WO2007099965A1 - 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法 - Google Patents

回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007099965A1
WO2007099965A1 PCT/JP2007/053669 JP2007053669W WO2007099965A1 WO 2007099965 A1 WO2007099965 A1 WO 2007099965A1 JP 2007053669 W JP2007053669 W JP 2007053669W WO 2007099965 A1 WO2007099965 A1 WO 2007099965A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
circuit
circuit member
connection
particles
connection structure
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/053669
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tetsuyuki Shirakawa
Jun Taketatsu
Masaru Tanaka
Original Assignee
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Company, Ltd. filed Critical Hitachi Chemical Company, Ltd.
Priority to JP2007532716A priority Critical patent/JP4605225B2/ja
Publication of WO2007099965A1 publication Critical patent/WO2007099965A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8336Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body
    • H01L2224/83365Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01025Manganese [Mn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0106Neodymium [Nd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01073Tantalum [Ta]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0224Conductive particles having an insulating coating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Definitions

  • Circuit connection material circuit connection material, circuit member connection structure using the same, and manufacturing method thereof
  • the present invention relates to a circuit connection material, a circuit member connection structure using the same, and a method of manufacturing the same.
  • a liquid crystal driving IC is mounted on a liquid crystal display glass panel by COG (Chip-On-Glass) mounting or COF (Chip-On-Flex) mounting.
  • COG mounting a liquid crystal driving IC is directly bonded onto a glass panel using a circuit connection material containing conductive particles.
  • COF mounting a liquid crystal drive IC is bonded to a flexible tape with metal wiring, and they are bonded to a glass panel using a circuit connection material containing conductive particles.
  • the gold bumps which are circuit electrodes of liquid crystal driving ICs
  • the gold bumps have become narrower and have a smaller area. Therefore, conductive particles in the circuit connection material are adjacent to each other. There is a risk of short circuit due to outflow between matching circuit electrodes.
  • the number of conductive particles in the circuit connection material captured between the gold bumps and the glass panel decreases, and the connection resistance between the opposing circuit electrodes decreases. There is a concern that it will rise and poor connection will occur.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 8-279371
  • Patent Document 2 Japanese Patent No. 2794009
  • Patent Document 3 JP 2005-197089
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-197091
  • the adjacent circuit can be connected even if a method of forming an insulating adhesive layer on one side of the circuit connection material is used.
  • the insulation between the electrodes was insufficient.
  • the insulation between the adjacent circuit electrodes is improved to some extent, but the study by the present inventor clearly shows that the connection resistance between the facing circuit electrodes is not always sufficiently reduced. became.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and sufficiently maintains the insulation between adjacent circuit electrodes on the same circuit member, while sufficiently reducing the connection resistance between the facing circuit electrodes. It is an object of the present invention to provide a circuit connection material that can be reduced, a circuit member connection structure using the same, and a manufacturing method thereof.
  • the present inventors have found that the above problem can be solved by combining coated particles that are covered with insulating fine particles and uncoated particles that are covered with insulating fine particles. It was. When uncoated particles were added to the circuit connection material, it was thought that the insulation between adjacent circuit electrodes on the same circuit member was adversely affected. However, according to the knowledge of the present inventors, if uncoated particles are combined with coated particles, the connection resistance can be reduced while maintaining a sufficient level of insulation between adjacent circuit electrodes on the same circuit member. It was found that this is possible.
  • the circuit connection material of the present invention includes a first circuit member in which a plurality of first circuit electrodes are formed on the main surface of the first circuit board, and a main surface of the second circuit board.
  • This circuit connection material is interposed between the first and second circuit members, and the connection structure of the circuit members in which the first and second circuit members are connected has the same circuit current on the same circuit member.
  • the connection resistance between the circuit electrodes facing each other can be reduced while maintaining the insulation between the electrodes.
  • the conductive particles have a nucleus composed of an organic polymer compound.
  • the total concentration of coated and uncoated particles in the circuit connecting material is 3% of the total circuit connecting material.
  • the ratio of the uncoated particles to the coated particles is preferably 2.0 or less by volume ratio.
  • circuit member connection structure obtained by using the circuit connection material containing the coated particles and the uncoated particles at this volume ratio reduces the connection resistance between the circuit electrodes facing each other, while maintaining the same circuit member.
  • the insulation between adjacent circuit electrodes is further improved.
  • the circuit member connection structure of the present invention includes a first circuit member in which a plurality of first circuit electrodes are formed on the main surface of the first circuit board, and a main surface of the second circuit board. A plurality of second circuit electrodes are formed on the first circuit electrode, the second circuit member is disposed so as to face the first circuit electrode, the first circuit board, and the second circuit electrode. A circuit provided between the circuit board and a circuit connecting portion for connecting the first circuit member and the second circuit member so that the first and second circuit electrodes are electrically connected to each other.
  • a member connection structure characterized in that a circuit connection portion is constituted by the circuit connection material cover described above.
  • Such a circuit member connection structure faces each other while maintaining the insulation between adjacent circuit electrodes on the same circuit member because the circuit connection portion is made of the circuit connection material described above. The resistance value between the circuit electrodes can be reduced.
  • the resistance between the adjacent circuit electrodes is It is preferable that the resistance value is 10 3 ⁇ or more.
  • At least one of the first circuit member and the second circuit member is an IC chip.
  • a resistance value between the first circuit electrode and the second circuit electrode is 20 ⁇ or less.
  • connection resistance in the thickness direction of the circuit board is sufficiently reduced, so that the insulation between adjacent circuit electrodes on the same circuit member is maintained while facing each other.
  • the resistance value between the circuit electrodes can be further reduced.
  • the surface force of at least one of a surface of the first circuit electrode facing the second circuit electrode and a surface of the second circuit electrode facing the first circuit electrode It is preferable that at least one kind of force selected from the group consisting of gold, silver, tin, platinum group metals and indium tin oxide is also configured! /.
  • the surface force of at least one of the facing surface of the first circuit member facing the second circuit member and the facing surface of the second circuit member facing the first circuit member is also configured! /.
  • the adhesive strength between the circuit member and the circuit connecting portion is further improved as compared with the case where the surface of the circuit member is not composed of the above material.
  • a method for manufacturing a circuit member connection structure includes a first circuit member in which a plurality of first circuit electrodes are formed on a main surface of a first circuit board, and a main circuit of the second circuit board.
  • a second circuit member having a plurality of second circuit electrodes formed on the surface is disposed so that the first circuit electrode and the second circuit electrode are opposed to each other, and the circuit described above is interposed therebetween.
  • Intervening connection material The entire circuit is heated and pressurized in a state of being made to connect the first circuit member and the second circuit member so that the first and second circuit electrodes are electrically connected.
  • a circuit connection material capable of reducing the connection resistance between opposing circuit electrodes while maintaining insulation between adjacent circuit electrodes on the same circuit member, and a circuit member using the circuit connection material
  • a connection structure and a manufacturing method thereof can be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a circuit member connection structure of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a film-like circuit connecting material of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment of the coated particles used in the circuit connecting material of the present invention.
  • FIG. 4 is an electron micrograph showing an example of coated particles with a coverage of 20%.
  • FIG. 5 is an electron micrograph showing an example of uncoated particles.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an embodiment of uncoated particles used in the circuit connecting material of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing a circuit member connection structure according to the present invention.
  • 10 10 ⁇ Circuit member connection structure, 20 ⁇ Circuit member (first circuit member), 21 ⁇ Circuit board (first circuit board), 21a ... Main surface, 22 ⁇ Circuit electrode (first circuit electrode), 23, 33 ... Electrode part, 24, 34 ... Electrode surface layer, 30 ... Circuit member (second circuit member), 31 ... Circuit board (second Circuit board), 31a ... main surface, 32 ... circuit electrode (second circuit electrode), 35 ... substrate surface layer, 40, 41 ... adhesive composition, 50 ... coated particles, 51 ... Conductive particles, 51 ⁇ ⁇ Nucleus, 51y- outer layer, 51a ... Conductive particle surface, 52 ⁇ ⁇ ⁇ Insulating fine particles, 53 ⁇ ⁇ ⁇ Uncoated particles, 60 ⁇ ⁇ ⁇ Circuit Connection part, 61 ... Film-like circuit connection material.
  • (Meth) acryl in the present invention means acryl and methacryl corresponding thereto,
  • (Meth) acrylic acid means acrylic acid and methacrylic acid corresponding to it.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a circuit member connection structure of the present invention.
  • the circuit member connection structure 10 of the present embodiment includes a circuit member 20 (first circuit member) and a circuit member 30 (second circuit member) facing each other, and the circuit member 20 and the circuit member 30. Between the two, a circuit connecting portion 60 for connecting them is provided.
  • the circuit member 20 includes a circuit board 21 (first circuit board) and a plurality of circuit electrodes 22 (first circuit electrodes) formed on the main surface 21a of the circuit board 21.
  • the circuit member 30 includes a circuit board 31 (second circuit board) and a plurality of circuit electrodes 32 (second circuit electrodes) formed on the main surface 31a of the circuit board 31.
  • the circuit electrodes 22 and 32 have electrode portions 23 and 33 and electrode surface layers 24 and 34 provided on the surface on the side facing the circuit electrodes 22 or 32.
  • the electrode portions 23 and 33 are made of various conductive metals, metal oxides, alloys, various plastics such as polystyrene and epoxy resin, various rubbers such as styrene butadiene rubber and silicone rubber, starch and the like. It is composed of natural polymers such as cellulose alone or in combination of two or more thereof. Examples of metals include Zn, Al, Sb, Au, Ag, Sn, Fe, Cu, Pb, Ni, Pd, and Pt, and these can be used alone or in combination. In addition, other metals such as Mo, Mn, Cd, Si, Ta, and Cr and their compounds are added to the above metals for special purposes such as adjusting hardness and surface tension and improving adhesion. be able to.
  • Ni, Ag, Au, Sn, Cu and the like are preferably used from the viewpoint of good conductivity and corrosion resistance, and these can be formed as a single layer or a multilayer.
  • the electrode surface layers 24 and 34 are made of gold, silver, tin, a platinum group metal, indium stannate (ITO), or a combination of two or more thereof.
  • the circuit boards 21 and 31 are made of an insulating material such as flexible tape or glass.
