JP3008574B2 - ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置Info
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Description
れを用いた半導体装置に関する。
付着により、その特性が著しく低下することが知られて
いる。また、外部からストレスや作動時の発熱によって
も特性の変動、ワイヤ断線、基板やケースの破壊などの
重大な不良を誘発することも知られている。これらの対
策として半導体部品の表面に保護材を設ける方法が提案
され、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂な
どが使用されている。
シリコンゴムやシリコンゲルは、応力吸収性を有し、外
部からのストレスや作動時の熱ストレスに対して優れた
効果を有するが、透湿性が大きいことと基材やモールド
材との密着性が悪いため、耐湿性が不充分である。ま
た、エポキシ樹脂は、硬化時の熱収縮によりストレスを
生じやすいこと、ポリイミド樹脂は、硬化に高温で長時
間を必要とするため、素子の劣化を生じ易いなどの欠点
がある。近年、半導体部品の信頼性向上の要求や高密度
化・多機能化の要求が強くなってきており、従来の表面
保護材では、これらの要求に応えられなくなってきた。
塑性樹脂に類するポリアミド重合体やポリアミドイミド
重合体を用いたものが半導体のジャンクションコート用
として提案されている(特開昭60−246658号公
報、特開昭63−204749号公報)。しかし、これ
らの重合体は、長鎖であるため、溶剤に30%以上溶解
することは困難であり、成膜時に目減りするため、厚膜
塗布できないのが欠点である。
のポリアミド重合体やポリアミドイミド重合体に二酸化
珪素粉末を添加したものが提案されている(特開平3−
35059号公報)。しかし、これらの重合体は反応性
基を有しないため基材や金線及びアルミ配線との密着性
が悪いという欠点があった。
の表面に塗布し乾燥した時の硬化収縮(目減り)を少な
くし、低弾性率を有し、厚膜塗布することができ、スト
レス緩和性に優れ、かつ基材や金線及びアルミ配線との
密着性が良く、耐湿性、機械強度、耐熱性に優れたペー
スト組成物を提供するものである。
を半導体部品の表面に塗布乾燥して保護膜とし、耐湿性
やストレス緩和性に優れ、信頼性を向上させた半導体装
置を提供するものである。
導体部品の表面に塗布乾燥して得られる保護膜を有して
なる半導体装置に関する。
リコン重合体及びポリアミドイミドシリコン重合体につ
いて説明する。
しくは芳香族トリカルボン酸又はそれらの反応性酸誘導
体とジアミノシロキサンを必須成分とするジアミンとを
重縮合反応させて得られるものである。ここで、ジアミ
ンの必須成分である(a)ジアミノシロキサンとして、
一般式(I)
化水素基を表わし、2個のY1は同一でも異なっていて
もよく、複数個のY2は互いに同一でも異なっていても
よく、mは1以上の整数である)で表わされる化合物を
使用することが好ましい。
ルキレン基、フェニレン基又はアルキル置換フェニレン
基であり、Y2は、好ましくは炭素原子数1〜5のアル
キル基若しくはアルコキシ基、フェニル基又はアルキル
置換フェニル基である。一般式(I)中、mは100以
下が好ましい。mが大きすぎると、得られる重合体中の
アミド結合及びイミド結合の比率が低下し、耐熱性が低
下しやすくなる。
て、mが6以上のものを使用すると、得られるポリアミ
ドシリコン重合体又はポリアミドイミドシリコン重合体
が低弾性率を示すようになり、mが16以上のものを使
用すると、該重合体が低弾性率を示すと共に耐熱性の向
上を示す。
サンとしては、例えば、
る。ジアミノシロキサンのうち、上記一般式(I)中、
mが1のもの、平均10のもの、平均20のもの、平均
38のもの及び平均50のものは、各々、LP−710
0、X−22−161AS、X−22−161A、X−
22−161B及びX−22−161C(いずれも信越
化学工業(株)商品名)として市販されている。これら
のジアミノシロキサンを1種又は2種以上用いることが
できる。
国特許第3,185,719号明細書に示される方法に
よって合成できる。ジアミノシロキサンは、分子量の低
下及び耐熱性の低下を効果的に防ぐことができ、また、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチル
エーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル
等のエーテル化合物及びシクロヘキサノン、4−メチル
シクロヘキサノン等の脂環式ケトン化合物などの汎用低
沸点有機溶剤への溶解性が良好である観点からジアミン
の総量に対して0.1〜40モル%使用されるのが好ま
しい。
子量、弾性率等の観点から(a)ジアミノシロキサン
は、ジアミンの総量に対して0.2〜15モル%使用さ
れるのがより好ましい。
ジアミノシロキサンと併用しうるジアミンは、特に制限
はないが、次の(b)一般式(II)又は一般式(II
I)で表わされる芳香族ジアミンが好ましい。一般式
(II)
低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わし、Xは化学結合、元素を含まない一重結合、
