JPH06223633A - 導電異方性電極接続用組成物および該組成物の硬化膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 絶縁フィルム上に形成された導体回路の接続
用導体部とＩＴＯ電極を有する基板とを接続する接着剤
において、一般式Ａｇ_X Ｃｕ_1ーX （０．００８≦ｘ≦
０．４、ｘは原子比）で表され、かつ粒子表面の銀濃度
が平均の銀濃度より高く、平均粒子径が３〜２３μｍで
かつ平均粒子径±２μｍの存在割合が８０％以上である
球状の導電粉末１重量部、有機バインダー０．５〜１０
０重量部を含有することを特徴とする異方性導電性組成
物。 【効果】 金などを用いないためコスト削減になるのみ
ならず、電極間でのショートがなく、導電粉末の多少の
変形することで接合接点を充分に確保でき、ＩＴＯ電極
と絶縁フィルム上の接続用導体部間の導通にも優れ、耐
環境性にも優れた導電異方性電極接続用組成物及びその
硬化膜を提供するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電異方性電極接続用
組成物および該組成物を硬化してなる導電異方性膜に関
するものであり、絶縁フィルム上の接続用導体部（例え
ばＴＡＢ（TAPE AUTOMATED BONDING）フィルム接続リ
ード）の、ＩＴＯ電極を有する液晶パネルへの接続用導
電異方性膜として利用される。

【０００２】

【従来の技術】従来より、プリント配線板や液晶パネル
電極に、絶縁フィルム上にＩＣあるいはＬＳＩ実装され
形成された導体回路（例えばＴＡＢ（tape automated b
oding））を接合する場合、絶縁フィルム上の接続用導
体部（ＴＡＢフィルム接続リード）をはんだ付けにより
直接接続する方法とか、カーボンフィラーを有機バイン
ダーに分散させた導電フィルムまたはゴムをパネル電極
とＴＡＢフィルム接続リードとの間に挟み電気的接合す
る方法がとられていた。

【０００３】最近、パネル電極のピッチ間が数十μｍと
狭くなってきているため、充分な導電性を得るためと電
極間ショート防止のために導電性粉末を有機バインダー
に一定量分散させてパネル上ＩＴＯ電極に数μｍから数
十μｍ程度の厚みでコーテイングし、さらに、ＴＡＢ上
の導体部である接続リードをパネル電極と位置合わせし
た後、接合して、パネル側から紫外線照射で硬化した
り、あるいは加熱硬化してパネルＩＴＯ電極とＴＡＢと
の電気接合を確保する方法がとられてきた。この時、硬
化時に加圧してＩＴＯ電極とＴＡＢフィルム接続リード
間の導電粒子による接点をさらに安定化したりする方法
もとられてきた。従って、接続リード、電極間以外の有
機バインダー中に存在する導電粒子は充分な接点が得ら
れず、接続リード、電極間方向（絶縁フィルムとＩＴＯ
電極を有する基板間方向）にだけ導電性を有するもので
ある。これらが導電異方性膜として用いられているもの
である。

【０００４】導電異方性膜の有機バインダーとしては、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニル樹脂、ブチラ
ール樹脂、スチレンブタジエンゴムなどのバインダーが
用いられてきた。有機バインダーの役割としては、バイ
ンダー硬化時に導体とＩＴＯ電極間に存在する導電性粒
子の位置を安定に維持するためのものである。従来より
導電異方性膜に用いられる導電粒子としては、数μｍか
ら十数μｍのポリエステル、エポキシ、ポリスチレン樹
脂などの粒子の表面に金メッキした粒子、金メッキニッ
ケル粒子、銀粒子、ニッケル粒子などであり、これらを
有機バインダーに分散して使用されてきた（例えば、特
開平３ー１２９６０７号公報、特開平４ー２４２０１０
号公報）。

【０００５】しかしながら、金メッキ樹脂粒子、金メッ
キニッケル粒子などは以下の問題点がある。金メッキ樹
脂粒子は、メッキ金の樹脂表面での付着力があまり強く
なく、電極間での圧力を加えられたときに樹脂粒子表面
から剥がれ、導電性を損ね易い。また、そのため樹脂粒
子表面の処理が複雑で、完全に金で表面を覆うためには
多量の高価な金を使用することにある。さらに、加圧時
に多少粒子形状が球状から変形されるが、この時、樹脂
粒子本体が柔らかくてひび割れが起きたりして導電性不
良を起こし易い。

