암모늄염, 나트륨염, 칼륨염 및 테트라메틸암모늄염이 포함된다.
·비이온 계면활성제
비이온 계면활성제는 탄소 원자 8개 이상의 소수성기와 적어도 1개의 친수성기를 갖는다. 상기 소수성기는 탄소 원자 14개 이상의 알킬기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 복소환기 및 이들 기 중 2개 이상이 조합된 기로부터 선택되는 것이바람직하다. 친수성기로서, 적어도 1개의 O, N 또는 S원자를 함유하는 것이 바람직하다. 친수성기의 더욱 바람직한 예로는 에틸렌옥시드기 또는 프로필렌옥시드기를 함유하는 것이 포함된다. 구성 성분으로서 상기 2개의 기를 포함하는 반복단위를 합계로 적어도 6개(바람직하게는 6∼100개) 지닌 친수성기를 갖는 비이온성 계면활성제가 열거된다. 이 경우, 소수성기의 탄소 원자의 수는 14∼50개가 바람직하고, 16∼30개가 더욱 바람직하다. 에틸렌옥시기 또는 프로필렌옥시기의 탄소 원자의 합계는 12∼1000의 정수인 것이 바람직하고, 12∼200의 정수인 것이 더욱 바람직하다.
특정 유기 화합물은 하기 일반식으로 나타내어지는 화합물이 바람직하다.
식(A） R-(CH2CH2O)nH
식(B） R-(CH2CH2CH2O)mH
식(C） R-(CH2CH2O)n(CH2CH2CH2O)mH
R은 탄소수 10개 이상의 직쇄 또는 분기쇄 탄화수소기를 나타내고; n, m은 1 이상의 정수를 나타낸다.
R의 예로는 직쇄, 분기쇄 또는 환상의 치환 또는 비치환 알킬기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 복소환기 또는 이들의 기 중 적어도 2개를 결합하여 이루어지는 기가 포함된다. 이들 중, 직쇄 또는 분기쇄 알킬기가 특히 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 치환기에 관해서 특정 원자단의 말미에 "기"를 붙여 부르는 경우, 그 기는 임의의 치환기를 더 갖고 있어도 좋은 기를 의미한다.
n은 6∼500의 정수가 바람직하고, 6∼100의 정수가 보다 바람직하다.
m은 6∼500의 정수가 바람직하고, 6∼100의 정수가 보다 바람직하다.
계면활성제의 금속 부식 방지제 중의 함유량은 특별하게 한정되지 않지만, 금속 부식 방지제의 전체 질량에 대하여, 0.001∼5질량%의 범위내에서 함유되는 것이 바람직하고, 0.01∼3질량% 함유되는 것이 보다 바람직하고, 0.05∼1질량% 함유되는 것이 더욱 바람직하다.
[pH]
본 발명의 금속 부식 방지제의 pH는 특별하게 한정되지 않지만, pH 5이상이 바람직하고, pH 7 이상이 더욱 바람직하고, pH 9 이상이 특히 바람직하다. 상한은 특별히 없지만, pH 14이하가 바람직하다.
상기 금속 부식 방지제의 각 성분의 상기 농도는 보호 처리시에 있어서 바람직하고, 상기 금속 부식 방지제는 보존, 유통 등을 위해 농축되어도 된다. 농축 배율은 필요에 따라서 결정되면 되지만, 1∼50배가 바람직하다.
[키트]
본 발명의 금속 부식 방지제는 2개 이상의 원료가 분할 용기에 위치되는 키트의 형태로 제조되어도 된다. 상기 키트의 예로는 제 1 액으로서 질소 함유 복소 방향족 화합물을 수성 매체에 함유하는 액 조성물을 제조하고, 제 2 액으로서 유기 아민 화합물을 수성 매체에 함유하는 액 조성물을 제조하는 실시형태가 포함된다. 그 사용예로서는 2개의 액체를 혼합해서 금속 부식 방지제를 제조하고, 이어서, 적시에 상기 보호 처리에 상기 금속 부식 방지제가 적용되는 실시형태가 바람직하다.
