KR100771047B1 - 범프 형성 포토레지스트 제거용 조성물 - Google Patents
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Abstract
범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 범프 패턴 형성 방법에 있어서, 포토레지스트 제거용 조성물은 알카놀아민계 10 내지 20 중량%, 글리콜계 화합물 10 내지 40 중량%, 유기 수산화물 0.1 내지 2.5 중량%, 극성 용매 40 내지 70 중량%, 부식 방지제 1 내지 5 중량% 및 여분의 물을 포함한다. 포토레지스트 제거시 노출된 구조물의 손상을 최소화하면서 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다.
포토레지스트, 범프, 제거
Description
본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 범프 형성을 위해 효과적으로 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다.
휴대전화, 노트북, PDA, IC 카드와 같은 개인용 및 휴대용 전자제품의 발달로 인하여 전자제품 업계에서는 제품의 소형화 경량화에 대응하기 위하여 반도체 패키지의 Pitch Size를 줄일 수 있는 방법을 모색하였으며 기존 패키지 공정의 Wire방식에서 Chip과 직접 연결사용하기 위해 상기 반도체 칩 내에 범프(bump)라고 하는 접속용 단자가 형성된다.
Wafer상의 알루미늄 (Pad) 위에 금(Gold) 또는 솔더 (Solder) 등의 소재로 5 ~10 ㎛ 크기의 외부 접속단자를 형성해주는 차세대 공정을 말하며, 기존의 Wire bonding과는 반대로 범프(bump)가 형성된 Chip을 뒤집어 Flip표면이 기판방향 을 향하도록 실장 하는 방식이며, 반도체 패키징 중에서 가장 작은 형태를 구현할 수 있는 기술이다.
범프 형성방법으로는 전기 도금법, 진공 증착법 및 와이어 본딩에 의한 스터드 범프 형성법 등이 있다.
상기 방법 중, 전기 도금법은 월등한 증착률 조절 및 Bump 일관성, 그리고 불용 Bump를 최소화할 수 있는 장점이 있으며, Bump의 크기를 다양하게 생성할 수 있다. 이때 사이즈 편차를 ±1 ㎛ 단위로 조절할 수 있다.
상기 전기 도금법에 의해 범프를 형성하기 위해서는, 우선, 보호막(passivation) 패턴을 형성하여 반도체 기판 상에 형성된 금속 배선의 범프 접촉 영역을 드러낸다.
상기 범프 접촉 영역에는 후속에 범프용 금속을 전기 도금하기 위한 도금 시드 층 또는 금속 기저 층이 형성된다.
이와 같이 형성한 결과물 상에 포토레지스트 패턴을 형성하여 범프 형성 영역을 완성하고, 금속물을 전기 도금하여 상기 범프 형성 영역을 매립한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 범프를 완성한다.
이때, 상기 포토레지스트 패턴은 형성하고자 하는 상기 범프의 두께 이상으로 형성되어야 한다.
일반적으로, 상기 포토레지스트 패턴은 수십㎛ 이상으로 형성되므로, 노광 공정 중에 저 면까지 광이 전달되지 않아 노광이 충분히 이루어지지 않을 수 있다.
상기 포토레지스트 제거 공정 중에 사용되는 조성물은 박리 및 용해 작용을 균형 있게 병행하여 포토레지스트를 제거하여야 한다.
그러나, 상기 작용들이 불균형적으로 이루어지거나, 상기 조성물이 물과 제대로 혼합하지 못하면 기판상에 잔사를 남기게 된다.
일반적인 유기 스트리퍼의 대부분은 폴리머 제거에 강점을 갖도록 제조되어 범프 형성용 포토레지스트의 제거 시에는 제거가 불완전하거나 재도포 되는 불량이 발생하였다.
따라서, 상기 제거 공정은 상기 불량을 예방하기 위해 서로 다른 종류의 박리액를 사용하여 2회에 걸쳐 진행될 뿐 아니라, 장시간 진행하였다.
모노에탄올아민을 포토 레지스트 스트립퍼 용액의 주성분으로 사용하는 것은 공지되어 있다.