素、低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロ
ロメチル基又はフェニル基を表わす)又は一般式(II
I)
級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチ
ル基又はフェニル基を示し、R5、R6及びR7はそれぞ
れ独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ
ゲンを示し、x、y及びzはそれぞれ置換基数を示し、
0〜4の整数であり、2個のX′は同一でも異なってい
てもよく、R5、R6及びR7がそれぞれ複数個結合して
いるときは、各々において、同一でも異なっていてもよ
い)で表わされる芳香族ジアミン。
サンでmが16以上のものを使用する場合、(b)一般
式(II)又は一般式(III)で表わされる芳香族ジ
アミンを併用すると、反応の進行が容易になるので有利
である。
サンで、mが6以上のものを使用する場合、(b)一般
式(II)又は一般式(III)で表わされる芳香族ジ
アミンを併用すると、一般に相反する特性である低弾性
率と高耐熱性という特性を同時に向上させることができ
るので有利である。
合を有する芳香族ジアミンとしては、例えば、2,2−
ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパ
ン、2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−ビス
〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕ブタン、2,2−ビス〔3,5−ジメチル−4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ブタン、2,2−
ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕ブタン、1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロ−2,2−ビス〔3−メチル−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕シクロヘキ
サン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕シクロペンタン、ビス〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4′−カル
ボニルビス(p−フェニレンオキシ)ジアニリン、4,
4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル等があ
る。これらのうちでは、2,2−ビス〔4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパンが特に好ましい。
ミンとしては、例えば1,3−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、4,4′−〔1,3−フェニレンビス(1−
メチルエチリデン)〕ビスアニリン、4,4′−〔1,
4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)〕ビスア
ニリン、3,3′−〔1,3−フェニレンビス(1−メ
チルエチリデン)〕ビスアニリン等がある。
族ジアミンとしては、例えば、4,4′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラ
メチルジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノ−3,
3′,5,5′−テトラメチルジフェニルメタン、4,
4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラエチルジ
フェニルエーテル、2,2−〔4,4′−ジアミノ−
3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニル〕プロパ
ン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミ
ン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン等があり、
これを併用することもできる。
いたジアミンとしては、例えば、ピベラジン、ヘキサメ
チレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、テトラメチ
レンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレ
ンジアミン、3−メチルヘプタメチレンジアミン等の脂
肪族ジアミンがありこれを併用することもできる。
は、耐熱性向上のために、併用することが好ましく、ジ
アミンの総量に対して(b)及び(c)の総量が0.1
〜99.9モル%となるように使用するのが好ましい。
いて、例を示す。 (1) (a)のジアミノシロキサン 0.1〜100モル% 及び (b)、(c)又は(d)以外のジアミン 99.9〜0モル% で全体が100モル%になるような配合。