(피처리 재료)
상기 금속 부식 방지제를 사용하여 산화방지처리가 실시되는 대상은 특별하게 한정되지 않고, 전자 재료에 널리 적용할 수 있다. 상기한 실시형태와 같은 반도체 소자의 구성 성분인 구리 재료의 부재 표면 이외에, 이하의 것이 적용될 수 있다. 즉, BGA에 적용되는 전자 부품의 패키지에 있어서, 땜납 범프가 배치되는 부분의 단자(구리 재료) 표면 또는 플립·칩 접속에 적용되는 CSP에 있어서 땜납 볼이 배치되는 단자(구리 재료) 표면의 보호 처리가 열거된다. 또한, 리드 프레임의 구리 재료 표면의 보호에 사용하는 것도 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 전자 재료는 전자 제품의 부재를 포함한 광범위한 의미로 사용되고, 반도체 소자(칩) 뿐만 아니라, 가공 도중의 반도체 기판, 리드 프레임 등을 포함하는 것이다.
여기서, 본 발명의 산화방지 방법에 있어서는 상기한 바와 같이 구리 재료에 금속 부식 방지제를 적용하는 것을 전제로 한다. 그러나, 본 발명의 금속 부식 방지제는 구리 이외의 전이 금속(금, 백금, 니켈), 전형 금속(알루미늄) 등에 적용하는 것을 금지하는 것은 아니다.
(처리 방식)
본 발명에 사용되는 처리 장치는 특별하게 한정되지 않지만, 매엽식 처리 또는 일괄식 처리 장치가 사용될 수 있다. 상기 매엽식 처리는 웨이퍼를 1매씩 에칭하는 방법이다. 매엽식 처리의 하나의 실시형태로는 스핀 코터를 사용한 웨이퍼 표면 전체에 처리액을 널리 퍼지게 해서 처리하는 방법이다. 금속 부식 방지제의 액체 온도, 금속 부식 방지제의 토출량 및 스핀 코터의 웨이퍼의 회전수는 처리 대상이 되는 웨이퍼의 선택에 의해 적당한 값을 선택해서 사용되는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 처리 조건이 특별하게 한정되지 않지만, 매엽식 처리 장치에 의한 처리가 바람직하다. 매엽식 처리 장치에 의한 처리에 있어서, 반도체 기판을 소정의 방향으로 반송 또는 회전시키고, 그 공간에 금속 부식 방지제를 토출해서 상기 반도체 기판 상에 상기 금속 부식 방지제를 위치시킨다. 필요에 따라서, 스핀 코터를 이용하여 반도체 기판을 회전시키면서 금속 부식 방지제를 분무해도 좋다. 한편, 일괄식 처리에 있어서는, 금속 부식 방지제로 이루어지는 액욕에 반도체 기판을 침지시켜, 상기 반도체 기판 상에 금속 부식 방지제를 위치시킨다. 이들의 처리 방식은 소자의 구조, 재료 등에 따라서 적당하게 선택되어 사용되는 것이 바람직하다.
금속 부식 방지제의 처리 온도는 이하에 기재되고, 15∼40℃에서 선택되는 것이 바람직하고, 20∼30℃인 것이 더욱 바람직하다. 상기 금속 부식 방지제의 공급 속도는 특별하게 한정되지 않지만, 0.3∼3L/min으로 설정되는 것이 바람직하고, 0.5∼3L/min인 것이 더욱 바람직하다. 반도체 기판을 회전시키는 경우, 상기 속도는 반도체 기판의 크기 등에도 의하지만, 상기와 같은 관점으로부터, 100∼1000rpm 속도로 반도체 기판을 회전시키는 것이 바람직하다.
