JPH06326139A - 接着剤及び半導体装置 - Google Patents
接着剤及び半導体装置Info
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- JPH06326139A JPH06326139A JP10866893A JP10866893A JPH06326139A JP H06326139 A JPH06326139 A JP H06326139A JP 10866893 A JP10866893 A JP 10866893A JP 10866893 A JP10866893 A JP 10866893A JP H06326139 A JPH06326139 A JP H06326139A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のダイボンディング剤として使用
した場合に、半田リフロー時のリフロークラックの発生
を低減し、半導体装置としての信頼性を向上させること
ができる接着剤を提供する。 【構成】 （１）末端にカルボキシル基を有するアクリ
ロニトリルブタジエン共重合体とエポキシ基を２個以上
有するエポキシ樹脂との反応生成物および（２）シリコ
ーン変性フェノールアラルキル樹脂を含有してなる接着
剤ならびにこの接着剤を用いて半導体素子を支持部材に
接合してなる半導体装置。
した場合に、半田リフロー時のリフロークラックの発生
を低減し、半導体装置としての信頼性を向上させること
ができる接着剤を提供する。 【構成】 （１）末端にカルボキシル基を有するアクリ
ロニトリルブタジエン共重合体とエポキシ基を２個以上
有するエポキシ樹脂との反応生成物および（２）シリコ
ーン変性フェノールアラルキル樹脂を含有してなる接着
剤ならびにこの接着剤を用いて半導体素子を支持部材に
接合してなる半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は接着剤及び半導体装置に
関し、さらに詳しくはリフローソルダリング時にリフロ
ークラックの無い高信頼性の半導体装置を得ることがで
きる接着剤及びこれを用いた半導体装置に関する。
関し、さらに詳しくはリフローソルダリング時にリフロ
ークラックの無い高信頼性の半導体装置を得ることがで
きる接着剤及びこれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造する際の半導体
素子とリードフレーム（支持部材）の接合方法として、
（１）金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として
用いる方法、（２）エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系
等の有機材料に銀粉等を分散させてペースト状態とし、
これを接着剤として用いる方法などがある。しかしなが
ら、前者の方法ではコストが高く、３５０℃から４００
℃程度の高い熱処理が必要であり、また接着剤が硬く、
熱応力によってチップの破壊が起こるため、最近では銀
粉を含んだ銀ペーストを用いる後者の方法が主流となっ
ている。この方法は、一般に銀ペーストをディスペンサ
ーやスタンピングマシンを用いてリードフレームに塗布
した後、半導体素子をダイボンディングし、加熱硬化さ
せて接合するものである。加熱硬化の方法としては、オ
ーブン中で硬化させるバッチ方式と、加熱されたプレー
ト上で硬化させるインライン方式とがある。さらにこの
半導体装置は、外部を封止材により封止後、基板上に半
田付けされ実装される。現在、高密度、高効率実装のた
め、半田実装は半導体装置のリードを基板に直接半田付
けする面付け実装法が主流となっている。半田実装に
は、基板全体を赤外線などで加熱するリフローソルダリ
ングが用いられ、パッケージは２００℃以上の高温に加
熱される。このため、パッケージ内部、特に接着剤層中
または封止材中に含まれる水分が気化してダイパッドと
封止材の間に回り込み、パッケージにクラック（リフロ
ークラック）が生じ、半導体装置の信頼性が低下する欠
点があった。
素子とリードフレーム（支持部材）の接合方法として、
（１）金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として
用いる方法、（２）エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系
等の有機材料に銀粉等を分散させてペースト状態とし、
これを接着剤として用いる方法などがある。しかしなが
ら、前者の方法ではコストが高く、３５０℃から４００
℃程度の高い熱処理が必要であり、また接着剤が硬く、
熱応力によってチップの破壊が起こるため、最近では銀
粉を含んだ銀ペーストを用いる後者の方法が主流となっ
ている。この方法は、一般に銀ペーストをディスペンサ
ーやスタンピングマシンを用いてリードフレームに塗布
した後、半導体素子をダイボンディングし、加熱硬化さ