香核に2個のカルボキシル基が結合されているものであ
り、芳香族トリカルボン酸は、芳香核に3個のカルボキ
シル基が結合され、かつ、3個のカルボキシル基のうち
2個は隣接炭素原子に結合しているものである。もちろ
ん、この芳香環はヘテロ原子が導入されたものでもよ
く、また、芳香環同士がアルキレン基、酸素、カルボニ
ル基などと結合されていてもよい。さらに、芳香環に例
えば、アルコキシ基、アリルオキシ基、アルキルアミノ
基、ハロゲンなどの縮合反応に関与しない置換基が導入
されていてもよい。
レフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカル
ボン酸−4,4′、ジフェニルスルホンジカルボン酸−
4,4′、ジフェニルジカルボン酸−4,4′及びナフ
タレンジカルボン酸−1,5等を挙げることができる
が、テレフタル酸及びイソフタル酸が入手容易で廉価で
あるから好ましい。特に、テレフタル酸とイソフタル酸
との混合物の使用は、生成する重合体の溶解性の点から
望ましい。なお、本発明における芳香族ジカルボン酸の
反応性誘導体とは、前記芳香族ジカルボン酸のジハライ
ド、例えば、ジクロライドあるいはジブロマイド、ジエ
ステル等を意味する。
リメリット酸、3,3,4′−ベンゾフェノントリカル
ボン酸、2,3,4′−ジフェニルトリカルボン酸、
2,3,6−ピリジントリカルボン酸、3,4,4′−
ベンズアニリドトリカルボン酸、1,4,5−ナフタリ
ントリカルボン酸、2′−メトキシ−3,4,4′−ジ
フェニルエーテルトリカルボン酸、2′−クロロベンズ
アニリド−3,4,4′−トリカルボン酸などを挙げる
ことができる。
誘導体とは、前記芳香族トリカルボン酸の酸無水物、ハ
ライド、エステル、アミド、アンモニウム塩等を意味す
る。これらの例としては、トリメリット酸無水物、トリ
メリット酸無水物モノクロライド、1,4−ジカルボキ
シ−3−N,N−ジメチルカルバモイルベンゼン、1,
4−ジカルボメトキシ−3−カルボキシベンゼン、1,
4−ジカルボキシ−3−カルボフェノキシベンゼン、
2,6−ジカルボキシ−3−カルボメトキシピリジン、
1,6−ジカルボキシ−5−カルバモイルナフタリン、
上記芳香族トリカルボン酸類とアンモニア、ジメチルア
ミン、トリエチルアミン等からなるアンモニウム塩など
が挙げられる。これらのうち、トリメリット酸無水物、
トリメリット酸無水物モノクロライドが入手容易で廉価
であるから好ましい。
香族トリカルボン酸又はそれらの反応性誘導体は、ジア
ミンの総量100モル%に対して総量で80〜120モ
ル%使用するのが好ましい。特に95〜105モル%使
用するのが好ましい。ジアミンの総量に対してこれらを
総量で等モル使用したときに最も高分子量のものが得ら
れる。ジアミンに対して芳香族ジカルボン酸、芳香族ト
リカルボン酸又はそれらの反応性誘導体が多すぎても少
なすぎても、分子量が低下して機械的強度、耐熱性等が
低下する傾向がある。
トリカルボン酸又はそれらの反応性誘導体とジアミンと
を重縮合反応させて得られるポリアミドシリコン重合体
又はポリアミドイミドシリコン重合体は、ジメチルホル
ムアミド0.2重量%溶液における30℃での還元粘度
が0.2〜2.0dl/gであるのが好ましい。この還
元粘度が小さすぎると、耐熱性、機械的強度が低下し、
大きすぎると、有機溶剤への溶解性が低下する傾向があ
る。
イミドシリコン重合体は、有機溶剤に溶解してワニスと
することができる。本発明に使用される(D)有機溶剤
としては、例えば、アセトアミド、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルアセトアミ
ド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ド、ニトロベンゼン、グリコールカーボネート等の極性
溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメ
トキシエタン、ポリエチレングリコールジメチルエーテ
ル等のエーテル化合物、2−シクロヘキサノン、4−メ
チル−2−シクロヘキサノン等の脂環式ケトン化合物な
どがあげられる。
は、1分子中に2個以上のエポキシ樹脂を有する化合物
であり、例えば、ビスフェノールAのジグリシジルエー
テル、ノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂の
ポリグリシジルエーテル、多価アルコールのポリグリシ
ジルエーテル、ポリカルボン酸のポリグリシジルエステ
ル、ポリグリシジルアミン、脂肪族環状エポキシなどで
ある。また本発明におけるエポキシ樹脂に硬化剤や硬化
促進剤を添加して使用してもよい。硬化剤としては、例
えば、ポリカルボン酸無水物、ポリアミン、ノボラック
樹脂、ポリビニルフェノール類、DBU(ジアザビシク
ロウンデセン)やイミダゾール等の3級アミン及びその
塩、ジシアンジアミドやヒドラジッド化合物等のいわゆ
る潜在性硬化剤があげられる。また、硬化促進剤として
は、例えばフェノール化合物、3級アミン、3級アミン
塩、4級アンモニウム塩、4級フォスフォニウム塩、金
属アルコラート、有機金属塩、ルイス酸等が使用でき
る。
