JPH09316166A - 半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置 - Google Patents
半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置Info
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- JPH09316166A JPH09316166A JP13914296A JP13914296A JPH09316166A JP H09316166 A JPH09316166 A JP H09316166A JP 13914296 A JP13914296 A JP 13914296A JP 13914296 A JP13914296 A JP 13914296A JP H09316166 A JPH09316166 A JP H09316166A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスペンス塗布時の作業性が良好で、低弾
性率に優れる高信頼性の半導体素子接着用の樹脂ペース
トを提供すること。 【解決手段】 無機フィラー、常温で液状のエポキシ樹
脂、ε-カプロラクトン、有機金属錯体、及び硬化剤か
らなる樹脂ペーストにおいて、全樹脂ペースト中に無機
フィラーが１０〜８５重量％、ε-カプロラクトンが
０．１〜１５重量％、有機金属錯体が０．０１〜４重量
％含まれる半導体素子接着用樹脂ペースト。
性率に優れる高信頼性の半導体素子接着用の樹脂ペース
トを提供すること。 【解決手段】 無機フィラー、常温で液状のエポキシ樹
脂、ε-カプロラクトン、有機金属錯体、及び硬化剤か
らなる樹脂ペーストにおいて、全樹脂ペースト中に無機
フィラーが１０〜８５重量％、ε-カプロラクトンが
０．１〜１５重量％、有機金属錯体が０．０１〜４重量
％含まれる半導体素子接着用樹脂ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペースト及び該樹脂ペーストを用いた半導
体装置に関するものである。
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペースト及び該樹脂ペーストを用いた半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を金属フレームに接着させる
工程、即ちダイボンディング工程において樹脂ペースト
を用いる方法では、半導体素子を金属フレームにマウン
ト後、硬化する必要がある。この時、主に熱膨張係数の
小さいシリコンからなる半導体素子と熱膨張係数の大き
い金属フレームとの熱膨張係数の差から半導体素子が反
る現象がある。近年、半導体業界において、半導体素子
の高集積化が急速に進んでいる。そのため半導体素子が
大型化する傾向にある。一方、半導体素子を接着する金
属フレームの材質が熱膨張係数の小さい４２アロイから
熱膨張係数の大きい銅を使用するのが主流となってき
た。このことから半導体素子の反りが増大し、パッケー
ジ内における半導体素子にかかる応力が増大する。半導
体素子にかかる応力が増大すると最悪の場合、半導体素
子や封止樹脂にクラックが発生し、信頼性を著しく低下
させる。
工程、即ちダイボンディング工程において樹脂ペースト
を用いる方法では、半導体素子を金属フレームにマウン
ト後、硬化する必要がある。この時、主に熱膨張係数の
小さいシリコンからなる半導体素子と熱膨張係数の大き
い金属フレームとの熱膨張係数の差から半導体素子が反
る現象がある。近年、半導体業界において、半導体素子
の高集積化が急速に進んでいる。そのため半導体素子が
大型化する傾向にある。一方、半導体素子を接着する金
属フレームの材質が熱膨張係数の小さい４２アロイから
熱膨張係数の大きい銅を使用するのが主流となってき
た。このことから半導体素子の反りが増大し、パッケー
ジ内における半導体素子にかかる応力が増大する。半導
体素子にかかる応力が増大すると最悪の場合、半導体素
子や封止樹脂にクラックが発生し、信頼性を著しく低下
させる。
【０００３】この様な半導体素子の応力を低減させるた
めに、半導体素子接着用樹脂ペーストの低応力化につい
て様々な手法が提案されてきた。この低応力化剤とし
て、例えば、ポリブタジエン、末端カルボルキシ基含有
ブタジエン−アクリロニトリルをはじめとしたアクリル
ゴム、飽和ポリエステル等の液状のエラストマー、シリ
コーン変性をはじめとした可撓性エポキシ、可撓性硬化
剤等が挙げられる。これらの低応力化剤の添加は、いず
れも低応力性には優れているが、その大部分が樹脂ペー
ストの粘度を高くし、チキソ性を低下する傾向にある。
従って、今後予想される生産性の向上に伴う半導体素子
を金属フレームにマウントするダイボンディング工程に
おける半導体素子接着用樹脂ペーストの塗布作業の高速
化が進むと、現在の低応力手法では塗布時にペーストの
糸引き性が悪化する。
めに、半導体素子接着用樹脂ペーストの低応力化につい
て様々な手法が提案されてきた。この低応力化剤とし
て、例えば、ポリブタジエン、末端カルボルキシ基含有
ブタジエン−アクリロニトリルをはじめとしたアクリル
ゴム、飽和ポリエステル等の液状のエラストマー、シリ
コーン変性をはじめとした可撓性エポキシ、可撓性硬化
剤等が挙げられる。これらの低応力化剤の添加は、いず
れも低応力性には優れているが、その大部分が樹脂ペー
ストの粘度を高くし、チキソ性を低下する傾向にある。
従って、今後予想される生産性の向上に伴う半導体素子
