JP3681418B2

JP3681418B2 - 不斉水添触媒用の新規なビスホスフイン類

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Publication number: JP3681418B2
Application number: JP23862494A
Authority: JP
Inventors: クリステイアン・ラウエ; ゲオルク・シユレダー; デイーター・アルルト; ロルフ・グロサー
Original assignee: Bayer AG
Current assignee: Bayer AG
Priority date: 1993-09-10
Filing date: 1994-09-07
Publication date: 2005-08-10
Anticipated expiration: 2020-08-10
Also published as: DK0643065T3; KR100341258B1; EP0643065A1; KR950008525A; DE59408907D1; CA2131571A1; SI0643065T1; DE4330730A1; TW370521B; ATE186539T1; EP0643065B1; ES2139695T3; JPH0782282A; CA2131571C; US5510503A; GR3032397T3

Description

【０００１】
本発明は、新規な、エナンチオマー的に純粋なビスホスフィン類、それらの製造方法、並びに不斉水添用触媒としての金属錯体におけるそれらの使用に関する。
【０００２】
ＶＩＩＩ族の金属と特定のビスホスフィン類との錯体を不斉水添およびエナンチオ選択的（ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅ）水素シフトで用いることは既に知られている（ヨーロッパ特許出願公開第３９８１３２号およびＲ．Ｎｏｙｏｒｉ、ＭｏｄｅｒｎＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭｅｔｈｏｄｓ、１１３−１９８（１９８９）参照）。本発明のホスフィン類およびそれらから製造した錯体の化学構造は、明らかに、従来技術の化合物とは異なっている。本発明に従い、置換基を変化させることによって、公知ビスホスフィン錯体よりも高いエナンチオ選択率で上記エナンチオ選択反応を実施することを可能にするビスホスフィン類およびビスホスフィンルテニウム錯体が得られることは、予測不可能であった。ヨーロッパ特許出願公開第５２９４４４号には、同様に、例えばルテニウム／ビスホスフィン錯体（ＢＩＮＡＰ錯体）を用い、２−（３−ベンジルフェニル）−プロペン酸をエナンチオ選択水添して相当するプロピオン酸を生じさせることが記述されており、この時の最大エナンチオ選択率は８０％ｅ．ｅ．である。本発明のルテニウム錯体は、プロペン酸誘導体の相当するエナンチオ選択水添でずっと有意なエナンチオ選択率を与える。従って、例えば、本ビスホスフィンのフラン誘導体とルテニウムとの錯体を用いると、約８８％ｅ．ｅ．のエナンチオ選択率が得られる。式（Ｉ）で表される本発明の化合物およびそれを用いて製造した錯体は、従って、特定の不斉水添を高い収率および良好なエナンチオ選択率で実施するに特に適切である。
【０００３】
本発明は、一般式（Ｉ）
【０００４】
【化１３】

【０００５】
［式中、
Ｒは、水素を表すか、或は１から４個の炭素原子を有するアルキルを表し、
Ｒ¹が水素を表し、そして
Ｒ²が塩素を表すか、或は
Ｒ¹とＲ²が一緒になって、式
【０００６】
【化１４】

【０００７】
で表される基を表す］
で表されるエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン類に関する。
【０００８】
Ｒが水素を表しそしてＲ¹とＲ²が上で与えた意味を有する、一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類が特に好適である。
【０００９】
一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類は、一般式（ＩＩ）
【００１０】
【化１５】

【００１１】
［式中、
Ｒ¹およびＲ²は、上で与えた意味を有し、そして
Ｈａｌは、ハロゲン、特に臭素を表す］
で表される３−ハロゲノフェニル化合物と一般式（ＩＩＩ）
【００１２】
【化１６】

【００１３】
［式中、
Ｒは、上で与えた意味を有する］
で表されるジフェニルホスフィン酸クロライドとを、例えばグリニヤール反応による通常方法で反応させることにより、一般式（ＩＶ）
【００１４】
【化１７】

【００１５】
［式中、
Ｒ、Ｒ¹およびＲ²は、上で与えた意味を有する］
で表される化合物を生じさせ、そしてそのオルソ位をリチウムで金属化した後、それらをヨウ素と反応させることによって式（Ｖ）
【００１６】
【化１８】

【００１７】
で表される化合物を生じさせ、通常方法（ウルマン連成（Ｕｌｌｍａｎｎｃｏｕｐｌｉｎｇ））で二量化することにより、一般式（ＶＩ）
【００１８】
【化１９】