【０００６】金メッキニッケル粒子の場合には、やは
り、ニッケル粒子表面の金の密着力が充分でなく、加圧
して接合する場合には、メッキ金が剥がれ落ちたりす
る。そのため導電性不良を生じ易くなる。ニッケルだけ
でも導電性はあるが、表面にＮｉＯを形成するために接
点での導電性不良となる。また、ニッケル粒子の場合に
は、硬度が高いため、加圧時に変形しにくくて、粒子径
がわずかに異なった粒子が共存した場合には接点が確保
できない粒子が存在してしまうことになる。

【０００７】銀粒子も公知であるが、パネル上の電極間
どうしでのマイグレーションが起こりショートしたりし
て好ましくない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、コスト高に
なる金などを用いずに、ＩＴＯ電極間でのショートのな
い、かつ絶縁フィルム上に形成された接続用導体部とＩ
ＴＯ電極とが導電粉末の多少の変形によって充分な接点
を有する導電異方性組成物および導電異方性膜を提供す
ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下の通りで
ある。 １．絶縁フィルム上に形成された接続用導体部と基板上
に形成されたＩＴＯ電極部とを接合する導電異方性組成
物において、該導電異方性組成物が、（Ａ）一般式Ａｇ
_x Ｃｕ_1-x （ただし、０．００８≦ｘ≦０．４、原子
比）で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平均の銀濃度の
２．２倍より高く、表面近傍で粒子表面に向かって銀濃
度が増加する領域を有し、平均粒子径が２．５〜２３μ
ｍで、かつ平均粒子径±２μｍの存在割合が８０％以上
である球状の導電粉末１重量部、及び（Ｂ）有機バイン
ダー０．５〜１００重量部からなることを特徴とする導
電異方性電極接続用組成物。 ２．上記１に記載の導電異方性電極接続用組成物を絶縁
フィルム上の接続用導体部とＩＴＯ電極間で硬化してな
る、該接続用導体部とＩＴＯ電極間方向に導電性を有す
る導電異方性電極接続用膜。

【００１０】すなわち、絶縁フィルム上に形成された導
体回路を該絶縁フィルム上の接続用導体部を介して、基
板上のＩＴＯ電極（インジウムーすず酸化物）に接合す
る接着剤が以下の（Ａ）および（Ｂ）組成物からなるこ
とを特徴とする導電異方性電極接続用組成物である。
（Ａ）一般式Ａｇ_x Ｃｕ_1-x （ただし、０．００８≦ｘ
≦０．４、原子比）で表され、且つ粒子表面の銀濃度が
平均の銀濃度の２．２倍より高く、表面近傍で粒子表面
に向かって銀濃度が増加する領域を有し、平均粒子径
２．５〜２３μｍで平均粒子径±２μｍの存在割合が８
０％以上である球状の導電粉末１重量部、（Ｂ）有機バ
インダー０．５〜１００重量部、および前記組成物をＩ
ＴＯ電極と絶縁フィルム上の接続用導体部間で硬化して
なる導電異方性電極接続用膜に関するものである。

【００１１】本発明で用いられる導電性粉末は前記で示
される通りであるが、作製方法としては、本出願人によ
り既に出願されている方法が好ましい（特開平１−２０
５５６１号公報）。中でも特に不活性ガスアトマイズ法
が好ましい。開示内容によれば、かかる組成の銅粒子と
銀粒子を黒鉛るつぼ中で溶解し、不活性雰囲気中で融液
をアトマイズし、微粉末化するものである。本発明で使
用できる導電粉末は銀量Ｘが０．００８〜０．４（原子
比）であるが、０．００８未満である場合には粒子表面
の銅成分の酸化で電極との接点抵抗が不安定になる。
０．４を超える場合には、パネル電極間での銀マイグレ
ーションによるショートの発生率が増加する。好ましく
は、０．０１〜０．２である。

【００１２】また、本発明で使用できる導電粉末の粒子
表面の銀濃度は、平均の銀濃度の２．２倍以上である
が、２．２倍未満である場合には、粒子表面の耐酸化性
が充分でない。好ましくは２．５〜８０倍であり、さら
に好ましくは３〜５０倍である。本発明で用いられる表
面の銀濃度とは、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置：Ｘ
ＳＡＭ８００、ＫＲＡＴＯＳ社製）を用いて測定したも
のである。測定条件は以下に示す。

【００１３】導電粉末を試料台上に全面覆うように導電
性カーボン両面テープで接着し、以下の測定、エッチン
グ条件で測定した。 測定条件：マグネシウムＫα線（電圧１２ｋｅＶ 電流
１０ｍＡ）、１０^-8torrアルゴンガス雰囲気 エッチング条件：アルゴンイオンガス 加速電圧２ｋｅ
Ｖ １０^ー7torr、５分間測定、エッチングを５回繰り返
し行い、最初の２回の測定の平均値を粒子表面の銀濃度
とした。銀濃度はＡｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）（原子比）であ
る。