예를 들면, 미합중국 특허 제5,798,323호에는 모노에탄올아민을 포함하는 레지스트 제거용 조성물이 개시되어 있다. 그렇지만, 이러한 제거용 조성물들은 대부분 수 미크론 정도의 박막인 포토레지스트를 제거하기 위한 용액으로 범프 형성 공정에서 사용되는 후막용 포토레지스트막을 제거하는 데는 적합하지 않았다.
또한, 모노에탄올아민과 디메틸아세트아미드의 혼합물로 범프 형성 포토레지스트를 제거하는 것은 공지되어 있다.
예를 들면 특허 공개 2004-0104033호에 개시되어 있다.
그렇지만, 상기 특허의 성분만으로는 특정 포토레지스트에 대해서만 제거가 가능하나 다른 형태의 포토레지스트는 제거하지 못하는 경향이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 피가 공물의 손상을 최소화하면서 포토레지스트를 선택적으로 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 조성물을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 포토레지스트 제거용 조성물은 알카놀아민계(alkanolamine) 화합물, 유기 수산화물, 극성 용매(polar solvent), 글리콜계(glycol) 화합물, 부식 방지제 및 여분의 물을 포함한다.
상기 포토레지스트 제거용 조성물은 조성물의 총 중량에 대하여 상기 알카놀아민계 화합물 10 내지 20중량%, 글리콜계(glycol) 화합물 10 내지 40중량%, 유기 수산화물 0.1 내지 2.5 중량%, 극성 용매 40 내지 70중량%, 부식 방지제 1 내지 5중량% 및 여분의 물은 포함한다.
상기 포토레지스트 패턴을 알카놀아민계(alkanolamine) 화합물, 유기 수산화물, 극성 용매(polar solvent), 글리콜계(glycol) 화합물, 부식 방지제 및 여분의 물을 주성분으로 함유하는 포토레지스트 제거용 조성물로 제거하는 단계로 이루어진 반도체 소자의 범프 형성방법을 제공한다.
이와 같이, 상기 조성물을 이용함으로써 제거 공정만으로도, 효율적으로 완벽하게 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있 었다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
포토레지스트
제거용 조성물
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물은 알카놀아민계(alkanolamine) 화합물, 유기 수산화물, 극성 용매(polar solvent), 글리콜계(glycol) 화합물, 부식 방지제 및 여분의 물을 포함한다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물에 포함된 상기 알카놀아민계 화합물은 포토레지스트를 팽윤 또는 약화시켜 제거되기 쉬운 상태로 변화하는 역할을 한다.
상기 알카놀아민계 화합물의 예로는 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 글리콜아민(glycolamine), 디글리콜아민(diglycolamine), 모노이소프로판올아민(monoisopropanolamine) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 알카놀아민계 화합물의 함량이 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 약 10 중량% 미만이면 포토레지스트를 약화하는 능력이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 함량이 약 20 중량%를 초과하면, 하부 막질을 손상시킬 수 있으므로 바람직하지 않다. 따라서 상기 알카놀아민계 화합물은 약 10 내지 약 20 중량%로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물에 포함된 상기 극성 용매는 기판으로부터 이탈된 포토레지스트를 용해시키는 역할을 한다. 또한 상기 포토레지스트 제거용 조성물의 점도를 조절하는 역할을 하기도 한다.
따라서, 상기 기판으로부터 이탈된 포토레지스트가 상기 기판의 표면에 재흡착되는 현상을 방지할 수 있다.