は、平均粒径0.1〜40μmのものが好ましい。平均
粒径が40μmを越えると、沈降性が大きくなり、ペー
スト組成物としての経時安定性が劣ることがあり、ま
た、0.1μm未満では、表面積が大きくなるため、充
填率を上げることができなくなることがある。粒径が異
なる2種以上のものを組み合わせて混合してもよい。ペ
ースト組成物の濡れ広がり性を抑えるために平均粒径
0.1μm以下の二酸化珪素粉末をペースト組成物に対
して10重量%以下の量で使用することもできる。
ものを、濡れ広がり性等の作業性と特性を考慮して、そ
れぞれ単独で又は混合して使用することができる。
アミドシリコン重合体又はポリアミドイミドシリコン重
合体の総量100重量部に対して有機溶剤200〜35
00重量部が使用される。前記重合体の総量100重量
部に対して有機溶剤200〜1000重量部使用するこ
とが好ましく、300〜600重量部使用することがよ
り好ましい。
の重合体100重量部に対して二酸化珪素粉末が100
〜3500重量部使用され、200〜3000重量部の
使用が好ましく、800〜1200重量部の使用がより
好ましい。有機溶剤が200重量部未満では、固形分の
比率が高いため、塗布性が悪く、塗布面を一定の厚みに
保つことが困難になる。有機溶剤が3500重量部を超
えると、粘度が低いため、二酸化珪素粉末の分散が困難
となって、沈降しやすくなり、ペーストとしての経時安
定性が悪くなる他、固形分量が少なくなるため、厚膜塗
布ができなくなる。二酸化珪素粉末が100重量部未満
では、チキソトロピー性が不足し、厚膜形成が困難とな
る。3500重量部を超えると、得られる塗膜の強度、
耐湿性が劣る。
の重合体100重量部に対してエポキシ樹脂が2〜10
0重量部使用される。2〜80重量部の使用が好まし
く、7〜15重量部の使用がより好ましい。エポキシ樹
脂の使用量が2重量部未満では基材や金線及びアルミ配
線との密着性が劣り、100重量部を越えると加熱硬化
時の応力が増大し、たとえば塗膜にシクロクラックが発
生したり、塗布した基板に「ソリ」が発生するので好ま
しくない。
(A)芳香族ジカルボン酸若しくはその反応性酸誘導体
とジアミノシロキサンを必須成分とするジアミンとを重
縮合反応させて得られるポリアミドシリコン重合体又は
芳香族トリカルボン酸若しくはその反応性酸誘導体とジ
アミノシロキサンを必須成分とするジアミンとを重縮合
反応させて得られるポリアミドイミドシリコン重合体1
00重量部を(D)有機溶剤200〜3500重量部に
溶解させてなる重合体ワニスに、(B)エポキシ樹脂2
〜100重量部及び(C)二酸化珪素粉末100〜35
00重量部を添加し、らいかい機、三本ロール、ボール
ミル等で混合混練して製造することができる。
際、着色剤やカップリング剤などを添加してもよい。着
色剤としては、カーボン、有機染料、無機顔料等が使用
できる。カップリング剤としては、シランカップリング
剤やチタネート系カップリング剤が使用でき、上記の重
合体100重量部に対して0〜30重量部の範囲で添加
できる。30重量部を越えて用いてもそれ以上密着性は
向上せず、かえって表面への滲み出し等を生ずるので好
ましくない。
スト組成物を半導体部品の表面に塗布乾燥して保護膜を
形成し、製造することができる。塗布乾燥は、公知の方
法によって行うことができる。形成された保護膜の線膨
張係数は、基板のソリ、接着性、耐クラック性等の点か
ら6×10-6〜1.0×10-51/℃であることが好ま
しく、動的弾性率は、500kgf/mm2未満である
ことが好ましい。
又はポリアミドイミドシリコン重合体は、耐熱性熱可塑
性樹脂であり、機械的強度及び密着性に優れているほ
か、ポリマー骨格中のシリコン基が二酸化珪素粉末に対
して高い親和性を有するため、二酸化珪素粉末の含有量
を高くでき、厚膜塗布が可能となり、耐湿性を向上でき
る。また、長鎖のジアミノシロキサンを用いて得られた
低弾性ポリアミドシリコン重合体又はポリアミドイミド
シリコン重合体を用いると二酸化珪素粉末の含有量を高
めても、弾性率を低く抑えることができるため、応力緩
和性に優れ、半導体部品の保護膜材として特に優れてい
る。
れを添加することにより、ポリアミドシリコン重合体又
はポリアミドイミドシリコン重合体と二酸化珪素粉末と
の密着性を向上させることができるとともに、塗膜と基
材との密着性及び塗膜と金線やアルミ配線との密着性を
向上させることができる。
明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
口フラスコ中に窒素ガス雰囲気下でジアミンとして2,
2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン65.6g(160ミリモル)と式
で80モル%/20モル%)を入れ、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル335gに溶解した。
イソフタル酸ジクロライド40.6g(200ミリモ
ル)を、温度が−5℃を超えないように添加した。その
後、プロピレンオキシド23.2gを添加し、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル96gを追加し、室温で
3時間撹拌を続けた。反応液をメタノール中に投入して