(세정)
상기의 금속 부식 방지제(보호액)의 적용 후에 물 등에 의해 그 과잉분을 세정하는 것이 바람직하다. 세정에 사용되는 액체는 물이 바람직하다. 그 예로는 상기 (수성 매체)의 부분에서 설명한 수성 매체가 포함된다. 세정의 조건은 특별하게 한정되지 않는다. 그러나, 실온(약 25℃)에서 액체원(유량 0.5∼3L/min, 10∼60초 동안)으로부터 직접적으로 액체가 공급되면서 토출되는 방법에 따라서 세정이 행해지는 것이 바람직하다.
(땜납)
도 2의 공정 [V]에서 행해지는 땜납층의 형성은 어떤 방법에 의해도 좋고, 이 카테고리의 제품에 적용되는 일반적인 방법을 사용할 수 있다. 땜납의 종류에 대해서는 공지의 땜납이 사용될 수 있다. 예를 들면, SnAg계 무납 땜납 및 SnAg Cu계의 땜납이 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 금속 부식 방지제는 세정(공정[III])으로 인한 양호한 세척 성능이 달성되고, 땜납 부설성이 과도하게 저지되지 않는 관점으로부터 바람직하다. 이후의 리플로우(본딩)가 이 카테고리의 제품에 있어서의 일반적인 조건 및 순서에 따라서 행해져도 된다(공정[VI]).
상기에서, 본 발명의 특히 바람직한 실시형태인 베어 칩(반도체 소자)의 구리 재료 표면의 처리를 그 예로서 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들로 한정되어 해석되지 않는다. 예를 들면, 상기 외, 패키지형의 칩의 실장에 있어서의 단자 표면의 보호 및 가공 도중의 반도체 기판의 구리 재료 표면, 리드 프레임 등의 산화방지처리에도 본 발명이 바람직하게 적용될 수 있다.
또, 본 명세서에 있어서, "반도체 기판"은 실리콘 기판(웨이퍼) 뿐만 아니라 회로 구조가 제공된 기판 구조체 전체를 포함하는 넓은 의미로 사용된다. 반도체 기판 부재 또는 부재란 상기에서 규정된 반도체 기판을 구성하는 부재를 나타내고 1개의 재료 또는 복수의 재료로 이루어져도 된다. 미리 가공된 반도체 기판과 구별하기 위해서, 가공된 반도체 기판을 반도체 기판이라 부를 수 있다. 또한, 필요에 따라서 더욱 구별을 위해서, 반도체 기판 제품의 가공 후에 싱귤레이션에 의해 취해진 칩이 반도체 소자 또는 반도체 장치라 불린다. 즉, 광의로는 반도체 소자(반도체 장치)는 반도체 기판 제품에 속하는 것이다. 또한, 상기 반도체 소자를 실장한 제품을 반도체 제품이라고 한다. 상기 반도체 기판의 방향은 특별하게 한정되지 않는다. 그러나, 설명의 편의상, 본 명세서에서는, Cu층(2)측을 상방(상부측)이라고 하고, 기판(1)측을 하방(하부측)이라고 한다. 첨부된 도면에 있어서, 반도체 기판 또는 그 부재의 구조를 간략화해서 도시한다. 따라서, 필요에 따라, 적당한 형태로 이들이 해석되어야 한다.
(실시예)
[실시예 1 및 비교예 1]
이하의 표 1에 나타낸 각 시험 No.의 구성 성분 및 조성(질량%)을 갖도록 설계된 금속 부식 방지제(시험액)가 제조되었다.
기판으로서, 단결정 <100>실리콘 기판(지름: 12인치, 300mm)가 사용되었고, 여기에 구리 도금막이 형성되었다. 기판 상의 적층 구조는 이하와 같이 형성되었다. 즉, 단결정 실리콘측으로부터 순서대로, 산화 실리콘막(두께 100nm), PVD에 의해 제조된 구리막(두께 100nm) 및 전해 도금에 의해 제조된 구리막(두께 3㎛)이 적층되었다.