【００１９】
［式中、
Ｒ、Ｒ¹およびＲ²は、上で与えた意味を有する］
で表されるラセミ化合物を生じさせ、そしてこれらのホスフィンオキサイド類を、例えばキラル相を用いた予備クロマトグラフィーまたは光学活性酸類を用いた晶析方法で、分離させてそれらのエナンチオマー類を生じさせた後、通常方法で、その得られる（Ｓ）または（Ｒ）エナンチオマー類の還元を行うことにより、式（Ｉ）で表される化合物を生じさせることによって製造され得る。
【００２０】
好適に用いるキラル相は、光学活性を示す（メタ）アクリル酸誘導体の光学活性ポリマーである。本明細書では、ヨーロッパ特許出願公開第３７９９１７号に記述されている如き、光学活性を示すＮ−（メタ）アクリロイル−アミノ酸誘導体のポリマー類が特に好適である。本明細書では、下記の光学活性を示すＮ−メタアクリロイル−アミノ酸アミド類：Ｎ−メタアクリロイル−Ｌ−および−Ｄ−アミノ酸のメチルアミド類のポリマー類が非常に特に好適であり、ここで適切なアミノ酸は例えばアラニン、ロイシン、バリンまたは他のアミノ酸類である。
【００２１】
これらのラセミ体の分離で用いる溶離剤は、吸着剤として用いるポリマーを膨潤させそしてその分離させるべきラセミ体を溶かす通常の有機溶媒または溶媒混合物である。挙げられ得る例は、炭化水素、例えばベンゼン、トルエンまたはキシレンなど、エーテル類、例えばジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランなど、ハロゲン化炭化水素、例えばジ−もしくはトリクロロメタン、アセトン、アセトニトリルなど、アルコール類、例えばエタノールまたはプロパノールなど、または酢酸エチル、或は上記溶媒の混合物である。トルエンとテトラヒドロフランの混合物およびまたトルエンとジオキサンの混合物が特に適切であることが確認された。
【００２２】
本発明はまた、一般式（Ｖ）および式（ＶＩ）で表される新規な中間体およびまたこれらの中間体の製造方法にも関係しており、ここで、これらの置換基の意味は、各場合共、式（Ｉ）で与えた意味に相当している。
【００２３】
式（Ｉ）で表される本発明の燐化合物は、ＶＩＩＩ族の金属の如き遷移金属、特にルテニウム、ロジウムおよびイリジウムなどと錯体を形成し、これらは、不斉水添における触媒として、そしてまたプロキラルアリルシステム（ｐｒｏｃｈｉｒａｌａｌｌｙｌｉｃｓｙｓｔｅｍｓ）におけるエナンチオ選択的水素シフトのための触媒として用いられ得る。この述べる水添では、ルテニウム、イリジウムおよびロジウムの錯体が好適であるが、異性化ではロジウム錯体が好適である。これらの触媒、即ちＶＩＩＩ族の金属と式（Ｉ）で表される燐化合物との錯体は新規であり、同様に本発明の主題である。
【００２４】
当該錯体は、本質的に知られている様式、例えば適切な不活性有機溶媒または水系溶媒の中に入れた式（Ｉ）で表される化合物を、ＶＩＩＩ族の金属を供与し得る化合物と反応させることによって製造され得る。例として挙げられ得る適切な、例えばロジウムを供与する化合物は、エチレン、プロピレンなどとの有機ロジウム錯体、そしてまたビス−オレフィン類、例えば１，５−シクロオクタジエン、１，５−ヘキサジエン、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエン、或はロジウムとの可溶錯体を容易に生じる他のジエン類との有機ロジウム錯体である。好適なロジウム供与化合物は、例えばジ−クロロ−ビス−（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム、ジ−クロロ−ビス（−ノルボルナジエン）ジロジウム、ビス−（１，５−シクロオクタジエン）−ロジウムのテトラフルオロホウ酸塩またはビス（シクロオクタジエン）ロジウムの過塩素酸塩などである。挙げられ得るイリジウム供与化合物の例はジ−クロロ−ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジイリジウムである。
【００２５】
一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類とルテニウムとの錯体が特に重要である。制限するものでない典型的な例として、下記の式（ＶＩＩ）から（ＸＩ）で表されるルテニウム錯体が挙げられ得る。
【００２６】
典型的なルテニウム錯体の例は、
【００２７】
【化２０】