【００１４】本発明で使用できる導電粉末は平均粒子径
２．５〜２３μｍの球状であり、かつ平均粒子径±２μ
ｍの粒子の存在割合が８０％以上であるが、平均粒子径
が２．５μｍ未満である場合には電極と導体間での両接
点が得られない。平均粒子径が２３μｍを超える場合に
は、導体とパネル電極間での粒子の変形率が大きすぎて
隣の電極とのショートが起こり易い。好ましくは、平均
粒子径３〜１８μｍであり、さらに好ましくは３〜１２
μｍである。また、平均粒子径±２μｍの存在割合が８
０％以上であるが、８０％未満であると、すなわち粒度
分布の幅が広い場合には、厚み方向の導電性において、
多数ある導体とＩＴＯ電極間で導電粉末が接点を充分に
有さない組合わせが生じてしまい導通不良を起こす。好
ましくは、９０％以上である。

【００１５】本発明で用いる粒子径は、導電粉末をエチ
レングリコールに数十〜１ｍｇ／ｃｍ³ の濃度で分散さ
せ、レーザー回折型粒度分布測定装置（ＳＡＬＤ１１０
０；島津製作所）で測定した体積積算平均粒子径、及び
体積基準の粒度分布より求められる値を示す。導電粉末
の粒子形状としては、球状のものが使用できるが、特性
を損なわない程度であれば、表面が多少凹凸があっても
構わない。かりに、鱗片状であったりすると隣の電極と
のショートが発生したり、重なりあったりして各電極間
に均等に分散されにくいなどの問題がある。

【００１６】本発明の組成物は導電粉末１重量部に対し
て、有機バインダー０．５〜１００重量部含有している
が、熱硬化型樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化型樹脂を
用いることができる。熱可塑性樹脂としては、熱可塑性
アクリル樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
スチレン系樹脂などがあげられる。

【００１７】熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂、レ
ゾール型フェノール樹脂、アミノ樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性アクリル樹脂から選ばれ
た１種類以上があげられる。エポキシ樹脂としては、ビ
スフェノルＡ型、ビスフェノールＦ型、ブロム化ビスフ
ェノールＡ型、脂環式エポキシ、鎖状式エポキシ、エポ
キシアクリレート、脂肪酸変性エポキシ、ポリアルキレ
ンエーテル型、ジグリシジルエステル型などがあげられ
る。また、必要に応じて、公知の反応性希釈剤を用いる
こともできる。例えば、ジグリシジルエーテル、エチレ
ングリコールジグリシジルエーテル、１、３ブタンジオ
ールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグ
リシジルエーテルなどがあげられる。

【００１８】レゾール型フェノール樹脂としては、フェ
ノール・ホルムアルデヒド型レゾール型樹脂、アルキル
フェノールレゾール型樹脂、キシレン樹脂変性レゾール
型樹脂、ロジン変性フェノール樹脂などがあげられる。
ポリイミド樹脂としては、縮合型ポリイミドやビスマレ
イド系樹脂、付加型ポリイミド樹脂があげられる。

【００１９】ポリウレタン樹脂としては、ウレタンを形
成するウレタンプレポリマーが使用できるが、好ましく
は、末端活性イソシアネート基を活性水素化合物でブロ
ックしたブロックイソシアヌレートプレポリマーを主体
にするものが好ましい。これらの熱硬化型樹脂の中で
は、エポキシ樹脂を用いるものが好ましい。中でも、ビ
スフェノールＡ型、Ｆ型のエポキシ樹脂が好ましい。特
に、無溶剤型のエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。必
要に応じて硬化剤を用いられ、イミダゾール系硬化剤、
有機ポリアミン、酸無水物、ジシアンジアミド、ベンゾ
グアナミンなどの公知のものを使用するのが好ましい。
硬化方法は、１３０〜２５０℃程度で加熱硬化する方法
が好ましい。この場合、あまり高い温度で硬化するとＴ
ＡＢ上のＩＣ回路および液晶に悪影響を及ぼすため、で
きれば、数秒から数分で加熱硬化を終了されるものが好
ましい。好ましくは４秒から８０秒程度の間である。こ
の時、０．１〜９０ｋｇ／ｃｍ² の圧力をかけて硬化さ
せるのが好ましい。加熱方法はヒーター、レーザーなど
の公知の方法でよい。

【００２０】紫外線硬化型樹脂を用いる場合には、光重
合性オリゴマー、光重合性モノマーを光開始剤、光開始
助剤とともに用いられる。光重合性オリゴマーとして
は、低分子量反応性分子（数百から数千）で、ポリエス
テル、エポキシ、ウレタンなどの骨格に官能基としてア
クリル基、メタアクリル基が２つ以上付加したものであ
り、例えばエポキシアクリレート、ウレタンアクリレー
ト、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレ
ートが挙げられる。