を金属フレームにマウントするダイボンディング工程に
おける半導体素子接着用樹脂ペーストの塗布作業の高速
化が進むと、現在の低応力手法では塗布時にペーストの
糸引き性が悪化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、塗布
作業性に優れ、良好な低弾性率を有する半導体素子接着
用樹脂ペーストを提供するものである。
作業性に優れ、良好な低弾性率を有する半導体素子接着
用樹脂ペーストを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）無機フ
ィラー、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）ε-カプロラクト
ン、（Ｄ）有機金属錯体、及び（Ｅ）硬化剤からなる樹
脂ペーストにおいて、全樹脂ペースト中に無機フィラー
が１０〜８５重量％、ε-カプロラクトンが０．１〜１
５重量％、有機金属錯体が０．０１〜４重量％含まれる
ことを特徴とする半導体素子接着用樹脂ペースト及び該
樹脂ペーストを用いた半導体装置である。更に無機フィ
ラーは、銀粉でもシリカでも使用可能である。
ィラー、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）ε-カプロラクト
ン、（Ｄ）有機金属錯体、及び（Ｅ）硬化剤からなる樹
脂ペーストにおいて、全樹脂ペースト中に無機フィラー
が１０〜８５重量％、ε-カプロラクトンが０．１〜１
５重量％、有機金属錯体が０．０１〜４重量％含まれる
ことを特徴とする半導体素子接着用樹脂ペースト及び該
樹脂ペーストを用いた半導体装置である。更に無機フィ
ラーは、銀粉でもシリカでも使用可能である。
【０００６】本発明に用いる無機フィラーは、最大粒径
が５０μｍ以下のものが望ましい。５０μｍを越えると
ペースト塗布時にニードル詰まりが起こり易い。無機フ
ィラーに含まれるナトリウム、塩素等のイオン性不純物
は使用される分野が半導体関連であり、ＬＳＩ等の信頼
性からも極力少ないことが望ましく、例えば、プレッシ
ャークッカーで１２５℃、２０時間抽出で２０ｐｐｍ以
下であることが望ましい。又形状もフレーク状、球状、
破砕等があり、これらは単独でも混合して用いても良
い。無機フィラーとしては、導電性が必要な場合、銀粉
を用い、絶縁性が必要な場合はシリカを用いることが好
ましい。その添加量は銀粉の場合、全樹脂ペースト中に
６０〜８５重量％、シリカの場合１０〜７０重量％が好
ましい。銀粉が、６０重量％未満だと良好な導電性が得
られず、８５重量％を越えると粘度が高くなり著しく塗
布作業性を悪化させる。シリカが、１０重量％未満だと
粘度が低くなり充分なチキソトロピーが得られず、塗布
作業性が悪化し、７０重量％を越えると粘度が高くなり
良好な塗布作業性が得られない。
が５０μｍ以下のものが望ましい。５０μｍを越えると
ペースト塗布時にニードル詰まりが起こり易い。無機フ
ィラーに含まれるナトリウム、塩素等のイオン性不純物
は使用される分野が半導体関連であり、ＬＳＩ等の信頼
性からも極力少ないことが望ましく、例えば、プレッシ
ャークッカーで１２５℃、２０時間抽出で２０ｐｐｍ以
下であることが望ましい。又形状もフレーク状、球状、
破砕等があり、これらは単独でも混合して用いても良
い。無機フィラーとしては、導電性が必要な場合、銀粉
を用い、絶縁性が必要な場合はシリカを用いることが好
ましい。その添加量は銀粉の場合、全樹脂ペースト中に
６０〜８５重量％、シリカの場合１０〜７０重量％が好
ましい。銀粉が、６０重量％未満だと良好な導電性が得
られず、８５重量％を越えると粘度が高くなり著しく塗
布作業性を悪化させる。シリカが、１０重量％未満だと
粘度が低くなり充分なチキソトロピーが得られず、塗布
作業性が悪化し、７０重量％を越えると粘度が高くなり
良好な塗布作業性が得られない。
【０００７】本発明に用いるエポキシ樹脂は、常温で液
状のものに限定しているが、常温で液状でないと銀粉、
又はシリカとの混練において、溶剤をより多く必要とす
る。溶剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を
低下させてしまう。本発明に用いるエポキシ樹脂として
は、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，フ
ェノールノボラック樹脂とエピクロルヒドリンとの反応
で得られるポリグリシジルエーテルで常温のもの、ビニ
ルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオ
キシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドの様
な脂環式エポキシ、更にｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
キサイドフェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニル
グリシジルエーテル、クレグリシジルエーテル、ジシク
ロペンタジエンジエポキシドの様な通常エポキシ樹脂の
希釈剤として用いられるものがある。
状のものに限定しているが、常温で液状でないと銀粉、
又はシリカとの混練において、溶剤をより多く必要とす
る。溶剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を
低下させてしまう。本発明に用いるエポキシ樹脂として
は、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，フ