せて接合するものである。加熱硬化の方法としては、オ
ーブン中で硬化させるバッチ方式と、加熱されたプレー
ト上で硬化させるインライン方式とがある。さらにこの
半導体装置は、外部を封止材により封止後、基板上に半
田付けされ実装される。現在、高密度、高効率実装のた
め、半田実装は半導体装置のリードを基板に直接半田付
けする面付け実装法が主流となっている。半田実装に
は、基板全体を赤外線などで加熱するリフローソルダリ
ングが用いられ、パッケージは２００℃以上の高温に加
熱される。このため、パッケージ内部、特に接着剤層中
または封止材中に含まれる水分が気化してダイパッドと
封止材の間に回り込み、パッケージにクラック（リフロ
ークラック）が生じ、半導体装置の信頼性が低下する欠
点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の欠点を除去し、リフロークラックの無い接着剤及
びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
技術の欠点を除去し、リフロークラックの無い接着剤及
びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）末端に
カルボキシル基を有するアクリロニトリルブタジエン共
重合体とエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂との
反応生成物および（２）シリコーン変性フェノールアラ
ルキル樹脂を含有してなる接着剤およびこの接着剤を用
いて半導体素子を支持部材に結合してなる半導体装置に
関する。
カルボキシル基を有するアクリロニトリルブタジエン共
重合体とエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂との
反応生成物および（２）シリコーン変性フェノールアラ
ルキル樹脂を含有してなる接着剤およびこの接着剤を用
いて半導体素子を支持部材に結合してなる半導体装置に
関する。
【０００５】本発明に用いられる末端にカルボキシル基
を有するアクリロニトリルブタジエン共重合体として
は、例えば液状ポリブタジエンＣＴＢＮ−１３００×３
１、ＣＴＢＮＸ−１３００×９（いずれも宇部興産
製）、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ−Ｃ−２０００（日本曹達製）
などが挙げられる。
を有するアクリロニトリルブタジエン共重合体として
は、例えば液状ポリブタジエンＣＴＢＮ−１３００×３
１、ＣＴＢＮＸ−１３００×９（いずれも宇部興産
製）、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ−Ｃ−２０００（日本曹達製）
などが挙げられる。
【０００６】本発明に用いられるエポキシ基を２個以上
有するエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤなどとエピ
クロクヒドリドンとから誘導されるエポキシ樹脂、例え
ばＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成工業社製）、ＹＤＦ−１
７０（東都化成社製）、Ｒ−７１０（三井石油化学社
製）、ノボラック型エポキシ樹脂Ｎ−７３０Ｓ（大日本
インキ社製）、フェノールノボラック型エポキシ樹脂Ｑ
ｕａｔｒｅｘ−２０１０（ダウ・ケミカル社製）、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂ＹＤＣＮ−７０２Ｓ
（東都化成社製）、ＥＯＣＮ−１００（日本化薬社
製）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂Ｒ−３０１、Ｙ
Ｌ−９８０（油化シェルエポキシ社製）、多官能エポキ
シ樹脂ＥＰＰＮ−５０１（日本化薬社製）、ＴＡＣＴＩ
Ｘ−７４２（ダウ・ケミカル社製）、ＶＧ−３０１０
（三井石油化学社製）、１０３２Ｓ（油化シェルエポキ
シ社製）、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂ＨＰ−
４０３２（大日本インキ社製）、脂環式エポキシ樹脂Ｅ
ＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学社製）などが挙げられ
る。これらのエポキシ樹脂を適宜組み合わせて用いても
よい。さらに目的に応じて、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、パラターシャリブチ
ルフェニルグリシジルエーテル、パラセカンダリフェニ
ルグリシジルエーテル、アミン型エポキシ樹脂ＥＬＭ−
１００（住友化学社製）などの反応性希釈剤を用いても
よい。
有するエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤなどとエピ
クロクヒドリドンとから誘導されるエポキシ樹脂、例え