【００２１】光重合性モノマーとしては、アクリロイル
基（ＣＨ₂ ＝ＣＨＣＯ−）または、メタクリロイル基
（ＣＨ₂ Ｃ（ＣＨ₃ ）ＣＯ−）を１分子当たり１個また
は２個以上持つものであり、１個以上持つ単官能アクリ
レート（メタ）、２個以上持つ多官能アクリレート、そ
の他、ビニル基（ＣＨ₂ ＝ＣＨ−）を持つものが好まし
い。

【００２２】前記光重合性オリゴマー、モノマーととも
に用いられる光開始剤は、紫外線を吸収してラジカルを
発生しやすい物質が好ましく、アセトフェノン系、チオ
キサントン系、ベンゾイン系、パーオキサイド系の公知
の物質を用いることができる。光開始助剤としては、そ
れ自身は紫外線照射により活性化はしないが、光開始剤
とともに用いると光開始剤単独よりも開始反応が促進さ
れ、硬化反応を効率的にするものであり、脂肪族、芳香
族のアミンなどの公知の光開始助剤を使用できる。紫外
線照射により硬化する方法としては、液晶パネル上に塗
布し、ＴＡＢフィルムを位置合わせして張り合わせてか
ら、液晶パネル側から紫外線照射発生装置を用いて数秒
から数十秒照射するのが良い。０．１Ｗ〜１ＫＷ／ｃｍ
² のパワーであれば充分である。接点をさらに良好にす
うための加圧して行うのがさらに好ましい。この時、例
えば、０．１〜９０ｋｇ／ｃｍ² 程度の加圧で行うのが
好ましい。

【００２３】紫外線硬化型樹脂を用いる場合には、加熱
硬化型樹脂と同様に、溶剤の揮発によるガス発生を防止
するため無溶剤でもちいるのが好ましい。ただし、特性
を損なわない程度であれば多少の公知の溶剤を用いるこ
ともできる。溶剤を用いる場合には、メチルカルビトー
ル、エチルカルビトール、ブチルカルビトール及びそれ
らのアセテート、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ及びそれらのアセテート、２、
２、４ートリメチルー１、３ペンタンジオールモノイソ
ブチレート、テルペノール、キシレン、酢酸ブチル、ト
ルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどが挙げられるがこれらに限ったもので
はない。

【００２４】本発明の組成物は、絶縁フィルム上に形成
された導体回路の接続用導体部（例えばＴＡＢフィルム
の接続リード）と液晶パネルＩＴＯ電極との接続用とし
て用いられるが、前述の導電粉末１重量部に対して、前
記有機バインダー０．５〜１００重量部添加してなる
が、０．５重量部未満の場合には、電極間での導電粉末
の量が多すぎて、隣のパネル電極間でショートを起こし
てしまう。また、１００重量部以上の場合には、ＩＴＯ
電極と絶縁フィルム上の接続用導体部間での導電粉末の
量が少なすぎて、絶縁であるＩＴＯ電極と接続用導体部
の組み合わせが存在してしまう。好ましくは、１〜８０
重量部、さらに、好ましくは、１．５〜５０重量部であ
る。

【００２５】本発明の電極接続用組成物は、絶縁フィル
ム上接続用導体部（例えばＴＡＢフィルムの接続用リー
ド）とＩＴＯ電極とを接合するものであるが、絶縁フィ
ルムの基材は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリアミド、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニ
レンスルフィドなどが挙げられる。基材の厚さは数十μ
ｍから数ｍｍ程度のものを使用することができる。

【００２６】絶縁フィルム上の接続用導体部は、銅、
銀、金、銅−銀合金、すずメッキ銅、はんだメッキ銅、
アルミニウム、ニッケル、金−白金合金などの導体が挙
げられる。これらは、公知の方法で得られるもので構わ
ないが、接続用にリード形態のものが良い。リード幅と
して、数十μｍから数百μｍのものが特に好ましい。例
えば、ＴＡＢの外部リード形態など公知の形態のもので
構わない。

【００２７】一方、本発明で使用されるＩＴＯ電極は、
基材として特にこだわらないが、液晶パネル電極として
用いられるＩＴＯ電極が好ましい。ＩＴＯ電極の厚さと
しては、数十〜数千Å程度のもので構わない。作製方法
は蒸着、スパッタリングなど公知の方法で構わない。本
発明の導電異方性電極接続用膜は、絶縁フィルム上の接
続用導体部（例えばＴＡＢ化されたＩＣドライバー回路
の接続リード）とＩＴＯ電極との接合を電極方向に対し
て行うことを目的にしたものであり、この導電異方性電
極接続用膜の厚さは数μｍから数十μｍが好ましい。あ
まり、膜の厚さが薄すぎると（サブμｍ）、隣の電極へ
導電粒子が変形して接触するためにショートをおこし易
くなる。１００μｍを超えるほど厚くなると、導電粒子
が充分に両導体との接続接点を有しなくなり、好ましく
ない。