ェノールノボラック樹脂とエピクロルヒドリンとの反応
で得られるポリグリシジルエーテルで常温のもの、ビニ
ルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオ
キシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドの様
な脂環式エポキシ、更にｎ−ブチルグリシジルエーテ
ル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオ
キサイドフェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニル
グリシジルエーテル、クレグリシジルエーテル、ジシク
ロペンタジエンジエポキシドの様な通常エポキシ樹脂の
希釈剤として用いられるものがある。
【０００８】本発明で用いるε−カプロラクトンは、分
子内にエステル結合を有する環状の化合物であり、その
エステル部は反応性に富んでいる。特に金属イオンを触
媒とし、その反応性に富んだエステル部が開環重合し、
容易にポリエステルを生成する。このポリエステルは、
本発明の様なエポキシ樹脂ペーストの硬化物を低弾性率
化し、半導体装置において封止材の成形時や半導体素子
接着用樹脂ペーストの硬化等による応力を緩和し、半導
体素子の反りを低減する効果がある。又、本発明の半導
体素子接着用樹脂ペーストは、一般的にはディスペンサ
ーによる塗布作業を行っており、この塗布作業において
ペーストの糸引き性が重要になる。即ち、ポリエステル
をはじめとした熱可塑性樹脂を配合することにより樹脂
ペーストの低弾性率化は充分得られるが、塗布作業時の
糸引き性が低下し、高速での塗布作業に対応できないと
考えられる。本発明では、反応性に富んだエステル基を
有するε−カプロラクトンを用いる。これは硬化前はε
−カプロラクトンがモノマーであり、硬化後は開環重合
しポリエステルになる。この様にε−カプロラクトンを
用いれば硬化前の樹脂ペーストでは、粘度が十分に低い
ため高速ディスペンスでも充分対応でき、かつ硬化後で
はε−カプロラクトンが重合したポリエステルが得られ
るため樹脂ペーストの硬化物の低応力化に優れるという
効果がある。全樹脂ペースト中のε-カプロラクトンの
配合量は、０．１〜１５重量％が好ましく、０．１重量
％未満だと充分な低応力性を得ることができず、１５重
量％を越えるとボイドが多くなる。
子内にエステル結合を有する環状の化合物であり、その
エステル部は反応性に富んでいる。特に金属イオンを触
媒とし、その反応性に富んだエステル部が開環重合し、
容易にポリエステルを生成する。このポリエステルは、
本発明の様なエポキシ樹脂ペーストの硬化物を低弾性率
化し、半導体装置において封止材の成形時や半導体素子
接着用樹脂ペーストの硬化等による応力を緩和し、半導
体素子の反りを低減する効果がある。又、本発明の半導
体素子接着用樹脂ペーストは、一般的にはディスペンサ
ーによる塗布作業を行っており、この塗布作業において
ペーストの糸引き性が重要になる。即ち、ポリエステル
をはじめとした熱可塑性樹脂を配合することにより樹脂
ペーストの低弾性率化は充分得られるが、塗布作業時の
糸引き性が低下し、高速での塗布作業に対応できないと
考えられる。本発明では、反応性に富んだエステル基を
有するε−カプロラクトンを用いる。これは硬化前はε
−カプロラクトンがモノマーであり、硬化後は開環重合
しポリエステルになる。この様にε−カプロラクトンを
用いれば硬化前の樹脂ペーストでは、粘度が十分に低い
ため高速ディスペンスでも充分対応でき、かつ硬化後で
はε−カプロラクトンが重合したポリエステルが得られ
るため樹脂ペーストの硬化物の低応力化に優れるという
効果がある。全樹脂ペースト中のε-カプロラクトンの
配合量は、０．１〜１５重量％が好ましく、０．１重量
％未満だと充分な低応力性を得ることができず、１５重
量％を越えるとボイドが多くなる。
【０００９】本発明に用いる有機金属錯体としては、例
えば、コバルト、亜鉛、鉄、クロム、マンガン、ニッケ
ル、チタン等の金属ナフタン塩、アセチルアセトナオー
ト又はその誘導体の塩、各種カルボン酸塩、アルコキシ
ド等の有機金属塩があり、これらは単独でも混合して用
いても良い。全樹脂ペースト中の有機金属錯体の配合量
は、０．０１〜４重量％が好ましく、０．０１重量％未
満だとε−カプロラクトンの重合が速やかに進行せずε
−カプロラクトンの揮発によるボイドが発生する。４重
量％を越えるとε−カプロラクトンの重合が進行してし
まい保存性を著しく低下させる。本発明に用いる硬化剤
は、活性水素を分子内に有する化合物が好ましい。この
様な化合物には、フェノール類（例えば、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＰ、ビスフ
ェノールＳ、ビスフェノールＺ、ジメチルビスフェノー
ルＡ、ジメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフ
ェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、ビフェノ
ール、テトラメチルビフェノール、ジヒドロキシジフェ
ニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−ヒド
ロキシフェノール、ｍ−ヒドロキシフェノール、ｐ−ヒ
ドロキシフェノール、、フェノールノボラック樹脂、オ
ルソクレゾールノボラック樹脂等のポリフェノール類、
トリヒドロキシフェニルメタン、トリヒドロキシフェニ