ばＡＥＲ−Ｘ８５０１（旭化成工業社製）、ＹＤＦ−１
７０（東都化成社製）、Ｒ−７１０（三井石油化学社
製）、ノボラック型エポキシ樹脂Ｎ−７３０Ｓ（大日本
インキ社製）、フェノールノボラック型エポキシ樹脂Ｑ
ｕａｔｒｅｘ−２０１０（ダウ・ケミカル社製）、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂ＹＤＣＮ−７０２Ｓ
（東都化成社製）、ＥＯＣＮ−１００（日本化薬社
製）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂Ｒ−３０１、Ｙ
Ｌ−９８０（油化シェルエポキシ社製）、多官能エポキ
シ樹脂ＥＰＰＮ−５０１（日本化薬社製）、ＴＡＣＴＩ
Ｘ−７４２（ダウ・ケミカル社製）、ＶＧ−３０１０
（三井石油化学社製）、１０３２Ｓ（油化シェルエポキ
シ社製）、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂ＨＰ−
４０３２（大日本インキ社製）、脂環式エポキシ樹脂Ｅ
ＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学社製）などが挙げられ
る。これらのエポキシ樹脂を適宜組み合わせて用いても
よい。さらに目的に応じて、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、パラターシャリブチ
ルフェニルグリシジルエーテル、パラセカンダリフェニ
ルグリシジルエーテル、アミン型エポキシ樹脂ＥＬＭ−
１００（住友化学社製）などの反応性希釈剤を用いても
よい。
【０００７】本発明における反応生成物は、前記のエポ
キシ樹脂と、前記の末端にカルボキシル基を有するアク
リロニトリルブタジエン共重合体とを１０／９０〜９０
／１０（重量部）の比率で、８０℃〜１２０℃で３０分
〜６時間程度反応させて得られる。反応時に必要に応じ
て下記の希釈剤を使用してもよい。
キシ樹脂と、前記の末端にカルボキシル基を有するアク
リロニトリルブタジエン共重合体とを１０／９０〜９０
／１０（重量部）の比率で、８０℃〜１２０℃で３０分
〜６時間程度反応させて得られる。反応時に必要に応じ
て下記の希釈剤を使用してもよい。
【０００８】本発明に用いられるシリコーン変性フェノ
ールアラルキル樹脂は、硬化剤として作用し、例えばＸ
Ｌ−３２１０（三井東圧化学社製）などが挙げられる。
ールアラルキル樹脂は、硬化剤として作用し、例えばＸ
Ｌ−３２１０（三井東圧化学社製）などが挙げられる。
【０００９】本発明に必要に応じて用いられる充填剤と
しては、シリカ粉、アルミナ粉、銀粉等が用いられ、粒
径、形状等に制限はないが、銀粉が好ましく、フレーク
状、樹枝状、球形、不定形等の銀粉が使用可能である。
例えば、シルベストＴＣＧ−１（徳力化学研究所製）、
シルフレークＡｇｃ−Ａ（福田金属箔粉工業社製）等が
挙げられる。
しては、シリカ粉、アルミナ粉、銀粉等が用いられ、粒
径、形状等に制限はないが、銀粉が好ましく、フレーク
状、樹枝状、球形、不定形等の銀粉が使用可能である。
例えば、シルベストＴＣＧ−１（徳力化学研究所製）、
シルフレークＡｇｃ−Ａ（福田金属箔粉工業社製）等が
挙げられる。
【００１０】さらに、本発明になる接着剤は、硬化性を
向上させるために硬化促進剤を含有することができ、そ
の例としては有機ボロン塩ＥＭＺ・Ｋ、ＴＰＰ・Ｋ（北
興化学社製）、三級アミン類及びその塩ＤＢＵ、Ｕ−Ｃ
ＡＴ１０２、１０６、８３０、３４０、５００２（サン
アプロ社製）キュアゾールＣ11Ｚ−ＣＮＳ、Ｃ11Ｚ、２
Ｐ４ＭＨＺ、２ＰＨＺなどのイミダゾール類（四国化成
社製）などが挙げられる。これらの硬化促進剤は単独で
用いてもよく、数種類の硬化剤及び硬化促進剤を適宜組
み合わせて用いてもよい。
向上させるために硬化促進剤を含有することができ、そ
の例としては有機ボロン塩ＥＭＺ・Ｋ、ＴＰＰ・Ｋ（北
興化学社製）、三級アミン類及びその塩ＤＢＵ、Ｕ−Ｃ
ＡＴ１０２、１０６、８３０、３４０、５００２（サン
アプロ社製）キュアゾールＣ11Ｚ−ＣＮＳ、Ｃ11Ｚ、２
Ｐ４ＭＨＺ、２ＰＨＺなどのイミダゾール類（四国化成
社製）などが挙げられる。これらの硬化促進剤は単独で
用いてもよく、数種類の硬化剤及び硬化促進剤を適宜組
み合わせて用いてもよい。
【００１１】本発明になる接着剤は、その作成時の作業
性及び使用時の塗布作業性をより良好にするため、必要
に応じて希釈剤を添加することができる。これらの希釈
剤としては、ブチルセロソルブ、カルビトール、酢酸ブ
チルセロソルブ、酢酸カルビトール、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、α−テルピネオールなどの比較的
沸点の高い有機溶剤、ＰＧＥ（日本化薬社製）、ＰＰ−
１０１（東都化成社製）、ＥＤ−５０２、５０３（旭電
化社製）、ＹＥＤ−１２２（油化シェルエポキシ社
製）、ＫＢＭ−４０３、ＬＳ−７９７０（信越化学工業