【００２８】本発明で指摘される導電異方性電極接続用
膜の膜厚とは、接合後断面をカットして、電子顕微鏡で
観察して測定した。また、絶縁フィルム上接続用導体部
とＩＴＯ電極間の抵抗値は低ければ低い方が良いが、お
もにＩＴＯ電極での抵抗値が支配的になるためＩＴＯ電
極の抵抗値に比べて顕著に増加しなければ構わない。例
えば、シート抵抗値で数十ミリオームから数十オームが
達成されるものでよい。このようにして作製された導電
異方性電極接続用膜は、金を用いないためコストが安い
ことはもちろんのこと、微細電極間でのマイグレーショ
ンもなく、かつ金メッキ樹脂粉のように、加圧時に異常
なひび割れを起こしたりすることもない。また、金めっ
きニッケル粉、ニッケル粉のように硬度が高くて加圧時
の充分な接触面積が得られないこともなく、銅をベース
にするため適度の硬度を有するため、優れた接触面積と
接点での耐酸化性を示すものである。

【００２９】ＩＴＯ電極間でのマイグレーション及びシ
ョートの発生は、作製初期と６０℃、９０％ＲＨ中１０
００時間、電極間に１０Ｖの直流電圧印可した環境試験
前後でリーク電流を測定することによって調べた。以下
に実施例を示す。

【００３０】

【実施例】

【００３１】

【粉末作製例１】銅粒子（純度９９．９重量％以上、平
均粒子径２ｍｍφ）６０３ｇ，銀粒子（純度９９．９重
量％以上、平均粒子径１ｍｍφ）５４ｇを混合して、黒
鉛るつぼ中１７００℃まで窒素雰囲気中で加熱溶解し
た。 融液をるつぼ先端より窒素雰囲気中へ噴出し、噴
出と同時に、５０ｋｇ／ｃｍ² Ｇの窒素ガス（純度９
９．９重量％以上）を融液に対して噴出し、アトマイズ
した。得られた導電粉末は球状で平均粒子径は１０μｍ
であった。気流分級機（日清エンジニアリング社製 Ｔ
Ｃ−１５Ｎ）を用いて５〜１０μｍで分級した。平均粒
子径７μｍであった。この時７±２μｍの範囲の粉末の
体積積算で表される存在率が８７％であった。平均粒子
径７μｍの粉末の表面の銀濃度は、０．６、０．５、
０．５６、０．４、０．３７であり、表面の銀濃度は
０．５５であった。平均の銀濃度は０．０５であり、表
面の銀濃度は平均の銀濃度の１３倍であった。

【００３２】

【粉末作製例２】銅粒子５７１．５ｇ，銀粒子１０８ｇ
を混合して、１７５０℃まで窒素雰囲気中で加熱溶解し
た。融液を窒素雰囲気中へ噴出し、噴出と同時に５０ｋ
ｇ／ｃｍ ² Ｇの窒素ガス（純度９９．９％以上）を噴出
し、融液をアトマイズした。得られた導電粉末は、球状
で平均粒子径９μｍであった。気流分級機を用いて、３
〜８μｍで分級した。平均粒子径５μｍであった。この
時、５±２μｍの範囲の粉末の体積積算で表される存在
率が９８％であった。

【００３３】さらに、得られた平均粒子径５μｍの粒子
の表面の銀濃度は０．８、０．７、０．６、０５、０で
あり、表面の銀濃度は０．７５であった。平均の銀濃度
は０．１であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の７．５
倍であった。

【００３４】

【粉末作製例３】銅粒子４４．５ｇ，銀粒子３２４ｇを
混合して、黒鉛るつぼ中で１７００℃までヘリウム雰囲
気中で加熱溶解した。融液をるつぼ先端よりヘリウム雰
囲気中へ噴出した。噴出と同時に、５０ｋｇ／ｃｍ² Ｇ
のヘリウムガス（純度９９．９重量％以上）を噴出し融
液をアトマイズした。得られた導電粉末は球状であり、
平均粒子径６μｍであった。気流分級機で２〜７μｍで
分級した。得られた粉末の粒子径は４μｍであり、４±
２μｍの範囲の粒子の体積積算存在率は９７％であっ
た。得られた、分級粉末の表面の銀濃度は０．９、０．
８６、０．８、０．７、０．６であり、表面の銀濃度は
０．８８であった。平均の銀濃度は０．３であり、表面
の銀濃度は平均の銀濃度の２．９倍であった。