상기 극성 용매의 예로는 디메틸 아세트아미드(dimethyl acetamide), N-메틸 피롤리돈(N-methyl pyrrolidone), 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide), 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide) 등을 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 둘 이상 상기 극성 용매의 함량이 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 약 40 중량% 미만일 경우 포토레지스트가 완전히 용해되지 않거나 이탈된 포토레지스트가 기판에 재흡착되므로 바람직하지 않다. 또한 함량이 약 70 중량%를 초과할 경우, 포토레지스트 제거 효과에 있어 별다른 차이가 없으므로 바람직하지 않다. 따라서, 상기 극성 용매는 약 40 내지 약 70 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물에 포함된 상기 글리콜계 화합물은 포토레지스트와 하부 막질에서의 표면장력이 낮기 때문에 포토레지스트 제거 효율이 향상될 수 있으며, 어는점이 낮고 발화점이 높기 때문에 저장 안정성 측면에서도 유리하게 작용하는 역할을 하는 것으로서 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테 르, 디프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 모노에틸렌 글리콜, 메틸에틸렌 글리콜 등을 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 둘 이상 상기 글리콜계 화합물의 함량이 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 약 10 중량% 미만일 경우 포토레지스트가 완전히 용해되지 않아 바람직하지 않다. 또한 함량이 약 40 중량%를 초과할 경우, 포토레지스트 제거 효과에 있어 별다른 차이가 없으므로 바람직하지 않다. 따라서, 상기 글리콜계 화합물은 약 10 내지 40중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물에 포함된 상기 유기 수산화물은 포토레지스트를 하부 막질로부터 탈리 제거할 뿐만 아니라 이물질 제거의 역할을 한다.
유기 수산화물의 구체적인 예로는 수산화암모늄(ammonium hydroxide, NH4OH), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethyl ammonium hydroxide, (CH3)4NOH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드(tetraethyl ammonium hydroxide, (C2H5)4NOH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(tetrapropyl ammonium hydroxide, (C3H7)4NOH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide, (C4H9)4NOH)등을 들 수 있다.
상기 유기 수산화물의 함량이 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.1 중량% 미만일 경우, 포토레지스트 제거력이 떨어지므로 바람직하지 않다. 또한 함량이 2.5 중량% 이상일 경우 하부 막질에 부식을 초래 하는 경우가 있어 바람직하지 않다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물에 포함된 상기 부식 방지제는 포토레지스트 제거 공정 시 하부 막질의 부식을 방지할 뿐만 아니라 포토레지스트를 제거하는 역할을 한다.
상기 부식 방지제의 예로는 피로카테콜(pyrocatechol), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid), 벤조트리아졸(benzotriazole), 아스코르빈산(ascorbic acid), 갈릭산(gallic acid) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 부식 방지제의 함량이 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 약 1 중량% 미만일 경우, 하부 막질의 부식 방지 효과가 미미하고 포토레지스트 제거력이 떨어진다. 또한 함량이 약 5 중량%를 초과할 경우, 포토레지스트 제거를 방해하는 영향을 초래할 수 있으므로 바람직하지 않다. 따라서 상기 부식 방지제는 약 1 내지 약 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 여분이 물이 포함되지만 일정량 이상의 물이 포함되는 경우에는 포토레지스트의 제거력이 현저히 떨어지고 포토레지스트가 기판에 재흡착되어 바람직하지 않다.
이하, 다양한 실시 예 및 비교 예들을 통해 본 발명의 포토레지스트 제거용 조성물을 더욱 상세히 설명한다.
<실시 예 1>
포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 알카놀아민계 화합물로써 모노에탄올아민(monoethanolamine: MEA) 15중량%, 글리콜계 화합물로써 메틸에틸렌글리콜(methylethyleneglycol: MEG) 22중량%, 유기 수산화물로써 테트라메틸암모니윰옥사이드(Tetramethylammonium hydroxide : TMAH) 0.2중량%, 극성 용매로써 N,N-디메틸 아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide: DMAc) 60중량%, 부식 방지제로써 피로카테콜(pyrocatechol : PC) 2중량% 및 탈이온수 0.8중량%를 혼합하여 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하였다.
<실시 예 2 내지 6>
실시 예 2 내지 6에 있어서, 상기 실시 예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하되, 그 조성비는 하기 표 1에 나와 있는 것과 같이 변경하였다.
<비교 예 1>
포토레지스트 제거용 조성물의 총 중량을 기준으로 알카놀아민계 화합물로써 모노에탄올아민(monoethanolamine: MEA) 25중량%, 극성 용매로써 N,N-디메틸 아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide: DMAc) 70중량%, 글리콜계 화합물로써 메틸 에틸렌글리콜(methylethyleneglycol: MEG) 5중량%를 혼합하여 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하였다.