【００２８】
であり、ここで、
ａｃａｃは、アセチルアセトネートであり、
Ｂは、一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィンを表し、
Ｈａｌは、ハロゲン、特にヨウ素、塩素または臭素を表し、
Ｒ³およびＲ⁴は、同一もしくは異なり、任意にハロゲン、特にフッ素、塩素または臭素で置換されていてもよい９個以下の炭素原子、好適には４個以下の炭素原子を有するアルキルを表すか、或は１から４個の炭素原子を有するアルキルで任意に置換されていてもよいフェニルを表すか、或は好適には４個以下の炭素原子を有するα−アミノアルキル酸を表すか、或は
一緒になって、４個以下の炭素原子を有するアルキリデン基を形成しており、
Ｒ⁵およびＲ⁶は、各々同一もしくは異なり、任意に置換されていてもよい、好適には、１から４個の炭素原子を有するアルキルまたはハロゲンで置換されていてもよいフェニルを表し、
Ｙは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣｌＯ₄、ＢＦ₄またはＰＦ₆を表し、
Ｑは、置換もしくは未置換のベンゼン環、例えばｐ−シメンであり、
Ｓは、第三級アミン、例えばトリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミンまたはピリジンなどを表し、
ｎおよびｍは、各々１または２を表し、
ｘは、０または１を表し、そしてここで、
式（Ｘ）において、ｘ＝０の場合ｎは１をそしてｍは２を表し、そしてｘ＝１の場合ｎは２をそしてｍは１を表す。
【００２９】
式（ＶＩＩ）から（ＸＩＩＩ）で表される錯体は、本質的に知られている方法で製造され得る。
【００３０】
式（ＶＩＩ）および（ＸＩＩ）で表される錯体は、例えばヨーロッパ特許出願公開第１７４０４７号またはＣｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．９２２（１９８５）に記述されている方法により、類似様式で製造され得る。
【００３１】
一般式（ＶＩＩＩ）で表される錯体は、例えばヨーロッパ特許出願公開第３６６３９０号に記述されているように、例えば、不活性有機溶媒中で公知のルテニウム錯体［ＲｕＨａｌ₂Ｑ］₂と一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類とを反応させることによって得られる。
【００３２】
ｎ＝１である一般式（ＩＸ）で表される錯体は、例えばヨーロッパ特許出願公開第２４５９５９号に示されている方法により、好適にはアルコール系溶媒中、一般式（ＶＩＩ）で表される錯体と相当するカルボン酸類とを反応させることによって入手可能である。
【００３３】
ｎ＝２である式（ＩＸ）およびｎ＝１でＲ³、Ｒ⁴＝ＣＦ₃である式（ＩＸ）で表される錯体は、ヨーロッパ特許出願公開第２７２７８７号に示されている方法によって製造可能である。
【００３４】
一般式（Ｘ）で表される錯体は、ヨーロッパ特許出願公開第２５６６３４号の方法で製造可能である。
【００３５】
一般式（ＸＩ）で表される錯体は、ヨーロッパ特許出願公開第４７０７５６号の方法により、そこに記述されているＲｕ前駆体と一般式（Ｉ）で表される本発明のビスホスフィン類とを反応させることによって製造可能である。
【００３６】
一般式（ＸＩＩＩ）で表される錯体は、Ｐ．Ｓｔａｈｌｙ他、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔｔａｌｉｃｓ１９９３、１４６７ｆｆに示されている方法で製造可能である。
【００３７】
ＶＩＩＩ族の金属、特にルテニウムとの錯体形態における本発明のビスマスホスフィン類は、不斉水添で用いられ得る。適切な基質は、置換もしくは未置換のα−もしくはβ−ケトエステル類またはα−もしくはβ−ケトアミド類、或はα−もしくはβ−アミノ−またはα−もしくはβ−ヒドロキシ−ケトン類、並びにアセトアミド桂皮酸誘導体である。
【００３８】
特に適切な基質は、２−アリールプロペン酸、例えば２−（６’−メトキシ−２’−ナフチル）−プロペン酸、２−（４−イソブチル）−プロペン酸および２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸、並びに例えば第三級アミン類とのそれらの塩類などである。
【００３９】
上記水添の実施において、最初にこれらの錯体を製造した後、これを水添すべき材料の溶液に加えることができる。しかしながら、また、例えば水添すべき物質を存在させることを含むインサイチューで、それらを製造することも可能である。
【００４０】
この不斉水添は、これらの反応条件下で不活性な適切な有機溶媒中で実施され得る。特に挙げられ得る上記溶媒は、低級アルコール類、例えばメタノールまたはエタノールなど、或は上記アルコール類とハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、クロロホルムなどとか或は環状エーテル類、例えばテトラヒドロフランまたはジオキサンなどとの混合物である。
【００４１】
これらの金属と一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類との比率は、有利に、ビスホスフィン配位子１モル当たり約０．５から約２モル、好適には約１モルのルテニウムである。その水添すべき材料に対するこの錯体内の金属の比率は、有利に、約０．０００５から１モル％、好適には約０．００５から０．６モル％である。
【００４２】
本発明の錯体を用いた不斉水添は、用いる基質に応じて有利に、約０℃から約１００℃の温度で実施される。この水添はまた有利に、加圧下、好適には約５から約２００バール、特に好適には約４０から約１４０バールの圧力下で実施される。
【００４３】
加うるに、本発明のビスホスフィン錯体は、プロキラルアリルシステムにおけるエナンチオ選択的水素シフトのための触媒として用いられ得る。これらは、例えば一般式（ＸＩＶ）
【００４４】
【化２１】

【００４５】
［式中、
Ｒ⁸は、保護されているヒドロキシメチルを表すか、或は式
【００４６】
【化２２】

【００４７】
（ここで、点線は、追加的結合を表していてもよい）
で表される基を表し、そして
Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、同一もしくは異なり、低級アルキル（１−７個の炭素原子）を表す］
で表される光学活性化合物の製造に関連して特に重要であり、この製造は、一般式（ＸＶ）
【００４８】
【化２３】