ルメタン等のトリスフェノール類）、１級アミン、ポリ
アミン類、イミダゾール等が挙げられる。これらは単独
でも混合して用いても良い。
えば、コバルト、亜鉛、鉄、クロム、マンガン、ニッケ
ル、チタン等の金属ナフタン塩、アセチルアセトナオー
ト又はその誘導体の塩、各種カルボン酸塩、アルコキシ
ド等の有機金属塩があり、これらは単独でも混合して用
いても良い。全樹脂ペースト中の有機金属錯体の配合量
は、０．０１〜４重量％が好ましく、０．０１重量％未
満だとε−カプロラクトンの重合が速やかに進行せずε
−カプロラクトンの揮発によるボイドが発生する。４重
量％を越えるとε−カプロラクトンの重合が進行してし
まい保存性を著しく低下させる。本発明に用いる硬化剤
は、活性水素を分子内に有する化合物が好ましい。この
様な化合物には、フェノール類（例えば、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＰ、ビスフ
ェノールＳ、ビスフェノールＺ、ジメチルビスフェノー
ルＡ、ジメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフ
ェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、ビフェノ
ール、テトラメチルビフェノール、ジヒドロキシジフェ
ニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、ｏ−ヒド
ロキシフェノール、ｍ−ヒドロキシフェノール、ｐ−ヒ
ドロキシフェノール、、フェノールノボラック樹脂、オ
ルソクレゾールノボラック樹脂等のポリフェノール類、
トリヒドロキシフェニルメタン、トリヒドロキシフェニ
ルメタン等のトリスフェノール類）、１級アミン、ポリ
アミン類、イミダゾール等が挙げられる。これらは単独
でも混合して用いても良い。
【００１０】更に本発明の樹脂ペーストには、必要に応
じて硬化促進剤、顔料、消泡剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の樹脂ペーストの製造方法としては、
例えば各成分を予備混練した後、三本ロールを用いて混
練し、ペーストを得て真空下脱泡することなどがある。
じて硬化促進剤、顔料、消泡剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の樹脂ペーストの製造方法としては、
例えば各成分を予備混練した後、三本ロールを用いて混
練し、ペーストを得て真空下脱泡することなどがある。
【００１１】以下に、本発明を実施例で具体的に説明す
る。配合割合は、重量％とする。 実施例１〜８ ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により
得られるジグリシジルエーテル（エポキシ当量１８０で
常温で液状、以下エポキシ樹脂）、希釈剤としてクレジ
ルグリシジルエーテル（以下ＣＧＥ）、硬化剤としてフ
ェノールノボラック樹脂（水酸基当量１１０）、２−フ
ェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル（以下２Ｐ４ＭＨＺ）、ビスフェノールＦ、ε−カプ
ロラクトン、コバルトアセチルアセトナート（以下Ｃｏ
−ＡＡ）、亜鉛・アセチルアセトナート（以下Ｚｎ−Ａ
Ａ）、更に最大粒径５０μｍ以下の銀粉及びシリカを表
１に示す割合で配合し、３本ロールで混練して樹脂ペー
ストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて２
ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方法により各種性
能を評価した。評価結果を表１に示す。
る。配合割合は、重量％とする。 実施例１〜８ ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により
得られるジグリシジルエーテル（エポキシ当量１８０で
常温で液状、以下エポキシ樹脂）、希釈剤としてクレジ
ルグリシジルエーテル（以下ＣＧＥ）、硬化剤としてフ
ェノールノボラック樹脂（水酸基当量１１０）、２−フ
ェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル（以下２Ｐ４ＭＨＺ）、ビスフェノールＦ、ε−カプ
ロラクトン、コバルトアセチルアセトナート（以下Ｃｏ
−ＡＡ）、亜鉛・アセチルアセトナート（以下Ｚｎ−Ａ
Ａ）、更に最大粒径５０μｍ以下の銀粉及びシリカを表
１に示す割合で配合し、３本ロールで混練して樹脂ペー
ストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて２
ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方法により各種性
能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００１２】粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い、
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。又２５℃の恒温槽に
て３日間放置後の測定値を３日後の粘度とした。単位ポ
イズ。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１８０℃のオーブン中で６０分
間硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。単位は
Ω−ｃｍ。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップを樹
脂ペーストを用いて、銅フレームにマウントし、１８０
℃のオーブン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュ
プルゲージを用い、３５０℃での熱時ダイシェア強度を
測定した。単位ｇｆ。 チップ反り：６×１５×０．３ｍｍのシリコンチップを
樹脂ペーストを用いて、銅フレームにマウントし、１８
０℃のオーブン中で６０分硬化した。そのサンプルの表
面を表面粗さ計で測定し、表面の高低差をチップ反りと
した。μｍ。 糸引き性：５ｃｃシリンジに樹脂ペーストを５ｃｃ入れ
て、２３Ｇのプラスチックニードル（内径０．４ｍｍ）
を取り付け、オートディスペンサーで２５０点塗布後、
糸引きによる樹脂ペーストの飛び散りを数え、その時の
発生率を算出した。単位％。 ペーストのタレ：５ｃｃシリンジに樹脂ペーストを５ｃ
ｃ入れ、シリンジの先に２３Ｇのプラスチックニードル
を取り付け、ニードルの先を下に向け３０分放置して、
ニードルの先端より垂れた樹脂ペーストの量を測定し
た。単位はｍｇ。 ボイド：８×８ｍｍ角のガラスチップを銅フレームにマ
ウントし、１８０℃オーブン中で６０分硬化した。目視
でサンプルの硬化物のボイドの有無を観察した。 総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全てを
良好なものを○、１個でも不満足なものを×とした。
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。又２５℃の恒温槽に
て３日間放置後の測定値を３日後の粘度とした。単位ポ
イズ。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１８０℃のオーブン中で６０分
間硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。単位は
Ω−ｃｍ。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップを樹
脂ペーストを用いて、銅フレームにマウントし、１８０
℃のオーブン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュ
プルゲージを用い、３５０℃での熱時ダイシェア強度を
測定した。単位ｇｆ。 チップ反り：６×１５×０．３ｍｍのシリコンチップを
樹脂ペーストを用いて、銅フレームにマウントし、１８
０℃のオーブン中で６０分硬化した。そのサンプルの表
面を表面粗さ計で測定し、表面の高低差をチップ反りと
した。μｍ。 糸引き性：５ｃｃシリンジに樹脂ペーストを５ｃｃ入れ
て、２３Ｇのプラスチックニードル（内径０．４ｍｍ）
を取り付け、オートディスペンサーで２５０点塗布後、
糸引きによる樹脂ペーストの飛び散りを数え、その時の
発生率を算出した。単位％。 ペーストのタレ：５ｃｃシリンジに樹脂ペーストを５ｃ
ｃ入れ、シリンジの先に２３Ｇのプラスチックニードル
を取り付け、ニードルの先を下に向け３０分放置して、
ニードルの先端より垂れた樹脂ペーストの量を測定し
た。単位はｍｇ。 ボイド：８×８ｍｍ角のガラスチップを銅フレームにマ
ウントし、１８０℃オーブン中で６０分硬化した。目視
でサンプルの硬化物のボイドの有無を観察した。 総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全てを
良好なものを○、１個でも不満足なものを×とした。
【００１３】比較例１〜７ 表２に示す配合割合で実施例と全く同様にして樹脂ペー
ストを作製した。比較例１では、銀粉９０重量％、比較
例４ではシリカを８０重量％添加したところ粘度が非常
に高くなり、塗布作業時にペーストの糸引きが発生し塗
布作業性が著しく低下した。比較例２では、銀粉５２重
量％、比較例３ではシリカを５重量％しか添加しないた
め粘度が著しく低下し、ペーストのタレが発生し塗布作
業性が低下した。比較例５では、ε−カプロラクトンを
添加しないとチップ反りが大きくなる。比較例６では、
液状ポリブタジエンを添加した場合で、低応力性は良好
なもののペーストのタレが発生しやすい。比較例７で
は、有機金属錯体がない場合ε−カプロラクトンの反応
が促進されず、全ての量が揮発してボイドの原因とな
る。比較例８では、有機金属錯体が４重量％を越えると
室温でε−カプロラクトンの重合反応が進行することに
より、粘度経時変化が大きく、保存安定性が低下した。
比較例９では、ε−カプロラクトンが１５重量％を越え
ると反応せず揮発する量が多くなり、ボイドの発生があ
る。
ストを作製した。比較例１では、銀粉９０重量％、比較
例４ではシリカを８０重量％添加したところ粘度が非常
に高くなり、塗布作業時にペーストの糸引きが発生し塗
布作業性が著しく低下した。比較例２では、銀粉５２重
量％、比較例３ではシリカを５重量％しか添加しないた
め粘度が著しく低下し、ペーストのタレが発生し塗布作
業性が低下した。比較例５では、ε−カプロラクトンを
添加しないとチップ反りが大きくなる。比較例６では、
液状ポリブタジエンを添加した場合で、低応力性は良好
なもののペーストのタレが発生しやすい。比較例７で
は、有機金属錯体がない場合ε−カプロラクトンの反応
が促進されず、全ての量が揮発してボイドの原因とな
る。比較例８では、有機金属錯体が４重量％を越えると
室温でε−カプロラクトンの重合反応が進行することに