<비교 예 2 내지 5>
비교 예 2 내지 5에 있어서, 상기 비교 예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 포토레지스트 제거용 조성물을 제조하되, 그 조성비는 하기 표 1에 나와 있는 것과 같이 변경하였다.
| 알카놀아민 (중량%) | 유기수산화물 (중량%) | 글리콜계 (중량%) | 극성용매 (중량%) | 부식방지제 (중량%) | 탈이온수 (중량%) | |
| 실시예 1 | 15 | 0.2 | 22 | 60 | 2 | 0.8 |
| 실시예 2 | 15 | 0.4 | 21 | 60 | 2 | 1.6 |
| 실시예 3 | 15 | 1 | 10 | 68 | 2 | 4 |
| 실시예 4 | 10 | 40 | 50 | |||
| 실시예 5 | 10 | 50 | 40 | |||
| 실시예 6 | 15 | 2 | 30 | 45 | 8 | |
| 비교예 1 | 25 | 5 | 70 | |||
| 비교예 2 | 10 | 20 | 70 | |||
| 비교예 3 | 15 | 2 | 75 | 8 | ||
| 비교예 4 | 20 | 80 | ||||
| 비교예 5 | 30 | 70 |
포토레지스트
제거용 조성물의 세정력 평가
상기 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 5에서 제조된 포토레지스트 제거용 조성물을 사용하여 포토레지스트 패턴 잔류물에 대한 세정력을 평가하였다..
상기 포토레지스트 제거용 조성물 평가를 위하여, 실리콘 기판상에 티타늄텡스텐/금(TiW/Au)이 적층된 구조를 갖는 다층 막을 형성하였다. 이어서, 상기 다층 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 범프 개구부 내에 전기 도금에 의해 금을 성장시켰다.
이후, 상기 포토레지스트 패턴에 대하여 상기 세정력 평가를 위한 테스트 시료들을 상기 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 5에 따라 제작하였다.
이때, 포토레지스트는 약 20㎛의 두께로 도포하였다.
이와 별도로 보호막(passivation)인 폴리이미드에 대한 영향을 평가하기 위하여 실리콘 기판상에 폴리이미드를 형성하여 상기 테스트 시료들에 의한 막질 영향 성 평가를 시작하였다.
이어서, 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 5에서 제조된 각각의 포토레지스트 제거용 조성물을 비커에 넣고, 상기 포토레지스트 패턴에 금을 전기 도금하여 형성된 테스트 시료들을 각각의 포토레지스트 제거용 조성물이 담겨있는 비커에 40분 동안 침지 하였다. 상기 포토레지스트 제거용 조성물의 온도는 65℃를 유지하였다.
이어서, 상기 테스트 시료들을 탈이온수에 침지시켜 상기 테스트 시료들로부터 상기 포토레지스트 제거 조성물을 제거하였다. 이후, 상기 테스트 시료들을 완전히 건조시켰다. 이어서, 상기 테스트 시료의 표면에 잔류하는 포토레지스트의 잔류 정도를 평가하기 위해 전자 현미경(Field Emission - Scanning Electron Microscope)을 이용하여 상기 패턴의 포토레지스트 잔류물의 잔존 여부를 관찰하였다.
또한 실시 예 1 내지 6 및 비교 예 1 내지 5에서 제조된 각각의 포토레지스트 제거용 조성물을 비커에 넣고, 상기 폴리이미드막이 노출된 시료들을 각각의 포토레지스트 제거용 조성물이 담겨있는 비커에 40분 동안 침지하였다. 상기 포토레지스트 제거용 조성물의 온도는 65℃를 유지하였다.
이어서, 상기 테스트 시료들을 탈이온수에 침지시켜 상기 테스트 시료들로부터 상기 포토레지스트 제거 조성물을 제거하였다. 이후, 상기 테스트 시료들을 완전히 건조시켰다. 이어서, 상기 테스트 시료의 표면에 전자 현미경을 이용하여 상기 폴리이미드막의 손상 여부를 관찰하였다.