【００４９】
［式中、
Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、上で与えた意味を有する］
で表される化合物から出発する製造である。
【００５０】
これらの化合物（ＸＩＶ）およびこれらの加水分解を行うことによって得られるアルデヒド類、そしてまたこれらのアルデヒド類から誘導される酸類およびアルコール類は、例えば、ビタミンＥおよびＫ_Iの側鎖を合成する時の中間体として重要である。
【００５１】
この述べた水素シフトの実施では、式（Ｉ）で表される燐化合物を、その処理すべき化合物の溶液内で、例えばロジウムもしくはイリジウム供与化合物それ自身と接触させることができる。他方では、式（Ｉ）で表される燐化合物を、最初に、適切な溶媒中で例えばロジウムもしくはイリジウム供与化合物と反応させて相当する触媒錯体を生じさせた後、これを、処理すべき化合物の溶液に加えてもよく、後者の方法が好適である。
【００５２】
この式（Ｉ）で表される燐化合物と例えばロジウムもしくはイリジウム供与化合物との反応ばかりでなく、上述した水素シフトも、これらの反応条件下で不活性な適切な有機溶媒中で実施され得る。特に挙げられ得る上記溶媒は、低級アルカノール類、例えばメタノールまたはエタノールなど、芳香族炭化水素、例えばベンゼンまたはトルエンなど、環状エーテル類、例えばテトラヒドロフランまたはジオキサンなど、エステル類、例えば酢酸エチルなど、或はそれらの混合物などである。更に、これらの錯体の調合はまた、水系媒体またはジクロロメタン内でも実施され得る。
【００５３】
式（Ｉ）で表される配位子に対する例えばロジウムまたはイリジウムの比率は、有利に、この式（Ｉ）で表される配位子１モル当たり約０．０５から約５モル、好適には約０．５から約２モルの金属である。
【００５４】
水素シフトの目的で処理すべき化合物を基準にした、式（Ｉ）で表される配位子との錯体内の金属量は、好適には約０．００５から約０．５モル％、特に約０．０１から約０．２モル％である。
【００５５】
一般式（Ｉ）で表される配位子との金属錯体を用いた上記水素シフトは、有利に、おおよそ室温から約１３０℃の温度の不活性有機溶媒中で実施され得る。この反応は、好適には上昇させた温度、即ちその用いる溶媒に応じて、その反応混合物の還流温度でか或は加圧下の密封容器内で実施される。
【００５６】
【実施例】
用いる省略形：
ｃｙｍ（＝シメン）＝ｐ−メチル−イソプロピルベンゼン
ＴＨＦ＝テトラヒドロフラン
ＤＭＦ＝ジメチルホルムアミド
全ての³¹Ｐスペクトルは｛¹Ｈ｝広帯域不対化（ｄｅｃｏｕｐｌｅｄ）である。
【００５７】
Ａ）ビスホスフィン類（Ｉ）の製造
１）（Ｒ）−（−）−および（Ｓ）−（＋）−（６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン
ａ）（３−クロロ−フェニル）−ジフェニルホスフィンオキサイド（ＩＶ）
３０ｍＬのＴＨＦの中に１０ｇの３−ブロモ−クロロベンゼンが入っている溶液を、１．２７ｇのＭｇと１０ｍＬのＴＨＦとの沸騰している混合物に加えた後、この混合物を還流下で更に１時間沸騰させる。その後、３０ｍＬのトルエンの中に１２．４ｇのジフェニルホスフィン酸クロライドが入っている溶液を０℃で滴下した後、この混合物を室温で更に１時間撹拌する。
【００５８】
この反応溶液を２ＮのＨＣｌで中和した後、これを１５０ｍＬの酢酸エチルおよび水と混合し、そしてその有機相を乾燥させた後、濃縮する。融点が１０８−１１０℃の黄色結晶が８．８２ｇ（理論値の５４％）得られる。
【００５９】
ｂ）（３−クロロ−２−ヨード−フェニル）−ジフェニルホスフィンオキサイド（Ｖ）
７０ｍＬのＴＨＦの中に入っている８．８１ｇの（３−クロロ−フェニル）−ジフェニルホスフィンオキサイドを、ＴＨＦ／ｎ−ヘプタン中２Ｍのリチウムジイソプロピルアミド溶液の１４．５ｍＬと混合した後、−７６℃で更に１０分間撹拌する。３０ｍＬのＴＨＦの中に７．８３ｇのヨウ素が入っている溶液を−７６℃で加える。
【００６０】
その後、この混合物を２ＮのＨＣｌで加水分解した後、酢酸エチルで抽出する。その有機相をシリカゲルに通すことで濾過し、乾燥させた後、濃縮する。粗生成物が１１．７ｇ（収率：理論値の９５％）残存し、これを直接更にｃ）に従って用いる。
【００６１】
ｃ）ラセミ（６，６’−ジクロロ−ジフェニル−２，２’−ジイル）−ビスジフェニルホスフィンオキサイド（ＶＩ）
１１．４ｇの（３−クロロ−２−ヨード−フェニル）−ジフェニルホスフィンオキサイドと５．００ｇのＣｕ粉末と５５ｍＬのＤＭＦから成る混合物を、空気を排除しながら３日間１４０℃で激しく撹拌する。この冷却した反応溶液から溶媒を除去した後、シリカゲル使用クロマトグラフィーにかける（溶離剤：シクロヘキサン中の酢酸エチル；２５から７５％濃度）。その主要画分をｔ−ブチルメチルエーテル内で撹拌することによって沈澱を生じさせる。結晶が５．４２ｇ（６７％の収率）残存する。
【００６２】
³¹Ｐ−ＮＭＲ（［Ｄ₆］−ＤＭＳＯ）：２８．０ｐｐｍ
ｄ）エナンチオマー類の分離
１００ｍＬのＴＨＦの中に溶解させた実施例１ｃ）で得られる１ｇのラセミ（６，６’−ジクロロ−ジフェニル−２，２’−ジイル）−ビスジフェニルホスフィンオキサイドを、Ｎ−（メタアクリロイル−Ｌ−アラニン−１−メンチルアミド）（ヨーロッパ特許出願公開第３７９９１７号）の膨潤したポリマービードが入っているガラス製カラム（１０ｃｍ、長さ１００ｃｍ）の上に置き、トルエン／ＴＨＦ３：１（体積／体積）を用い１０ｍＬ／分の流量で溶離させる。１５時間後、最初のエナンチオマーが溶離して来る。この分別した溶離物を、エナンチオマー純度を分析的に監視した後一緒にする。通常の処理を行った後、最初に溶離して来る（＋）−エナンチオマーが０．４ｇ、そして相当する（−）−エナンチオマーが０．３５ｇ得られる。