  • a substrate surface layer 35 is provided on the surface of the circuit member 30 facing the circuit member 20.
  • the substrate surface layer is composed of silicon nitride, silicone compound, polyimide resin, or a combination of two or more thereof.
  • the substrate surface layer 35 improves the adhesive strength between the circuit member 30 and the circuit connection portion 60.
  • the substrate surface layer is preferably composed of an organic insulating material cover such as polyimide resin.
  • the substrate surface layer is preferably composed of silicon nitride, silicone compound, polyimide resin, silicone resin, or a combination of two or more thereof.
  • the circuit connecting portion 60 is provided between the main surface 21a of the circuit board 21 and the main surface 31a of the circuit board 31, and the circuit members 20 and 30 are arranged so that the circuit electrodes 22 and 32 face each other. Connect.
  • the circuit connection portion 60 includes an adhesive composition 40, coated particles 50 in which a part of the surface 51a of the conductive particles 51 is coated with the insulating fine particles 52, and a conductive material in which the entire surface is in contact with the adhesive composition 40. And uncoated particles 53 made of conductive particles 51.
  • circuit member 20 and the circuit member 30 are electrically connected via at least one of the coated particles 50 and the uncoated particles 53.
  • connection structure 10 having the above-described structure, when a DC voltage of 50 V is applied between the adjacent circuit electrodes 22 or 32, the resistance between the adjacent circuit electrodes 22 or 32
  • the value is preferably 10 3 ⁇ or more, more preferably 10 9 ⁇ or more.
  • connection resistance is preferably 20 ⁇ or less, more preferably 1 ⁇ or less. If the resistance value between the opposing circuit electrodes, that is, the resistance value in the thickness direction of the circuit board is sufficiently reduced, the occurrence of connection failure can be prevented.
  • connection form of the connection structure 10 include connection between an IC chip and a chip mounting substrate, connection between electric circuits, connection between an IC chip and a glass substrate or a flexible tape in COG mounting or COF mounting. Can be mentioned.
  • circuit members 20 and 30 include a chip component such as a semiconductor chip, a resistor chip or a capacitor chip, or a substrate such as a printed circuit board.
  • circuit components 2 are included in the circuit members 20 and 30.
  • At least one of 0 and 30 is an IC chip.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a film-like circuit connecting material.
  • 1 contains an adhesive composition 41, coated particles 50 and uncoated particles 53.
  • the adhesive composition 41 preferably contains a radical polymerizable compound and a curing agent that generates free radicals upon heating. With the circuit connecting material containing such an adhesive composition, the circuit members 20 and 30 are easily connected by heating.
  • the radical polymerizable compound is a compound having a radical polymerizable functional group.
  • examples of the radically polymerizable compound include attareito toy compounds and maleimide compounds.
  • the radically polymerizable compound may be used in the form of a monomer or an oligomer, and a monomer and an oligomer may be used in combination.
  • the adhesive composition 41 may contain an epoxy resin and its curing agent.
  • the epoxy resin includes bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, taresol novolac type epoxy resin, bis Phenolic A novolac type epoxy resin, Bisphenol F novolac type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidinoleamine type epoxy resin, hydantoin type epoxy resin, isocyaner Examples thereof include nurate type epoxy resin and aliphatic chain epoxy resin. These epoxy resins may be halogenated or hydrogenated. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
  • Curing agents that is, curing agents for epoxy resin, include amines, phenols, acid anhydrides, imidazoles, hydrazides, dicyandiamide, boron trifluoride-amine complexes, Examples thereof include sulfo-um salt, iodonium salt, ammine imide and the like. These can be used singly or in combination of two or more, and may be used by mixing a decomposition accelerator, an inhibitor and the like. In addition, those obtained by coating these curing agents with polyurethane-based or polyester-based polymer substances and microcapsules are preferable because the pot life is extended.
  • the coated particles 50 have conductive particles 51 and insulating particles 52.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment of the coated particles used in the circuit connecting material of the present invention. A part of the surface 51a of the conductive particles is covered with insulating fine particles 52.
  • the conductive particles 51 are constituted by the core 5 lx constituting the central portion and the outer layer 5 ly provided on the surface of the core 5 lx! RU
  • Examples of the material of the core 5 lx include glass, ceramics, and organic polymer compounds. Among these materials, those that can be deformed by heating and Z or pressurization (for example, glass, organic polymer compounds) are preferable. If the core 51x is deformed, when the coated particle 50 is pressed by the circuit electrodes 22 and 32, the contact area with the circuit electrode increases. Further, irregularities on the surface of the circuit electrodes 22 and 32, the electrode surface layers 24 and 34, and the substrate surface layer 35 can be absorbed. As a result, the connection reliability between the circuit electrodes is improved.
  • materials suitable for forming the core 5 lx include, for example, acryl resin, styrene resin, benzoguanamine resin, silicone resin, polybutadiene resin, or these Copolymers and those crosslinked.
  • the nuclei 51x may be the same or different types of materials between the particles, or the same particles may be used alone or in combination of two or more materials!
  • the average particle size of the nuclei 51x is preferably 0.5 to 20 ⁇ m, more preferably 1 to 10 ⁇ m, and even more preferably 2 to 5 ⁇ m. .
  • the average particle size of the nuclei is less than 0.5 m, secondary aggregation of the coated particles and uncoated particles occurs, and the insulation between adjacent circuit electrodes tends to be insufficient.
  • the average particle diameter of the nuclei exceeds 20 m, the insulation between adjacent circuit electrodes tends to decrease due to the size of the uncoated particles and coated particles produced.
  • the outer layer 51y is a layer having a conductive material force provided so as to cover the surface of the core 5lx. From the viewpoint of ensuring sufficient conductivity, the outer layer 51y covers the entire surface of the core 5 lx. It is preferable.
  • Examples of the material of the outer layer 51y include gold, silver, platinum, nickel, copper and alloys thereof, alloys such as tin-containing solder, and non-conductive metals such as carbon. Since the core 51x can be covered by electroless plating, the material of the outer layer 5ly is preferably a metal. In order to obtain a sufficient pot life, gold, more preferably gold, silver, platinum or an alloy thereof is more preferable. These can be used singly or in combination of two or more.
  • the thickness of the outer layer 5 is preferably 50 to 200 nm, more preferably 80 to 150 nm. If the thickness is less than 50 nm, there is a tendency that a sufficiently low resistance value cannot be obtained at the connection between the opposing circuit electrodes. If the thickness exceeds 200 nm, the production efficiency tends to decrease.
  • the outer layer 51y can be composed of one layer or two or more layers.
  • the surface layer of the conductive particles 51 is preferably composed of gold, silver, platinum, or an alloy thereof from the viewpoint of storage stability of the adhesive composition produced using the same. It is more preferable to use a gold metal.
  • the outer layer 51y is composed of a single layer made of gold, silver, platinum, or an alloy thereof (hereinafter referred to as "metal such as gold"), the resistance is sufficiently low at the connection between the opposing circuit electrodes. In order to get it, its thickness is preferably 10 ⁇ 200nm! / ,.
  • the outermost layer of the outer layer 5ly is preferably composed of a metal such as gold, but the layer between the outermost layer and the core 51x is, for example, nickel, You may comprise with the metal layer containing copper, tin, or these alloys.
  • the thickness of the metal layer made of a metal such as gold constituting the outermost layer of the outer layer 51y is preferably 30 to 200 nm from the viewpoint of storage stability of the adhesive composition. Nickel, copper, tin or their alloys may generate free radicals by redox action. For this reason, when the thickness of the outermost layer having a metallic force such as gold is less than 30 nm, it tends to be difficult to sufficiently prevent the influence of free radicals when used in combination with an adhesive component having radical polymerizability. is there.
  • Examples of a method for forming the outer layer 51y on the surface of the core 51x include an electroless plating process and a physical coating process. From the viewpoint of easy formation of the outer layer 5 ly, it is preferable to form the outer layer 51y made of metal on the surface of the core 51x by electroless plating. Yes.
  • the insulating fine particles 52 are composed of an organic polymer compound.
  • the organic polymer compound those having thermosoftness are preferable.
  • Suitable materials for the insulating fine particles 52 are, for example, polyethylene, ethylene-acetic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic copolymer, ethylene (meth) acrylic acid copolymer, ethylene (meth) acrylic acid ester.
  • Copolymer Polyester, Polyamide, Polyurethane, Polystyrene, Styrene-divinylbenzene copolymer, Styrene isobutylene copolymer, Styrene butadiene copolymer, Styrene (meth) acrylic copolymer, Ethylene propylene copolymer, (Metal ) Acrylic acid ester rubber, styrene ethylene-butylene copolymer, phenoxy resin, solid epoxy resin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Styrene (meth) acrylic copolymer is particularly suitable from the viewpoints of dispersion degree of particle size distribution, solvent resistance and heat resistance. Examples of the method for producing the insulating fine particles 52 include a seed polymerization method.
  • the softening point of the organic polymer compound constituting the insulating fine particles 52 is preferably equal to or higher than the heating temperature when the circuit members are connected to each other. If the softening point is lower than the heating temperature at the time of connection, the insulating fine particles 52 are excessively deformed at the time of connection, and thus there is a tendency that a good electrical connection cannot be obtained.
  • the "coated particles” and “uncoated particles” of the present invention can be recognized by observing an image magnified at an arbitrary magnification by a differential scanning electron microscope or a scanning electron microscope. it can.
  • FIG. 4 is an electron micrograph showing an example of coated particles having a coverage of 20%.
  • the coverage of the coated particles refers to the ratio of the area of the surface covered with insulating fine particles out of the entire surface of the conductive particles. From Fig. 4, it can be confirmed that the coated particles have a structure in which insulating fine particles are attached to conductive particles. The presence of the coated particles in the connection structure can be confirmed by observing the cross-section of the connection structure or observing the coated particles taken out from the connection structure by using a solvent or the like.
  • coated particles 50 it is preferable to use coated particles having a coverage of 20% to 40%.
  • the coverage of the coated particles is less than 20%, the conductive particles are sufficiently covered by the insulating fine particles.
  • the insulation between the adjacent circuit electrodes 22 or 32, that is, the insulation in the surface direction of the circuit boards 21 and 31 is sufficiently higher than when the coverage is 20% or more. It tends to be difficult to maintain the level.
  • the coverage of the surface of the conductive particles exceeds 40%, the insulating fine particles 52 cover the conductive particles 51 excessively, so that the circuit boards 21 and 31 are compared with the case where the coverage is 40% or less.
  • the connection resistance between the two tends to increase.
  • the coated particles are obtained by attaching insulating fine particles to conductive particles.
  • the specific gravity of the coated particles is preferably in the range of 97ZlOO to 99ZlOO of the specific gravity of the conductive particles.
  • FIG. 5 is an electron micrograph showing an example of uncoated particles. Compared with the electron micrograph of the coated particles in FIG. 4, it can be confirmed that the uncoated particles in FIG. 5 have no insulating fine particles attached to the surface. Therefore, almost the entire surface of the uncoated particles in FIG. 5 is in contact with the adhesive composition. More specifically, 90% or more of the surface of the conductive particles is in contact with the adhesive composition in the circuit connection material or the cured circuit connection portion.