社製）、ＴＳＬ−８３５０、８３５５、９９０５（東芝
シリコーン社製）などの１分子中に１〜２個のエポキシ
基を有する希釈剤等が挙げられる。
性及び使用時の塗布作業性をより良好にするため、必要
に応じて希釈剤を添加することができる。これらの希釈
剤としては、ブチルセロソルブ、カルビトール、酢酸ブ
チルセロソルブ、酢酸カルビトール、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、α−テルピネオールなどの比較的
沸点の高い有機溶剤、ＰＧＥ（日本化薬社製）、ＰＰ−
１０１（東都化成社製）、ＥＤ−５０２、５０３（旭電
化社製）、ＹＥＤ−１２２（油化シェルエポキシ社
製）、ＫＢＭ−４０３、ＬＳ−７９７０（信越化学工業
社製）、ＴＳＬ−８３５０、８３５５、９９０５（東芝
シリコーン社製）などの１分子中に１〜２個のエポキシ
基を有する希釈剤等が挙げられる。
【００１２】本発明になる接着剤には、更に必要に応じ
てＫＢＭ−５７３（信越化学社製）などのシランカップ
リング剤、チタンカップリング剤等の接着力向上剤、ア
ニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ性向
上剤、シリコーン油などの消泡剤等を適宜添加すること
ができる。
てＫＢＭ−５７３（信越化学社製）などのシランカップ
リング剤、チタンカップリング剤等の接着力向上剤、ア
ニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ性向
上剤、シリコーン油などの消泡剤等を適宜添加すること
ができる。
【００１３】本発明になる接着剤は、例えば前記のエポ
キシ樹脂と前記の末端にカルボキシル基を有するアクリ
ロニトリルブタジエン共重合体及び前記の希釈剤とをフ
ラスコ内で８０〜１２０℃の温度で溶解混合してワニス
とし、このワニスにシリコーン変性フェノールアラルキ
ル樹脂及び必要により充填剤、硬化促進剤を例えば三本
ロール、プラネタリミキサ、らいかい機、ボールミル等
により混合して得られる。溶媒の存在下に前記のエポキ
シ樹脂、アクリロニトリルブタジエン共重合体およびシ
リコーン変性フェノールアラルキル樹脂を同時に混合し
て反応させてもよい。本発明になる接着剤は、半導体素
子をリードフレーム等の支持部材に接着させる際に用い
られる半導体素子用接着剤として用いることが好まし
い。
キシ樹脂と前記の末端にカルボキシル基を有するアクリ
ロニトリルブタジエン共重合体及び前記の希釈剤とをフ
ラスコ内で８０〜１２０℃の温度で溶解混合してワニス
とし、このワニスにシリコーン変性フェノールアラルキ
ル樹脂及び必要により充填剤、硬化促進剤を例えば三本
ロール、プラネタリミキサ、らいかい機、ボールミル等
により混合して得られる。溶媒の存在下に前記のエポキ
シ樹脂、アクリロニトリルブタジエン共重合体およびシ
リコーン変性フェノールアラルキル樹脂を同時に混合し
て反応させてもよい。本発明になる接着剤は、半導体素
子をリードフレーム等の支持部材に接着させる際に用い
られる半導体素子用接着剤として用いることが好まし
い。
【００１４】本発明になる接着剤を用いた半導体装置
は、リードフレーム等の支持部材に本発明の接着剤を注
射筒を用いたディスペンス法、スタンピング法、スクリ
ーン印刷法等により塗布したのち、半導体素子を圧着
し、その後熱風循環式乾燥器、ヒートブロックなどの加
熱装置を用いて加熱硬化して半導体素子を支持部材に接
合し、その後通常のワイヤボンディング工程、封止工程
を経て製造される。
は、リードフレーム等の支持部材に本発明の接着剤を注
射筒を用いたディスペンス法、スタンピング法、スクリ
ーン印刷法等により塗布したのち、半導体素子を圧着
し、その後熱風循環式乾燥器、ヒートブロックなどの加
熱装置を用いて加熱硬化して半導体素子を支持部材に接
合し、その後通常のワイヤボンディング工程、封止工程
を経て製造される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例１ ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（クレゾールノボラック樹脂、東都
化成製商品名）３０重量部にＣＴＢＮ−１００９（液状
ポリブタジエン、宇部興産製商品名）１０重量部及び酢
酸ブチルセロソルブ１３重量部を加え、８０℃に加熱し
て１時間撹拌してワニスを得た。この温度でこのワニス
にＸＬ−３２１０（シリコーン変性フェノールアラルキ
ル樹脂、三井東圧化学社製商品名）１４重量部を加え１
時間後２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾール２
Ｐ４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品名）、銀
粉ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表１に示す
配合比（重量部、以下同じ）でらいかい機により混合し