【００６３】
（Ｒ）−（＋）−（６，６’−ジクロロビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンオキサイド（ＶＩ）
［α］_D＝＋４６°（ｃ＝１、ＤＭＦ）
融点：２７０℃から分解
（Ｓ）−（−）−（６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンオキサイド（ＶＩ）
［α］_D＝−４６°（ｃ＝１、ＤＭＦ）
融点：２７０℃から分解
ｅ）（Ｓ）−（＋）−（６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン（Ｉ）
８６０ｍｇの（Ｓ）−（−）−（６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンオキサイドと３ｍＬのトリブチルアミンと４０ｍＬのキシレンと０．８１ｍＬのトリクロロシランから成る混合物を、還流下で１６時間沸騰させる。その後、３０％濃度のＮａＯＨを０℃で１３ｍＬ加える。この混合物を塩化メチレンで抽出する。飽和塩化ナトリウム溶液およびＭｇＳＯ₄で乾燥させた後、その溶液を、シリカゲル使用クロマトグラフィー（シクロヘキサン中１０から４０％濃度の酢酸エチル）にかけることによって精製する。
【００６４】
収量：６７０ｍｇ（理論値の８２％）、融点＝２３０−２３５℃
［α］_D＝＋５１°（ｃ＝１、ＣＨＣｌ₃）
ｆ）（Ｒ）−（−）−（６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン（Ｉ）
９１６ｍｇの（Ｒ）−（＋）−（６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンオキサイドを用い、ｅ）と同様にこの反応を実施した。
【００６５】
収量：７１０ｍｇ（理論値の８２％）、
融点：２３０−２３５℃
［α］_D＝−５０°（ｃ＝１、ＣＨＣｌ₃）
２）（Ｒ）−および（Ｓ）−［ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル］−ビス（ジフェニルホスフィン）
ａ）（ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニルホスフィンオキサイド（ＩＶ）
９０ｍＬのＴＨＦの中に２５ｇの３−ブロモ−ジベンゾフランが入っている溶液を、４．３１ｇのＭｇと１０ｍＬのＴＨＦとの沸騰している混合物に加えた後、この混合物を還流下で更に１時間沸騰させる。その後、４５ｍＬのＴＨＦの中に２３．９ｇのジフェニルホスフィン酸クロライドが入っている溶液を０℃で滴下した後、この混合物を室温で更に１時間撹拌する。
【００６６】
この反応溶液を１ＮのＨＣｌで中和した後、これを１５０ｍＬの酢酸エチルおよび水と混合し、そしてその有機相をＭｇＳＯ₄で乾燥させた後、濃縮する。この残渣をｔ−ブチルメチルエーテルと一緒に１６時間撹拌した後、濾過を行う。融点が１５１−１５５℃の黄色結晶が残渣として２４．９ｇ（理論値の６５％）残存する。
【００６７】
ｂ）（４−ヨード−ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニルホスフィンオキサイド（Ｖ）
１００ｍＬのＴＨＦの中に入っている９．８ｇの（ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニル−ホスフィンオキサイドを、ＴＨＦ／ｎ−ヘプタン中２Ｍのリチウムジイソプロピルアミド溶液の１３．３ｍＬと混合した後、−７８℃で更に１０分間撹拌する。３０ｍＬのＴＨＦの中に７．９ｇのヨウ素が入っている溶液を−７６℃で加える。
【００６８】
その後、この混合物を２ＮのＨＣｌで加水分解した後、酢酸エチルを加え、この溶液をチオ硫酸ナトリウム溶液、水そして飽和ＮａＣｌ溶液で洗浄し、ＭｇＳＯ₄で乾燥させた後、濃縮する。粗生成物が１２．７ｇ（理論値の９８％）残存する。
【００６９】
純度（ＨＰＬＣ）：９４％
融点：２８８から２９４℃（精製した生成物）
ｃ）ラセミ［ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル］−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキサイド）（ＶＩ）
６．２３ｇの（４−ヨード−ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニルホスフィンオキサイドと２．３９ｇのＣｕ粉末と２８ｍＬのＤＭＦから成る混合物を、空気を排除しながら１６時間１４０℃で激しく撹拌する。この冷却した反応溶液をセライトに通すことで濾過し、溶媒を除去した後、ｔ−ブチルメチルエーテルと一緒に撹拌することによって沈澱を生じさせる。
【００７０】
結晶が４．０８ｇ（理論値の８８％）残存する。
【００７１】
融点：２９２−３００℃（分解）
³¹Ｐ−ＮＭＲ（［Ｄ₆］−ＤＭＳＯ）：２８．６ｐｐｍ（Ｓ）
ｄ）エナンチオマー類の分離
１ｄ）に記述した方法により、これらのエナンチオマー類の分離を実施する。用いた溶離剤はトルエン／ＴＨＦ２：１（体積／体積）の混合物である。最初に（−）−エナンチオマーが溶離して来る。
【００７２】
（Ｓ）−（−）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキサイド）（ＶＩ）
融点：２５０℃（変態（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｃｈａｎｇｅ））、２８０℃から分解
［α］_D＝−１８９°（ｃ＝１、ＤＭＦ）