重合体を単離した。これを乾燥した後、再びジメチルホ
ルムアミドに溶解し、これをメタノール中に投入してポ
リアミドシリコン重合体(I)を精製した。
口フラスコ中に窒素ガス雰囲気下でジアミンとして2,
2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン174.3g(425ミリモル)と式
比で85モル%/15モル%)を入れジエチレングリコ
ールジメチルエーテル1177gに溶解した。
イソフタル酸ジクロライド101.5g(500ミリモ
ル)を温度が−5℃を超えないように添加した。添加
後、プロピレンオキシド87gを添加し、室温で3時間
撹拌を続け、反応液の粘度が上昇し、液が透明になった
ところで、ジエチレングリコールジメチルエーテル84
1gを追加し、さらに1時間撹拌を続けた後、得られた
反応液をn−ヘキサン/メタノール=1/1(重量比)
の大量の混合溶剤中に投入して、重合体を単離させた。
これを乾燥した後、N,N−ジメチルホルムアミドに溶
解し、メタノール中に投入してポリアミドシリコン重合
体(II)を精製し、減圧乾燥した。
口フラスコに窒素ガス雰囲気下でジアミンとして2,2
−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン174.3g(425ミリモル)と式
比で85モル%/15モル%)を入れジエチレングリコ
ールジメチルエーテル1177gに溶解した。
トリメリット酸無水物モノクロライド105.3g(5
00ミリモル)を、温度が−5℃を超えないように添加
した。添加後、プロピレンオキシド87gを添加し、室
温で3時間撹拌を続け、反応液の粘度が上昇し、液が透
明になったところで、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル841gを追加し、さらに1時間撹拌を続けた
後、無水酢酸128g及びピリジン64gを加え、60
℃で1昼夜撹拌を続けた。得られた反応液をn−ヘキサ
ン/メタノール=1/1(重量比)の大量の混合溶剤中
に投入して、重合体を単離させた。これを乾燥した後、
N,N−ジメチルホルムアミドに溶解し、メタノール中
に投入してポリアミドイミドシリコン重合体を精製し、
減圧乾燥した。
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンを
100モル%とした以外は、合成例1に準じてポリアミ
ド重合体を製造した。
グリコールジメチルエーテル230重量部に溶解させ
た。これにエポキシ樹脂(油化シェルエポキシ製「エピ
コート828」95重量部と四国化製「キュアゾール2
MZ−AZINE」5重量部の混合物)を5〜10重量
部加え、さらに平均粒径13μmの球状二酸化珪素粉末
(電気化学製「FB−35」)を500〜1000重量
部加えた後、三本ロールで混練してペースト組成物を調
製した。
70℃で20分予備乾燥し、さらに150℃で60分間
加熱してフィルム状の硬化物(膜厚200μm)を得
た。
弾性率を測定した。線膨張係数は、セイコー電子製熱分
析システムSSC−5000TMA100型を用いて測
定した。また動的弾性率は、岩本製作所製スペクトロメ
ーターを用いて空気中、昇温速度2℃/分、周波数10
Hzで測定した。
わち、ペーストを脱泡後、50mlシリンジに詰めエポ
キシ系ソルダーレジスト(アサヒ化学研究所製「CR−
30G−LL」)を塗布したセラミック基板、金基板及
びアルミ基板上に直径5mm、厚さ500〜800μm
になるようにペーストをポッティングし、上記のフィル
ム作成時と同じ加熱条件で加熱乾燥を行い硬化物を得
た。この硬化物に接着剤を用いて治具を取り付け、引張
り試験機を用いて密着強度を測定した。
0.6mmのセラミック基板上に5mm幅で長さ150
mmにわたって塗布し、上記と同じ加熱条件で加熱硬化
し(硬化物膜厚0.8〜1.0mm)、下記の基準に基
づいて基板の「ソリ」を観察した。 ○:基板にソリのないもの ×:基板のソリが著しいもの ペースト組成物の配合と特性の評価結果を表1に示し
た。
に準じてペースト組成物を作成した。特性評価結果を表
1に示した。
ペースト組成物を作成した。特性評価結果を表1に示し
た。
スト組成物を作成した。特性評価結果を表1に示した。
チレングリコールジメチルエーテルを710重量部とし
た以外は実施例1に準じてペースト組成物を作成した。
特性評価結果を表1に示した。
ペースト組成物を作成した。特性評価結果を表1に示し
た。
い以外は実施例3に準じてペースト組成物を作成した。
特性評価結果を表1に示した。
化物が基板や全線及びアルミ配線との密着性が良好で、
硬化物は線膨張係数が小さく低弾性率であるため応力吸
収性に優れている。このため半導体部品の吸湿、外部ス
トレス、熱ストレスに対する緩和性の優れた保護膜材と
して有用である。また従来半導体部品の保護膜として使
用されているエポキシ樹脂に比べて、硬化収縮に伴う基
板のソリがないため電子部品の小型化、薄型化に充分対
応できる。またこれを用いた半導体装置は、耐湿性、外
部ストレスへの耐性、耐熱ストレス性に優れた高信頼性
を有するものである。
Claims (4)
- 【請求項1】 (A)芳香族ジカルボン酸若しくはその
反応性酸誘導体とジアミノシロキサンを必須成分とする