  • FIG. 5 is an electron micrograph showing an example of uncoated particles. Compared with the electron micrograph of the coated particles in FIG. 4, it can be confirmed that the uncoated particles in FIG. 5 have no insulating fine particles attached to the surface. Therefore, almost the entire surface of the uncoated particles in FIG. 5 is in contact with the adhesive composition. More specifically, 90% or more of the surface of the conductive particles is in contact with the adhesive composition in the circuit connection material or the cured circuit connection portion.
  • connection structure 6 is a cross-sectional view showing an embodiment of uncoated particles used in the circuit connecting material of the present invention. Presence of uncoated particles in the connection structure can be confirmed by observing the cross-section of the connection structure or by observing the uncoated particles from which the connection structure force has been taken out by using a solvent. It can be confirmed by cross-sectional observation of the connection structure that 90% or more of the surface of the uncoated particles is in contact with the adhesive composition.
  • the total concentration of the coated particles 50 and the uncoated particles 53 is preferably 3 to 15% by volume, and 10 to 15% by volume of the entire circuit connecting material. Is more preferred.
  • the circuit connection material having the total concentration of 3 to 15% by volume reduces the connection resistance between the circuit boards 21 and 31 and the adjacent circuit electrode compared to the circuit connection material having the total concentration outside this range. It becomes easier to maintain insulation between 22 or 32.
  • the circuit connection material having the total concentration of 10 to 15% by volume has a connection resistance between the circuit boards 21 and 31 as compared with the circuit connection material having the total concentration outside this range. Further reduction can be achieved.
  • the force S is preferably such that the ratio of the uncoated particles 53 to the coated particles 50 is not more than 2.0 in volume ratio, more preferably 0.05 to L5, and more preferably S. More preferably, it is 18 to 0.25.
  • the circuit connection material having the volume ratio of 2.0 or less can reduce the connection resistance between the circuit boards 21 and 31 and can reduce the adjacent circuit ratio compared to the circuit connection material having the volume ratio outside this range.
  • the insulation between the electrodes 22 or 32 can be improved.
  • the circuit connection material having the volume ratio of 0.05 to L5 can further reduce the connection resistance between the circuit boards 21 and 31 and can be adjacent to the circuit connection material having a volume ratio outside this range.
  • the insulation between the matching circuit electrodes 22 or 32 can be further improved.
  • the circuit connection material having the volume ratio of 0.18 to 0.25 can further reduce the connection resistance between the circuit boards 21 and 31 and is adjacent to the circuit connection material having a volume ratio outside this range.
  • the insulation between the matching circuit electrodes 22 or 32 can be improved more reliably.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing the connection structure 10.
  • a film-like circuit connection material 61 formed by forming the above-described circuit connection material into a film is interposed.
  • the film-like circuit connecting material 61 is placed on the circuit member 30, and then the circuit member 20 is placed on the film-like circuit connecting material 61.
  • the circuit member 20 and the circuit member 30 are arranged so that the circuit electrode 22 and the circuit electrode 32 face each other.
  • the film-like circuit connecting material 61 is in the form of a film, it is easy to handle. Therefore, the film-like circuit connecting material 61 can be easily interposed between the circuit member 20 and the circuit member 30, and the connection work between the circuit member 20 and the circuit member 30 can be facilitated.
  • connection structure 10 (Fig. 1).
  • the curing treatment can be performed by a general method, and the method is appropriately selected depending on the adhesive composition. Note that the circuit electrode 22 and the circuit electrode 23 may be aligned by irradiating light from one of the circuit member 20 and the circuit member 30 during heating and pressurization.
  • connection structure 10 When the connection structure 10 is manufactured in this way, the circuit electrode 22 and the circuit electrode 32 facing each other are It is possible to obtain the connection structure 10 in which the resistance value between them is sufficiently reduced and stabilized, and the insulation between the adjacent circuit electrodes 22 and between the circuit electrodes 32 is sufficiently improved.
  • both the circuit electrodes 22, 32 have the electrode surface layers 24, 34. Even if either the circuit electrode 22 or 32 has the electrode surface layer, Good. Also, both circuit electrodes 22 and 32 need not have electrode surface layers.
  • the circuit member 30 has the substrate surface layer 35 in the connection structure 10.
  • the circuit member 20 may have the substrate surface layer.
  • both circuit members 20 and 30 may have a substrate surface layer.
  • both circuit members 20 and 30 may not have a substrate surface layer.
  • connection structure 10 is manufactured using the film-like circuit connection material 61!
  • the circuit connection material 61 is not limited to the film-like circuit connection material 61 and includes a film forming material. May be used. Even in this case, the circuit connection material is interposed between the circuit members 20 and 30 if the circuit connection material is dissolved in a solvent, and the solution is applied to either the circuit member 20 or 30 and dried. Can do.
  • a part of the surface of the adhesive plastic particle corresponds to the insulating fine particle 52.
  • Coated with a methyl methacrylate polymer, that is, polymethyl methacrylate (PMMA) coated particles having an average particle size of 3.95 m coated with insulating fine particles having an average particle size of 0.2 m were obtained.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • coated particles 20% of the surface of the conductive particles is coated, and the specific gravity after coating is such that the specific gravity before coating is 98Z100.
  • the average particle diameter is calculated from the measured force obtained by observation with a scanning electron microscope.
  • a solution A was obtained by mixing a phenoxy resin solution containing 40 g of phenoxy resin and 60 g of liquid epoxy resin containing a microcapsule-type latent curing agent.
  • a solution B was obtained by dispersing 0.6% by volume of uncoated particles and 11.4% by volume of coated particles based on the volume of the circuit connecting material.
  • the above solution B was applied onto a PET (polyethylene terephthalate) film that had been subjected to a single-side surface treatment with a thickness of 50 ⁇ m, using a coating apparatus. After application, the film was dried with hot air at 80 ° C. for 5 minutes to obtain a first film adhesive composition having an adhesive layer thickness of 10 m.
  • the above solution A was applied onto a PET (polyethylene terephthalate) film that had been subjected to a single-side surface treatment with a thickness of 50 ⁇ m, which was different from the above, using a coating apparatus. After the application, hot air drying was performed at 80 ° C. for 5 minutes to obtain a second film adhesive composition having an adhesive layer thickness of 10 m.
  • the first film adhesive composition and the second film adhesive composition were bonded with a laminator to obtain a film-like circuit connection material having a two-layer structure.
  • ITO substrate surface resistance of 20 ⁇ / ⁇
  • ITO indium stannate oxide
  • the first film adhesive composition side is It was placed on the TO substrate and pasted at 75 ° C, 1. OMPa for 2 seconds under heat and pressure. After that, in contact with the ITO substrate, the two-layer PET film on the side was peeled off and brought into contact with the IC chip. Then, the IC chip and the ITO substrate were sandwiched between quartz glass and a pressure head and connected by heating and pressing at 210 ° C and 80 MPa for 5 seconds to obtain a connection structure of circuit members in which the IC chip and the ITO substrate were connected. .
  • the electrical resistance value of the connection part of the circuit member connection structure was measured with a multimeter using the 4-terminal measurement method. Measurements were taken twice before the temperature cycle and 500 times after the temperature cycle.
  • the temperature cycle refers to “holding at -40 ° C for 30 minutes and then holding at 100 ° C for 30 minutes” as one cycle, and the entire circuit member connection structure is temperature cycled. This is done in the tank.
  • a voltage of direct current (DC) 50V was applied to the connection part of the circuit member connection structure after the temperature cycle, and the insulation resistance after application was measured with a multimeter using a two-terminal measurement method. When the measured value falls below 1 X 10 3 ⁇ , it was determined that a short circuit occurred.
  • circuit connecting material and the circuit member were the same as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing the uncoated particles at a concentration of 1.2% by volume and the coated particles at a concentration of 10.8% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Circuit connection material and circuit member in the same manner as in Example 1 except that solution B was obtained by dispersing uncoated particles at a concentration of 1.8% by volume and coated particles at a concentration of 10.2% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Circuit connecting material and circuit member in the same manner as in Example 1 except that solution B was obtained by dispersing uncoated particles to a concentration of 2.4% by volume and coated particles to a concentration of 9.6% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Example 5 A circuit connecting material and a circuit member were obtained in the same manner as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing 3.6% by volume of uncoated particles and 8.4% by volume of coated particles. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • a circuit connecting material and a circuit member were obtained in the same manner as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing uncoated particles at a concentration of 4.8 vol% and coated particles at a concentration of 7.2 vol%. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • a circuit connecting material and a circuit member were obtained in the same manner as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing uncoated particles at a concentration of 6.0% by volume and coated particles at a concentration of 6.0% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Circuit connecting material and circuit member in the same manner as in Example 1 except that solution B was obtained by dispersing uncoated particles at a concentration of 7.2% by volume and coated particles at a concentration of 4.8% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Circuit connecting material and circuit member in the same manner as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing the uncoated particles at a concentration of 8.4% by volume and the coated particles at a concentration of 3.6% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • a circuit connecting material and a circuit member were obtained in the same manner as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing uncoated particles at a concentration of 9.6% by volume and coated particles at a concentration of 2.4% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Circuit connection material and circuit member in the same manner as in Example 1 except that the solution B was obtained by dispersing the uncoated particles at a concentration of 10.8% by volume and the coated particles at a concentration of 1.2% by volume. This connection structure was fabricated and evaluated.
  • Table 1 shows the measurement results of the short-circuit occurrence rate and the resistance value of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 and 2. The measurement results are all data after the temperature cycle.
  • Comparative Example 1 using only the coated particles showed good insulation with a short-circuit occurrence rate of 0%, but had a high resistance value of 22.1 ⁇ .
  • Comparative Example 2 using only uncoated particles showed a good connection resistance of 10.2 ⁇ .
  • the incidence of shorts was as high as 100%.
  • Examples 1 to 11 using both coated particles and uncoated particles showed good insulation and connection resistance in which both the short-circuit occurrence rate and the resistance value were low.
  • Examples 1 to 8 in which the ratio of uncoated particles to coated particles was 2.0 or less by volume showed particularly good insulation and connection resistance in which both the short-circuit occurrence rate and the resistance value were low.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

 第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、第一及び第二の回路電極を対向させた状態で接続するための回路接続材料であって、接着剤組成物と、導電性粒子の表面の一部が絶縁性微粒子により被覆された被覆粒子と、表面全体が接着剤組成物と接している導電性粒子からなる未被覆粒子とを含有する回路接続材料が提供される。

Description

回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法 に関する。
背景技術
[0002] 液晶表示用ガラスパネルには、 COG(Chip— On— Glass)実装又は COF(Chip— On— Flex)実装等によって液晶駆動用 ICが実装される。 COG実装では、導電性粒 子を含む回路接続材料を用いて液晶駆動用 ICを直接ガラスパネル上に接合する。 COF実装では、金属配線を有するフレキシブルテープに液晶駆動用 ICを接合し、 導電性粒子を含む回路接続材料を用いてそれらをガラスパネルに接合する。
[0003] 近年の液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用 ICの回路電極である金バンプは 狭ピッチ化、狭面積ィ匕しており、そのため、回路接続材料中の導電性粒子が隣り合う 回路電極間に流出することによる、ショート発生の懸念がある。また、隣り合う回路電 極間に導電性粒子が流出すると、金バンプとガラスパネルとの間に捕捉される回路 接続材料中の導電性粒子数が減少し、対向する回路電極間の接続抵抗が上昇して 接続不良が発生する懸念がある。
[0004] そこで、これらの点を改善するため、回路接続材料の少なくとも片面に絶縁性の接 着層を形成することで COG実装又は COF実装における接合品質の低下を防ぐ方法 (例えば、特許文献 1参照)、全ての導電性粒子の全表面を絶縁性の皮膜で被覆す る方法 (例えば、特許文献 2参照)、全ての導電性粒子の表面の一部を絶縁性微粒 子で被覆する方法 (例えば、特許文献 3及び 4参照)が開発されている。
特許文献 1 :特開平 8— 279371号公報
特許文献 2:特許第 2794009号公報
特許文献 3 :特開 2005— 197089号公報
特許文献 4:特開 2005— 197091号公報
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0005] し力しながら、対向する回路電極間のバンプ面積が 3000 μ m2未満である場合、回 路接続材料の片面に絶縁性の接着層を形成する方法を用いても、隣り合う回路電極 間の絶縁性が十分ではな力つた。この隣り合う回路電極間の絶縁性を改善するため 、全ての導電性粒子の全表面あるいは表面の一部を絶縁性の皮膜で被覆した被覆 粒子の使用が試みられている。しかし、被覆粒子を用いた場合、隣り合う回路電極間 の絶縁性はある程度改善されるものの、対向する回路電極間の接続抵抗の低減が 必ずしも十分ではないことが、本発明者の検討により明らかとなった。
[0006] 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、同一回路部材上で隣り合う回路 電極間の絶縁性を十分に維持しつつ、対向する回路電極間の接続抵抗を十分に低 減できる回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法を提 供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明者らは、絶縁性微粒子によって被覆されて ヽる被覆粒子と絶縁性微粒子に よって被覆されて 、な 、未被覆粒子とを組み合わせることにより、上記課題が解決さ れることを見出した。未被覆粒子を回路接続材料に添加すると同一回路部材上で隣 り合う回路電極間の絶縁性を悪ィ匕させると考えられた。しかし、本発明者らの知見に よれば、被覆粒子に未被覆粒子を組み合わせれば、同一回路部材上で隣り合う回 路電極間の絶縁性を十分なレベルに維持しながら、接続抵抗の低減が可能であるこ とを見出した。
[0008] すなわち、本発明の回路接続材料は、第一の回路基板の主面上に複数の第一の 回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二 の回路電極が形成された第二の回路部材とを第一及び第二の回路電極を対向させ た状態で接続するための回路接続材料であって、接着剤組成物と、導電性粒子及 びこれの表面の一部を被覆する絶縁性微粒子を有する被覆粒子と、表面全体が接 着剤組成物と接している導電性粒子力もなる未被覆粒子とを含有するものである。
[0009] この回路接続材料を、第一及び第二の回路部材の間に介在させ、第一及び第二 の回路部材を接続した回路部材の接続構造は、同一回路部材上で隣り合う回路電 極間の絶縁性を維持しつつ、対向する回路電極間の接続抵抗を低減させることがで きる。
[0010] 導電性粒子は、有機高分子化合物からなる核体を有することが好ま U、。
[0011] これにより、回路部材の接続構造製造時に、加熱及び加圧によって被覆粒子及び 未被覆粒子が変形し、回路電極との接触面積が増カロして対向する回路電極間の接 続抵抗が更に低減される。
[0012] 回路接続材料中の被覆粒子と未被覆粒子の合計濃度が、回路接続材料全体の 3
〜 15体積%であることが好ましい。
[0013] 被覆粒子と未被覆粒子の合計濃度が 3体積%未満になると、対向する回路電極間 の接続抵抗が上昇する傾向があり、 15体積%を超えると、同一回路部材上で隣り合 う回路電極間の絶縁性が低下する傾向がある。
[0014] 回路接続材料において、被覆粒子に対する未被覆粒子の比率が体積比で 2. 0以 下であることが好ましい。
[0015] この体積比で被覆粒子と未被覆粒子を含有する回路接続材料を使用して得られた 回路部材の接続構造は、対向する回路電極間の接続抵抗を低減しつつ、同一回路 部材上で隣り合う回路電極間の絶縁性が更に改善される。
[0016] 本発明の回路部材の接続構造は、第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路 電極が形成された第一の回路部材と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回 路電極が形成され、第二の回路電極が第一の回路電極と対向配置されるように配置 された第二の回路部材と、第一の回路基板と第二の回路基板との間に設けられ、第 一及び第二の回路電極が電気的に接続されるように第一の回路部材と第二の回路 部材とを接続する回路接続部と、を備えた回路部材の接続構造であって、回路接続 部が上記の回路接続材料カゝら構成されることを特徴とする。
[0017] このような回路部材の接続構造は、回路接続部が上記の回路接続材料から構成さ れているため、同一回路部材上で隣り合う回路電極間の絶縁性を維持しつつ、対向 する回路電極間の抵抗値を低減させることができる。
[0018] 上記の回路部材の接続構造で、第一の回路部材または第二の回路部材において 隣り合う回路電極間に 50Vの直流電圧を印加した場合に、隣り合う回路電極間の抵 抗値が 103 Ω以上であることが好まし 、。
[0019] このような回路部材の接続構造によれば、その動作時において同一回路部材上で 隣り合う回路電極間の絶縁性が極めて高くなり、隣り合う回路電極間のショートを十 分に防止することが可能となる。
[0020] 上記の回路部材の接続構造において、第一の回路部材及び第二の回路部材の少 なくとも一方が ICチップであることが好ましい。
[0021] 上記の回路部材の接続構造において、第一の回路電極と第二の回路電極との間 の抵抗値が 20 Ω以下であることが好まし 、。
[0022] このような回路部材の接続構造では、回路基板の厚み方向における接続抵抗が十 分に低減されているので、同一回路部材上で隣り合う回路電極間の絶縁性を維持し つつ、対向する回路電極間の抵抗値を一層低減させることができる。
[0023] 上記回路部材の接続構造において、第一の回路電極の第二の回路電極との対向 面、及び第二の回路電極の第一の回路電極との対向面のうち少なくとも一方の表面 力 金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム錫酸化物からなる群より選ばれる少なく とも一種力も構成されて 、ることが好まし!/、。
[0024] このような回路部材の接続構造では、同一回路部材上で隣り合う回路電極間の絶 縁性を維持しつつ、対向する回路電極間の抵抗値をより一層低減させることができる
[0025] 上記回路部材の接続構造において、第一の回路部材の第二の回路部材との対向 面、及び第二の回路部材の第一の回路部材との対向面のうち少なくとも一方の表面 力 窒化シリコン、シリコーンィ匕合物及びポリイミド榭脂からなる群より選ばれる少なく とも一種力も構成されて 、ることが好まし!/、。
[0026] これにより、回路部材の表面が上記材料で構成されていない場合に比べて、回路 部材と回路接続部との接着強度がより向上する。
[0027] 本発明の回路部材の接続構造の製造方法は、第一の回路基板の主面上に複数の 第一の回路電極が形成された第一の回路部材と第二の回路基板の主面上に複数 の第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、第一の回路電極及び第二の 回路電極が対向配置されるように配置し、これらの間に上記の回路接続材料を介在 させた状態で全体を加熱及び加圧して、第一及び第二の回路電極が電気的に接続 されるように第一の回路部材と第二の回路部材とを接続する工程を備える。
[0028] この製造方法を用いれば、隣り合う回路電極間の絶縁性を維持しつつ、対向する 回路電極間の接続抵抗が低減された回路部材の接続構造を製造することができる。 発明の効果
[0029] 本発明によれば、同一回路部材上で隣り合う回路電極間の絶縁性を維持しつつ、 対向する回路電極間の接続抵抗を低減できる回路接続材料、これを用いた回路部 材の接続構造及びその製造方法を提供することができる。これによつて、ショートの 発生や接続不良の発生が抑制され、接続信頼性に優れた回路部材の接続構造及 びその製造方法を提供できる。
図面の簡単な説明