接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田リフロー
クラック試験を行った。試験結果を表１に示す。
化成製商品名）３０重量部にＣＴＢＮ−１００９（液状
ポリブタジエン、宇部興産製商品名）１０重量部及び酢
酸ブチルセロソルブ１３重量部を加え、８０℃に加熱し
て１時間撹拌してワニスを得た。この温度でこのワニス
にＸＬ−３２１０（シリコーン変性フェノールアラルキ
ル樹脂、三井東圧化学社製商品名）１４重量部を加え１
時間後２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾール２
Ｐ４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品名）、銀
粉ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表１に示す
配合比（重量部、以下同じ）でらいかい機により混合し
接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田リフロー
クラック試験を行った。試験結果を表１に示す。
【００１６】実施例２ エピコート１００１（ビスＡ型エポキシ樹脂、油化シェ
ル化学社製商品名）３５重量部にＣＴＢＮ−１００９
（液状ポリブタジエン、宇部興産製商品名）５重量部及
び酢酸ブチルセロソルブ１３重量部を加え、８０℃に加
熱して１時間撹拌してワニスを得た。この温度でこのワ
ニスにＸＬ−３２１０（シリコーン変性フェノールアラ
ルキル樹脂、三井東圧化学社製商品名）１２重量部を加
え１時間後２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾー
ル２Ｐ４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品
名）、銀粉ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表
１に示す配合比でらいかい機により混合し接着剤を得
た。この接着剤を用い、下記の半田リフロークラック試
験を行った。試験結果を表１に示す。
ル化学社製商品名）３５重量部にＣＴＢＮ−１００９
（液状ポリブタジエン、宇部興産製商品名）５重量部及
び酢酸ブチルセロソルブ１３重量部を加え、８０℃に加
熱して１時間撹拌してワニスを得た。この温度でこのワ
ニスにＸＬ−３２１０（シリコーン変性フェノールアラ
ルキル樹脂、三井東圧化学社製商品名）１２重量部を加
え１時間後２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾー
ル２Ｐ４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品
名）、銀粉ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表
１に示す配合比でらいかい機により混合し接着剤を得
た。この接着剤を用い、下記の半田リフロークラック試
験を行った。試験結果を表１に示す。
【００１７】実施例３ エピコート１００７（ビスＡ型エポキシ樹脂、油化シェ
ル化学社製商品名）２０重量部にＣＴＢＮ−１００９
（液状ポリブタジエン、宇部興産製商品名）２０重量
部、ＸＬ−３２１０（シリコーン変性フェノールアラル
キル樹脂、三井東圧化学社製商品名）４重量部及び酢酸
ブチルセロソルブ１３重量部を加え、８０℃に加熱して
１時間撹拌してワニスを得た。これを２３℃〜２５℃ま
で冷却した後、キュアゾール２Ｐ４ＭＨＺ（イミダゾー
ル、四国化成社製商品名）、銀粉ＴＣＧ−１（徳力化学
研究所製商品名）を表１に示す配合比でらいかい機によ
り混合し接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田
リフロークラック試験を行った。試験結果を表１に示
す。
ル化学社製商品名）２０重量部にＣＴＢＮ−１００９
（液状ポリブタジエン、宇部興産製商品名）２０重量
部、ＸＬ−３２１０（シリコーン変性フェノールアラル
キル樹脂、三井東圧化学社製商品名）４重量部及び酢酸
ブチルセロソルブ１３重量部を加え、８０℃に加熱して
１時間撹拌してワニスを得た。これを２３℃〜２５℃ま
で冷却した後、キュアゾール２Ｐ４ＭＨＺ（イミダゾー
ル、四国化成社製商品名）、銀粉ＴＣＧ−１（徳力化学
研究所製商品名）を表１に示す配合比でらいかい機によ
り混合し接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田
リフロークラック試験を行った。試験結果を表１に示
す。
【００１８】比較例１ ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（クレゾールノボラツク樹脂、東都
化成製商品名）３０重量部にＣＴＢＮ−１００９（液状
ポリブタジエン、宇部興産製商品名）１０重量部、Ｈ−
