JP2003507443A - キラル配位子、その遷移金属錯体および不斉反応におけるその使用 - Google Patents

キラル配位子、その遷移金属錯体および不斉反応におけるその使用

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Abstract

(57)【要約】 キラル配位子、および不斉触媒作用に有用なこのようなキラル配位子に基づく遷移金属錯体が開示されている。キラル配位子としては、ホスホラン、Ｐ,Ｎ配位子、Ｎ,Ｎ配位子、ビフェノールおよびキレート化ホスフィンが挙げられる。フェロセンに基づくイリジウム（Ｒ,Ｒ）−ｆ−ビナファン錯体は、イミンを９５〜９９.６％のエナンチオ選択性で相当するアミンに還元し、β−置換−α−アリールアミドを９５％のエナンチオ選択性で還元する。キラル配位子の遷移金属錯体は、不斉反応、例えばイミンの不斉水素化、不斉ヒドリド転移反応、ヒドロシリル化、ヒドロホウ素化、ヒドロビニル化、ヒドロホルミル化、アリルアルキル化、シクロプロパン化、ディールス−アルダー反応、ヘック反応、異性化、アルドール反応、マイケル付加およびエポキシ化反応に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、キラル配位子および不斉反応に有用なその遷移金属錯体に関する。
さらに詳しくは、本発明は、キラルなホスホラン、Ｐ,Ｎ配位子、Ｎ,Ｎ配位子、
ビフェノールおよびキレート化ホスフィン、および不斉触媒反応に有用なそれら
の遷移金属錯体に関する。
【０００２】
【従来技術】
新規なキラル配位子の発見は、高度にエナンチオ選択的な遷移金属触媒反応の
開発に不可欠な要素であった。新規な構造モチーフは、反応のエナンチオ選択性
および反応性の指令において重要な役割を演じる。 製薬および農芸化学の産業においてエナンチオマー的に純粋な化合物の要求が
増大するにつれて、不斉触媒反応はその高い効率のためにますます重要になって
きている。
【０００３】 例えば、ビアリールアトロプ異性配位子が、多くの不斉変換のために有効な配
位子足場として探求されている。最も頻繁に用いられるキラルなキレート化ホス
フィンの一つは BINAP である (Noyori, R.; Takaya, H. Acc. Chem. Res. 199
0, 23, 345, Ohkuma, T.; Koizumi, M.; Doucet, H.; Pham, T.; Kozawa, M.; M
urata, K.; Katayama, E.; Yokozawa, T.; Ikariya, T.; Noyori, R. J. Am. C
hem. Soc. 1998, 120 13529.)。
【０００４】 別のファミリーの優れたキラルホスフィンは、いわゆる DuPhos であり (Burk
, 米国特許 5,329,015、米国特許 5,202,493、米国特許 5,329,015、Burk, M, J
. J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 8518, Burk, M. J.; Feaster, J. E.; Nuge
nt, W. A.; Harlow, R. L. J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 10125. Burk M. J
.; Wang, Y. M.; Lee, J. R. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 5142.)、これは
リジッドな１,２−ビス(ホスフィノ)ベンゼンバックボーンおよび電子供与性ホ
スホラン基を有する。
【０００５】 Gladiali ら (Gladiali, S.; Dore A.; Fabbri, D.; Lucchi, O. D.; Manasse
ro, M. Tetrahedron Asymmetry, 1994, 511.) は、１,１′−ビナフチル骨格を
有する１配座キラルホスホランを調製した。しかしながら、彼らの合成方法では
相当するキレート化キラルホスホランを調製できない。Stelzer ら (Bitterer,
F.; Herd, O.; Kuhnel, M.; Stelzer, O.; Weferling, N.; Sheldrick, W. S.;
Hahu, J.; Nagel, S.; Rosch, N. Inorg. Chem. 1998, 37, 6408) は、ラセミ
体キレート化ホスホランを調製したにすぎなかった。
【０００６】 Reets らは、容易に入手可能なビナフタノールを出発材料として用いてキレー
ト化キラルホスフィニットを調製し、これらがデヒドロアミノ酸のＲｈ−触媒不
斉水素化のための優れた配位子であることを示した (Reetz, M. T.; Gosberg, A
.; Goddard, R.; Kyung, S. J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1998, 2077.)。 Jo
hn Brown は、ビアリールキラリティーを有するキラルなホスフィン配位子およ
びピリジン配位子を調製した。幾つかの関連するキラル配位子を下記に示す。
【０００７】
【化１１】 これらの配位子は多数の不斉反応に有用であったが、新規なキラル配位子の発
見の利益を受け得るさらに多くの不斉変換がある。
【０００８】
【発明の概要】
本発明は、下記のＡ〜Ｋ：
【化１２】
【０００９】 ［式中、ブリッジ基は、(ＣＨ2)n（ここで、ｎは１〜８の範囲の整数である）、
(ＣＨ2)nＷ(ＣＨ2)m（ここで、ｎおよびｍは独立して、１〜８の範囲の整数であ
る）およびＷからなる群から選択され、ここで、Ｗは１,２−位で２価のフェニ
ル、２,２′−位で２価の１,１′−ビフェニル、２,２′−位で２価の１,１′−
ビナフチル、フェロセンおよびこれらの置換誘導体からなる群から選択される２
価の基であり；該置換誘導体の各置換基はアリール、１〜８個の炭素原子を有す
るアルキル、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯＯＲ、ＳＯ3Ｒ、ＰＲ3Ｒ2、ＯＲ、ＳＲ
、ＰＲ2、ＡｓＲ2、ＳｂＲ2、アリールオキシ、ニトロ、ＮＲ2、ビニル、置換ビ
ニルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択され；各Ｒは独立して、水素
、アルキル、アリール、アルカリールおよびアラルキルからなる群から選択され
；各Ｘは独立して、水素、ハライド、アルキル、アリール、アルコキシ、シラン
、カルボキシレートおよびアミドからなる群から選択され；各Ｙは独立して、水
素、アルキル、アリール、アルコキシ、カルボキシレートおよびアミドからなる
群から選択され；各Ｚは独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、ア
ミド、カルボキシレートおよびヘテロ環式化合物からなる群から選択される］で
表される化合物からなる群から選択される配位子を包含する。
【００１０】 本発明はさらに、遷移金属塩またはその錯体と、上記のＡ〜Ｋで表される化合
物からなる群から選択される配位子とを接触させることを含む方法により製造さ
れる触媒を包含する。 本発明はさらに、本発明に係る触媒を用いて不斉化合物を製造する方法を包含
する。この方法は、不斉反応により不斉生成物を形成できる基質と、遷移金属塩
またはその錯体と上記のＡ〜Ｋで表される化合物から選択される配位子とを接触
させることを含む方法により製造される触媒とを接触させることを含む。
【００１１】 フェロセンに基づくイリジウム(Ｒ,Ｒ)−ｆ−ビナファン錯体は、イミンを９
５〜９９６％のエナンチオ選択性で相当するアミンに還元し、β−置換−α−ア
リールアミドを９５％のエナンチオ選択性で還元する。
【００１２】
【発明の詳述】
本発明は、混合ビアリールキラリティーを有する新規なホスホラン配位子を包
含する。Ｐ,Ｎ配位子、Ｎ,Ｎ配位子、ビフェノールおよびキレート化ホスフィン
もまた、ビアリールアトロプ異性体の誘導体である。同様に、３,４位に立体中
心を有するキラル５員環ホスホラン、バックボーンとしてのキラルビアリールア
トロプ異性体を有するホスホラン、およびＰ,Ｎ配位子、Ｎ,Ｎ配位子、ビフェノ
ールおよびキレート化ビスホスフィンのアトロプ異性体も包含される。これらの
キラル配位子を用いて、種々の金属触媒不斉変換を可能にすることができる。ブ
リッジ基は、(ＣＨ2)n（ここで、ｎは１〜８の範囲の整数である）、(ＣＨ2)nＷ
(ＣＨ2)m（ここで、ｎおよびｍは独立して、１〜８の範囲の整数である）および
Ｗからなる群から選択することができ、ここで、Ｗは１,２−位で２価のフェニ
ル、２,２′−位で２価の１,１′−ビフェニル、２,２′−位で２価の１,１′−
ビナフチル、フェロセンおよびこれらの置換誘導体からなる群から選択される２
価の基である。置換誘導体の各置換基はアリール、１〜８個の炭素原子を有する