[0030] [図 1]本発明の回路部材の接続構造の一実施形態を示す断面図である。
[図 2]本発明のフィルム状の回路接続材料の一実施形態を示す断面図である。
[図 3]本発明の回路接続材料に用いられる被覆粒子の一実施形態を示す断面図で ある。
[図 4]被覆率 20%の被覆粒子の例を示す電子顕微鏡写真である。
[図 5]未被覆粒子の例を示す電子顕微鏡写真である。
[図 6]本発明の回路接続材料に用いられる未被覆粒子の一実施形態を示す断面図 である。
[図 7]本発明の回路部材の接続構造の製造方法の一実施形態を示す断面図である 符号の説明
[0031] 10···回路部材の接続構造、 20···回路部材 (第一の回路部材)、 21···回路基板( 第一の回路基板)、 21a…主面、 22···回路電極(第一の回路電極)、 23, 33···電極 部、 24, 34…電極表面層、 30···回路部材 (第二の回路部材)、 31···回路基板 (第 二の回路基板)、 31a…主面、 32…回路電極 (第二の回路電極)、 35…基板表面層 、 40, 41···接着剤組成物、 50···被覆粒子、 51···導電性粒子、 51χ···核体、 51y- 外層、 51a…導電性粒子表面、 52···絶縁性微粒子、 53···未被覆粒子、 60···回路 接続部、 61· ··フィルム状の回路接続材料。
発明を実施するための最良の形態
[0032] 以下、本発明の回路接続材料、これを用いたフィルム状の回路接続材料、回路部 材の接続構造及びその製造方法の実施形態について説明する。なお、全図面中、 同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
[0033] 本発明における (メタ)アクリルとはアクリル及びそれに対応するメタクリルを意味し、
(メタ)アクリル酸とはアクリル酸及びそれに対応するメタクリル酸を意味する。
[0034] <回路部材の接続構造 >
図 1は、本発明の回路部材の接続構造の一実施形態を示す断面図である。本実施 形態の回路部材の接続構造 10は、相互に対向する回路部材 20 (第一の回路部材) と回路部材 30 (第二の回路部材)とを備えており、回路部材 20と回路部材 30との間 には、これらを接続する回路接続部 60が設けられて ヽる。
[0035] 回路部材 20は、回路基板 21 (第一の回路基板)と、回路基板 21の主面 21a上に 形成された複数の回路電極 22 (第一の回路電極)とを備える。一方、回路部材 30は 、回路基板 31 (第二の回路基板)と、回路基板 31の主面 31a上に形成された複数の 回路電極 32 (第二の回路電極)とを備える。
[0036] 回路電極 22及び 32は、電極部 23, 33と、これの回路電極 22又は 32との対向面 側の面上に設けられた電極表面層 24, 34とを有する。
[0037] 電極部 23, 33は導電性を有する各種の金属、金属酸化物、合金、もしくはポリスチ レンやエポキシ榭脂などの各種プラスチック類、スチレンブタジエンゴムやシリコーン ゴム等の各種ゴム類、デンプンゃセルロース等の天然高分子類等を単独で又はこれ らを 2種以上組み合わせて構成される。金属の例としては、 Zn、 Al、 Sb、 Au、 Ag、 Sn、 Fe、 Cu、 Pb、 Ni、 Pd、 Ptなどがあり、これらを単独で又は複合して用いることが可能で ある。更に特殊な目的、例えば硬度や表面張力の調整及び密着性の改良などのた めに、上記の金属に Mo、 Mn、 Cd、 Si、 Ta、 Crなどのほかの金属やその化合物などを 添加することができる。上記の金属のうち、良好な導電性と耐腐食性の観点から Ni、 Ag、 Au、 Sn、 Cuなどが好ましく用いられ、これらは単層又は複層として形成することも 可能である。 [0038] 電極表面層 24, 34は金、銀、錫、白金族の金属若しくはインジウム錫酸ィ匕物 (ITO )又はこれらの二種以上の組み合わせで構成される。
[0039] 回路基板 21及び 31は、フレキシブルテープやガラスなどの絶縁材で構成される。
[0040] 回路部材 30の回路部材 20との対向面側の表面には、基板表面層 35が設けられ ている。基板表面層は、窒化シリコン、シリコーンィ匕合物若しくはポリイミド榭脂又はこ れらの二種以上の組み合わせで構成される。この基板表面層 35により、回路部材 30 と回路接続部 60との接着強度が向上する。
[0041] 回路基板としてフレキシブルテープを用いる場合、基板表面層はポリイミド榭脂等 の有機絶縁物質カゝら構成されると好ましい。また、回路基板がガラス基板の場合、基 板表面層は窒化シリコン、シリコーンィ匕合物、ポリイミド榭脂若しくはシリコーン榭脂又 はこれらの二種以上の組み合わせで構成されると好ましい。
[0042] 回路接続部 60は、回路基板 21の主面 21aと回路基板 31の主面 31aとの間に設け られており、回路電極 22と 32が互いに対向するように回路部材 20と 30を接続して ヽ る。回路接続部 60は、接着剤組成物 40と、導電性粒子 51の表面 51aの一部が絶縁 性微粒子 52により被覆された被覆粒子 50と、表面全体が接着剤組成物 40と接して いる導電性粒子 51からなる未被覆粒子 53とを備える。
[0043] この被覆粒子 50及び未被覆粒子 53の少なくとも一方を介して、回路部材 20と回路 部材 30とが電気的に接続されている。
[0044] 上記の構造を有する接続構造 10においては、隣り合う回路電極 22同士又は 32同 士の間に 50Vの直流電圧を印加した場合に、隣り合う回路電極 22同士又は 32同士 の間の抵抗値が 103 Ω以上となることが好ましく、 109 Ω以上となることがより好まし ヽ 。その動作時において同一回路部材上で隣り合う回路電極同士の間の絶縁性、す なわち回路基板の面方向における絶縁性が極めて高くなり、ショートの発生を十分に 防止することが可能となるからである。
[0045] 一方、回路電極 22と回路電極 32との間の抵抗値、すなわち接続抵抗は、 20 Ω以 下となることが好ましぐ 1 Ω以下となることがより好ましい。対向する回路電極間の抵 抗値、すなわち回路基板の厚み方向における抵抗値が十分に低減されれば、接続 不良の発生を防止できる。 [0046] 接続構造 10の接続形態の具体例としては、 ICチップとチップ搭載基板との接続、 電気回路相互の接続、 COG実装又は COF実装における ICチップとガラス基板又は フレキシブルテープとの接続等が挙げられる。
[0047] 回路部材 20, 30の具体例としては、半導体チップ、抵抗体チップ若しくはコンデン サチップ等のチップ部品又はプリント基板等の基板が挙げられる。特に、回路部材 2
0及び 30のうち少なくとも一方が ICチップであると好ましい。
[0048] <回路部材の接続構造の製造方法 >
次に、接続構造 10の製造方法について、図面を用いて説明する。図 2はフィルム 状の回路接続材料の一実施形態を示す断面図である。フィルム状の回路接続材料 6
1は、接着剤組成物 41、被覆粒子 50及び未被覆粒子 53を含有している。
[0049] 接着剤組成物 41は、ラジカル重合性化合物と、加熱により遊離ラジカルを発生す る硬化剤とを含有すると好まし ヽ。このような接着剤組成物を含む回路接続材料によ つて、回路部材 20, 30は加熱により容易に接続される。
[0050] ラジカル重合性化合物は、ラジカル重合性の官能基を有する化合物である。ラジカ ル重合性化合物としては、アタリレートイ匕合物、マレイミド化合物等が挙げられる。ラ ジカル重合性ィ匕合物はモノマー又はオリゴマーの状態で用いてもよぐまた、モノマ 一とオリゴマーを併用することも可能である。
[0051] 接着剤組成物 41は、エポキシ榭脂とその硬化剤を含有して 、てもよ!/、。
[0052] エポキシ榭脂としては、ビスフエノール A型エポキシ榭脂、ビスフエノール F型ェポキ シ榭脂、ビスフエノール S型エポキシ榭脂、フエノールノボラック型エポキシ榭脂、タレ ゾールノボラック型エポキシ榭脂、ビスフエノール Aノボラック型エポキシ榭脂、ビスフ ェノール Fノボラック型エポキシ榭脂、脂環式エポキシ榭脂、グリシジルエステル型ェ ポキシ榭月旨、グリシジノレアミン型エポキシ榭月旨、ヒダントイン型エポキシ榭脂、イソシァ ヌレート型エポキシ榭脂、脂肪族鎖状エポキシ榭脂等が挙げられる。これらのェポキ シ榭脂は、ハロゲンィ匕されていてもよぐ水素添加されていてもよい。これらのェポキ シ榭脂は、 1種を単独で、又は 2種以上を組み合わせて使用することができる。
[0053] 硬化剤、すなわちエポキシ榭脂用硬化剤としては、アミン系、フエノール系、酸無水 物系、イミダゾール系、ヒドラジド系、ジシアンジアミド、三フッ化ホウ素—アミン錯体、 スルホ -ゥム塩、ョードニゥム塩、ァミンイミド等が挙げられる。これらは、 1種を単独で 、又は 2種以上を混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用 いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等 で被覆してマイクロカプセルィ匕したものは、可使時間が延長されるために好ましい。
[0054] 被覆粒子 50は、導電性粒子 51と絶縁性粒子 52を有する。図 3は、本発明の回路 接続材料に用いられる被覆粒子の一実施形態を示す断面図である。導電性粒子の 表面 51aの一部は絶縁性微粒子 52によって被覆されている。
[0055] 導電性粒子 51は、中心部分を構成する核体 5 lx及びこの核体 5 lxの表面上に設 けられた外層 5 lyによって構成されて!、る。
[0056] 核体 5 lxの材質としては、ガラス、セラミックス、有機高分子化合物などが挙げられ る。これらの材質のうち、加熱及び Z又は加圧によって変形するもの(例えば、ガラス 、有機高分子化合物)が好ましい。核体 51xが変形するものであると、被覆粒子 50が 回路電極 22, 32によって押圧された場合、回路電極との接触面積が増加する。また 、回路電極 22, 32の表面、電極表面層 24, 34、及び、基板表面層 35の凹凸を吸収 することができる。その結果、回路電極間の接続信頼性が向上する。