【００３５】

【粉末作製例４】銅粒子３１７ｇ，銀粒子５４０ｇを混
合して、黒鉛るつぼ中で１７００℃まで加熱溶解した。
さらに、融液をるつぼ先端より噴出して融液を５０ｋｇ
／ｃｍ²Ｇ窒素ガスでアトマイズした。得られた粉末は
球状で、平均粒子径１０μｍであった。さらに、気流分
級機で２〜５μｍでカットした。得られた粉末は平均４
μｍであり、４±２μｍの粒子の体積積算基準の存在率
は９０％であった。分級粉の表面の銀濃度は０．９であ
り、平均の銀濃度０．５の１．８倍であった。

【００３６】

【実施例１】粉末作製例１で得られた平均粒子径７μｍ
の粉末１重量部に対して、ビスフェノールＡ型液状エポ
キシ樹脂２０重量部、イミダゾール系硬化剤３重量部を
加えて組成物を作製した。得られた組成物を、既に１０
０μｍ間隔でＩＴＯ電極が形成されている液晶パネル電
極上に２０μｍ厚みで塗布した。銅導体の接続リードを
有し、ＩＣを実装した７５μｍ厚みのポリイミドフィル
ム（ＴＡＢフィルム）を１００μｍ幅ＩＴＯ電極上に位
置合わせして張り合わせ、１７０℃、３０秒間、圧力３
０ｋｇ／ｃｍ² で硬化した。得られた導電異方性電極接
続用膜の厚さは１０μｍであった。断面を一部カットし
たところ銅導体とＩＴＯ電極間に導電粉末が存在し、得
られた異方性導電膜の厚さ方向の電極と導体間での導電
性は良好であった。導電粉末は接点で多少つぶれて変形
していたが、粉末のひび割れとか見られなかった。成膜
後、及び環境試験後の各隣同士の電極間でのショート発
生率は１ｐｐｍ以下であった。

【００３７】

【実施例２】粉末作製例１で得られた平均粒子径７μｍ
の粉末１重量部に対して、ビスフェノールＡ型液状エポ
キシ樹脂８０重量部、イミダゾール系硬化剤３０重量
部、ジシアンジアミド硬化剤１重量部を混合して組成物
を作製した。得られた組成物を既にＩＴＯ電極が形成さ
れている液晶パネル電極上に１５μｍにコーテイングし
た。７０μｍすずメッキ銅導体の外部接続用リードを有
する５０μｍ厚みポリイミドフィルム（ＴＡＢフィル
ム）をＩＴＯ電極上に位置合わせして張り合わせ、１７
０℃、１０秒間、３０ｋｇ／ｃｍ² の加圧で硬化させ
た。得られた導電異方性電極接続用膜の厚さは８μｍで
あり、すずメッキ銅導体とＩＴＯ電極間での各組み合わ
せでの導電性は良好であった。一部カットしたところ、
各導体とＩＴＯ電極との間には、導電粉末が存在してお
り、導電粉末の接点部分では変形しており、接点面積が
増加していた。しかし、粒子のひび割れや完全なつぶれ
は見られなかった。成膜後及び環境試験後での各電極間
でのショート発生率は１ＰＰＭ以下であった。

【００３８】

【実施例３】粉末作製例２で得られた平均粒子径５μｍ
の導電粉末１重量部に対して、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂１重量部、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹
脂１５重量部、フェノールーホルムアルデヒド型レゾー
ル型フェノール樹脂１重量部、芳香族ポリアミン１重量
部、ブチルカルビトールアセテート１重量部を混合して
組成物とした。得られた組成物を、既にＩＴＯ電極が形
成されている液晶パネル電極上に１５μｍの厚さでコー
テイングした。

【００３９】銀導体の接続用リードを有する７０μｍ厚
みのポリエチレンテレフタレートをＩＴＯ電極上に位置
合わせして張り合わせ、１５０℃、７０秒間、５０ｋｇ
／ｃｍ² の圧力で加熱硬化した。得られた導電異方性電
極接続用膜の厚さは７μｍであった。各銀導体とＩＴＯ
電極との組み合わせでの導電性は良好であった。一部を
厚さ方向にカットしたところ、各銀導体とＩＴＯ電極間
には導電粉末が存在しており、導電粉末は接点部分で多
少変形しており、接点面積は増加していた。しかし、ひ
び割れや、完全な変形が見られなかった。

【００４０】また、成膜後と環境試験後でのＩＴＯ電極
間、銀導体間でのショートは見られなかった。

【００４１】

【実施例４】粉末作製例２で得られた平均粒子径５μｍ
の導電粉末１重量部に対して、光重合性オリゴマーとし
て分子量１０００のエポキシアクリレート１０重量部、
光重合性モノマーとして、アリルアクリレート１０重量
部、光重合開始剤として、ジエトキシアセトフェノン５
重量部、光重合開始助剤として、トリエタノールアミン
１重量部を混合して組成物を作製した。得られた組成物
を既にＩＴＯ電極が形成されている液晶パネル電極上に
１４μｍ厚さでコーテイングした。さらに、銀導体でな
る接続用リードを有する７５μｍ厚さのポリフェニレン
スルフィドフィルムをＩＴＯ電極上に位置合わせして張
り合わせた。さらに、液晶パネル側から、４０Ｗ／ｃｍ
² の紫外線を２０秒照射しながら、３０ｋｇ／ｃｍ² の
圧力で硬化した。

【００４２】得られた導電異方性電極接続用膜の各銀導
体とＩＴＯ電極間での導電性は良好であった。また、一
部を厚み方向でカットしたところ、各銀導体とＩＴＯ電
極間には導電粉末が存在していた。導電粉末は多少接点
部で変形していて接点面積が増加していた。しかし、粉
末のひび割れや完全な変形は見られなかった。また、成
膜後と環境試験後での各電極間、銀導体間でのマイグレ
ーションやショートは見られなかった。

【００４３】

【実施例５】粉末作製例３で得られた平均粒子径４μｍ
の導電粉末１重量部に対して、液状エポキシ樹脂２０重
量部、イミダゾール系硬化剤５重量部を混合して組成物
を作製した。得られた組成物を既にＩＴＯ電極が形成さ
れている液晶パネル上に１５μｍ厚さでコーテイングし
た。さらに、アルミニウム導体からなる接続用リードを
有する７０μｍ厚みのポリアミドフィルムをＩＴＯ電極
上に各導体と合うように位置合わせして張り合わせ、１
６０℃、４０秒間で１０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で硬化し
た。

【００４４】得られた導電異方性電極接続用膜の各アル
ミニウム導体とＩＴＯ電極間での導電性は良好であり、
また、一部を厚さ方向にカットして断面を調べたとこ
ろ、各アルミニウム導体、ＩＴＯ電極間には導電粉末が
存在していた。この時、導電粉末は接点不で多少変形し
ており、接点における接点面積は増加していた。しか
し、粉末のひび割れ、完全な変形による接点不良は見ら
れなかった。

【００４５】

【比較例１】粉末作製例４で得られた平均４μｍの導電
粉末１重量部に対して、液状エポキシ樹脂３０重量部、
イミダゾール系硬化剤２０重量部を混合して組成物を作
製した。得られた組成物を既にＩＴＯ電極が形成されて
いる液晶パネル上に厚さ２０μｍでコーテイングした。
さらに、金導体で形成されている接続リードを有する７
５μｍポリエーテルエーテルケトンフィルムをＩＴＯ電
極上に導体を位置合わせして張り合わせ、１６０℃、３
０秒間、圧力３０ｋｇ／ｃｍ² で硬化した。得られた導
電異方性電極接続用膜の膜厚は６μｍであった。また、
各金導体とＩＴＯ電極間での導電性は良好であった。一
部を厚み方向にカットして各金導体、ＩＴＯ電極間には
導電粉末が存在していた。

【００４６】また、成膜後、及び環境試験後のマイグレ
ーションによる各電極間でのショート発生は顕著に起こ
った。

【００４７】

【比較例２】平均粒子径３μｍで３±２μｍの粒子の体
積積算存在が９０％である銅粉末を用いる以外は比較例
１と同様にして組成物を作製した。得られた組成物を既
にＩＴＯ電極が形成されている液晶パネル上に１３μｍ
厚みでコーテイングした。さらに、銀−銅合金導体から
なる接続用リードを有する７５μｍポリイミドフィルム
の接続用導体をＩＴＯ電極上に位置合わせして張り合わ
せ、１６０℃、６０秒間、４０ｋｇ／ｃｍ² で硬化し
た。得られた異方性導電膜の膜厚は３μｍであった。各
銀−銅合金導体とＩＴＯ電極間での導電性はやや悪かっ
た。さらに、環境試験後の導電性は著しく悪くなり、接
点での銅粉末の酸化が見られた。

【００４８】

【比較例３】粉末作製例１で得られた平均粒子径７μｍ
の粉末１重量部に対して、液状エポキシ樹脂３００重量
部、イミダゾール硬化剤２０重量部を混合して組成物と
した。得られた組成物を既にＩＴＯ電極が形成されてい
る液晶パネル上に１５μｍ厚さでコーテイングした。さ
らに、銅導体からなる接続用リードを有する７５μｍポ
リアミドフィルム上の接続用導体部をＩＴＯ電極上に位
置合わせして張り合わせた。さらに、１６０℃、３０秒
間、４０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で硬化した。この時、導電
異方性電極接続用膜の厚みは８μｍであった。各銅導体
とＩＴＯ電極での導電性を測定したところ、ところどこ
ろの電極間で導通不良が生じた。一部を厚み方向にカッ
トして調べたところ、ところどころの電極、銅導体間で
導電粉末が存在していないところが見られた。

【００４９】

【比較例４】粉末作製例１で得られた粉末中、２０μｍ
以上の粉末を分級した。平均粒子径２５μｍであった。
この分級粉末１重量部に対して、実施例１と同じ有機バ
インダー組成で組成物を作製した。得られた組成物をＩ
ＴＯ電極が形成されている液晶パネル上に３０μｍ厚さ
でコーテイングした。さらに、銅導体で形成されている
接続用リードを有する７５μｍ厚みのポリイミドフィル
ムをＩＴＯ電極上に位置合わせして張り合わせた。さら
に、１６０℃、４０秒間、２０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で硬
化した。得られた異方性導電膜の厚さは７μｍであっ
た。各導体とＩＴＯ電極間での導通は良好であったが、
しかし、各ＩＴＯ電極、各導体どうしでショートが見ら
れた。一部カットして断面を見たところ、電極間に存在
する粒子が大きすぎて隣の電極とショートしていたり変
形して大きくなりそのためショートが起こったりしてい
た。

【００５０】

【比較例５】粉末作製例１で作製された導電粉末を分
級、混合操作を繰り返して、平均粒子径１０μｍでかつ
１０±２μｍの粒子の体積積算存在割合が５０％の混合
導電粉末を作製した。混合導電粉末１重量部に対して、
実施例１と同じ有機バインダー組成割合で組成物を作製
した。得られた組成物を実施例１と同じＩＴＯ電極、有
機フィルム、硬化条件で接合した。得られた異方性導電
膜の厚さは７μｍであった。各導体とＩＴＯ電極との組
み合わせにおける導通はところどころ導通不良が生じて
いた。一部厚さ方向にカットして断面を調べたところ、
ところどころの導体、ＩＴＯ電極組み合わせにおいて粉
末が接点を有していないものがあった。これは、粒子径
分布が広すぎて接点不良を生じたものと思われる。

【００５１】

【比較例６】平均粒子径１０μｍでかつ１０±２μｍの
粒子の体積積算あたりの存在割合が９０％である金メッ
キポリスチレン粒子１重量部に対して、実施例１と同じ
有機バインダー比で組成物を作製した。得られた組成物
で実施例１と同じＩＴＯ電極、有機フィルムを用いて接
続した。得られた異方性導電膜の厚さは８μｍであり、
各導体とＩＴＯ電極との導通は良かった。しかし、、一
部を厚さ方向にカットして導体、ＩＴＯ電極間の導電粉
末の形状を調べたところ、一部でポリスチレン粒子がひ
び割れを起こしていた。環境試験にかけたところ、ひび
割れポリスチレン粒子の金メッキ部分がポリスチレン粒
子表面から剥がれ落ち、導通の悪いＩＴＯ電極が増加し
た。

【００５２】

【発明の効果】本発明は、金などを用いないため大幅な
コスト節減ができるのはもちろん、電極間でのショート
がなく、導電粉末がある程度変形しやすいため絶縁フィ
ルム上の接続リードとＩＴＯ電極とが充分な接続導通を
有し、そのためひび割れなどのない耐環境性に優れた導
電異方性電極接続用組成物及びその硬化膜を提供するも
のである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁フィルム上に形成された接続用導体
   部と基板上に形成されたＩＴＯ電極部とを接合する導電
   異方性組成物において、該導電異方性組成物が、（Ａ）
   一般式Ａｇ_x Ｃｕ_1-x （ただし、０．００８≦ｘ≦０．
   ４、原子比）で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平均の
   銀濃度の２．２倍より高く、表面近傍で粒子表面に向か
   って銀濃度が増加する領域を有し、平均粒子径が２．５
   〜２３μｍで、かつ平均粒子径±２μｍの存在割合が８
   ０％以上である球状の導電粉末１重量部、及び（Ｂ）有
   機バインダー０．５〜１００重量部からなることを特徴
   とする導電異方性電極接続用組成物。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の導電異方性電極接続用
   組成物を絶縁フィルム上の接続用導体部とＩＴＯ電極間
   で硬化してなる、該接続用導体部とＩＴＯ電極間方向に
   導電性を有する導電異方性電極接続用膜。