ジアミンとを重縮合反応させて得られるポリアミドシリ
コン重合体又は芳香族トリカルボン酸若しくはその反応
性酸誘導体とジアミノシロキサンを必須成分とするジア
ミンとを重縮合反応させて得られるポリアミドイミドシ
リコン重合体 100重
量部、 (B)エポキシ樹脂 2〜100重量部、 (C)二酸化珪素粉末 100〜3500重量部 及び (D)有機溶剤 200〜3500重量部 を含有してなるペースト組成物。 - 【請求項2】 ジアミノシロキサンが一般式(I) 【化1】 (式中、Y1は二価の炭化水素基であり、Y2は一価の炭
化水素基を表わし、2個のY1は同一でも異なっていて
もよく、複数個のY2は互いに同一でも異なっていても
よく、mは1以上の整数である)で表わされる化合物で
ある請求項1記載のペースト組成物。 - 【請求項3】 ジアミンが、 (a)ジアミノシロキサン 0.1〜40モル%、 (b)一般式(II) 【化2】 (式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水
素、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原
子を表わし、Xは化学結合、元素を含まない一重結合、 【化3】 を表わし、ここで、R5及びR6はそれぞれ独立して水
素、低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロ
ロメチル基又はフェニル基を表わす)又は一般式(II
I) 【化4】 (式中、X′は 【化5】 を表わし、ここでR8及びR9はそれぞれ独立に水素、
低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
チル基又はフェニル基を示し、R5、R6及びR7はそれ
ぞれ独立して低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハ
ロゲンを示し、x、y及びzはそれぞれ置換基数を示
し、0〜4の整数であり、2個のX′は同一でも異なっ
ていてもよく、R5、R6及びR7がそれぞれ複数個結合
しているときは、各々において、同一でも異なっていて
もよい)で表わされる芳香族ジアミン99.9〜60モ
ル%、 (c)上記(a)及び(b)を除いた芳香族ジアミン
39.9〜0モル%及び (d)上記(a)、(b)及び(c)を除いたジアミン
39.9〜0モル%を全体が100モル%になるよ
うに配合してなる請求項1又は2記載のペースト組成
物。 - 【請求項4】 請求項1、2又は3記載のペースト組成
物を半導体部品の表面に塗布乾燥して得られる保護膜を
有してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3191790A JP3008574B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3191790A JP3008574B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0532892A JPH0532892A (ja) | 1993-02-09 |
JP3008574B2 true JP3008574B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=16280583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3191790A Expired - Lifetime JP3008574B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3008574B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100358600B1 (ko) * | 1995-11-02 | 2003-01-29 | 주식회사 코오롱 | 폴리아미드매트필름의제조방법 |
DE69839896D1 (de) * | 1997-10-29 | 2008-09-25 | Hitachi Chemical Co Ltd | Siloxanmodifizierte Polyamidharzzusammensetzungsklebefolie, CSP Leiterplatte und Folie und hergestelltes Halbleiterbauelement |
JP3736349B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2006-01-18 | 日立化成工業株式会社 | ペースト組成物並びにこれを用いた保護膜及び半導体装置 |
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-
1991
- 1991-07-31 JP JP3191790A patent/JP3008574B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH0532892A (ja) | 1993-02-09 |
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