<시험 방법>
(1) 상기 구리막을 구비한 시험 기판 상으로 매엽식 세정 장치를 사용하여 상기 금속 부식 방지제(시험액)인 약액을 적하했다(25℃, 회전수 500rpm, 2L/min., 20초)
(2) 상기 처리 후, 매엽식 세정 장치를 사용하여 순수에 의한 세정(25℃, 회전수: 500rpm, 2L/min., 20초)을 더 행했다.
(3) 이어서, 매엽식 세정 장치를 사용하여 고속 회전(1000rpm)으로 인한 건조를 행했다.
(4) 실온 및 습도 60% RH, 대기의 조건 하에 5일 동안 보관 및 방치했다.
(5) 이어서, 대기 중 150℃, 3시간 동안 어닐링 처리를 실시했다.
(6) 상기 (1)∼(5)의 처리를 경과한 후의 시험 기판 상에 형성된 구리 도금 막에 대해서, 엘립소메트리에 따른 산화 구리막 두께의 측정을 행했다.
<pH의 측정 방법>
제조한 직후(약 2분이내)의 시험 액의 측정이 실온(25℃)에서 HORIBA, Ltd. 제품의 F-51(상품명)을 사용하여 행해졌다. 그 결과, 모든 시료의 pH가 7∼14의 범위내이었다.
(표 1)
Figure pct00001
Figure pct00002
상기의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 따른 산화방지방법 및 금속 부식 방지제는 구리 재료 표면에 높은 산화방지성을 부여할 수 있었다. 이것은 반도체 제조에 있어서의 제조 효율 및 제조 품질을 크게 높일 수 있는 것이 확인된다.
또한, 매엽식 세정 장치를 사용하여 각 약액의 리사이클 시험이 행해졌다. 그 결과, 상기 약액의 3회 이상의 반복 사용에 의해서도 각각의 약액에 대한 동일한 성능이 얻어지는 것이 확인되었다.
본 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하므로, 본 발명이 본 명세서의 어떠한 설명에 의해서 한정되지 않고, 특별히 언급하지 않는 한, 첨부된 청구항에 개시된 그 정신 및 범위내에서 광범위하게 이해될 수 있다.
본 출원은 2012년 8월 17일자로 일본에 제출된 특허출원 제2012-181095의 우선권을 주장하고, 그 전체 내용을 참조로 포함한다.
1 : 반도체 기판 2 : Ti층
3 : Cu층 4 : SnAg층
5 : 노즐 10 : 반도체 소자
S : 금속 부식 방지제

Claims (23)

  1. 전자 재료로서 사용되는 구리 표면의 산화방지방법으로서,
    질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 포함하는 금속 부식 방지제를 제공하는 단계; 및
    상기 구리 표면에 상기 금속 부식 방지제를 적용하는 단계를 포함하고,
    상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단 상기 유기 아민 화합물은 알칸올아민이 아닌 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 아민 화합물의 탄화수소 부위는 탄소 원자 1∼10개의 알킬기를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제 중의 질소 함유 복소 방향족 화합물의 함유율은 0.01∼5질량%인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제 중의 유기 아민 화합물의 함유율은 0.01∼5질량%인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제는 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 상기 유기 아민 화합물을 용해하는 용제를 더 포함하고, 상기 용제는 수성 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 아민 화합물의 ClogP값은 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 아민 화합물은 벤질아민, m-크실릴렌디아민, tert-부틸아민, n-헥실아민, 시클로헥실아민, n-옥틸아민, 2-에틸헥실아민, 1-메틸부틸아민 또는 디에틸아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 이미다졸 화합물, 피라졸 화합물, 트리아졸 화합물, 테트라졸 화합물, 피리딘 화합물 또는 퀴놀린 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제 중의 유기 아민 화합물의 함유량은 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물 100질량부에 대하여 30∼300질량부인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제는 수용성 유기 용제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구리는 땜납을 설치하기 위한 단자를 구성하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제는 침지, 유동, 적하 또는 분무에 의해 구리 표면에 적용되는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제는 매엽식 세정 장치를 사용하여 구리 표면에 적용되는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 재료는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  15. 제 14 항에 기재된 산화방지방법에 따라서 반도체 소자의 구리 표면에 산화방지처리를 실시하는 단계; 및
    상기 처리된 반도체 소자를 실장한 반도체 제품을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제품의 제조방법.
  16. 구리 표면을 갖는 반도체 기판; 및
    표면 상에 형성된 보호막을 포함하는 반도체 기판 제품으로서,
    상기 보호막은 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 포함하고, 상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단, 상기 유기 아민 화합물은 알칸올아민이 아닌 것을 특징으로 하는 반도체 기판 제품.
  17. 구리 표면에 산화방지성을 부여하는 금속 부식 방지제로서,
    상기 금속 부식 방지제는 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 포함하고, 상기 유기 아민 화합물은 탄화수소 부위 및 아민 부위를 갖고, 단, 상기 유기 아민 화합물은 알칸올아민이 아니고,
    상기 금속 부식 방지제는 인산 화합물을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 금속 부식 방지제.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소 방향족 화합물 및 유기 아민 화합물을 용해하는 수성 매체를 더 포함하고, 상기 매체는 수성 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 부식 방지제.
  19. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 아민 화합물은 2-에틸헥실아민인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  20. 제 1 항 내지 제 14 항 및 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 아민 화합물은 2-에틸헥실아민이고, 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 트리아졸 화합물인 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  21. 제 1 항 내지 제 14 항, 제 19 항 및 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부식 방지제는 인산 화합물을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  22. 제 1 항 내지 제 14 항 및 제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    산화 구리의 막두께가 31nm 이하인 범위내로 구리의 산화가 억제될 수 있고,
    (1) 구리막을 구비한 시험 기판 상으로 매엽식 세정 장치를 사용하여 상기 금속 부식 방지제(시험액)인 약액을 적하하고(25℃, 회전수 500rpm, 2L/min., 20초),
    (2) 상기 처리 후, 매엽식 세정 장치를 사용하여 순수에 의한 세정(25℃, 회전수: 500rpm, 2L/min., 20초)을 더 행하고,
    (3) 이어서, 매엽식 세정 장치를 사용하여 고속 회전(1000rpm)으로 인한 건조를 행하고,
    (4) 실온 및 습도 60% RH, 대기의 조건 하에 5일 동안 보관 및 방치하고,
    (5) 이어서, 대기 중에서 150℃, 3시간 동안 어닐링 처리를 실시하고,
    (6) 상기 (1)∼(5)의 처리를 경과한 후의 시험 기판 상에 형성된 구리 도금막에 대해서 엘립소메트리에 따른 산화 구리막 두께의 측정을 행하는 것을 특징으로 하는 산화방지방법.
  23. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,
    상기 유기 아민 화합물은 2-에틸헥실아민이고, 상기 질소 함유 복소 방향족 화합물은 트리아졸 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 부식 방지제.

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6390273B2 (ja) * 2014-08-29 2018-09-19 新日鐵住金株式会社 熱延鋼板の製造方法
DE102017113871A1 (de) * 2017-06-22 2018-12-27 Doduco Solutions Gmbh Bondsubstrat sowie Verfahren zum Schützen von zum Drahtbonden vorgesehenen Oberflächen
JP6485605B1 (ja) * 2017-09-27 2019-03-20 栗田工業株式会社 銅系材料の腐食抑制方法
WO2019065415A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 栗田工業株式会社 銅系材料の腐食抑制方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63271961A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Nippon Mining Co Ltd リ−ドフレ−ム
JPH08274242A (ja) * 1995-03-29 1996-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP3865440B2 (ja) * 1996-10-11 2007-01-10 城北化学工業株式会社 銅および銅合金用腐食抑制剤
US8586481B2 (en) * 2010-06-01 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Chemical planarization of copper wafer polishing
JP5852303B2 (ja) * 2010-06-30 2016-02-03 富士フイルム株式会社 金属膜表面の酸化防止方法及び酸化防止液

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