１（フェノールノボラツク樹脂、明和化成製商品名）８
重量部及び酢酸ブチルセロソルブ１２．５重量部を加
え、８０℃に加熱して１時間撹拌してワニスを得た。こ
れを２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾール２Ｐ
４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品名）、銀粉
ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表１に示す配
合比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この接着
剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行った。
試験結果を表１に示す。
化成製商品名）３０重量部にＣＴＢＮ−１００９（液状
ポリブタジエン、宇部興産製商品名）１０重量部、Ｈ−
１（フェノールノボラツク樹脂、明和化成製商品名）８
重量部及び酢酸ブチルセロソルブ１２．５重量部を加
え、８０℃に加熱して１時間撹拌してワニスを得た。こ
れを２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾール２Ｐ
４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品名）、銀粉
ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表１に示す配
合比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この接着
剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行った。
試験結果を表１に示す。
【００１９】比較例２ ＹＤＣＮ−７０２Ｓ（クレゾールノボラック樹脂、東都
化成製商品名）３０重量部にＣＴＢＮ−１００９（液状
ポリブタジエン、宇部興産製商品名）１０重量部、ＸＬ
−２２５（フェノールアラルキル樹脂、三井東圧製商品
名）４重量部及び酢酸ブチルセロソルブ１３重量部を加
え、８０℃に加熱して１時間撹拌してワニスを得た。こ
れを２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾール２Ｐ
４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品名）、銀粉
ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表１に示す配
合比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この接着
剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行った。
試験結果を表１に示す。
化成製商品名）３０重量部にＣＴＢＮ−１００９（液状
ポリブタジエン、宇部興産製商品名）１０重量部、ＸＬ
−２２５（フェノールアラルキル樹脂、三井東圧製商品
名）４重量部及び酢酸ブチルセロソルブ１３重量部を加
え、８０℃に加熱して１時間撹拌してワニスを得た。こ
れを２３℃〜２５℃まで冷却した後、キュアゾール２Ｐ
４ＭＨＺ（イミダゾール、四国化成社製商品名）、銀粉
ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製商品名）を表１に示す配
合比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この接着
剤を用い、下記の半田リフロークラック試験を行った。
試験結果を表１に示す。
【００２０】半田リフロークラック試験方法 実施例及び比較例により得た接着剤を用い、下記フレー
ムとシリコンチップを、下記硬化条件により硬化し接着
した。その後日立化成製エポキシ封止材（商品名ＣＥＬ
−４６２０）により封止し、半田リフロー試験用パッケ
ージを得た。そのパッケージを温度及び湿度がそれぞれ
８５℃、８５％の条件に設定された恒温恒湿槽中で４８
時間吸湿させた。その後２１５℃／９０秒のリフロー条
件で半田リフローを行い、パッケージの外部クラックの
発生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。５個のサ
ンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ パッケージ：ＱＦＰ、１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ フレーム：４２アロイ 硬化条件：１８０℃まで３０分で昇温、１８０℃／１時
間硬化
ムとシリコンチップを、下記硬化条件により硬化し接着
した。その後日立化成製エポキシ封止材（商品名ＣＥＬ
−４６２０）により封止し、半田リフロー試験用パッケ
ージを得た。そのパッケージを温度及び湿度がそれぞれ