より、粘度経時変化が大きく、保存安定性が低下した。
比較例９では、ε−カプロラクトンが１５重量％を越え
ると反応せず揮発する量が多くなり、ボイドの発生があ
る。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】 ディスペンス塗布時の作業性が良好
で、低弾性率に優れる高信頼性の半導体素子接着用の樹
脂ペーストである。ナトリウム、塩素などのイオン性不
純物が少なく銅、４２合金等の金属フレーム、セラミッ
ク基板、ガラスエポキシ等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ
等の半導体素子の接着に最適である。
で、低弾性率に優れる高信頼性の半導体素子接着用の樹
脂ペーストである。ナトリウム、塩素などのイオン性不
純物が少なく銅、４２合金等の金属フレーム、セラミッ
ク基板、ガラスエポキシ等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ
等の半導体素子の接着に最適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）無機フィラー、（Ｂ）常温で液状
のエポキシ樹脂、（Ｃ）ε-カプロラクトン、（Ｄ）有
機金属錯体、及び（Ｅ）硬化剤からなる樹脂ペーストに
おいて、全樹脂ペースト中に無機フィラーが１０〜８５
重量％、ε-カプロラクトンが０．１〜１５重量％、有
機金属錯体が０．０１〜４重量％含まれることを特徴と
する半導体素子接着用樹脂ペースト。 - 【請求項２】 無機フィラーが銀粉である請求項１記載
の半導体素子接着用樹脂ペースト。 - 【請求項３】 無機フィラーがシリカである請求項１記
載の半導体素子接着用樹脂ペースト。 - 【請求項４】 請求項１の樹脂ペーストを用いた半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13914296A JPH09316166A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13914296A JPH09316166A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09316166A true JPH09316166A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15238543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13914296A Pending JPH09316166A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体素子接着用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09316166A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11228787A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2005197021A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Murata Mfg Co Ltd | 樹脂硬化型導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
| US7554168B2 (en) | 2005-07-27 | 2009-06-30 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor device |
| JP2016100134A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 加熱硬化型導電性ペースト |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP13914296A patent/JPH09316166A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11228787A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2005197021A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Murata Mfg Co Ltd | 樹脂硬化型導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
| JP4595325B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2010-12-08 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| US7554168B2 (en) | 2005-07-27 | 2009-06-30 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor device |
| JP2016100134A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 加熱硬化型導電性ペースト |
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