이에 따라, 각각의 포토레지스트 제거용 조성물의 포토레지스트의 제거 능력을 평가하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 포토레지스트 잔류 여부 | 폴리이미드막 손실 여부 | |
| 실시 예 1 | ◎ | ◎ |
| 실시 예 2 | ◎ | ◎ |
| 실시 예 3 | ○ | ◎ |
| 실시 예 4 | ◎ | ◎ |
| 실시 예 5 | ◎ | ◎ |
| 실시 예 6 | ◎ | ◎ |
| 비교 예 1 | △ | △ |
| 비교 예 2 | △ | ○ |
| 비교 예 3 | △ | △ |
| 비교 예 4 | △ | △ |
| 비교 예 5 | △ | △ |
◎ : 잔류물이 전혀 잔류하지 않고, 막의 손실이 거의 발생하지 않음을 나타냄.
○ : 잔류물이 허용치 내에서 잔류하고, 막의 손상이 미약하게 발생하였음을 나타냄.
△ : 잔류물이 허용치 이상으로 잔류하고, 막의 손상이 발생하였음을 나타냄.
표 2를 참조하면, 실시 예 1 내지 6의 포토레지스트 제거용 조성물과 비교 예 1 내지 5의 포토레지스트 제거용 조성물의 세정력을 비교하였을 때, 본 발명에 따라 제조된 포토레지스트 제거 조성물이 폴리이미드막의 과도한 손상 없이 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 포토레지스트 제거 공정 시 상기 포토레지스트 제거 조성물이 상기 금속 패턴 층과 보호막(passivation)에 영향을 끼치지 않고 상기 포토레지스트 패턴만을 완벽하게 제거할 수 있는 것으로 나타났다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기 알카놀아민계 화합물 10 내지 20 중량%, 글리콜계 화합물 10 내지 40 중량%, 유기 수산화물 0.1 내지 2.5 중량%, 극성 용매 40 내지 70 중량%, 부식 방지제 1 내지 5 중량% 및 여분의 물로 이루어진 조성물을 이용함으로써 포토레지스트 잔류물을 금속과 보호막(passivation)에 영향을 주지 않고 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 반도체 칩을 전자기기의 회로 기판에 탑재하는 공정에서 포토레지스트의 잔류물에 의한 반도체 소자의 불량을 줄이므로 써 생산 공정의 생산성을 향상할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다
Claims (7)
- 알카놀아민계 (alkanolamine) 화합물;글리콜계 (glycol) 화합물;유기 수산화물극성 용매 (polar solvent);부식 방지제; 및여분의 물을 포함하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
- 제1항에 있어서,알카놀아민계 화합물 10 내지 20 중량%; 글리콜계 화합물 10 내지 40 중량%; 유기 수산화물 0.1 내지 2.5 중량%; 극성 용매 40 내지 70 중량%; 부식 방지제 1 내지 5중량%; 및 여분의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 알카놀아민계 화합물은 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 글리콜아민(glycolamine), 디글리콜아민(diglycolamine) 및 모노이소프로판올아민(monoisopropanolamine)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테 르, 디프로필렌글리콜 모노부틸 에테르, 모노에틸렌 글리콜, 메틸에틸렌 글리콜로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 극성 용매는 디메틸 아세트아미드(dimethyl acetamide), N-메틸 피롤리돈(N-methyl pyrrolidone), 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide) 및 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 수산화물은 수산화암모늄(ammonium hydroxide, NH4OH), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethyl ammonium hydroxide, (CH3)4NOH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드(tetraethyl ammonium hydroxide, (C2H5)4NOH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(tetrapropyl ammonium hydroxide, (C3H7)4NOH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide, (C4H9)4NOH)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 부식 방지제는 피로카테콜(pyrocatechol), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid), 벤조트리아졸(benzotriazole), 아스코르빈산(ascorbic acid) 및 갈릭산(gallic acid)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물.
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