[0057] 上記のような観点から、核体 5 lxを構成する材質として好適なものは、例えば、ァク リル榭脂、スチレン榭脂、ベンゾグアナミン榭脂、シリコーン榭脂、ポリブタジエン榭脂 又はこれらの共重合体、及び、これらを架橋したものである。核体 51xは、粒子間で 同一又は異なる種類の材質であってもよぐ同一粒子に 1種の材質を単独で、又は 2 種以上の材質を組み合わせて用いてもよ!、。
[0058] 核体 51xの平均粒径は、 0. 5〜20 μ mであることが好ましぐ 1〜10 μ mであること 力 り好ましぐ 2〜5 μ mであることが更に好ましい。核体の平均粒径が 0. 5 m未 満である場合、被覆粒子及び未被覆粒子の二次凝集が生じ、隣接する回路電極間 の絶縁性が不十分となる傾向がある。核体の平均粒径が 20 mを越える場合、作製 される未被覆粒子及び被覆粒子の大きさに起因して隣接する回路電極間の絶縁性 が低下する傾向がある。
[0059] 外層 51yは、核体 5 lxの表面を覆うように設けられた導電性を有する材質力もなる 層である。導電性を十分確保する観点から、外層 51yは、核体 5 lxの全表面を被覆 していることが好ましい。
[0060] 外層 51yの材質としては、例えば、金、銀、白金、ニッケル、銅及びこれらの合金、 錫を含有するはんだなどの合金、並びに、カーボンなどの導電性を有する非金属が 挙げられる。核体 51xに対し、無電解めつきによる被覆が可能であることから、外層 5 lyの材質は金属であることが好ましい。また、十分なポットライフを得るためには、金 、銀、白金又はこれらの合金がより好ましぐ金が更に好ましい。なお、これらは 1種を 単独で、又は 2種以上を組み合わせて用いることができる。
[0061] 外層 5 lyの厚さは、 50〜200nmであることが好ましぐ 80〜150nmであることがよ り好ましい。厚さが 50nm未満であると、対向する回路電極間の接続部において十分 に低い抵抗値が得られなくなる傾向がある。厚さが 200nmを越えると、製造効率が 低下する傾向がある。
[0062] 外層 51yは、一層又は二層以上で構成することができる。いずれの場合においても 、これを用いて作製される接着剤組成物の保存性の観点から、導電性粒子 51の表 面層は、金、銀、白金又はこれらの合金で構成することが好ましぐ金で構成すること 力 り好ましい。外層 51yが、金、銀、白金又はこれらの合金(以下、「金などの金属」 という。)からなる一層で構成される場合、対向する回路電極間の接続部において十 分に低 、抵抗値を得るためには、その厚さは 10〜200nmであることが好まし!/、。
[0063] 外層 51yが二層以上で構成される場合、外層 5 lyの最外層は金などの金属で構成 することが好ましいが、最外層と核体 51xと間の層は、例えば、ニッケル、銅、錫又は これらの合金を含有する金属層で構成してもよい。この場合、外層 51yの最外層を構 成する金などの金属からなる金属層の厚さは、接着剤組成物の保存性の観点から、 30〜200nmであることが好ましい。ニッケル、銅、錫又はこれらの合金は、酸化還元 作用で遊離ラジカルを発生することがある。このため、金などの金属力 なる最外層 の厚さが 30nm未満であると、ラジカル重合性を有する接着剤成分と併用した場合、 遊離ラジカルの影響を十分に防止することが困難となる傾向がある。
[0064] 外層 51yを核体 51x表面上に形成する方法としては、無電解めつき処理や物理的 なコーティング処理が挙げられる。外層 5 lyの形成の容易性の観点から、金属からな る外層 51yを無電解めつき処理によって核体 51xの表面上に形成することが好まし い。
[0065] 絶縁性微粒子 52は、有機高分子化合物によって構成される。有機高分子化合物と しては、熱軟ィ匕性を有するものが好ましい。絶縁性微粒子 52の好適な素材は、例え ば、ポリエチレン、エチレン—酢酸共重合体、エチレン—(メタ)アクリル共重合体、ェ チレン (メタ)アクリル酸共重合体、エチレン (メタ)アクリル酸エステル共重合体、 ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、スチレン一ジビニルベンゼン共 重合体、スチレン イソブチレン共重合体、スチレン ブタジエン共重合体、スチレ ンー(メタ)アクリル共重合体、エチレン プロピレン共重合体、(メタ)アクリル酸エス テル系ゴム、スチレン エチレンーブチレン共重合体、フエノキシ榭脂、固形ェポキ シ榭脂等である。これらは、 1種を単独で用いてもよぐ 2種以上組み合わせて用いて もよい。なお、粒度分布の分散度、耐溶剤性及び耐熱性の観点から、スチレン (メ タ)アクリル共重合体が特に好適である。絶縁性微粒子 52の製造方法としては、シー ド重合法などが挙げられる。
[0066] 絶縁性微粒子 52を構成する有機高分子化合物の軟化点は、回路部材同士の接 続時の加熱温度以上であることが好まし 、。軟化点が接続時の加熱温度未満である と、接続時に絶縁性微粒子 52が過度に変形することに起因して、良好な電気的接続 が得られなくなる傾向がある。
[0067] 本発明の「被覆粒子」及び「未被覆粒子」は、場合によって示差走査電子顕微鏡も しくは走査型電子顕微鏡により任意の倍率に拡大された画像を観察することによって ½認することができる。
[0068] 図 4は、被覆率 20%の被覆粒子の例を示す電子顕微鏡写真である。ここで、被覆 粒子の被覆率とは、導電性粒子の表面全体のうち絶縁性微粒子で被覆される表面 の面積の割合をいう。図 4により、被覆粒子は導電性粒子に絶縁性微粒子が付着し ている構造を有していることが確認できる。接続構造における被覆粒子の存在は、接 続構造の断面観察、または溶剤を用いる等して接続構造カゝら取り出した被覆粒子の 観察により、確認することができる。
[0069] 被覆粒子 50としては、被覆率が 20%〜40%である被覆粒子を用いることが好まし い。被覆粒子の被覆率が 20%未満の場合、導電性粒子が絶縁性微粒子によって十 分に被覆されなくなり、被覆率が 20%以上の場合に比べて、隣り合う回路電極 22同 士又は 32同士の間の絶縁性、すなわち回路基板 21及び 31の面方向における絶縁 性を十分に高いレベルに維持することが困難になる傾向にある。導電性粒子表面の うち被覆率が 40%を超える場合、絶縁性微粒子 52が過剰に導電性粒子 51を被覆 するので、被覆率が 40%以下である場合に比べて、回路基板 21と 31との間の接続 抵抗が増大しやすくなる傾向がある。
[0070] 被覆粒子は、導電性粒子に絶縁性微粒子を付着させることによって得られる。
[0071] 被覆粒子の比重は、導電性粒子の比重の 97ZlOO〜99ZlOOの範囲とすること が好ましい。
[0072] 未被覆粒子 53は、導電性粒子の表面 51aが絶縁性微粒子によって被覆されてい ないため、導電粒子の表面 5 la全体が接着剤組成物と接している。図 5は、未被覆 粒子の例を示す電子顕微鏡写真である。図 4の被覆粒子の電子顕微鏡写真と比較 すると、図 5の未被覆粒子には、その表面に絶縁性微粒子が付着していないことが 確認できる。したがって、図 5の未被覆粒子は、その表面のほぼ全体が接着剤組成 物と接している。より具体的には、導電性粒子は、回路接続材料又は硬化処理され た回路接続部において、その表面の 90%以上が接着剤組成物と接触している。図 6 は、本発明の回路接続材料に用いられる未被覆粒子の一実施形態を示す断面図で ある。接続構造における未被覆粒子の存在は、接続構造の断面観察、または溶剤を 用いる等して接続構造力も取り出した未被覆粒子の観察により確認することができる 。未被覆粒子の表面の 90%以上が接着剤組成物と接触していることも、接続構造の 断面観察により確認することができる。
[0073] 回路接続材料にお!ヽて、被覆粒子 50と未被覆粒子 53の合計の濃度が、回路接続 材料全体の 3〜 15体積%であることが好ましく、 10〜 15体積%であることがより好ま しい。上記合計濃度が 3〜15体積%である回路接続材料は、上記合計濃度がこの 範囲外にある回路接続材料に比べて、回路基板 21と 31の間の接続抵抗の低減と、 隣り合う回路電極 22同士又は 32同士の間の絶縁性の維持を両立させることがより容 易になる。上記合計濃度が 10〜15体積%であるである回路接続材料は、上記合計 濃度がこの範囲外の回路接続材料に比べて、回路基板 21と 31の間の接続抵抗を 更に低減できる。
[0074] 回路接続材料において、被覆粒子 50に対する未被覆粒子 53の比率が体積比で 2 . 0以下であること力 S好ましく、 0. 05〜: L 5であること力 Sより好ましく、 0. 18〜0. 25 であることが更に好ましい。上記体積比が 2. 0以下である回路接続材料は、上記体 積比がこの範囲外にある回路接続材料に比べて、回路基板 21と 31の間の接続抵抗 を低減できるとともに、隣り合う回路電極 22同士又は 32同士の間の絶縁性を改善で きる。上記体積比が 0. 05〜: L 5である回路接続材料は、体積比がこの範囲外の回 路接続材料に比べて、回路基板 21と 31の間の接続抵抗を一層低減できるとともに、 隣り合う回路電極 22同士又は 32同士の間の絶縁性を一層改善できる。上記体積比 が 0. 18〜0. 25である回路接続材料は、体積比がこの範囲外の回路接続材料に比 ベて、回路基板 21と 31の間の接続抵抗を更に低減できるとともに、隣り合う回路電 極 22同士又は 32同士の間の絶縁性をより確実に改善できる。
[0075] 図 7は、接続構造 10の製造方法の一実施形態を示す断面図である。回路部材 20 と 30との間に、上述した回路接続材料をフィルム状に成形してなるフィルム状の回路 接続材料 61を介在させる。具体的には、回路部材 30上にフィルム状の回路接続材 料 61を載せ、続いてフィルム状の回路接続材料 61上に回路部材 20を載せる。この とき、回路電極 22及び回路電極 32が相互に対向するように、回路部材 20及び回路 部材 30を配置する。ここで、フィルム状の回路接続材料 61はフィルム状であるため 取扱いが容易である。このため、このフィルム状の回路接続材料 61を回路部材 20と 回路部材 30との間に容易に介在させることができ、回路部材 20と回路部材 30との 接続作業を容易にすることができる。
[0076] 次に、回路部材 20と回路部材 30を介してフィルム状の回路接続材料 61を加熱し ながら図 7の矢印 Aの方向に加圧して硬化処理を施し接続構造 10を形成する(図 1 参照)。硬化処理は、一般的な方法により行うことが可能であり、その方法は接着剤 組成物により適宜選択される。なお、加熱及び加圧の際に、回路部材 20及び回路部 材 30のどちらか一方の側から光を照射して、回路電極 22及び回路電極 23の位置合 わせを行ってもよい。
[0077] このようにして接続構造 10を製造すると、対向する回路電極 22と回路電極 32との 間の抵抗値が十分に低減され、且つ安定化されると共に、隣り合う回路電極 22同士 及び回路電極 32同士の間の絶縁性が十分に向上された接続構造 10を得ることがで きる。
[0078] 以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に 限定されない。
[0079] 例えば、上記実施形態では、接続構造 10において回路電極 22, 32の両方が電極 表面層 24, 34を有するとした力 回路電極 22または 32のどちらか一方が電極表面 層を有するとしてもよい。また、回路電極 22及び 32の両方が電極表面層を有しなく てもよい。
[0080] 上記実施形態では、接続構造 10において回路部材 30が基板表面層 35を有する としたが、回路部材 20のみが基板表面層を有するとしてもよい。また、回路部材 20 及び 30の両方が基板表面層を有してもよい。さらに、回路部材 20及び 30の両方が 基板表面層を有しなくてもよい。
[0081] 上記実施形態では、フィルム状の回路接続材料 61を用いて接続構造 10を製造し て!、るが、フィルム状の回路接続材料 61に限られずフィルム形成材を含まな 、回路 接続材料を用いてもよい。この場合でも、回路接続材料を溶媒に溶解させ、その溶 液を回路部材 20または 30のどちらかに塗布して乾燥させれば、回路部材 20と 30と の間に回路接続材料を介在させることができる。
実施例
[0082] 以下、本発明の内容を、実施例を用いてさらに具体的に説明するが、本発明はこ れらの実施例に限定されるものではない。
[0083] (実施例 1)
(1)未被覆粒子と被覆粒子の作製
平均粒径 3. 75 μ mの架橋ポリスチレン粒子(PSt)の表面に、無電解めつきで厚み 0. 2 /z mのニッケル層を作製した。さらに、そのニッケル層の外側に厚み 0. 04 m の金層をめつきにより形成し、導電性粒子 51に相当するめつきプラスチック粒子 (PS t - M)を得た。このめつきプラスチック粒子(PSt - M)を未被覆粒子として用 、た。
[0084] さらに、このめつきプラスチック粒子の表面の一部を、絶縁性微粒子 52に相当する メタクリル酸メチルの重合物、すなわちポリメタクリル酸メチル (PMMA)により被覆し 、平均粒径 0. 2 mの絶縁性微粒子で被覆された平均粒径 3. 95 mの被覆粒子を 得た。被覆粒子においては、導電性粒子の表面の 20%が被覆されており、被覆後 の比重が被覆前の比重に対して 98Z100となるように被覆されている。なお、平均粒 径は、走査型電子顕微鏡による観察で得られた測定値力も算出されたものである。
[0085] (2)回路接続材料の作製
ビスフエノール A型エポキシ榭脂と 9、 9,一ビス(4—ヒドロキシフエ-ル)フルオレン 力もガラス転移温度が 80°Cのフエノキシ榭脂を合成した。この榭脂 50gを、質量比で トルエン Z酢酸ェチル =50Z50の混合溶液に溶解して固形分 40質量%のフ ノキ シ榭脂溶液を得た。
[0086] 次に、フエノキシ榭脂 40gを含有するフエノキシ榭脂溶液と、マイクロカプセル型潜 在性硬化剤を含有する液状エポキシ榭脂 60gを混合して溶液 Aを得た。この溶液 A に、回路接続材料の体積を基準として、未被覆粒子を 0. 6体積%、被覆粒子を 11. 4体積%の濃度となるように分散させて、溶液 Bを得た。
[0087] その後、厚み 50 μ mの片面表面処理を施した PET (ポリエチレンテレフタレート)フ イルム上に、塗工装置を用いて上記の溶液 Bを塗布した。塗布後、 80°Cで 5分間、熱 風乾燥を施し、接着剤層の厚みが 10 mの第一フィルム状接着剤組成物を得た。
[0088] 次に、上記とは別の厚み 50 μ mの片面表面処理を施した PET (ポリエチレンテレフ タレート)フィルム上に、塗工装置を用いて上記の溶液 Aを塗布した。塗布後、 80°C で 5分間、熱風乾燥を施し、接着剤層の厚みが 10 mの第二フィルム状接着剤組成 物を得た。
[0089] 次に、第一フィルム状接着剤組成物と第二フィルム状接着剤組成物をラミネータで 貼り合わせ、二層構成のフィルム状の回路接続材料を得た。
[0090] (3)回路部材の接続構造の作製
バンプ面積 50 m X 50 m、ピッチ 100 μ m、高さ 20 μ mの金バンプを配置した I
Cチップと、厚み 1. 1mmのガラス上にインジウム 錫酸ィ匕物(ITO)の回路を蒸着に より形成した ITO基板 (表面抵抗く 20 Ω /Π)を準備した。
[0091] 上記の二層構成の回路接続材料のうち第一フィルム状接着剤組成物側を上記の I TO基板上に載せて、 75°C、 1. OMPaで 2秒間加熱加圧して貼り付けた。その後、 I TO基板と接触して 、な 、側の二層構成の PETフィルムを剥離して、 ICチップと接触 させた。そして、 ICチップと ITO基板を石英ガラスと加圧ヘッドで挟み、 210°C、 80M Paで 5秒間加熱加圧して接続し、 ICチップと ITO基板が接続された回路部材の接続 構造を得た。
[0092] (4)抵抗値の測定
回路部材の接続構造の接続部の電気抵抗値を、 4端子測定法を用いマルチメータ で測定した。測定は、温度サイクル実施前と、温度サイクルを 500回実施後の 2回測 定した。ここで、温度サイクルとは、「― 40°Cで 30分間保持し、その後 100°Cで 30分 間保持」することを 1サイクルとするものであり、回路部材の接続構造全体を温度サイ クル槽中にお 、て実施するものである。
[0093] (5)隣接電極間の絶縁抵抗測定
温度サイクル実施後の回路部材の接続構造の接続部に、直流 (DC) 50Vの電圧 を 1分間印加し、印加後の絶縁抵抗を、 2端子測定法を用いてマルチメータで測定し た。測定した測定値が 1 X 103 Ωを下回ったときをショート (短絡)発生と判定した。
[0094] (実施例 2)
未被覆粒子を 1. 2体積%、被覆粒子を 10. 8体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0095] (実施例 3)
未被覆粒子を 1. 8体積%、被覆粒子を 10. 2体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0096] (実施例 4)
未被覆粒子を 2. 4体積%、被覆粒子を 9. 6体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0097] (実施例 5) 未被覆粒子を 3. 6体積%、被覆粒子を 8. 4体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0098] (実施例 6)
未被覆粒子を 4. 8体積%、被覆粒子を 7. 2体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0099] (実施例 7)
未被覆粒子を 6. 0体積%、被覆粒子を 6. 0体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0100] (実施例 8)
未被覆粒子を 7. 2体積%、被覆粒子を 4. 8体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0101] (実施例 9)
未被覆粒子を 8. 4体積%、被覆粒子を 3. 6体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0102] (実施例 10)
未被覆粒子を 9. 6体積%、被覆粒子を 2. 4体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0103] (実施例 11)
未被覆粒子を 10. 8体積%、被覆粒子を 1. 2体積%の濃度となるように分散させて 溶液 Bを得たこと以外は、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接 続構造の作製とこれらの評価を行った。
[0104] (比較例 1) 被覆粒子を 12. 0体積%の濃度となるように分散させて溶液 Bを得たこと以外は、 実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接続構造の作製とこれらの評 価を行った。
[0105] (比較例 2)
未被覆粒子を 12. 0体積%の濃度となるように分散させて溶液 Bを得たこと以外は 、実施例 1と同様にして、回路接続材料及び回路部材の接続構造の作製とこれらの 評価を行った。
[0106] 実施例 1〜 11及び比較例 1, 2のショート発生率と抵抗値の測定結果を下記表 1に 示す。なお、測定結果は、いずれも温度サイクル実施後のデータである。
[0107] [表 1]
Figure imgf000020_0001
被覆粒子のみを使用した比較例 1は、ショート発生率が 0%と良好な絶縁性を示し たものの、抵抗値が 22. 1 Ωと高カゝつた。一方、未被覆粒子のみを使用した比較例 2 は、抵抗値 10. 2 Ωと良好な接続抵抗を示した。しかし、ショート発生率が 100%と高 かった。 [0109] これらに対して、被覆粒子と未被覆粒子の両方を使用した実施例 1〜11はショート 発生率と抵抗値がともに低ぐ良好な絶縁性と接続抵抗を示した。そのうち、被覆粒 子に対する未被覆粒子の比率が体積比で 2. 0以下である実施例 1〜8は、ショート 発生率と抵抗値がともに低ぐ特に良好な絶縁性と接続抵抗を示した。
[0110] 以上より、本発明の回路接続材料を用いて回路部材の接続構造を製造すれば、得 られる回路部材の接続構造において、隣り合う回路電極間の絶縁性が十分に維持さ れつつ、対向する回路電極間の接続抵抗が十分に低減されることが確認された。