（Ｒ）−（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニル−ホスフィンオキサイド）（ＶＩ）
融点：２５０℃（変態）、２８０℃から分解
［α］_D＝＋１９６°（ｃ＝１、ＤＭＦ）
ｅ）（Ｓ）−（−）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）（Ｉ）
１．０ｇ（１．３６モル）の（Ｓ）−（−）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィンオキサイド）と６．５ｍＬのトリブチルアミンと３６ｍＬのキシレンと１．６５ｍＬのトリクロロシランから成る混合物を、還流下で３時間沸騰させる。その後、３０％濃度のＮａＯＨ溶液を０℃で１０ｍＬ加える。この混合物を塩化メチレンで抽出する。
【００７３】
飽和ＮａＣｌ溶液およびＭｇＳＯ₄で乾燥させた後、その溶液を、シリカゲル使用クロマトグラフィー（シクロヘキサン中１０から３０％濃度の酢酸エチル）にかけることによって精製し、そしてｔ−ブチルメチルエーテル内で撹拌することによって沈澱を生じさせる。
【００７４】
収量：７１３ｍｇ（理論値の７５％）、
融点：２４８−２５０℃
［α］_D＝−１１８°（ｃ＝１、ＣＨＣｌ₃）
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：−１３．４ｐｐｍ（Ｓ）
ｆ）（Ｒ）−（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）（Ｉ）
１ｇの（Ｒ）−（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィンオキサイド）を用い、ｅ）と同様にこの反応を実施した。
【００７５】
収量：７２１ｍｇ（理論値の７６％）、
融点：２４８−２５０℃
［α］_D＝＋１１９°（ｃ＝１、ＣＨＣｌ₃）
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：−１３．４ｐｐｍ（Ｓ）
Ｂ）触媒錯体の製造
１）
［［（Ｒ）−（＋）−４，４’−ビス−（ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）］₂Ｒｕ₂Ｃｌ₄］・ＮＥｔ₃
２１．４ｍｇのジクロロ−シクロオクタ−１，５−ジエン−ルテニウム（ＩＩ）と５９ｍｇの（Ｒ）−（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）と０．１７ｍＬのトリエチルアミンと１．７ｍＬのキシレンから成る混合物を、空気を排除しながら１４０℃で４時間撹拌する。その後、高真空中で溶媒を除去する。
【００７６】
収量：定量的
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：５０．７（ｄ；Ｊ＝３８．４Ｈｚ）；５２．３（ｄ；Ｊ＝３８．４Ｈｚ）
２）
［［（Ｒ）−（−）−６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン−１，１’−ジフェニル］₂Ｒｕ₂Ｃｌ₄］・ＮＥｔ₃
７．５ｍｇのジクロロ−シクロオクタ−１，５−ジエン−ルテニウム（ＩＩ）と１７．４ｍｇの（Ｒ）−６，６’−ジクロロビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンと０．０６ｍＬのトリエチルアミンと２ｍＬのトルエンから成る混合物を、空気を排除しながら１４０℃で４時間撹拌する。その後、高真空中で溶媒を除去する。
【００７７】
収量：定量的
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：５４．８（ｄ；Ｊ＝３８Ｈｚ）；５５．８（ｄ；Ｊ＝３８Ｈｚ）
３）
ヨウ化［ヨード−Ｒｕ−ｃｙｍ−［（Ｒ）−（＋）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）］］
３ｍＬのメタノール／塩化メチレン（１：１）の中に３４ｍｇの（ｃｙｍ₂Ｒｕ₂Ｉ₄）が入っている溶液を、３ｍＬのメタノール／塩化メチレン（１：１）の中に５０ｍｇの（Ｒ）−（ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）が入っている混合物に加え、この混合物を、空気を排除しながら還流下で１０分間沸騰させた後、濃縮する。
【００７８】
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：４１．０（ｄ；Ｊ＝５７Ｈｚ）；２３．５（ｄ；Ｊ＝５７Ｈｚ）
４）
ヨウ化［ヨード−Ｒｕ−ｃｙｍ−［（Ｒ）−（−）−６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン］］
３ｍＬのメタノール／塩化メチレン（１：１）の中に４２ｍｇの（ｃｙｍ₂Ｒｕ₂Ｉ₄）が入っている溶液を、３ｍＬのメタノール／塩化メチレン（１：１）の中に３４ｍｇの（Ｒ）−６，６’−ジクロロ−ビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンが入っている混合物に加え、この混合物を、空気を排除しながら還流下で１０分間沸騰させた後、濃縮する。
【００７９】
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：４３．５（ｄ；Ｊ＝６１Ｈｚ）；２６．４（ｄ；Ｊ＝６１Ｈｚ）
５）
［（−）−ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）Ｒｕ（ＯＡｃ）₂］
実施例Ｂ１と同じ様式で製造した触媒｛［（（−）−ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン））₂Ｒｕ₂Ｃｌ₄］ＮＥｔ₃｝の２１１ｍｇと５０．５ｍｇのＮａＯＡｃを、空気を排除しながら１２時間、脱気した１２ｍＬのｔ−ブタノール内で還流させた。この溶媒を除去し、その残渣を７ｍＬの脱気ジエチルエーテルで２回抽出した後、濾過を行った。これらの抽出液を一緒にして濃縮し、そして直接用いた。
【００８０】
³¹Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：６４ｐｐｍ（ｓ）
Ｃ）使用実施例
１）
２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水添
１５ｍＬの脱気メタノールの中に１ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸と４６０ｍｇのトリエチルアミンが入っている溶液を、空気を排除しながら調製した後、実施例Ｂ１で調製した触媒の２１ｍｇと混合する。次に、この混合物を、室温で４８時間、１００気圧で水添する。
【００８１】
収量：定量的
エナンチオマー過剰度：８９％ｅ．ｅ．（（−）形態）
２−（３−ベンゾイル−フェニル）−プロピオン酸への酸化が終了した後、ヨーロッパ特許出願公開第５２９４４４号に記述されている如きキラル相を用いたＨＰＬＣにより、そのエナンチオマー過剰率の測定を行う。］
２）
２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水添
４６０ｍｇのトリエチルアミンと１５ｍＬの脱気メタノールの中に１ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸が入っている溶液を、空気を排除しながら、実施例Ｂ２で調製した触媒の半分と混合する。次に、この混合物を、室温で４８時間、９０気圧で水添する。
【００８２】
変換率および収量：定量的
エナンチオマー過剰度：８４．２％ｅ．ｅ．（（−）形態）
［使用実施例１に記述したのと同様に、ＨＰＬＣにより、そのエナンチオマー過剰率の測定を行う。］
３）
アセト酢酸メチルの水添
酸素が入っていないＭｅＯＨ／ＣＨ₂Ｃｌ₂（１：１）の１５ｍＬに１．０ｇのアセト酢酸メチルを溶解させる。次に、実施例Ｂ３で調製した触媒の半分を加えた後、この溶液を、アルゴンでフラッシュ洗浄したオートクレーブに移す。その後、この混合物を、室温で２日間、９０気圧の水素圧力下で水添する。処理する目的で、この溶媒の除去を行う。
【００８３】
変換率（¹Ｈ−ＮＭＲ）：１００％
エナンチオマー過剰度の測定：
実施例Ｃ３で得られる生成物の２０ｍｇ、無水ＣＨ₂Ｃｌ₂の１ｍＬ、（＋）−α−メトキシ−α−（トリフルオロメチル）フェニルアセチルクロライドの５０ｍｇ、およびピリジンの０．２６ｍＬから成る混合物を、室温で一晩撹拌した後、ガスクロで分析を行う。
【００８４】
エナンチオマー過剰度：９８．３％ｅ．ｅ．（（−）形態）。
【００８５】
４）
２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水添
１５ｍＬの脱気メタノールの中に１ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸が入っている溶液を、空気を排除しながら調製した後、実施例Ｂ４で得られる生成物の半分と混合する。次に、この混合物を、室温で４８時間、１００気圧で水添する。
【００８６】
収量および変換率：定量的
エナンチオマー過剰度：８３％ｅ．ｅ．（（−）形態）
［実施例Ｃ１に記述したのと同様にして、そのエナンチオマー過剰率の測定を行う。］
５）
２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水添
１５ｍＬの脱気メタノールの中に１ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸と４６０ｍｇのトリエチルアミンが入っている溶液を、空気を排除しながら、実施例Ｂ３で調製した触媒の１／３と混合する。次に、この混合物を、室温で４８時間、９０気圧で水添する。
【００８７】
変換率および収量：定量的
エナンチオマー過剰度：８７％ｅ．ｅ．（（−）形態）
６）
２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水添
１５ｍＬの脱気メタノールの中に１ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸と４６０ｍｇのトリエチルアミンが入っている溶液を、空気を排除しながら、実施例Ｂ５で調製した触媒の３０ｍｇと混合する。次に、この混合物を、室温で６０時間、９０気圧で水添する。
【００８８】
変換率および収量：定量的
エナンチオマー過剰度：８７．６％ｅ．ｅ．（（＋）形態）
７）
インサイチューで生じる［Ｒｕ（（−）−ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィン））（ａｃａｃ）₂］を用いた２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水添
３０ｍＬの脱気メタノールの中に２２ｍｇのＲｕ（ａｃａｃ）₃と４３ｍｇの（−）−ビス−４，４’−ジベンゾフラン−３，３’−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィン）と２ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸と０．９２ｇのトリエチルアミンが入っている溶液を、室温で４８時間、９０気圧で水添する。
【００８９】
変換率および収量：定量的
エナンチオマー過剰度：８３．０％ｅ．ｅ．（（＋）形態）

Claims

一般式（Ｉ）

［式中、
Ｒは、水素を表すか、或は１から４個の炭素原子を有するアルキルを表し、
Ｒ¹が水素を表し、そして
Ｒ²が塩素を表すか、或は
Ｒ¹とＲ²が一緒になって、式

で表される基を表す］
で表される（Ｒ）形態または（Ｓ）形態のエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン類。
ＲおよびＲ¹が水素を表し、
Ｒ²が塩素を表すか、或は
Ｒ¹とＲ²が一緒になって、式

で表される基を表す、
請求項１記載の一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類。
請求項１記載の一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類の製造方法において、一般式（ＩＩ）

［式中、
Ｒ¹およびＲ²は、上で与えた意味を有し、そして
Ｈａｌは、ハロゲン、特に臭素を表す］
で表されるハロゲノフェニル化合物と一般式（ＩＩＩ）

［式中、
Ｒは、上で与えた意味を有する］
で表されるジフェニルホスフィン酸クロライドとを、例えばグリニヤール反応による通常方法で反応させることにより、一般式（ＩＶ）

［式中、
Ｒ、Ｒ¹およびＲ²は、上で与えた意味を有する］
で表される化合物を生じさせ、そしてこれらの２位をリチウムで金属化した後、ヨウ素と反応させることによって式（Ｖ）

で表される化合物を生じさせ、通常方法（ウルマンカップリング）で二量化することにより、一般式（ＶＩ）

［式中、Ｊはヨウ素を表し、
Ｒ、Ｒ¹およびＲ²は、上で与えた意味を有する］
で表されるラセミ化合物を生じさせ、そしてこれらのホスフィンオキサイド類を分離させてそれらのエナンチオマー類を生じさせた後、通常方法で、その得られる（Ｓ）または（Ｒ）エナンチオマー類の還元を行うことにより、式（Ｉ）で表される化合物を生じさせることを特徴とする方法。
一般式（Ｖ）

［式中、Ｊはヨウ素を表し、
Ｒは、水素を表すか、或は１から４個の炭素原子を有するアルキルを表し、
Ｒ¹が水素を表し、そして
Ｒ²が塩素を表すか、或は
Ｒ¹とＲ²が一緒になって、式

で表される基を表す］
で表される化合物。
一般式（ＶＩ）

［式中、
Ｒは、水素を表すか、或は１から４個の炭素原子を有するアルキルを表し、
Ｒ¹が水素を表し、そして
Ｒ²が塩素を表すか、或は
Ｒ¹とＲ²が一緒になって、式

で表される基を表す］
で表されるラセミ形態または（Ｒ）形態または（Ｓ）形態の化合物。
一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類とＶＩＩＩ族の金属との錯体。
一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類とＲｕ、ＲｈまたはＩｒとの錯体。
一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類とＲｕとの錯体。
不斉水添を実施する時およびプロキラルシステムにおけるエナンチオ選択的Ｈシフトのために、ＶＩＩＩ族の金属との錯体形態における請求項１記載の一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類を使用する方法。
２−アリールプロペン酸類またはそれらの塩類の不斉水添を行う時に、ルテニウムとの錯体形態における請求項１記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を使用する方法。
ａ）下記のケト基：
ａ１）置換もしくは未置換のα−もしくはβ−ケトエステル類またはα−もしくはβ−ケトアミド類のケト基、
ａ２）α−もしくはβ−アミノケトン類またはα−もしくはβ−ヒドロキシ−ケトン類のケト基、
を相当するアルコール類に不斉水添する時、或は
ｂ）アリルアミン類、アリルアルコール類またはアセトアミド桂皮酸誘導体のＣ−Ｃ二重結合を不斉水添する時に、
ルテニウムとの錯体形態における請求項１記載の一般式（Ｉ）で表されるビスホスフィン類を使用する方法。