８５℃、８５％の条件に設定された恒温恒湿槽中で４８
時間吸湿させた。その後２１５℃／９０秒のリフロー条
件で半田リフローを行い、パッケージの外部クラックの
発生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。５個のサ
ンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ パッケージ：ＱＦＰ、１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ フレーム：４２アロイ 硬化条件：１８０℃まで３０分で昇温、１８０℃／１時
間硬化
【００２１】
【表１】
【００２２】表１により、比較例では全部のパッケージ
に外部クラックが発生し、半導体装置の信頼性低下につ
ながるが、本発明の接着剤によれば、パッケージの外部
クラックの発生が抑制されることが示される。
に外部クラックが発生し、半導体装置の信頼性低下につ
ながるが、本発明の接着剤によれば、パッケージの外部
クラックの発生が抑制されることが示される。
【００２３】
【発明の効果】本発明になる接着剤は、半導体装置のダ
イボンディング剤として使用した場合に、半田リフロー
時のペースト層の剥離を抑えることができ、リフローク
ラックの発生を低減し、半導体装置としての信頼性を向
上させることができる。
イボンディング剤として使用した場合に、半田リフロー
時のペースト層の剥離を抑えることができ、リフローク
ラックの発生を低減し、半導体装置としての信頼性を向
上させることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 （１）末端にカルボキシル基を有するア
クリロニトリルブタジエン共重合体とエポキシ基を２個
以上有するエポキシ樹脂との反応生成物および（２）シ
リコーン変性フェノールアラルキル樹脂を含有してなる
接着剤。 - 【請求項２】 さらに充填剤を含有する請求項１記載の
接着剤。 - 【請求項３】 充填剤が銀粉である請求項２記載の接着
剤。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の接着剤
を用いて半導体素子を支持部材に接合してなる半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10866893A JPH06326139A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 接着剤及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10866893A JPH06326139A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 接着剤及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326139A true JPH06326139A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14490658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10866893A Pending JPH06326139A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 接着剤及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326139A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409082B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2003-12-11 | 주식회사 엘지화학 | 테이프용 접착제 조성물 |
| KR100625054B1 (ko) * | 2000-05-04 | 2006-09-18 | 주식회사 코오롱 | 내열성 접착테이프 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP10866893A patent/JPH06326139A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100625054B1 (ko) * | 2000-05-04 | 2006-09-18 | 주식회사 코오롱 | 내열성 접착테이프 |
| KR100409082B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2003-12-11 | 주식회사 엘지화학 | 테이프용 접착제 조성물 |
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