Claims

請求の範囲
[1] 第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材 と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部 材とを、前記第一及び第二の回路電極を対向させた状態で接続するための回路接 続材料であって、
接着剤組成物と、導電性粒子及びこれの表面の一部を被覆する絶縁性微粒子を 有する被覆粒子と、表面のほぼ全体が前記接着剤組成物と接して!/ヽる導電性粒子 カゝらなる未被覆粒子と、を含有することを特徴とする回路接続材料。
[2] 前記導電性粒子が、有機高分子化合物からなる核体を有する請求項 1に記載の回 路接続材料。
[3] 前記被覆粒子と前記未被覆粒子の合計濃度が、回路接続材料全体の 3〜15体積 %である請求項 1に記載の回路接続材料。
[4] 前記被覆粒子に対する前記未被覆粒子の比率が体積比で 2. 0以下である請求項 1に記載の回路接続材料。
[5] 第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材 と、第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成され、前記第二の回 路電極が前記第一の回路電極と対向配置されるように配置された第二の回路部材と 、前記第一の回路基板と前記第二の回路基板との間に設けられ、前記第一及び第 二の回路電極が電気的に接続されるように前記第一の回路部材と前記第二の回路 部材とを接続する回路接続部と、を備えた回路部材の接続構造であって、
前記回路接続部が、請求項 1〜4のいずれか一項に記載の回路接続材料から構成 されることを特徴とする回路部材の接続構造。
[6] 前記第一の回路部材または前記第二の回路部材において隣り合う前記回路電極 間に 50Vの直流電圧を印加した場合に、隣り合う前記回路電極間の抵抗値が 103 Ω 以上である請求項 5に記載の回路部材の接続構造。
[7] 前記第一の回路部材及び前記第二の回路部材の少なくとも一方が、 ICチップであ る請求項 5に記載の回路部材の接続構造。
[8] 前記第一の回路電極と前記第二の回路電極との間の抵抗値が 20 Ω以下である請 求項 5に記載の回路部材の接続構造。
[9] 前記第一の回路電極の前記第二の回路電極との対向面、及び前記第二の回路電 極の前記第一の回路電極との対向面のうち少なくとも一方の表面が、金、銀、錫、白 金族の金属及びインジウム錫酸ィ匕物からなる群より選ばれる少なくとも一種力 構成 されている請求項 5に記載の回路部材の接続構造。
[10] 前記第一の回路部材の前記第二の回路部材との対向面、及び前記第二の回路部 材の前記第一の回路部材との対向面のうち少なくとも一方の表面力 窒化シリコン、 シリコーンィ匕合物及びポリイミド榭脂からなる群より選ばれる少なくとも一種力も構成さ れている請求項 5に記載の回路部材の接続構造。
[11] 第一の回路基板の主面上に複数の第一の回路電極が形成された第一の回路部材 と第二の回路基板の主面上に複数の第二の回路電極が形成された第二の回路部 材とを、第一の回路電極及び第二の回路電極が対向配置されるように配置し、これら の間に請求項 1〜4のいずれか一項に記載の回路接続材料を介在させた状態で全 体を加熱及び加圧して、前記第一及び第二の回路電極が電気的に接続されるように 前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接続する工程を備えることを特徴と する回路部材の接続構造の製造方法。
PCT/JP2007/053669 2006-02-27 2007-02-27 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法 WO2007099965A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007532716A JP4605225B2 (ja) 2006-02-27 2007-02-27 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006050307 2006-02-27
JP2006-050307 2006-02-27
JP2006-204937 2006-07-27
JP2006204937 2006-07-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007099965A1 true WO2007099965A1 (ja) 2007-09-07

Family

ID=38459070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/053669 WO2007099965A1 (ja) 2006-02-27 2007-02-27 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4605225B2 (ja)
KR (1) KR20080106308A (ja)
TW (1) TW200739612A (ja)
WO (1) WO2007099965A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009275102A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
WO2010001900A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 日立化成工業株式会社 回路接続材料及び回路接続構造体
JP2011012180A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及び回路接続構造体
WO2011062149A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 日立化成工業株式会社 回路接続材料、それを用いた接続構造体及び仮圧着方法
CN111902884A (zh) * 2018-04-04 2020-11-06 积水化学工业株式会社 带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电性粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体
CN111971757A (zh) * 2018-04-04 2020-11-20 积水化学工业株式会社 带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101836266B (zh) * 2007-10-22 2012-02-15 日本化学工业株式会社 包覆导电性粉体以及使用该包覆导电性粉体的导电性粘合剂
WO2016189829A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 タツタ電線株式会社 実装用導電性ペースト

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04259766A (ja) * 1991-02-14 1992-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続部材
JPH07247467A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Casio Comput Co Ltd 異方導電性接着剤およびそれを用いた導電接続構造
JPH1077460A (ja) * 1996-09-02 1998-03-24 Sony Corp 異方性導電膜
JP2000251536A (ja) * 1999-03-04 2000-09-14 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP2005044773A (ja) * 2003-07-07 2005-02-17 Sekisui Chem Co Ltd 被覆導電性粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP2005197089A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2005197091A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04259766A (ja) * 1991-02-14 1992-09-16 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続部材
JPH07247467A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Casio Comput Co Ltd 異方導電性接着剤およびそれを用いた導電接続構造
JPH1077460A (ja) * 1996-09-02 1998-03-24 Sony Corp 異方性導電膜
JP2000251536A (ja) * 1999-03-04 2000-09-14 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP2005044773A (ja) * 2003-07-07 2005-02-17 Sekisui Chem Co Ltd 被覆導電性粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP2005197089A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2005197091A (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009275102A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料
TWI398880B (zh) * 2008-07-01 2013-06-11 Hitachi Chemical Co Ltd Circuit connection material and circuit connection structure
WO2010001900A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 日立化成工業株式会社 回路接続材料及び回路接続構造体
JP2010034045A (ja) * 2008-07-01 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及び回路接続構造体
JP2011012180A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及び回路接続構造体
CN102686690A (zh) * 2009-11-17 2012-09-19 日立化成工业株式会社 电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法
WO2011062149A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 日立化成工業株式会社 回路接続材料、それを用いた接続構造体及び仮圧着方法
JP2015091957A (ja) * 2009-11-17 2015-05-14 日立化成株式会社 回路接続材料、それを用いた接続構造体及び仮圧着方法
JP5944102B2 (ja) * 2009-11-17 2016-07-05 日立化成株式会社 回路接続材料、それを用いた接続構造体
CN111902884A (zh) * 2018-04-04 2020-11-06 积水化学工业株式会社 带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电性粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体
CN111971757A (zh) * 2018-04-04 2020-11-20 积水化学工业株式会社 带有绝缘性粒子的导电性粒子、带有绝缘性粒子的导电粒子的制造方法、导电材料以及连接结构体
CN111971757B (zh) * 2018-04-04 2023-03-14 积水化学工业株式会社 导电性粒子、其制造方法、导电材料及连接结构体
CN111902884B (zh) * 2018-04-04 2023-03-14 积水化学工业株式会社 导电性粒子、其制造方法、导电材料及连接结构体

Also Published As

Publication number Publication date
TWI348166B (ja) 2011-09-01
JPWO2007099965A1 (ja) 2009-07-23
KR20080106308A (ko) 2008-12-04
JP4605225B2 (ja) 2011-01-05
TW200739612A (en) 2007-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101183317B1 (ko) 접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 방법 및 회로 접속체
KR101403282B1 (ko) 접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 방법 및 회로 접속체
JP4605225B2 (ja) 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法
JP4924773B2 (ja) 導電接続材料、電子部品の製造方法、導電接続材料付き電子部材および電子部品
JP4993230B2 (ja) 絶縁粒子付き導電性粒子、絶縁粒子付き導電性粒子の製造方法、異方性導電材料及び接続構造体
KR20140045328A (ko) 도전성 입자 및 이를 이용한 이방성 도전 재료
JP2011040189A (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2015167106A (ja) 異方導電性フィルム及び接続構造体
JP5029691B2 (ja) 回路接続用フィルム状接着剤
KR102095291B1 (ko) 절연성 입자 부착 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
JP2002201450A (ja) 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2007224111A (ja) 異方導電性接着シート及びその製造方法
JP6326867B2 (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体
JP4687576B2 (ja) 回路接続用フィルム状接着剤
JP2005194413A (ja) 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
EP1657725A1 (en) Insulation-coated electroconductive particles
JP5484265B2 (ja) 導電性粒子、絶縁粒子付き導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2012142223A (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP5584615B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
CN101390174A (zh) 电路连接材料、使用其的电路部件的连接结构及其制造方法
JP5580729B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2011175846A (ja) 回路部材接続用接着フィルム、回路部材接続構造体及び回路部材接続構造体の製造方法
JP2004220916A (ja) 回路接続用接着剤組成物、これを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2003253239A (ja) 回路の接続方法及びそれに用いる回路接続用接着剤
JP2013149468A (ja) 異方性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007532716

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780006726.4

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087023514

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07715008

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1