アルキル、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯＯＲ、ＳＯ3Ｒ、ＰＲ3Ｒ2、ＯＲ、ＳＲ、
ＰＲ2、ＡｓＲ2、ＳｂＲ2、アリールオキシ、ニトロ、ＮＲ2、ビニル、置換ビニ
ルおよびこれらの組み合わせであってよく、各Ｒは独立して、水素、アルキル、
アリール、アルカリールおよびアラルキルであってよい。各Ｘは独立して、水素
、ハライド、アルキル、アリール、アルコキシ、シラン、カルボキシレートおよ
びアミドであってよく、各Ｙは独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキ
シ、カルボキシレートおよびアミドであってよく、各Ｚは独立して、水素、アル
キル、アリール、アルコキシ、アミド、カルボキシレートおよびヘテロ環式化合
物（すなわち窒素、硫黄または酸素ヘテロ環化合物）であってよい。
【００１３】 Ａ〜Ｋ配位子の各クラスについては、相当するエナンチオマー、ならびにエナ
ンチオマー混合物も考慮される。ＡおよびＢ配位子は、そのバックボーンにビア
リールキラリティーを有するキレート化ホスホランである。Ｃ配位子は、３,４
位に立体中心を有する５員環ホスホランを有する。ＤおよびＥ配位子は、ビアリ
ールキラリティーを有するキラルＰ,Ｎ配位子である。ＦおよびＧ配位子は、ビ
アリールキラリティーを有するキラルＮ,Ｎ配位子である。ＨおよびＩ配位子は
、ビアリールキラリティーを有するキラルビフェノール配位子である。Ｊおよび
Ｋ配位子は、ビアリールキラリティーを有するキラルホスフィン配位子である。
本発明の好ましい配位子は、Ａ〜Ｋと呼ばれる配位子から選択され、これらは下
記に示す式Ｌ１〜Ｌ５６で表される構成員を包含する：
【００１４】
【化１３】
【００１５】
【化１４】
【００１６】
【化１５】
【００１７】
【化１６】
【００１８】
【化１７】
【００１９】
【化１８】
【００２０】 Ｌ１〜Ｌ８はＡ配位子の例である。Ｌ９〜Ｌ１６はＢ配位子の例である。Ｌ１
７〜Ｌ２４はＣ配位子の例である。Ｌ２５〜Ｌ３５はＤおよびＥ配位子の例であ
る。Ｌ３６〜Ｌ４４はＦおよびＧ配位子の例である。Ｌ４５〜Ｌ５０はＦおよび
Ｇ配位子の例である。Ｌ５１〜Ｌ５６はＪおよびＫ配位子の例である。
【００２１】 ｆ−ビナファン配位子およびその遷移金属錯体が好ましく、ｆ−ビナファンの
イリジウム錯体が最も好ましい。非置換(Ｒ,Ｒ)−ｆ−ビナファン配位子は下記
式で表される：
【化１９】 最高のエナンチオ選択性（＞９９％ee）が、Ｉｒ−ｆ−ビナファン錯体を触媒
として用いたイミンの不斉水素化において達成された。
【００２２】 Ｌ１、Ｌ５、Ｌ１７、Ｌ２５、Ｌ３６、Ｌ４５、Ｌ５１および(Ｒ,Ｒ)−ビナ
ファンの製造を以下に示す。Ｌ１〜Ｌ５６配位子の他の構成員は同様の手順で製
造できる。
【化２０】
【００２３】
【化２１】
【００２４】 本発明に係る配位子はエナンチオマーのラセミ体、すなわちラセミ混合物、ま
たはエナンチオマーの非ラセミ混合物であってよい。好ましくは、本発明に係る
配位子はエナンチオマーの１つである。配位子がエナンチオマーの非ラセミ混合
物であるときは、これは少なくとも８５％eeの光学純度を有しすることが好まし
く、少なくとも９５％eeの光学純度を有することがより好ましい。
【００２５】 上記の反応スキームによれば、(Ｒ,Ｒ)−ビナファンと略称される(Ｒ,Ｒ)−１
,２−ビス｛(Ｒ)−４,５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２,１−ｃ：１′,２′−
ｅ］ホスフェニノ｝ベンゼンが、高い収率および高い光学純度で製造された。こ
のキラルキレート化ホスフィンはリジッドな１,２−ビス(ホスフィノ)ベンゼン
バックボーンを有し、ビナフチルキラリティーおよびホスホラン官能性の両方を
有する。
【００２６】 製造手順を下記に示す：
【化２２】
【００２７】 上記スキームで示したように、容易に入手可能な出発材料に基づき慣用の合成
経路を用いて、(Ｒ,Ｒ)−ビナファンを製造した。エナンチオマー的に純粋なビ
ナフトールは古典的な分割手順を用いて容易に得ることができる (Cai, D.; Hug
hes, D. L.; Verhoever, T. R.; Reider, P. J. Tetrahedron Letter, 1995, 79
91)。(Ｒ)−ビナフトールからＣＨ2Ｃｌ2中で過剰の無水トリフリック酸および
ピリジンを用いて、(Ｒ)−２,２′−ビストリフレート−１′,１′−ビナフチル
(２)を調製した。ビストリフレート(２)と臭化メチルマグネシウムとのKumadaカ
ップリングにより、(Ｒ)−２,２′−ジメチル−１,１′−ビナフチル(３)を高い
収率で得た。３をＮＢＳで臭素化することにより、(Ｒ)−２,２′−ジブロモメ
チル−１,１′−ビナフチル(４)を製造した。(Ｒ)−２,２′−ジブロモメチル−
１,１′−ビナフチル(４)をＬｉＣｌで簡単にイオン交換することにより、(Ｒ)
−２,２′−ジクロロメチル−１,１′−ビナフチル(５)を高い収率で得た。ビナ
ファンのようなキレート化ホスホランの我々の合成に重要な要素は、反応性の低
い(Ｒ)−２,２′−ジクロロメチル−１,１′−ビナフチル(５)を用いて、反応性
の高い(Ｒ)−２,２′−ジブロモメチル−１,１′−ビナフチル(４)を用いる場合
に存在したホスフィン陰イオンとの分子間反応を回避することである。(Ｒ)−２
,２′−ジクロロメチル−１,１′−ビナフチル(５)を１,２−ビス(ホスフィノ)
ベンゼンおよびＮａＨと共にＴＨＦ中で還流し、次いでエーテルから再結晶して
、(Ｒ,Ｒ)−ビナファンを５５％の収率で得た。この効果的な合成は、我々がビ
ナファンを大規模に製造するのを可能にする。この手順を用いて、我々はフェニ
ルホスフィンから相当する単座キラルビナフチルホスホランをも、＞９０％の収
率で調製した。
【００２８】 ビナファンと同様の関係において、３,４位に立体中心を有する新規なキラル
５員環キレート化ホスホランが有効であり得る。ビナフチルホスホラン配位子を
調製する際に重要な変換は、ＡｒＯＴｆとＲＭｇＢｒとのKumadaカップリング（
２から３へ）である。StilleおよびSuzukiカップリングも同様に作用することが
できる。これらのカップリング戦略に基づいて、Ｐ,Ｎ配位子、Ｎ,Ｎ配位子、ビ
フェノールおよびキレート化ビスホスフィンの一連の新規なアトロプ異性体を誘
導することができる。
【００２９】 キラル１,１′−ビス(ジクロロメチル)ビナフチル（またはその置換誘導体）
と１,１′−ビスホスフィノフェロセン（またはその置換誘導体）とを塩基およ
び溶剤の存在下に接触させてｆ−ビナファン（またはその置換誘導体）を生成す
ることを含む本発明に係る方法により、キラルｆ−ビナファン（またはその置換
誘導体）を製造した。好ましくは、塩基はＮａＨであり、溶剤はテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）である。
【００３０】 本発明はまた、遷移金属塩またはその錯体とＡ〜Ｋで表される化合物からなる
群から選択される配位子とを接触させることを含む方法により製造される触媒を
包含する。 配位子の場合のように、本発明に係る触媒は、エナンチオマーのラセミ混合物
のようなラセミ体であってよく、またはエナンチオマーの非ラセミ混合物であっ
てもよい。好ましくは、本発明に係る触媒はエナンチオマーの１つである。本発
明に係る配位子がエナンチオマーの非ラセミ混合物であるときは、これは好まし
くは少なくとも８５％eeの光学純度を有し、より好ましくは少なくとも９５％ee
の光学純度を有する。
【００３１】 触媒の製造に適する遷移金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｕ
、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＲｅおよびＭｎが挙げられる。 触媒は遷移金属塩またはその錯体とＡ〜Ｋから選択される配位子とを接触させ
ることにより製造できる。遷移金属塩または錯体は、ＰｔＣｌ2；Ｐｄ2(ＤＢＡ) 3 ；Ｐｄ(ＯＡｃ)2；ＰｄＣｌ2(ＲＣＮ)2；[Ｐｄ(アリル)Ｃｌ]2；[Ｒｈ(ＣＯＤ)
Ｃｌ]2；[Ｒｈ(ＣＯＤ)2]Ｘ；Ｒｈ(acac)(ＣＯ)2；Ｒｈ(エチレン)2(acac)；Ｒ
ｈ(ＣＯ)2Ｃｌ2；Ｒｕ(ＲＣＯＯ)2(ジホスフィン)；Ｒｕ(メチルアリル)2(ジホ
スフィン)；Ｒｕ(アリール基)Ｘ2(ジホスフィン)；ＲｕＣｌ2(ＣＯＤ)；[Ｒｈ(
ＣＯＤ)2]Ｘ；ＲｕＸ2(ジホスフィン)；ＲｕＣｌ2(=ＣＨＲ)(ＰＲ′3)2；Ｒｕ(
ＡｒＨ)Ｃｌ2；Ｒｕ(ＣＯＤ)(メチルアリル)2；[Ｉｒ(ＣＯＤ)2Ｃｌ]2；[Ｉｒ(
ＣＯＤ)2]Ｘ；Ｃｕ(ＯＴｆ)；Ｃｕ(ＯＴｆ)2；Ｃｕ(Ａｒ)Ｘ；ＣｕＸ；ＮｉＸ2
；Ｎｉ(ＣＯＤ)2；ＭｏＯ2(acac)2；Ｔｉ(ＯｉＰｒ)4；ＶＯ(acac)2；ＭｅＲｅ
Ｏ3；ＭｎＸ2またはＭｎ(acac)2であってよく；ここで、各ＲおよびＲ′は独立
して、アルキルまたはアリールであってよく；Ａｒはアリール基であり；Ｘは対
イオンである。好ましい対イオンとしては、ハロゲン、ＢＦ4、ＣｌＯ4、ＳｂＦ 6 ；ＣＦ3ＳＯ3およびこれらの混合物が挙げられる。
【００３２】 触媒はその場でまたは単離された化合物として製造できる。本発明の好ましい
触媒の例はＩｒ−ｆ−ビナファン触媒である。 別の態様において、本発明は、上記の触媒を用いる不斉化合物の製造方法を包
含する。この方法は、不斉反応により不斉生成物を形成できる基質を、遷移金属
塩またはその錯体とＡ〜Ｋで表される配位子から選択される配位子との接触によ
り製造される触媒とを接触させる工程を含む。
【００３３】 好適な不斉反応としては、水素化、ヒドリド転移、ヒドロシリル化、ヒドロホ
ウ素化、ヒドロビニル化、ヒドロホルミル化、アリルアルキル化、シクロプロパ
ン化、ディールス−アルダー反応、ヘック反応、異性化、アルドール反応、マイ
ケル付加およびエポキシ化が挙げられる。好ましくは、不斉反応は水素化であり
、水素化されるべき基質はエチレン性不飽和化合物、イミン、ケトン、エナミン
、エナミドおよびビニルエステルである。イミンを水素化してキラルアミンを生
成させるのに好適な触媒としては、キラルｆ−ビナファンのＩｒ錯体およびキラ
ルビナファンのＲｈ錯体が挙げられる。
【００３４】 (Ｒ,Ｒ)−ビナファンの合成上の実用性を試験するために、Ｒｈ−(Ｒ,Ｒ)−ビ
ナファン錯体を触媒として用いて、エナミドの不斉水素化を行った。イミンの還
元は追加の触媒、例えば沃素またはＨ+の存在下に行うことができる。 最初に幾つかの実験を行って、Ｎ−アセチル−フェニルエテナミンの水素化の
ための最適条件を選別した。Ｒｈ(ＣＤＯ)2ＰＦ6は中性Ｒｈ種である [Ｒｈ(Ｃ
ＯＤ)Ｃｌ]2と比較して、より良好な触媒前駆体であることが見出された。Ｈ2圧
の上昇は、不斉水素化のエナンチオ選択性の低下をもたらす。例えば、３００ps
i Ｈ2で８５％eeが得られたが、２０psi Ｈ2では９０％eeが達成された。溶剤の
変化はエナンチオ選択性および反応性の両方の劇的な変化を引き起こす。水素化
はＣＨ2Ｃｌ2中で９０％eeで完結したが、反応性およびエナンチオ選択性の両方
はメタノール中では、より低かった（１４％eeおよび８６％転化率）。
【００３５】 幾つかのエナミドを文献の手順により製造し、不斉水素化反応のための基質と
して使用した。表１にＮ−アセチル−フェニルエテナミン（６ａ）の水素化のた
めの最適条件下で得られた結果を示す。β−位に置換基を有しないα−アリール
エナミドを水素化した場合に極めて良好なエナンチオ選択性が得られたが、Ｒｈ
−ビナファン触媒のハイライトは、β−置換−α−アリールエナミドを優れたエ
ナンチオ選択性で還元するその能力である。(Ｅ)／(Ｚ)異性体の混合物としての
幾つかのβ−置換−α−アリールエナミドは、高いエナンチオ選択性（エントリ
ー７〜１３、９５％〜９９.６％ee）で還元された。小さい電子効果が観察され
た。Ｒｈ−(Ｒ,Ｒ)−ビナファン触媒によるこれらのエナンチオ選択性は今日ま
で報告された最高である。生成物７は酸性条件下での加水分解により相当するア
リールアルキルアミンに容易に変換できるので、Ｒｈ−ビナファン錯体での水素
化は、種々のキラルアリールアルキルアミンを製造するための実用的な方法を提
供する。
【００３６】
【実施例】
一般的手順： 全ての反応および操作を、窒素を充填したグローブボックス中で、または標準
的なシュレンク技術を用いて行った。ＴＨＦおよびトルエンを乾燥し、窒素中で
ナトリウム−ベンゾフェノンケチルから蒸留した。塩化メチレンをＣａＨ2から
蒸留した。メタノールを窒素中でＭｇから蒸留した。(Ｒ,Ｒ)−BDNPBを使用前に
トルエン中の１０mg／ml溶液にした。カラムクロマトグラフィーを、ＥＭシリカ
ゲル６０（２３０〜４００メッシュ）を用いて行った。1Ｈ、13Ｃおよび31Ｐ Ｎ
ＭＲをBruker WP-200、AM-300およびAMX-360 分光計で記録した。化学シフトを
、溶剤共鳴を有する内部標準としてのテトラメチルシランからダウンフィールド
でppmで報告した。旋光性をPerkin-Elmer 241 旋光計で得た。ＭＳスペクトルを
KRATOSマススペクトロメーター MS 9/50 で LR-EI および HR-EI について記録
した。ＧＣ分析を、キラル毛細管カラムを用いてHelwett-Packard 6890 ガスク
ロマトグラフィーで行った。ＨＰＬＣ分析を、WatersTM 600 クロマトグラフィ
ーで行った。イミンを報告された手順により製造した。
【００３７】 １,２−ビス｛(Ｒ)−４,５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［１,２−ｃ；２′,１′
−ｅ］ホスフェピノ｝ベンゼンの合成 (Ｒ)−２,２′−ビストリフレート−１,１′−ビナフチル(２)： ９００mLのＣＨ2Ｃｌ2中の(Ｒ)−ＢＩＮＯＬ（４０.３ｇ，１４０.７mmol）の
溶液にピリジン（４０mL）を加え、次いで無水トリフレート（５０.５mL，３０
０mmol）を滴下した。この混合物を室温で６時間撹拌した。溶剤を除去した後、
残留物をＥｔＯＡｃ（５００mL）で希釈し、次いで５％ＨＣｌ水溶液（１００mL
）、飽和ＮａＨＣＯ3（１００mL）および塩水（１００mL）で洗浄した。有機層
を無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮し、シリカゲルプラグに通し（ＣＨ2Ｃ
ｌ2で溶離した）、(Ｒ)−ビストリフレート(２)を得た（７７ｇ，９９％）。
【００３８】 (Ｒ)−２,２′−ジメチル−１,１′−ビナフチル(３)： エーテル（１０００mL）中の(Ｒ)−ビストリフレート(２)(７７ｇ，１４０mmo
l）およびＮｉＣｌ2・ｄｐｐｐ（３.８ｇ，７mmol）の溶液に臭化メチルマグネ
シウム（３.０Ｍ，２８０mL）を０℃で加えた。反応混合物を加熱して２４時間
還流した。水（２００mL）を０℃でゆっくりと加えて反応を停止し、次いで５％
ＨＣｌ水溶液（２００mL）で希釈した。水層をエーテル（３ｘ１００mL）で抽出
した。一緒にした有機層をＮａＨＣＯ3（１００mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウム上で乾燥し、濃縮し、化合物(３)を淡黄色固体として得た（３９.２ｇ，９
９％）。
【００３９】 （Ｒ）−２,２′−ジブロモメチル−１,１′−ビナフチル（４）： 四塩化炭素（９００mL）中の（Ｒ）−２,２′−ジメチル−１,１′−ビナフチ
ル(３)(３９.２ｇ，１３８.８mmol）、Ｎ−ブロモサクシンイミド（５２.４ｇ，
２９１.５mmol）および過酸化ベンゾイル（０.５ｇ）の混合物を還流加熱し、日
光で３日間照射した。この混合物を室温に冷却し、濾過した。濾液を濃縮し、シ
リカゲルプラグに通した。溶剤を除去した後、残留物をＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサンか
ら再結晶し、２,２′−ジブロモメチル−１,１′−ジナフチル(４)を得た（４１
.１ｇ，６７.３％）。
【００４０】 （Ｒ）−２,２′−ジクロロメチル−１,１′−ビナフチル（５）： ＤＭＦ（８００mL）中の（Ｒ）−２,２′−ジブロモメチル−１,１′−ジナフ
チル(４)(４０ｇ，９０.８mmol）およびＬｉＣｌ（３０ｇ，７０７mmol）を混合
し、室温で６時間撹拌した。この混合物に５％ＨＣｌ水溶液（３００mL）を注意
深く加えた（発熱反応が起こった）。次いでこの混合物をエーテル（４ｘ４００
mL）で抽出した。有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮し、ＣＨ2Ｃｌ2／ヘ
キサンから再結晶し、化合物５を白色固体として得た（３０ｇ，９３％）。
【００４１】 （Ｒ,Ｒ）−１,２−ビス｛（Ｒ）−４,５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［１,２−
ｃ；２′,１′−ｅ］ホスフェピノ｝ベンゼン： ＴＨＦ（２０mL）中の（Ｒ）−２,２′−ジクロロメチル−１,１′−ジナフチ
ル(５)(０.５７ｇ，１.６２mmol）およびＮａＨ（０.２ｇ，８.３mmol）の溶液
に１,２−ビス（ホスフィノ）ベンゼン（１０９μｌ，０.８１２mmol）を窒素中
で−７８℃において加えた。この混合物を室温で２４時間撹拌し続け、２４時間
還流加熱した。反応が完結した後（31Ｐ ＮＭＲで監視した）、溶剤を真空除去
し、残留物をエーテル（３ｘ１５mL）で洗浄した。有機相をシリカゲルプラグに
通し、かなり純粋な生成物を得た。エーテルからの再結晶によりさらに精製し、
ビナファンを得た（０.３１ｇ，５５％）。 1H NMR(CDCl3) 360MHz 7.83-7.8 (4H, m, Ar-H), 7.59-7.56(2H, m, Ar-H), 7
.33-7.15(16H, m, Ar-H), 7.0-6.9(2H, m, Ar-H), 6.8-6.7(2H, m, Ar-H), 6.66
-6.63(2H, d, J=8.3Hz, Ar-H), 2.97-2.74(8H, m, ArCH2); 31P NMR(CDCl3) -5.
63 ppm。
【００４２】 エナミドを触媒不斉水素化するための一般的手順 グローブボックス中でＲｈ(ＣＯＤ)2ＰＦ6（３.７mg，０.００８mmol）および
ビナファン（トルエン中の配位子 １０mg／mLの０.８mL，０.０１２mmol）を１
９.２mLのＣＨ2Ｃｌ2中で混合することにより、Ｒｈ−ホスフィン錯体をその場
で調製した。この混合物を３０分間撹拌した。次いでこの溶液２.５mLを、エナ
ミド基質（０.１mmol）を含む１０mLバイアルに移した。水素化を室温で２０psi
の水素圧下に２４時間行った。水素を注意深く放圧し、反応混合物をシリカゲル
プラグに通し、ＥｔＯＡｃで溶離した。さらに精製することなく、キラルＧＣま
たはＨＰＬＣカラムを用いたＧＣまたはＨＰＬＣでエナンチオマー過剰を測定し
た。旋光性を報告されたデータと比較することにより、生成物の絶対的立体配置
を決定した（表１）。
【００４３】
【表１】 ａ：反応を室温で２０psiの初期水素圧下に２４時間行った。ＣＨ2Ｃｌ2中の
Ｒｈ(ＣＯＤ)2ＰＦ6および（Ｒ,Ｒ）−ビナファンの溶液を撹拌することにより
、触媒をその場で調製した。［基質（０.０４Ｍ）］：［Ｒｈ］：（Ｒ,Ｒ）−ビ
ナファン＝１００：１：１.５。反応は定量的収率で進行した。 ｂ：旋光性を報告されたデータと比較することにより、生成物の立体配置を決
定した。 ｃ：エナミド６は文献の方法により調製した。 ｄ：supelco chiral select 1000 カラムを用いたキラルＧＣにより、またはR
egis (S,S)-Whelk-o1 カラムを用いたキラルＨＰＬＣにより、エナンチオマー過
剰を決定した。
【００４４】 Ｃ−Ｎ二重結合の高エナンチオ選択的還元は、最近の二三十年間に注目される
ようになってきた。非環式イミンの触媒不斉水素化は、幾つかの系が環式イミン
の不斉水素化に有効であるにもかかわらず、合成化学において最も手ごわい問題
の中に残されている。
【００４５】 最近Pfaltzらは、触媒としてＩｒ−Ｐ−Ｎ配位子錯体を用いてアセトフェノン
のＮ−フェニルイミンをエナンチオ選択的に水素化すると、８９％ｅｅまでを達
成できることを報告した。非環式イミンの不斉水素化における９０％ｅｅを越え
るエナンチオ選択性は、文献にほとんど報告されていない。 本発明によれば、新規なキラル配位子（ｆ−ビナファン）の合成および触媒と
してＩｒ−ｆ−ビナファン錯体を用いる不斉水素化において、高いエナンチオ選
択性（＞９９％ｅｅ）が達成された。
【００４６】 キラルホスフィン（ｆ−ビナファン）の合成： この配位子をビナファンの調製に用いたのと同様な経路で調製した。１,１′
−ジホスフィノフェロセンをバックボーンとして用いて、遷移金属触媒不斉反応
において有利であり得る電子供与特性がより高い新規な配位子を得た。
【００４７】 キラルホスフィン ｆ−ビナファンの合成
【化２３】
【００４８】 （Ｒ,Ｒ）−１,１′−ビス｛（Ｒ）−４,５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［１,２
−ｃ：２′,１′−ｅ］ホスフェピノ｝フェロセン： ＴＨＦ（１２５mL）中の（Ｒ）−２,２′−ジクロロメチル−１,１′−ビナフ
チル(５)(３.７１ｇ,１０.５６mmol，上記のようにして、（Ｒ）−ＢＩＮＯＬか
ら（Ｒ）−２,２′−ビストリフレート−１,１′−ビナフチル(２)1，(Ｒ)−２,
２′−ジメチル−１,１′−ビナフチル(３)2, (Ｒ)−２,２′−ジブロモメチル
−１,１′−ビナフチル(４)3、(Ｒ)−２,２′−ジクロロメチル−１,１′−ビナ
フチル(５)4を経由して製造した）およびＮａＨ（２.０ｇ，８３.０mmol）の溶
液に、１,１′−ジ（ホスフィノ）フェロセン（１.３２ｇ，５.２８mmol）を窒
素中で−７８℃において加えた。この混合物を室温で２４時間撹拌し続け、２４
時間還流加熱した。反応が完結した後（31Ｐ ＮＭＲで監視した）、溶剤を真空
除去し、残留物をＣＨ2Ｃｌ2（３ｘ２５mL）で洗浄した。有機相をシリカゲルプ
ラグに通して濾過し、かなり純粋な生成物を得た。さらにヘキサンから再結晶し
て（Ｒ,Ｒ）−１,１′−ビス｛（Ｒ）−４,５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［１,
２−ｃ：２′,１′−ｅ］ホスフェピノ｝フェロセンを得た（２.１５ｇ，５０％
）。
【００４９】 1H NMR(CDCl3) 360MHz δ 7.81-7.76(8H, m, Ar-H), 7.57-7.54(4H, m, Ar-H)
, 7.31-7.13(10H, m, Ar-H), 7.00-6.90(2H, M, Ar-H), 6.80-6.70(2H, m, Ar-H
), 6.64-6.62(2H, d, J=8.34Hz, Ar-H), 2.97-2.74(8H, m, ArCH2); 13C NMR(CD
Cl3) δ 141.70, 134.71, 134.21, 133.40, 133.27, 132.73, 132.54, 132.34,
131.20, 128.83, 128.69, 128.62, 128.08, 127.80, 127.13, 127.10, 126.32,
125.46, 125.26, 32.50, 29.83; 31P NMR(CDCl3) δ -6.87. MS m/z: 698(M+).
References: (1) Uozumi, Y.; Tanahashi, A. ;Lee, S-Y.; Hayashi, T. J. Org
. Chem. 1993, 58, 1945; (2) Sengupta, S.; Leite, M.; Raslan, D. S.; Ques
nelle, C.; Snieckus, V.J. Org. Chem. 1992. 57. 4066; (3) Maigrot, N.; Ma
zaleyrat, J-P. Synthesis, 1985, 317; and (4) Chong, J.M.; MacDonald, G.K
.; Park, S.B.; Wilkinson, S. H. J. Org. Chem. 1993, 58, 1266)。
【００５０】 イミンのエナンチオ選択的水素化： アセトフェノンのＮ−フェニルイミンを用いて反応条件を選別した。最後に最
適化した条件を下記のように定めた。 Ir−ｆ−ビナファンで触媒作用された非環式イミンのエナンチオ選択的水素化
【化２４】
【００５１】 他の基質を試みて、我々は、より大きいＮ−アリール基が高いエナンチオ選択
性にとって重要な役割を演じることを見出した。アリール−アルキルケトンのア
リール基を変更しても、エナンチオ選択性に対して明らかな効果を有しなかった
。
【００５２】 イミンを触媒不斉水素化するための一般的手順： グローブボックス中で、[Ｉｒ(ＣＯＤ)Ｃｌ]2（６.７mg，０.０１mmol）およ
びホスフィン錯体（０.０２２mmol）を２０mLのＣＨ2Ｃｌ2中で混合し、３０分
間撹拌することにより、Ｉｒ−ホスフィン錯体をその場で調製した。次いでこの
溶液５mLを、エナミン基質（０.５mmol）を含む１０mLバイアルに移した。水素
化を室温で１０００psiの水素圧下に４８時間行った。水素を注意深く放圧し、
反応混合物をシリカゲルプラグに通し、ＥｔＯＡｃで溶離した。さらに精製する
ことなく、キラルＧＣカラムを備えたＧＣを用いてエナンチオマー過剰を測定し
た。
【００５３】 キラルＢＩＮＯＬから製造し、エナミドのＲｈ−触媒不斉水素化において優れ
た性能を示したキラル配位子ビナファンに加えて、本発明はさらに、同様にビナ
フチル部分を有するが１,１′−ビスホスフィノフェロセンバックボーンによっ
て結合された新規なキラルキレート化ホスフィンであるｆ−ビナファンを包含す
る。
【００５４】 この新規な配位子ｆ−ビナファンを、ビナファンの製造と同様の経路で合成し
た。キラルビノールをビストリフレート２に変換し、次いでKumadaカップリング
、ＮＢＳでの臭素化、ＬｉＣｌでの陰イオン交換により、１,１−ジ（クロロメ
チル）ビナフチル５を得た。このジクロリド５をＴＨＦ中でＮａＨの存在下に
１,１′−ビスホスフィノフェロセンと共に還流し、続いてＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサ
ンから再結晶して、純粋なｆ−ビナファン生成物を黄色固体として得た。
【００５５】 この簡単な合成経路に加えて、空気中ならびに溶剤中でのｆ−ビナファンの安
定性（少なくとも２日間）は、新規な配位子をいっそう魅力的にする。 ｆ−ビナファンの重要な特色の一つは、２個のメチレン基およびリン原子に結
合したフェロセンバックボーンによる、その富電子特性である。この特色は、不
飽和化合物を水素化する場合よりも高い不斉誘電性に帰することができる。別の
重要な特色は、ｆ−ビナファン配位子がＢＩＮＡＰと同様に、異なる遷移金属と
容易にキレート化するのを可能にするフェロセンバックボーンの柔軟性である。
【００５６】 さらに、遷移金属とキラル配位子との配位は錯体の立体配置を固定し、２個の
ビナフチル基が２個の相対するコードラントを正しく占有し、他の２個のコード
ラントを空いたままにするという卓越した環境を提供するであろう。その結果と
して、フェロセンバックボーンはキラルポケットをより広く、そしてより深くし
、こうして多くの嵩高な基質に接近できるようにする。
【００５７】 新規な配位子を、これまで解決されていないイミン還元の問題に適用した。オ
レフィンおよびケトンの多くの触媒エナンチオ選択的水素化とは異なり、他の触
媒によってはイミンの不斉水素化において極めて限られた成功しか達成されてい
ない。Ｎ−（１−フェニルエチリデン）アニリンの水素化におけるＦ−ビナファ
ンの最初の試みは、１％のＩｒ−触媒負荷を用いて室温で８４％ｅｅを生じた。
モデル基質として同じ基質を用いて最適条件を選別した。結果を下記の表２にま
とめて示す。
【００５８】
【表２】 ａ：オートクレーブ中で、基質を溶剤中で触媒と混合し、水素で加圧すること
により反応を行った。[Ｉｒ(ＣＯＤ)Ｃｌ]2および（Ｒ,Ｒ）−ｆ−ビナファンの
溶液を撹拌することにより、触媒をその場で調製した。［基質（０.１Ｍ）］：
［Ｉｒ］：（Ｒ,Ｒ）−ｆ−ビナファン＝１００：１：１.１。 ｂ：Supelco chiral select 1000 カラムを用いたキラルＧＣにより、エナン
チオマー過剰を決定した。絶対的立体配置は決定しなかった。
【００５９】 中性前駆体[Ｉｒ(ＣＯＤ)Ｃｌ]2は、陽イオン性Ｉｒ(ＣＯＤ)2ＰＦ6よりも良
好な性能を有した。弱く配位する溶剤ＣＨ2Ｃｌ2は、ＴＨＦ、トルエンまたはＭ
ｅＯＨのような他の溶剤よりも好ましい（エントリー１〜４）。水素圧の低下は
エナンチオ選択性を明確には向上しないが、反応性を低下させる（エントリー５
）。温度効果は無視できる（エントリー６）。多くの系においてエナンチオ選択
性に対して大きな改善を示す添加剤の効果は、この場合には認められなかった（
エントリー７〜１０）。しかしながら、フタルイミドおよびヨウ化テトラブチル
アンモニウムは反応を小さい程度で促進した（エントリー７〜８）。
【００６０】 ２,６−ジメチルフェニル基でＮ−フェニル基を置換すると、驚くべきことに
＞９９％のエナンチオ選択性が達成された。我々が知るところでは、これは非環
式イミンの不斉水素化に関して今までに達成された最高のエナンチオ選択性であ
る。 これらの結果を表３にまとめて示す。
【００６１】
【表３】 ａ：反応を室温で１０００psiの初期水素圧下に行った。ＣＨ2Ｃｌ2中の[Ｉｒ
(ＣＯＤ)Ｃｌ]2および（Ｒ,Ｒ）−ｆ−ビナファンの溶液を撹拌することにより
、触媒をその場で調製した。［基質（０.１Ｍ）］：［Ｉｒ］：（Ｒ,Ｒ）ビナフ
ァン＝１００：１：１.１。 ｂ：Supelco chiral select 1000 カラムを用いたキラルＧＣにより、エナン
チオマー過剰を決定した。絶対的立体配置は決定しなかった。
【００６２】 Ａｒ基の電子的性質の変化は、反応性およびエナンチオ選択性の両方に対して
ほとんど効果がないが（エントリー３〜４）、Ａｒをアルキル基で置換すると、
エナンチオ選択性および反応性の実質的な低下を引き起こす（エントリー６〜８
）。高いエナンチオ選択性（９６.８％ｅｅ）および低い反応性（２３.８％収率
）が、α−テトラロンから誘導したケタミンで得られた（エントリー５）。Ｎ−
Ａｒ′基をメトキシル置換フェニル基で置き換えると、エナンチオ選択性を上昇
させることなく、反応性を大いに向上させる（エントリー９〜１０）。これによ
り、電子供与性メトキシル基が共役系を不安定にすることができ、Ｃ＝Ｎ結合を
活性化できることがわかる。上記の事実に基づいて、基質Ｎ−２,６−ジメチル
フェニルケタミンの最高のエナンチオ選択性は、ジメチル基の電子効果よりはむ
しろ立体効果に帰することができる。
【００６３】 ２つの基質（６ｋおよび６ｌ）を最適水素化条件下に完全転化率で試みた。水
素化生成物をＭｅＯＨおよび水中でＣＡＮを用いて０℃で脱保護した。処理した
後、キラルアミンをシリカゲル上でのクロマトグラフィーにより精製した。エナ
ンチオ選択性（８ｋおよび８ｌについてそれぞれ９８.１％ｅｅおよび９５.７％
ｅｅ）は、それらの開裂不可能な類似体に匹敵する。非環式アミンの高度にエナ
ンチオ選択的な水素化を以下に示す。
【００６４】
【化２５】 このように、フェロセンバックボーンにより結合されたビナフチルモチーフを
持つキラル配位子を有する本発明のＩｒ−ｆ−ビナファン錯体は、非環式イミン
の不斉水素化に関してこれまでに得られた最高のエナンチオ選択性を生じさせた
。 この新規な方法の重要性は、この方法がキラル１級アミンを合成するための実
用的な方法を提供することである。
【００６５】 イミン６（ａ〜ｌ）を合成するための一般的手順： ケトン（１当量）および適切なアミン（１当量）を、フラスコ内で窒素中で乾
燥トルエンに溶解した。触媒量のｐ−トルエンスルホン酸を加えた。フラスコに
還流冷却器およびディーン−スタークトラップを装備し、この混合物を加熱して
５時間還流した。飽和ＮａＨＣＯ3溶液を加えて反応を停止し、エーテル（３ｘ
１００mL）で抽出した。有機層を一緒にし、塩水で洗浄し、乾燥し（Ｎａ2ＳＯ4 ）、真空蒸留または塩基性Ａｌ2Ｏ3上でのクロマトグラフィーで処理した。
【００６６】 Ｎ−（１−フェニルエチリデン）アニリン（６ａ）： Schnider, P.; Koch, G.; Pretot, R.; Wang, G.; Bohnen, F.-M.; Kruger, C
.; Pfaltz, A. Chem. Eur. J. 1997, 887。 Ｎ−（１−フェニルエチリデン）−２,６−キシリルアミン（６ｂ）： Schnider, P.; Koch, G.; Pretot, R.; Wang, G.; Bohnen, F.-M.; Kruger, C
.; Pfaltz, A. Chem. Eur. J. 1997, 887 および Okamoto, H.; Kato, S.; Ogas
awara, M.; Takematsu, T. Agric. Biol. Chem.; EN, 55, 11, 1991, 2733。 Ｎ−（１−ｐ−メトキシフェニリデン）２,６−キシリルアミン（６ｃ）： Okamoto, H.; Kato, S.; Ogasawara, M.; Konnai, M.; Takematsu, T. Agric.
Biol. Chem.; EN, 55, 11, 1991, 2733。
【００６７】 Ｎ−（１−ｐ−トリフルオロメチルフェニリデン）２,６−キシリルアミン（６
ｄ）: 1H NMR(CDCl3, 300MHz), δ 8.06-8.04(2H, d, J=6.73Hz, Ar-H), 7.64-7.62(
2H, d, J=6.91Hz, Ar-H), 6.99-6.96(2H, d, J=6.30Hz, Ar-H), 6.87-6.83(1H,
t, Ar-H), 2.00(3H, s, CH3), 1.93(6H, s, ArCH3) 13C NMR(CDCl3, 300MHz),
δ 164.75, 148.86, 142.49, 133.16, 132.80, 132.44, 132.08, 128.96, 128.3
8, 127.88, 125.93, 125.87, 125.83, 125.79, 125.75, 123.61, 122.94, 119.9
3, 18.30, 17.91ppm。
【００６８】 Ｎ−（２,３,４−トリヒドロ−１−ナフチリデン）２,６−キシリルアミン（６
ｅ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 8.86-8.84(1H, d, J=7.69Hz, Ar-H), 7.76-7.66(2
H, m, Ar-H), 7.58-7.56(1H, d, J=7.39Hz, Ar-H), 7.43-7.41(2H, d, J=7.45Hz
, Ar-H), 7.30-7.26(1H, t, Ar-H), 3.28-3.24(2H, t, CH2), 2.64-2.60(2H, t,
CH2), 2.41(6H, s, CH3), 2.29-2.22(2H, m, CH2). 13C NMR (CDCl3, 360MHz)
δ 165.52, 149.61, 141.71, 134.10, 131.17, 129.32, 128.36, 128.06, 126.9
5, 126.18, 123.12, 30.57, 30.51, 23.36, 18.59ppm。
【００６９】 Ｎ−（１−テトラブチルエチリデン）２,６−キシリルアミン（６ｆ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz), δ 7.22-7.20(2H, d, J=7.56Hz, Ar-H), 7.08-7.04(
1H, t, Ar-H), 2.19(3H, s, CH3), 1.84(3H, s, CH3), 1.50(6H, s, CH3). 13C
NMR(CDCl3, 360MHz) δ 177.29, 149.33, 128.63, 128.28, 127.97, 125.70, 12
2.93, 122.65, 122.31, 40.98, 28.46, 18.06, 15.69ppm。
【００７０】 Ｎ−（１−イソプロピルエチリデン）２,６−キシリルアミン（６ｇ）： 1NMR(CDCl3, 360MHz) δ7.00-6.98(2H, d, J=7.52Hz, Ar-H), 6.87-6.83(1H,
t, Ar-H),2.73-2.65(1H, m, CH), 1.99(6H, s, ArCH3), 1.59(3H, s, CH3), 1.2
5-1.21(6H, d, J=13.60Hz, CH3, major isomer(E)), 0.99-0.97(6H, d, J=6.84H
z, CH3, minor isomer（Z))[(E)/(Z)=14:1], 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ 175.9
1, 149.10, 128.23, 126.04, 122.80, 39.22, 20.41, 18.08, 17.93 ppm。
【００７１】 Ｎ−（１−シクロヘキシルエチリデン）２,６−キシリルアミン（６ｈ）： 1HNMR(CDCl3, 360MHz) δ 6.89-6.87(2H, d, J=7.46Hz, Ar-H), 6.76-6.72(1H
, t, Ar-H), 2.27-2.25(1H, m, CH), 1.88(6H, s, ArCH3), 1.92-1.50(5H, m, C
H2), 1,49(3H, s, CH3), 1.49-1.22(5H, m, CH2). 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ
175.37, 149.21, 127.88, 125.98, 122.73, 49.41, 30.93, 26.64, 18.60, 18.1
5 ppm。
【００７２】 Ｎ−（１−フェニリデン）４′−メトキシアニリン（６ｉ）： Milart, P.; Sepiol, J. Z. Naturforsch. B. Anorg. Chem. Org. Chem. EN.
41, 3, 1986, 371。 Ｎ−（１−フェニリデン）２′−メトキシアニリン（６ｊ）： Okamoto, H.; Kato, S.; Ogasawara, M.; Konnai, M.; Takematsu, T. Agric.
Biol. Chem.; EN, 55, 11, 1991, 2733。 Ｎ−（１−フェニリデン）２′−メトキシ−６′メチルアニリン（６ｋ）： 1HNMR(CDCl3, 360MHz) δ 8.39-8.36(2H, m, Ar-H), 7.76-7.73(3H, m Ar-H),
7.31-7.28(1H, t, Ar-H), 7.18-7.16(1H, d, J=7.57Hz, Ar-H), 7.10-7.08(1H,
d, J=8.09Hz), 4.03(3H, s, OCH3), 2.42(3H, s, CH3), 2.41(3H, s, CH3).13C
NMR(CDCl3, 360MHz) δ 167.18, 148.68, 139.77, 139.45, 130.81, 129.04, 1
28.91, 128.76, 128.52, 128.29, 127.76, 126.63, 126.30, 124.14, 123.83, 1
23.02, 109.46, 56.10, 18.29 ppm。
【００７３】 Ｎ−（１−（１−ナフチル）エチリデン）２′−メトキシ−６′−メチルアニリ
ン（６ｌ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 8.65-8.62(1H, d, J=8.49Hz, Ar-H), 7.94-7.92(2
H, d, J=8.04Hz, Ar-H), 7.69-7.67(1H, d, J=8.13Hz, Ar-H), 7.62-7.54(3H, m
, Ar-H), 7.08-7.06(1H, t, Ar-H), 6.96-6.70(2H, m, Ar-H) 3.93(3H, s, OCH3 ), 2.28(3H, s, CH3), 2.24(3H, s, CH3). 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ 171.60,
148.38, 140.45, 139.34, 134.39, 130.93, 129.55, 128.91, 128.75, 128.63,
127.01, 126.40, 125.46, 125.16, 124.01, 123.02, 108.49, 56.30, 23.02, 1
8.70, 18.40 ppm。
【００７４】 イミンを触媒不斉水素化するための一般的手順： [Ｉｒ(ＣＯＤ)Ｃｌ]2（６.７mg，０.０１mmol）およびｆ−ビナファン（１７.
７mg，０.０２２mmol）を２０mLのＣＨ2Ｃｌ2中で混合することにより、Ｉｒ−
ｆ−ビナファン錯体をその場で調製した。この混合物を３０分間撹拌した。次い
でこの溶液５mLを、イミン基質（０.５mmol）を含む１０mLバイアルに移した。
水素化を室温で１０００psiの水素圧下に行った。反応の後、水素を注意深く放
圧し、反応混合物をシリカゲルプラグに通し、ＣＨ2Ｃｌ2で溶離した。さらに精
製することなく、キラルカラムでのＧＣを用いてエナンチオ選択性を測定した。
保持時間を標準キラル化合物と比較することにより、生成物の絶対的立体配置を
決定した。
【００７５】 Ｎ−フェニル−１−フェニルエチルアミン（７ａ）： Schnider, P.; Koch, G.; Pretot, R.; Wang, G.;Bohnen, F.-M.; Kruger, C.
; Pfaltz, A. Chem. Eur. J. 1997, 887。 Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−１−フェニルエチルアミン（７ｂ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 7.19-7.10(5H, m, Ar-H), 6.85-6.83(2H, d, J=7.4
1Hz, Ar-H), 6.70-6.66(1H, t, Ar-H), 4.24-4.19(1H, q, CH), 3.09(1H, b, NH
), 2.07(6H, s, ArCH3), 1.42-1.39(3H, d, J=6.76Hz, CH3). 13C NMR(CDCl3, 3
60MHz) δ 145.75, 145.39, 129.93, 129.33, 128.91, 127.48, 126.61, 122.11
, 57.27, 23.13, 19.40 ppm。
【００７６】 Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−１−ｐ−メトキシフェニルエチルアミ
ン（７ｃ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 7.35-7.33(2H, d, J=6.93Hz, Ar-H), 7.09-7.07(2
H, d, J=7.51Hz, Ar-H), 6.98-6.90(3H, m, Ar-H), 4.44-4.39(1H, q, CH), 3.9
1(3H, s, OCH3), 3.30(1H, b, NH), 2.31(6H, s, ArCH3), 1.63-1.61(3H, d, CH 3 ). 13C NMR(CDCl3, 360MHz), δ 159.00, 145.31, 137.87, 129.91, 129.23, 1
27.63, 122.02, 114.06, 56.50, 55.83, 22.98, 19.35 ppm。
【００７７】 Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−１−ｐ−トリフルオロメチルフェニル
エチルアミン（７ｄ）： 1NMR(CDCl3, 300MHz), δ 7.49-7.46(2H, d, J=8.24Hz, Ar-H), 7.35-7.32(2
H, d, J=8.21Hz, Ar-H), 6.89-6.87(2H, d, J=7.47Hz, Ar-H), 6.75-6.70(1H, t
, Ar-H). 4.32-4.25(1H, q, CH), 3.11(1H, b, NH), 2.08(6H, s, ArCH3), 1.4
7-1.44(3H, d, J=6.74Hz, CH3). 13C NMR(CDCl3, 360MHz), δ 144.90, 129.74,
129.37, 126.87, 126.40, 125.82, 122.80, 122.35, 56.98, 23.26, 19.30 ppm
。
【００７８】 Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−２,３,４−トリフルオロ−１−ナフチ
ルアミン（７ｅ）： The 1NMR spectrum was consistent with 7e Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−１−テトラブチルエチルアミン（７ｆ
）： 1NMR(CDCl3, 360MHz) δ 6.88-6.85(2H, d, J=7.44Hz, Ar-H), 6.69-6.65(1H,
t, Ar-H), 3.08-3.02(1H, q, CH), 2.82(1H, b, NH), 2.16(6H, s, ArCH3), 0.
96(9H, s, CH3), 0.79-0.77(3H, d, J=6.49Hz, CH3). 13C NMR(CDCl3, 360MHz)
δ 145.78, 129.46, 129.29, 121.31, 60.29, 35.33, 27.00, 19.73, 15.75 ppm
。
【００７９】 Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−１−イソプロピルエチルアミン（７ｇ
）： 1HNMR(CDCl3, 360MHz) δ 6.90-6.88(2H, d, J=7.46Hz, Ar-H), 6.71-6.67(1H
, t, ArH), 3.14-3.07(1H, m, CH), 2.90(1H, b, NH), 2.18(6H, s, ArCH3), 2.
14-1.66(1H, m, CH), 0.94-0.86(9H, m, CH3). 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ 145
.57, 129.34, 129.07, 121.30, 57.49, 33.87, 19.91, 19.58, 17.99, 17.22 pp
m。
【００８０】 Ｎ−（２′,６′−ジメチルフェニル）−１−シクロヘキシルエチルアミン（７
ｈ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 6.90-6.88(2H, d, J=7.42Hz, Ar-H), 6.72-6.68(1
H, t, Ar-H), 3.08-3.03(1H, m, CH), 2.91(1H, b, NH), 2.18(6H, s, ArCH3),
1.91-1.55(5H, m, CH/CH2), 1.17-1.08(6H, m, CH2), 0.89-0.87(3H, d, J=6.51
Hz, CH3). 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ 129.24, 128.22, 121.36, 57.29, 44.52
, 30.43, 28.80, 27.12, 27.01, 26.90, 19.57 ppm。
【００８１】 Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−１−フェニルエチルアミン（７ｉ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 7.27-7.20(4H, m, Ar-H), 7.13-7.10(1H, t, Ar-H
), 6.60-6.58(2H, d, J=6.69Hz, Ar-H), 6.37-6.35(2H, d, J=6.70Hz, Ar-H), 4
.33-4.28(1H, m, CH), 3.58(1H, b, NH), 3.57(6H, s, ArCH3), 1.39-1.37(3H,
d, J=6.70Hz, CH3). 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ 152.39, 145.95, 142.00, 129
.09, 127.30, 126.38, 115.23, 115.07, 56.17, 54.74, 25.57 ppm。
【００８２】 Ｎ−（ｏ−メトキシフェニル）−１−フェニルエチルアミン（７ｊ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) 7.28-7.26(2H, d, J=8.60Hz, Ar-H), 7.26-7.18(2H,
m, Ar-H), 7.10-7.04(1H, t, Ar-H), 6.67-6.58(2H, m, Ar-H), 6.51-6.48(1H,
t, Ar-H), 6.26-6.24(1H, d, J=7.75Hz, Ar-H), 4.57(1H, b, NH), 4.40-4.35(1
H, m, CH), 3.77(3H, s, OCH3), 1.46-1.44(3H, d, J=6.76Hz, CH3). 13C NMR(C
DCl3, 360MHz) δ 147.05, 145.88, 137.62, 129.07, 127.26, 126.32, 121.63,
116.83, 111.56, 109.74, 55.88, 53.81, 25.62 ppm。
【００８３】 Ｎ−（２′−メトキシ−６′−メチルフェニル）−１−フェニルエチルアミン（
７ｋ）： 1H NMR(CDCl3, 360MHz) δ 7.22-7.14(4H, m, Ar-H), 7.09-7.07(1H, t, Ar-H
), 6.69-6.64(1H, t, Ar-H), 6.59-6.53(2H, m, Ar-H), 4.44-4.39(m, 1H, CH),
3.83(1H, b, NH), 3.63(3H, s, OCH3), 2.16(3H, s, ArCH3), 1.39-1.37(3H, d
, J=6.73Hz, CH3)。 13C NMR(CDCl3, 360MHz) δ 151.77, 146.14, 136.24, 129.
81, 128.63, 127.31, 126.59, 124.01, 121.44, 108.98, 56.67, 56.13, 23.90,
19.33 ppm。
【００８４】 Ｎ−（２′−メトキシ−６′−メチルフェニル）−１−ナフチルエチルアミン（
７ｌ）： 1H NMR(CDCl3, 300MHz) δ 8.08-8.05(1H, d, J=8.06Hz, Ar-H), 7.74-7.71(1
H, d, J=7.49Hz, Ar-H), 7.61-7.59(1H, D, J=8.16Hz, Ar-H), 7.54-7.51(1H, d
, J=6.84Hz, Ar-H), 7.38-7.30(3H, m, Ar-H), 6.64-6.54(3H, m, Ar-H), 5.39-
5.33(1H, m, CH), 4.08(1H, b, NH), 3.64(3H, s, OCH3), 2.13(3H, s, ArCH3),
1.48-1.46(3H, d, J=6.66Hz, CH3). 13C NMR(CDCl3, 300MHz) δ 151.25, 142.
46, 136.52, 134.32, 131.42, 129.29, 128.92, 127.62, 126.30, 126.04, 125.
76, 124.23, 123.62, 122.86, 120.87, 109.09, 56.17, 52.37, 24.32, 19.61 p
pm。
【００８５】 アミン７（ｋ〜ｌ）を脱保護するための一般的手順 Ｎ−保護アミン７ｋ／７ｌをＭｅＯＨ／Ｈ2Ｏ（４：１）の混合物に溶解した
。ＣＡＮ（４当量）を０℃で加え、この混合物を同じ温度で６時間撹拌した。水
を加え、この溶液をＣＨ2Ｃｌ2で洗浄した。この水溶液を１Ｎ ＮａＯＨの添加
によりアルカリ性とし、次いで酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を塩水
で洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4上で乾燥した。溶剤を除去し、残留物をクロマトグラフィ
ーに供して純粋な生成物８ｋ／８ｌを得た。 この変換の別の可能な応用はキラル農芸薬品の合成である。(Ｒ)−metalaxyl
および(Ｓ)−metolachorの製造を下記に示す。
【００８６】 イミンの還元による農芸薬品の合成
【化２６】
【００８７】 代わりの処理および単離手順も同様に可能であり、当業者に明らかであろう。 本発明を個々の好ましい実施形態に関して説明してきた。上記の記載および実
施例は本発明の説明に過ぎないと理解すべきである。当業者は本発明の精神およ
び範囲を逸脱することなく種々の代替法およびその変更を考案できる。従って本
発明は、全てのこのような代替法、変更、および添付の請求項の範囲に含まれる
変種を包含することを意図している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 211/48 Ｃ０７Ｃ 211/48 213/02 213/02 217/84 217/84 231/18 231/18 233/05 233/05 233/13 233/13 233/18 233/18 Ｃ０７Ｆ 17/02 Ｃ０７Ｆ 17/02 // Ｃ０７Ｂ 53/00 Ｃ０７Ｂ 53/00 Ｂ 61/00 ３００ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｃ０７Ｍ 7:00 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ， ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，Ｋ Ｒ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ， ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，Ｓ Ｉ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 デンミン・シアオ アメリカ合衆国コロラド州80501．ロング モント．第14アベニュー2201．アパートメ ントナンバー４−204 Ｆターム(参考） 4G069 AA06 AA08 BA27A BA27B BC71B BC74B BE27A BE27B CB02 CB57 DA02 4H006 AA02 AC11 AC81 BA08 BA22 BA24 BA34 BA44 BA53 BB12 BB14 BE20 BJ30 BJ50 BM10 BM71 BP30 BV22 4H039 CA12 CA71 CB10 CB30 4H050 AA01 AB40 WB11

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記のＡ〜Ｋ： 【化１】 ［式中、ブリッジ基は、(ＣＨ2)n（ここで、ｎは１〜８の範囲の整数である）、
    (ＣＨ2)nＷ(ＣＨ2)m（ここで、ｎおよびｍは独立して、１〜８の範囲の整数であ
    る）およびＷからなる群から選択され、ここで、Ｗは１,２−２価のフェニル、
    ２,２′−２価の１,１′−ビフェニル、２,２′−２価−１,１′−ビナフチル、
    フェロセンおよびこれらの置換誘導体からなる群から選択される２価の基であり
    ；該置換誘導体の各置換基はアリール、１〜８個の炭素原子を有するアルキル、
    Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯＯＲ、ＳＯ3Ｒ、ＰＲ3Ｒ2、ＯＲ、ＳＲ、ＰＲ2、Ａｓ
    Ｒ2、ＳｂＲ2、アリールオキシ、ニトロ、ＮＲ2、ビニル、置換ビニルおよびこ
    れらの組み合わせからなる群から選択され；各Ｒは独立して、水素、アルキル、
    アリール、アルカリールおよびアラルキルからなる群から選択され；各Ｘは独立
    して、水素、ハライド、アルキル、アリール、アルコキシ、シラン、カルボキシ
    レートおよびアミドからなる群から選択され；各Ｙは独立して、水素、アルキル
    、アリール、アルコキシ、カルボキシレートおよびアミドからなる群から選択さ
    れ；各Ｚは独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、アミド、カルボ
    キシレートおよびヘテロ環式化合物からなる群から選択される］で表される化合
    物からなる群から選択される配位子。
  2. 【請求項２】 上記のヘテロ環式化合物が窒素ヘテロ環化合物、硫黄ヘテロ
    環化合物および酸素ヘテロ環化合物からなる群から選択される、請求項１に記載
    の配位子。
  3. 【請求項３】 上記の配位子がエナンチオマーの１つである、請求項１に記
    載の配位子。
  4. 【請求項４】 上記の配位子がエナンチオマーのラセミ混合物である、請求
    項１に記載の配位子。
  5. 【請求項５】 上記の配位子がエナンチオマーの非ラセミ混合物である、請
    求項１に記載の配位子。
  6. 【請求項６】 上記の配位子が少なくとも８５％eeの光学純度を有する、請
    求項１に記載の配位子。
  7. 【請求項７】 上記の配位子が少なくとも９５％eeの光学純度を有する、請
    求項１に記載の配位子。
  8. 【請求項８】 上記の配位子が下記： 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 からなる群から選択される、請求項１に記載の配位子。
  9. 【請求項９】 上記の配位子がキラルｆ−ビナファンである、請求項１に記
    載の配位子。
  10. 【請求項１０】 上記の配位子が下記式： 【化８】 で表される（Ｒ,Ｒ）−ｆ−ビナファンである、請求項９に記載の配位子。
  11. 【請求項１１】 遷移金属塩またはその錯体と、下記のＡ〜Ｋ： 【化９】 ［式中、ブリッジ基は、(ＣＨ2)n（ここで、ｎは１〜８の範囲の整数である）、
    (ＣＨ2)nＷ(ＣＨ2)m（ここで、ｎおよびｍは独立して、１〜８の範囲の整数であ
    る）およびＷからなる群から選択され、ここで、Ｗは１,２−位で２価のフェニ
    ル、２,２′−位で２価の１,１′−ビフェニル、２,２′−位で２価の１,１′−
    ビナフチル、フェロセンおよびこれらの置換誘導体からなる群から選択される２
    価の基であり；該置換誘導体の各置換基はアリール、１〜８個の炭素原子を有す
    るアルキル、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯＯＲ、ＳＯ3Ｒ、ＰＲ3Ｒ2、ＯＲ、ＳＲ
    、ＰＲ2、ＡｓＲ2、ＳｂＲ2、アリールオキシ、ニトロ、ＮＲ2、ビニル、置換ビ
    ニルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択され；各Ｒは独立して、水素
    、アルキル、アリール、アルカリールおよびアラルキルからなる群から選択され
    ；各Ｘは独立して、水素、ハライド、アルキル、アリール、アルコキシ、シラン
    、カルボキシレートおよびアミドからなる群から選択され；各Ｙは独立して、水
    素、アルキル、アリール、アルコキシ、カルボキシレートおよびアミドからなる
    群から選択され；各Ｚは独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、ア
    ミド、カルボキシレートおよびヘテロ環式化合物からなる群から選択される］で
    表される化合物からなる群から選択される配位子とを接触させることを含む方法
    により製造される触媒。
  12. 【請求項１２】 上記の触媒がエナンチオマーの１つである、請求項１１に
    記載の触媒。
  13. 【請求項１３】 上記の触媒がエナンチオマーのラセミ混合物である、請求
    項１１に記載の触媒。
  14. 【請求項１４】 上記の触媒がエナンチオマーの非ラセミ混合物である、請
    求項１１に記載の触媒。
  15. 【請求項１５】 上記の触媒が少なくとも９５％eeの光学純度を有する、請
    求項１１に記載の触媒。
  16. 【請求項１６】 上記の遷移金属がＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｕ、
    Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＲｅおよびＭｎからなる群から選択される、請求項１１
    に記載の触媒。
  17. 【請求項１７】 上記の遷移金属塩またはその錯体がＰｔＣｌ2；Ｐｄ2(Ｄ
    ＢＡ)3；Ｐｄ(ＯＡｃ)2；ＰｄＣｌ2(ＲＣＮ)2；[Ｐｄ(アリル)Ｃｌ]2；[Ｒｈ(Ｃ
    ＯＤ)Ｃｌ]2；[Ｒｈ(ＣＯＤ)2]Ｘ；Ｒｈ(acac)(ＣＯ)2；Ｒｈ(エチレン)2(acac)
    ；Ｒｈ(ＣＯ)2Ｃｌ2；Ｒｕ(ＲＣＯＯ)2(ジホスフィン)；Ｒｕ(メチルアリル)2(
    ジホスフィン)；Ｒｕ(アリール基)Ｘ2(ジホスフィン)；ＲｕＣｌ2(ＣＯＤ)；[Ｒ
    ｈ(ＣＯＤ)2]Ｘ；ＲｕＸ2(ジホスフィン)；ＲｕＣｌ2(＝ＣＨＲ)(ＰＲ′3)2；Ｒ
    ｕ(ＡｒＨ)Ｃｌ2；Ｒｕ(ＣＯＤ)(メチルアリル)2；[Ｉｒ(ＣＯＤ)2Ｃｌ]2；[Ｉ
    ｒ(ＣＯＤ)2]Ｘ；Ｃｕ(ＯＴｆ)；Ｃｕ(ＯＴｆ)2；Ｃｕ(Ａｒ)Ｘ；ＣｕＸ；Ｎｉ
    Ｘ2；Ｎｉ(ＣＯＤ)2；ＭｏＯ2(acac)2；Ｔｉ(ＯｉＰｒ)4；ＶＯ(acac)2；ＭｅＲ
    ｅＯ3；ＭｎＸ2およびＭｎ(acac)2からなる群から選択され；ここで、各Ｒおよ
    びＲ′は独立して、アルキルまたはアリールからなる群から選択され；Ａｒはア
    リール基であり；Ｘは対イオンである、請求項１６に記載の触媒。
  18. 【請求項１８】 上記の対イオンがハロゲン、ＢＦ4、ＣｌＯ4、ＳｂＦ6、
    ＣＦ3ＳＯ3およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１１に記載
    の触媒。
  19. 【請求項１９】 上記の配位子がｆ−ビナファンであり、上記の遷移金属が
    Ｉｒである、請求項１１に記載の触媒。
  20. 【請求項２０】 その場で製造されるかまたは単離された化合物としての、
    請求項１１に記載の触媒。
  21. 【請求項２１】 不斉反応により不斉生成物を形成することができる基質と
    、下記の方法で製造される触媒とを接触させることからなる不斉化合物の製造方
    法であって、 この触媒が、遷移金属塩またはその錯体と下記のＡ〜Ｋ： 【化１０】 ［式中、ブリッジ基は、(ＣＨ2)n（ここで、ｎは１〜８の範囲の整数である）、
    (ＣＨ2)nＷ(ＣＨ2)m（ここで、ｎおよびｍは独立して、１〜８の範囲の整数であ
    る）およびＷからなる群から選択され、ここで、Ｗは１,２−位で２価のフェニ
    ル、２,２′−位で２価の１,１′−ビフェニル、２,２′−位で２価の１,１′−
    ビナフチル、フェロセンおよびこれらの置換誘導体からなる群から選択される２
    価の基であり；該置換誘導体の各置換基はアリール、１〜８個の炭素原子を有す
    るアルキル、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＯＯＲ、ＳＯ3Ｒ、ＰＲ3Ｒ2、ＯＲ、ＳＲ
    、ＰＲ2、ＡｓＲ2、ＳｂＲ2、アリールオキシ、ニトロ、ＮