JPH03255090A - 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 - Google Patents
2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体Info
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- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
- B01J2531/80—Complexes comprising metals of Group VIII as the central metal
- B01J2531/82—Metals of the platinum group
- B01J2531/822—Rhodium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01J2531/00—Additional information regarding catalytic systems classified in B01J31/00
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- B01J2531/82—Metals of the platinum group
- B01J2531/824—Palladium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規ホスフィン化合物に関する。更に詳細には
ルテニウム、ロジウム、パラジウム等の金属と錯体を形
成することによって種々の不″斉合成反応における有用
な触媒となり得る新規なホスフィン化合物に関するもの
である。
ルテニウム、ロジウム、パラジウム等の金属と錯体を形
成することによって種々の不″斉合成反応における有用
な触媒となり得る新規なホスフィン化合物に関するもの
である。
従来、有機合成反応に利用できる遷移金属錯体、例えば
、不斉水素化反応、不斉異性化反応、不斉シリル化反応
等不斉台底反応に用いられる遷移金属錯体触媒について
数多くの報告がなされている。
、不斉水素化反応、不斉異性化反応、不斉シリル化反応
等不斉台底反応に用いられる遷移金属錯体触媒について
数多くの報告がなされている。
中でもルテニウム、ロジウム、パラジウム等の遷移金属
に、光学活性な第三級ホスフィン化合物を配位させた錯
体は、不斉合成反応の触媒として優れた性能を有するも
のが多く、この触媒の性能を更に高めるために、特殊な
構造のホスフィン化合物がこれまでに多数開発されてき
た(日本化学会編化学総vA32r有機金属錯体の化学
」p237〜238、昭和57年)。とりわけ、22′
−ビス(ジフェニルホスフィノl−1,1′−ビナフチ
ル(以下単にrBIN八P」へいう)は優れたものの一
つであり、このBINAI”を配位子としたロジウム錯
体(特開昭55−61937号公報)、及びルテニウム
錯体(特開昭61− [i 390号公報)がすでに報
告されている。更に、2.2’−ビス〔シ(p−トリル
)ホスフィノ:]−1,1,’ −ビナフチル(以下、
rp−7−ロINAP Jという)を配位子としたロジ
ウム錯体(特開昭60−1998!18号公報)、及び
ルテニウム錯体(特開昭61−63690号公報)につ
いても、不斉水素化反応、不斉異性化反応において良好
な結果を与えることが報告されいる。
に、光学活性な第三級ホスフィン化合物を配位させた錯
体は、不斉合成反応の触媒として優れた性能を有するも
のが多く、この触媒の性能を更に高めるために、特殊な
構造のホスフィン化合物がこれまでに多数開発されてき
た(日本化学会編化学総vA32r有機金属錯体の化学
」p237〜238、昭和57年)。とりわけ、22′
−ビス(ジフェニルホスフィノl−1,1′−ビナフチ
ル(以下単にrBIN八P」へいう)は優れたものの一
つであり、このBINAI”を配位子としたロジウム錯
体(特開昭55−61937号公報)、及びルテニウム
錯体(特開昭61− [i 390号公報)がすでに報
告されている。更に、2.2’−ビス〔シ(p−トリル
)ホスフィノ:]−1,1,’ −ビナフチル(以下、
rp−7−ロINAP Jという)を配位子としたロジ
ウム錯体(特開昭60−1998!18号公報)、及び
ルテニウム錯体(特開昭61−63690号公報)につ
いても、不斉水素化反応、不斉異性化反応において良好
な結果を与えることが報告されいる。
しかしながら、これらのホスフィン錯体を用いても、対
象とする反応又はその反応基質によっては選択性、転化
率、持続性が充分でない場合があった。
象とする反応又はその反応基質によっては選択性、転化
率、持続性が充分でない場合があった。
本発明の目的は、様々な不斉合成反応において、その反
応に用いられる基質の選択性及び転化率に優れ、かつ反
応持続性があり、従来の触媒性能を画期的に高めた新規
なホスフィン化合物を提供するものである。
応に用いられる基質の選択性及び転化率に優れ、かつ反
応持続性があり、従来の触媒性能を画期的に高めた新規
なホスフィン化合物を提供するものである。
本発明者らは、」二記課題を解決すべく、多くのホスフ
ィン化合物について鋭意研究を重ねた結果、フェニル基
の3位及び5位に低級アルキル基を導入したIIINA
P誘導体が、111 NへP及びI]−T−BINAP
に比べて、不斉合J戊における選択率並びに転化率を著
しく高めることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成した。
ィン化合物について鋭意研究を重ねた結果、フェニル基
の3位及び5位に低級アルキル基を導入したIIINA
P誘導体が、111 NへP及びI]−T−BINAP
に比べて、不斉合J戊における選択率並びに転化率を著
しく高めることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成した。
すなわち、本発明は次の一般式(+)
〔式中、1(は低級アルキル基を示ず〕で表わされる新
規なホスフィン化合物、2.2′ビス〔ジ−(3,5−
ジアルニトルフェニル〉ホスフィノ:l−1,1’−ビ
ナフチル(以下、「3゜5−Dへ旧NAP Jという〉
に係るものである。
規なホスフィン化合物、2.2′ビス〔ジ−(3,5−
ジアルニトルフェニル〉ホスフィノ:l−1,1’−ビ
ナフチル(以下、「3゜5−Dへ旧NAP Jという〉
に係るものである。
本発明はまた、3.5−[]八へN八へを配位子とする
新規な遷移金属錯体に係るものである。
新規な遷移金属錯体に係るものである。
本発明に係る新規化合物3.5−1]八旧NAI)は、
前記−形式(I)で表わされるものであり、(+)式中
、Rは低級アルキル基であるが、特に炭素数1〜4のア
ルキル基であることが好ましい。
前記−形式(I)で表わされるものであり、(+)式中
、Rは低級アルキル基であるが、特に炭素数1〜4のア
ルキル基であることが好ましい。
また、本発明に係る3、5−DへBINへPには(+)
体及び(−)体の光学活性体が存在し、本発明はこれら
の(]−)体、(−)体及びラセミ体のいずれをも含む
ものである。
体及び(−)体の光学活性体が存在し、本発明はこれら
の(]−)体、(−)体及びラセミ体のいずれをも含む
ものである。
本発明に係る3、5−〇へ旧NAI’は、例えば次の反
応式(I)及び(2)に従って製造される。
応式(I)及び(2)に従って製造される。
ゝ\−□〜−7
\\−−27′
以下余白
/−べ 7−へく
〔式中、1(は前記と同じ意味を存する〕即ち、3−ブ
ロム−1,5−シアル]・ルベンゼン(n)と金属マグ
ネシウムを反応させ、クリニャール試薬(ILI )を
調製し、これに、61M。
ロム−1,5−シアル]・ルベンゼン(n)と金属マグ
ネシウムを反応させ、クリニャール試薬(ILI )を
調製し、これに、61M。
Kosolapof fら; ”J、 Am、
Chem、 Soc、 、 71゜p、 36
9−370 (I949)の方法によって得たNN−ジ
エチルアミドクロロホスフェ−1−(IV)を縮合せし
めた後、塩酸で加水分解をして、シ(3,5−ジアルキ
ルフェニル)ホスフィン酸(V)とする。更に化合物(
V)に塩化チオニルを反応させ、反応後過剰の塩化チオ
ニルを除き、次いでベンゼンーヘキリン混合液で再結晶
して、ジ−(35−ジアルキルフェニル)ホスホニルク
ロリド(Vl)を得る。
Chem、 Soc、 、 71゜p、 36
9−370 (I949)の方法によって得たNN−ジ
エチルアミドクロロホスフェ−1−(IV)を縮合せし
めた後、塩酸で加水分解をして、シ(3,5−ジアルキ
ルフェニル)ホスフィン酸(V)とする。更に化合物(
V)に塩化チオニルを反応させ、反応後過剰の塩化チオ
ニルを除き、次いでベンゼンーヘキリン混合液で再結晶
して、ジ−(35−ジアルキルフェニル)ホスホニルク
ロリド(Vl)を得る。
一方、特開昭55−61937号公報で開示されている
方法によって得られる2、2′−ジブロム−1゜1′−
ビナフチル(■)に金属マグネシウムを反応させクリニ
ャール試薬(■)とし、これに先に合成した化合物(V
l)を反応させて、2,2′ビス〔ジ−(3,5−ジア
ルキルフェニル)ホスホリル]−1,1’−ビナフヂル
(IX)を合成する。このラセミ体化合物(IX)を四
塩化炭素に加熱溶解し、〈−)−ジベンゾイル酒石酸の
エーテル溶液を加えて攪拌すると、結晶が析出し、該析
出結晶を再結晶して、結晶物の旋光度が一定値を示すま
で、同様の操作を繰り返す。次いで精製結晶を塩化メチ
レン下に懸濁しておき、2N−水酸化ナトリウムを加え
て、(−)体の遊離のホスフィ ンオキシ ド(−)
−(LX)を得る。また、(→−)−ジベンゾイル酒石
酸を用いて」二妃と同様の光学分割を行ない、(I−)
体の遊離のボスフィンオキシド(−1−) −(IX)
を得る。更に、この化合物(IX)の(−)体又は(+
)体をトリクロロシランによって還元すれば、本発明に
係る3、5−DABINAI’の(−)体又は(→−〉
体を得ることができる。
方法によって得られる2、2′−ジブロム−1゜1′−
ビナフチル(■)に金属マグネシウムを反応させクリニ
ャール試薬(■)とし、これに先に合成した化合物(V
l)を反応させて、2,2′ビス〔ジ−(3,5−ジア
ルキルフェニル)ホスホリル]−1,1’−ビナフヂル
(IX)を合成する。このラセミ体化合物(IX)を四
塩化炭素に加熱溶解し、〈−)−ジベンゾイル酒石酸の
エーテル溶液を加えて攪拌すると、結晶が析出し、該析
出結晶を再結晶して、結晶物の旋光度が一定値を示すま
で、同様の操作を繰り返す。次いで精製結晶を塩化メチ
レン下に懸濁しておき、2N−水酸化ナトリウムを加え
て、(−)体の遊離のホスフィ ンオキシ ド(−)
−(LX)を得る。また、(→−)−ジベンゾイル酒石
酸を用いて」二妃と同様の光学分割を行ない、(I−)
体の遊離のボスフィンオキシド(−1−) −(IX)
を得る。更に、この化合物(IX)の(−)体又は(+
)体をトリクロロシランによって還元すれば、本発明に
係る3、5−DABINAI’の(−)体又は(→−〉
体を得ることができる。
本発明に係る3、 5−OABINAPは配位子とし
て遷移金属と共に錯体を形成する。この錯体を形成する
遷移金属としては、ロジウム、パラジウム、ルテニウム
等が挙げられる。
て遷移金属と共に錯体を形成する。この錯体を形成する
遷移金属としては、ロジウム、パラジウム、ルテニウム
等が挙げられる。
本発υ]に係る遷移金属錯体を製造する方法としては、
例えば、[旧1(Co)2(:ff ]2ど本発明に係
る35−DAIIIN八Pとを反へせしめるとRh(C
D)Cfl(3、5−〇へ旧NAP ) が得られる
。また、M、^、[]ennett;“J、 Chem
、 SOc、 Daltonp、 233−241 (
I974)の方法により調製した[RuCj22(p−
シメン)]2をヨウ化カリウムで処理して[Ru12(
+’−シメン〉]2とした後、これと本発明に係る3、
5−1)へ旧NAl1とを反応せしめると[11ul(
+1−シメン)(3,5−[1八旧NAP)]”l−が
得られる。
例えば、[旧1(Co)2(:ff ]2ど本発明に係
る35−DAIIIN八Pとを反へせしめるとRh(C
D)Cfl(3、5−〇へ旧NAP ) が得られる
。また、M、^、[]ennett;“J、 Chem
、 SOc、 Daltonp、 233−241 (
I974)の方法により調製した[RuCj22(p−
シメン)]2をヨウ化カリウムで処理して[Ru12(
+’−シメン〉]2とした後、これと本発明に係る3、
5−1)へ旧NAl1とを反応せしめると[11ul(
+1−シメン)(3,5−[1八旧NAP)]”l−が
得られる。
このようにして得られた遷移金属錯体は、不斉合成反此
(、例えば、β−ケトニスデル類の不斉水素化反応等の
触媒として用いると、高い不斉収率でかつ高い光学純度
の還元体を与える。また、本発明に係る3、 5−O
ABINAPの(−)体又は(+)体のいずれか一方を
選択し、これを配位子とした遷移金属錯体を錯媒として
用いることにより、不斉合成反応において所望する絶対
配置の目的物を得、ることができる。
(、例えば、β−ケトニスデル類の不斉水素化反応等の
触媒として用いると、高い不斉収率でかつ高い光学純度
の還元体を与える。また、本発明に係る3、 5−O
ABINAPの(−)体又は(+)体のいずれか一方を
選択し、これを配位子とした遷移金属錯体を錯媒として
用いることにより、不斉合成反応において所望する絶対
配置の目的物を得、ることができる。
次に、実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明するが
、本発明はこれらに限定されるものではない。
、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の測定には次の機器を用いた。
NMR:へM−400型装置(400Mllz)(プル
ツカ−社製) 内部標準物質: ’II−NMli・・・ブトラメチル
シラン 外部標準物質: ”I]−NMR・・85%リン酸旋光
度:[]IP−4型装置(日本分光工業■製)光学純度
;高速液体クロマトグラフィーウォーターズ液体クロマ
トグラフィー Model 510 (tヨ本ミリポアリミテッド
■製) 検出器:Uv検出器]、ambda−Max Mode
1481 (日本ミリポアリミテッド■ 製) 実施例1 ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸(V−
1)の合I戊: 3−ブロム−1,5−ジメチルベンゼン111g(0,
6モル〉を脱水したTltt’ 350 ml中で金属
マグネシウム14.6g (0,6モル)と反応させて
、グリニヤール試薬を調製した。これにN、N−ジエチ
ルアミドクロロホスフェート57 g ([lJモル)
を還流下、2時間かけて滴下した。更に、2時間加熱還
流して反応せしめた後、氷水400m1と飽和塩化アン
モニウム水溶液150m!、を加え、塩を分解した。こ
れを分液後、T HI’層に水冷下漬塩酸50()−を
加え80℃で5時間反応せしめた。生成した沈殿を濾取
、水洗、乾燥して、粗生成物を81.2g得た。これを
、水酸化す) IJウム17.8gの水溶液lβに加え
均一溶液とした。不溶部を濾過して除去し、これに20
%硫酸を加えて中和し、更に酸性とした後、析出物を濾
取、水洗、乾燥を行ない、精製して無色の固体ビス(3
,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸62.7g(収
率76%、m、p、256〜261℃)を得た。
ツカ−社製) 内部標準物質: ’II−NMli・・・ブトラメチル
シラン 外部標準物質: ”I]−NMR・・85%リン酸旋光
度:[]IP−4型装置(日本分光工業■製)光学純度
;高速液体クロマトグラフィーウォーターズ液体クロマ
トグラフィー Model 510 (tヨ本ミリポアリミテッド
■製) 検出器:Uv検出器]、ambda−Max Mode
1481 (日本ミリポアリミテッド■ 製) 実施例1 ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸(V−
1)の合I戊: 3−ブロム−1,5−ジメチルベンゼン111g(0,
6モル〉を脱水したTltt’ 350 ml中で金属
マグネシウム14.6g (0,6モル)と反応させて
、グリニヤール試薬を調製した。これにN、N−ジエチ
ルアミドクロロホスフェート57 g ([lJモル)
を還流下、2時間かけて滴下した。更に、2時間加熱還
流して反応せしめた後、氷水400m1と飽和塩化アン
モニウム水溶液150m!、を加え、塩を分解した。こ
れを分液後、T HI’層に水冷下漬塩酸50()−を
加え80℃で5時間反応せしめた。生成した沈殿を濾取
、水洗、乾燥して、粗生成物を81.2g得た。これを
、水酸化す) IJウム17.8gの水溶液lβに加え
均一溶液とした。不溶部を濾過して除去し、これに20
%硫酸を加えて中和し、更に酸性とした後、析出物を濾
取、水洗、乾燥を行ない、精製して無色の固体ビス(3
,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸62.7g(収
率76%、m、p、256〜261℃)を得た。
実施例2
1
2
ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニルクロリド
(VI−1)の合成: 実施例1で得たビス(3,5−ジメチルフェニル)ボス
フィン酸63 g (0,23モル)をトルエン120
m1.中に懸濁させ、これに50〜55℃にて塩化ヂオ
ニル35.6g (0,299モル)を3時間で滴下し
た。室温に冷却後、不溶物を濾過して除去し、常圧にて
トルエンを除き、ヘキザン300mf中へ釜残を注ぎ、
析出した結晶を手早く濾取、幌燥して無色の固体ビス(
3,5−ジメチルフェニル)ホスホニルクロリド51.
6g (収率76.7%、m、p。
(VI−1)の合成: 実施例1で得たビス(3,5−ジメチルフェニル)ボス
フィン酸63 g (0,23モル)をトルエン120
m1.中に懸濁させ、これに50〜55℃にて塩化ヂオ
ニル35.6g (0,299モル)を3時間で滴下し
た。室温に冷却後、不溶物を濾過して除去し、常圧にて
トルエンを除き、ヘキザン300mf中へ釜残を注ぎ、
析出した結晶を手早く濾取、幌燥して無色の固体ビス(
3,5−ジメチルフェニル)ホスホニルクロリド51.
6g (収率76.7%、m、p。
108〜1.09℃)を得た。
実施例3
2.2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホ
スホリル)−1,1’ −ビナフチル(IX−1)の合
成: 2.2′−ジブロム−1,1′−ビナフチル17、4g
(0,038モル、純度90%)と金属マグネシウム
2.23 g (0,092モル)をトルエン27〇−
及びテトラヒドロフラン30社中で反応させ、グリニヤ
ール試薬を調製した。このものに実施例2で得たビス(
3,5−ジメチルフェニル)ホスホニルクロリド23.
4 g (0,08モル)のトルエン溶液(25mn)
を加え40℃で反応せしめた後、常圧でテトラヒドロフ
ラン及びトルエンを回収し、更にトルエン200rn1
.及び水200−を加えた。このものに10%硫酸10
m1.を加え60℃で30分攪拌した後、分液し温水洗
浄した。続いて、水1、0 (l d及び飽和炭酸ナト
リウム水溶液lOmeを加え、60℃で30分間攪拌し
た後温水洗浄を一回した。分液後溶媒を留去し、少量の
トルエンで溶解し、ヘキサン500−で沈殿を濾取し、
トルエン125−及びヘキサン125−の混合液から再
結晶を行ない、無色の固体2.2′−ビス〔ジ3.5−
ジメチルフェニル)ホスホリル) −1゜l′−ビナフ
チル19.9g (収率64.9%、m、 p。
スホリル)−1,1’ −ビナフチル(IX−1)の合
成: 2.2′−ジブロム−1,1′−ビナフチル17、4g
(0,038モル、純度90%)と金属マグネシウム
2.23 g (0,092モル)をトルエン27〇−
及びテトラヒドロフラン30社中で反応させ、グリニヤ
ール試薬を調製した。このものに実施例2で得たビス(
3,5−ジメチルフェニル)ホスホニルクロリド23.
4 g (0,08モル)のトルエン溶液(25mn)
を加え40℃で反応せしめた後、常圧でテトラヒドロフ
ラン及びトルエンを回収し、更にトルエン200rn1
.及び水200−を加えた。このものに10%硫酸10
m1.を加え60℃で30分攪拌した後、分液し温水洗
浄した。続いて、水1、0 (l d及び飽和炭酸ナト
リウム水溶液lOmeを加え、60℃で30分間攪拌し
た後温水洗浄を一回した。分液後溶媒を留去し、少量の
トルエンで溶解し、ヘキサン500−で沈殿を濾取し、
トルエン125−及びヘキサン125−の混合液から再
結晶を行ない、無色の固体2.2′−ビス〔ジ3.5−
ジメチルフェニル)ホスホリル) −1゜l′−ビナフ
チル19.9g (収率64.9%、m、 p。
287〜290℃〉を得た。
実施例4
2.2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホ
スホリルE−1,1,’ −ビナフチルの光学分割: 実施例3で得たラセミ体である2、2′−ビス〔ジ−(
3,5−ジメチルフェニル)ホスホリル)−1,1’
−ビナフチル5.6 g (7,30ミリモル)を、四
塩化炭素80−にて、40℃で溶解させた。次に、(−
)−ジベンゾイル酒石酸2.62g(7,31ミIJモ
ル)をジエチルエーテル1OO−に溶解させたものを加
えた。室温に冷却後、ヘキサノを加えて沈殿を得、これ
を乾燥さけてジアステレオマー〔同符号塩、(−)
(−)塩〕と〔異符号塩、(+) (−)塩〕を得I
こ。この含塩0.8g(0,71ミリモル)を、四塩化
炭素2,5rrd!にて、60℃で溶解させてから温度
を40℃に冷却し、この溶液にエーテル25m1を攪拌
しながらゆっくり加えた。更に、攪拌しながら室温まで
冷却すると沈殿が析出してくる。1時間攪拌後、濾別し
て難溶性ジアステレオマー〔同符号塩、(−)(−〉塩
]0.27gを得tこ。旋光度を測定し、旋光度が後に
掲げる数値と大差がなくなるまで同様の操作を繰り返す
。次いで2N−水酸化す)IJウムと塩化メチレンをそ
れぞれ約40m2ずつ加えて中和し、攪拌しながらよく
溶かした。これを分液し、水層を更に塩化メチレンを用
いて各々約20−で2〜3回抽出する。塩化メチレンの
層に炭酸カリウムを適量加え、乾燥させた。濾過した後
、溶媒を減圧留去して(−)−2,2’−ビス〔ジ(3
,5−−ジメチルフェニル)ホスホリル〕−1゜1′−
ビナフチル(−) −(IX−1)を得た。得られた光
学活性体(−)−(IX−1,)は、四塩化炭素とエー
テル1.:10(容量比)の混合溶媒を用いて結晶の比
旋光度の変動が見られなくなるまで再結晶を繰り逼した
。
スホリルE−1,1,’ −ビナフチルの光学分割: 実施例3で得たラセミ体である2、2′−ビス〔ジ−(
3,5−ジメチルフェニル)ホスホリル)−1,1’
−ビナフチル5.6 g (7,30ミリモル)を、四
塩化炭素80−にて、40℃で溶解させた。次に、(−
)−ジベンゾイル酒石酸2.62g(7,31ミIJモ
ル)をジエチルエーテル1OO−に溶解させたものを加
えた。室温に冷却後、ヘキサノを加えて沈殿を得、これ
を乾燥さけてジアステレオマー〔同符号塩、(−)
(−)塩〕と〔異符号塩、(+) (−)塩〕を得I
こ。この含塩0.8g(0,71ミリモル)を、四塩化
炭素2,5rrd!にて、60℃で溶解させてから温度
を40℃に冷却し、この溶液にエーテル25m1を攪拌
しながらゆっくり加えた。更に、攪拌しながら室温まで
冷却すると沈殿が析出してくる。1時間攪拌後、濾別し
て難溶性ジアステレオマー〔同符号塩、(−)(−〉塩
]0.27gを得tこ。旋光度を測定し、旋光度が後に
掲げる数値と大差がなくなるまで同様の操作を繰り返す
。次いで2N−水酸化す)IJウムと塩化メチレンをそ
れぞれ約40m2ずつ加えて中和し、攪拌しながらよく
溶かした。これを分液し、水層を更に塩化メチレンを用
いて各々約20−で2〜3回抽出する。塩化メチレンの
層に炭酸カリウムを適量加え、乾燥させた。濾過した後
、溶媒を減圧留去して(−)−2,2’−ビス〔ジ(3
,5−−ジメチルフェニル)ホスホリル〕−1゜1′−
ビナフチル(−) −(IX−1)を得た。得られた光
学活性体(−)−(IX−1,)は、四塩化炭素とエー
テル1.:10(容量比)の混合溶媒を用いて結晶の比
旋光度の変動が見られなくなるまで再結晶を繰り逼した
。
また(+)−ジベンゾイル酒石酸を使用した以外は上述
と同様の操作を行なって、(+)−2゜2′−ビス〔ジ
−(3,5−ジメチルフェニル)ホスホリル:l−1,
1’−ビナフチル(+)−(IX−1,)を得た。
と同様の操作を行なって、(+)−2゜2′−ビス〔ジ
−(3,5−ジメチルフェニル)ホスホリル:l−1,
1’−ビナフチル(+)−(IX−1,)を得た。
(+)体〔α〕:5:+164.3°(c=0.29.
クロロホルム) (−)体〔α冗5ニー164.8°(c=0.29.ク
ロロ15 6 ホルム) (+)あるいは(−)体の光学純度は、下記条件の高速
液体クロマトグラフィーで検定した結果、99.5%e
eであっtこ。
クロロホルム) (−)体〔α冗5ニー164.8°(c=0.29.ク
ロロ15 6 ホルム) (+)あるいは(−)体の光学純度は、下記条件の高速
液体クロマトグラフィーで検定した結果、99.5%e
eであっtこ。
カラム:キラルセルODφ0.46cmX 25cm
(ダイセル化学工業■製) 展開溶媒:へキサン:イソプロパツール=9:1 (容
量比、以下溶媒比はすべて容 量比を表わす) 流 速、1−7分 検出波長:UUV−254n 実施例5 (−)−2,2’−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェ
ニル)ホスフィノ]−1,1’ −ジナフチル(−)−
(I−1)の合成: 実施例4で得た光学活性な化合物(−) −(IXl
) O,’17g (I,,00ミリモル)にキシレン
6.5−及びトリエチルアミン2.7 rne (I9
,37ミリモル)を加え、攪拌溶解後、トリクロロシラ
ン1.jme(I6,87ミリモル)を20〜30分間
かけて滴下した。100℃で1時間、120℃で1時間
、更に145℃で4時間反応させた後、室温まで冷却し
てキシレン8.5dと30%水酸化ナトリウム溶液10
−を加えた。70℃で30分間攪拌した後分液し、油層
を水洗、硫酸マグネジウドで乾燥させ、トルエンを減圧
留去して0.62gの還元体を得た。
(ダイセル化学工業■製) 展開溶媒:へキサン:イソプロパツール=9:1 (容
量比、以下溶媒比はすべて容 量比を表わす) 流 速、1−7分 検出波長:UUV−254n 実施例5 (−)−2,2’−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェ
ニル)ホスフィノ]−1,1’ −ジナフチル(−)−
(I−1)の合成: 実施例4で得た光学活性な化合物(−) −(IXl
) O,’17g (I,,00ミリモル)にキシレン
6.5−及びトリエチルアミン2.7 rne (I9
,37ミリモル)を加え、攪拌溶解後、トリクロロシラ
ン1.jme(I6,87ミリモル)を20〜30分間
かけて滴下した。100℃で1時間、120℃で1時間
、更に145℃で4時間反応させた後、室温まで冷却し
てキシレン8.5dと30%水酸化ナトリウム溶液10
−を加えた。70℃で30分間攪拌した後分液し、油層
を水洗、硫酸マグネジウドで乾燥させ、トルエンを減圧
留去して0.62gの還元体を得た。
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン。酢酸エチル−8:1)で分離分割し、(−)−2,
2’−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホスフ
ィノ:I−1,1’ −ビナフチル(以下単に(−)
−3、5−11MII5−1lという)0.24g (
収率32.7%)を得た。
ン。酢酸エチル−8:1)で分離分割し、(−)−2,
2’−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホスフ
ィノ:I−1,1’ −ビナフチル(以下単に(−)
−3、5−11MII5−1lという)0.24g (
収率32.7%)を得た。
また実施例4で得た光学活性な化合物(+)(IX−1
>を使用した以外は上述と同様の操作を行なって、(+
) −2,2’ −ビス〔ジ−(3゜5−ジメチルフェ
ニル)ホスフィノ、:l−1,1’−ビナフチル0.2
2g (収率30.0%)を得た。
>を使用した以外は上述と同様の操作を行なって、(+
) −2,2’ −ビス〔ジ−(3゜5−ジメチルフェ
ニル)ホスフィノ、:l−1,1’−ビナフチル0.2
2g (収率30.0%)を得た。
(+)イ本〔α〕二’ : +285.0° (c=
0.08.クロロホルム) (−)体〔α冗5: −287,5° (c=(I,O
R,クロロ17− ホルム) 実施例6 [Ru1.(p−シメン) ((−)−3,5−5−1
l]IN八P)l”1の台底: [RuCJ? a(I’−−シメン)]22.11+;
(:1.27ミリモル)、ヨウ化カリウl−1,8
g (I0,84ミリモル)及びヨウ化テトラメチルア
ンモニウム0.07g (0,35ミリモル)を水5Q
mf及び塩化メチレン5()−の混合溶媒に溶解し、室
温で4時間攪拌した。次いでこれを分液し、水層を除い
た後、水50−で10洸浄し、続いて減圧下(20mm
mm1lにおいて塩化メチレンを留去した。残渣を室温
、高真空下(0,2mmmm1lで乾燥して赤褐色の錯
体[Rul□(p−シメン)]223.03g (収率
95%)を得た。
0.08.クロロホルム) (−)体〔α冗5: −287,5° (c=(I,O
R,クロロ17− ホルム) 実施例6 [Ru1.(p−シメン) ((−)−3,5−5−1
l]IN八P)l”1の台底: [RuCJ? a(I’−−シメン)]22.11+;
(:1.27ミリモル)、ヨウ化カリウl−1,8
g (I0,84ミリモル)及びヨウ化テトラメチルア
ンモニウム0.07g (0,35ミリモル)を水5Q
mf及び塩化メチレン5()−の混合溶媒に溶解し、室
温で4時間攪拌した。次いでこれを分液し、水層を除い
た後、水50−で10洸浄し、続いて減圧下(20mm
mm1lにおいて塩化メチレンを留去した。残渣を室温
、高真空下(0,2mmmm1lで乾燥して赤褐色の錯
体[Rul□(p−シメン)]223.03g (収率
95%)を得た。
H−NMR(CD2CA 2)δppm :1、25
+1.611. J−6,9311z)2.35 s、
3H) 300 d−t、 IH,J=6.9311z)542
d、 211. J−5,96Hz)552 (d、
211. J=5.9611z)この錯体0.029
6g (0,03ミリモル)と実施例5で得た(−)−
3、5−[]MUINAP O,05(I4g((I,
0671ミリモル)をエタノール54−及び塩化メチレ
ン2.75mf!の混合溶奴に溶かし、50℃で1時間
反応せしめた。反応液を濃縮乾固して標題の錯体0,0
8gを定量的に得た。。
+1.611. J−6,9311z)2.35 s、
3H) 300 d−t、 IH,J=6.9311z)542
d、 211. J−5,96Hz)552 (d、
211. J=5.9611z)この錯体0.029
6g (0,03ミリモル)と実施例5で得た(−)−
3、5−[]MUINAP O,05(I4g((I,
0671ミリモル)をエタノール54−及び塩化メチレ
ン2.75mf!の混合溶奴に溶かし、50℃で1時間
反応せしめた。反応液を濃縮乾固して標題の錯体0,0
8gを定量的に得た。。
元素分析値: C6211a212P211u11
理論値(%) 60.114 5.11実測値(
%) 60.97 5.25”P−NMII(C
I]2[: G2)δppm :25、73 (d、
J−57,811z)39、36 (d、 J=58.
511z)実施例7 旧+(Co)Cj! ((−) 3. 5−DI、
(旧NAP)の台底:[Ru(Co) 2Cj2 ]]
2002[ilg (0,0ロアミリモル)と実施例5
で得た(−) −3,5−DMBIN八P0.へ008
g (0,134ミUモル)を塩化メチレン3.0−に
溶かし、室温で30分反応せしめた。反LU液を濃縮乾
固して標題の錯体0,127gを定量的に得た。
%) 60.97 5.25”P−NMII(C
I]2[: G2)δppm :25、73 (d、
J−57,811z)39、36 (d、 J=58.
511z)実施例7 旧+(Co)Cj! ((−) 3. 5−DI、
(旧NAP)の台底:[Ru(Co) 2Cj2 ]]
2002[ilg (0,0ロアミリモル)と実施例5
で得た(−) −3,5−DMBIN八P0.へ008
g (0,134ミUモル)を塩化メチレン3.0−に
溶かし、室温で30分反応せしめた。反LU液を濃縮乾
固して標題の錯体0,127gを定量的に得た。
9
0
元素分析値: c5311<ec、g 01’21tl
+CII 理論値(%) 70.63 5. :(7実測値
(%) 70.94 5.533111−NMl
i (CI)2C12)δppm +23.10(d
d、、I=126.6. 42.2Hz)47.05(
dd、J−161,7,42,211z)実施例8 2−ベンズアミドメチル−;3−オニ1−ツブタン酸メ
チルエステルの不斉水素化反応 予め窒素置換を行なった10()−のスデンレス製オー
トクレーブに、2−ベンズアミドメチル3−オキソブタ
ン酸メチルエステル5.01g (20,1ミリモル)
、メタノール20m1及び[Ru1(p−シメン)((
−) −3,5−DM[IIN八Pへ]28、3mg
(0,023ミリモル)を仕込み、水素圧50kg/
cnt、50℃の条件で20時間水素化反応を行ない
、反応後溶媒を留去して3.13gの水素化物を得た。
+CII 理論値(%) 70.63 5. :(7実測値
(%) 70.94 5.533111−NMl
i (CI)2C12)δppm +23.10(d
d、、I=126.6. 42.2Hz)47.05(
dd、J−161,7,42,211z)実施例8 2−ベンズアミドメチル−;3−オニ1−ツブタン酸メ
チルエステルの不斉水素化反応 予め窒素置換を行なった10()−のスデンレス製オー
トクレーブに、2−ベンズアミドメチル3−オキソブタ
ン酸メチルエステル5.01g (20,1ミリモル)
、メタノール20m1及び[Ru1(p−シメン)((
−) −3,5−DM[IIN八Pへ]28、3mg
(0,023ミリモル)を仕込み、水素圧50kg/
cnt、50℃の条件で20時間水素化反応を行ない
、反応後溶媒を留去して3.13gの水素化物を得た。
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ(ヘキサン
:イソプロパノ−ルー85:15)で分離分割した後、
’l−NMRスペクトルにより構造を確認したところ、
ジアステレオマ−2戒分が生成していた。
:イソプロパノ−ルー85:15)で分離分割した後、
’l−NMRスペクトルにより構造を確認したところ、
ジアステレオマ−2戒分が生成していた。
+1−NMli([:DCn 3)δppmA1戊分
; ]、 ]26(cl、 311. J=6.25
117.)2、60〜2.64 (m、 1ll)35
7〜3 G2(m 1.11) 4、00〜4.03 (m、 III)373 (s、
:1ll) 408〜4,1.4(…、II+) 7、27 (lir、 s、 1.107、41〜7.
45 (m、 211)749〜7.53 (m、 l
If)777〜7.80 (m、 1li) B成分; ]、 ]30(d、 311. J=6.2
811z)284〜2.86 (m、 I l−1)3
、74 (s、 311) 371〜3.77 (m、 IH) 385〜3.91(m、 IH) 4、09〜4.14 (m、 1.fl)6、92 (
br、 s、 III) 7.40〜7.44 (m、 211)7.48〜7.
50(m、1lI) 7.74〜7.76 (m、 III)転化率並びにジ
アステレオマ−2成分の生成比は下記条件の高速液体ク
ロマトグラフィーにより分析した。結果は転化率62.
5%、ジアステレオマ化A/B =86.5/13.5
(重量)であった。
; ]、 ]26(cl、 311. J=6.25
117.)2、60〜2.64 (m、 1ll)35
7〜3 G2(m 1.11) 4、00〜4.03 (m、 III)373 (s、
:1ll) 408〜4,1.4(…、II+) 7、27 (lir、 s、 1.107、41〜7.
45 (m、 211)749〜7.53 (m、 l
If)777〜7.80 (m、 1li) B成分; ]、 ]30(d、 311. J=6.2
811z)284〜2.86 (m、 I l−1)3
、74 (s、 311) 371〜3.77 (m、 IH) 385〜3.91(m、 IH) 4、09〜4.14 (m、 1.fl)6、92 (
br、 s、 III) 7.40〜7.44 (m、 211)7.48〜7.
50(m、1lI) 7.74〜7.76 (m、 III)転化率並びにジ
アステレオマ−2成分の生成比は下記条件の高速液体ク
ロマトグラフィーにより分析した。結果は転化率62.
5%、ジアステレオマ化A/B =86.5/13.5
(重量)であった。
カラム:コスモシルφ0.46cmX 25eIll(
ナカライテスク社製) 溶離液:へキサン:クロロホルム:メタノール900:
100:20 流 速:2d/分 検出波長:[IV−254nn+ 更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン
:酢酸エチル−1:l)で単離した各成分をメトキシト
リフロロメチルフェニル酢酸エステルに誘導した後、下
記条件の高速液体クロマトグラフィーにより分析した結
果、A成分の光学純度は96%eeであった。
ナカライテスク社製) 溶離液:へキサン:クロロホルム:メタノール900:
100:20 流 速:2d/分 検出波長:[IV−254nn+ 更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン
:酢酸エチル−1:l)で単離した各成分をメトキシト
リフロロメチルフェニル酢酸エステルに誘導した後、下
記条件の高速液体クロマトグラフィーにより分析した結
果、A成分の光学純度は96%eeであった。
カラム:コスモシルφ0.46cmx 25 cn+
(ナカライテスク社製) 溶離液:ヘキザン;テトラヒドロフラン;メタノール−
100:100:1 流 速:1−7分 検出波長:IIV−254nm 比較例1 予め窒素置換を行なった100−のオートクレーブに2
−ベンズアミトメデル−3オキソブタン酸メチルエステ
ル5.27g(21,1ミリモル) メタノール21m
E及び[Ru1(p−シメン)((−) −BINA
P)]”l−23,5mg(0,022ミリモル)を仕
込み、水素圧50kg/Cnt。
(ナカライテスク社製) 溶離液:ヘキザン;テトラヒドロフラン;メタノール−
100:100:1 流 速:1−7分 検出波長:IIV−254nm 比較例1 予め窒素置換を行なった100−のオートクレーブに2
−ベンズアミトメデル−3オキソブタン酸メチルエステ
ル5.27g(21,1ミリモル) メタノール21m
E及び[Ru1(p−シメン)((−) −BINA
P)]”l−23,5mg(0,022ミリモル)を仕
込み、水素圧50kg/Cnt。
50℃の条件で20時間水素化反応を行なった。
実施例8と同様の方法で、転化率並びにジアステレオマ
ー比及び光学純度を測定した結果、転化率49.4%、
ジアステレオマー比A/B=80.8/19.2、A成
分の光学純度95%eeであった。
ー比及び光学純度を測定した結果、転化率49.4%、
ジアステレオマー比A/B=80.8/19.2、A成
分の光学純度95%eeであった。
本発明に係る3、 5−DABINAPは不斉合成月
蝕3 4 媒の配位子として優れたものであり、これとルテニウム
、ロジウム、パラジウム等の遷移金属との錯体は、不斉
水素化、不斉異性化、不斉シリル化等、種々の不斉合成
用触媒として優れた触媒活性を有し、これを用いれば光
学純度の高い光学活性体を製造することができる。
蝕3 4 媒の配位子として優れたものであり、これとルテニウム
、ロジウム、パラジウム等の遷移金属との錯体は、不斉
水素化、不斉異性化、不斉シリル化等、種々の不斉合成
用触媒として優れた触媒活性を有し、これを用いれば光
学純度の高い光学活性体を製造することができる。
以 」二
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の一般式( I ) 〔式中、Rは低級アルキル基を示す〕 で表わされる2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジアルキ
ルフェニル)ホスフィノ〕−1,1′−ビナフチル。 2、請求項1記載の2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジ
アルキルフェニル)ホスフィノ〕−1,1′−ビナフチ
ルを配位子とする遷移金属錯体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2050262A JPH0768260B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
CA002037007A CA2037007C (en) | 1990-03-01 | 1991-02-25 | 2,2'-bis[di-(3,5-dialkylphenyl)phosphino]-1,1'-binaphthyl and transition metal complex containing the same as ligand |
DE69105302T DE69105302T2 (de) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | 2,2'-Bis-(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthyl enthaltende Verbindungen und katalytische Komplexe davon. |
EP91301644A EP0444930B1 (en) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | Compounds containing 2,2'-bis-(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthyl and catalytic metal complexes thereof |
US07/662,600 US5223632A (en) | 1990-03-01 | 1991-03-01 | 2,2'-bis(di-(3,5-dialkylphenyl)phosphino)-1,1'-binaphthyl and transition metal complex containing the samd ligand |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2050262A JPH0768260B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03255090A true JPH03255090A (ja) | 1991-11-13 |
JPH0768260B2 JPH0768260B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=12854063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2050262A Expired - Lifetime JPH0768260B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5223632A (ja) |
EP (1) | EP0444930B1 (ja) |
JP (1) | JPH0768260B2 (ja) |
CA (1) | CA2037007C (ja) |
DE (1) | DE69105302T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003048174A1 (fr) | 2001-12-07 | 2003-06-12 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Procede de preparation de composes diphosphine et intermediaires pour ce procede |
EP2420507A1 (en) | 2005-09-20 | 2012-02-22 | Takeda Pharmaceutical Company Limited | Diphosphine ligand and transition metal complex using the same |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3204668B2 (ja) * | 1991-03-15 | 2001-09-04 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | キラルなホスフイン |
JP3310056B2 (ja) * | 1992-07-16 | 2002-07-29 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性4−メチル−2−オキセタノンの製造方法 |
US5935892A (en) | 1994-02-22 | 1999-08-10 | California Institute Of Technology | Supported phase catalyst |
JP3441284B2 (ja) * | 1995-03-14 | 2003-08-25 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性アミンの製造方法 |
JP3338243B2 (ja) * | 1995-07-21 | 2002-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性非対称ジホスフィン化合物及びその製造方法 |
JP3770639B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2006-04-26 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性ジホスフィンの製造方法 |
JP3441605B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2003-09-02 | 高砂香料工業株式会社 | 新規光学活性ジホスフィン及び該化合物より得られる遷移金属錯体及び該錯体の存在下にて光学活性体を得る方法 |
US7223879B2 (en) * | 1998-07-10 | 2007-05-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Ligands for metals and improved metal-catalyzed processes based thereon |
US6307087B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Ligands for metals and improved metal-catalyzed processes based thereon |
JP4148702B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2008-09-10 | 高砂香料工業株式会社 | 新規なジホスフィン化合物、その製造中間体、該化合物を配位子とする遷移金属錯体並びに該錯体を含む不斉水素化触媒 |
CN114029092B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-03-05 | 苏利制药科技江阴有限公司 | 一种金属催化剂的合成方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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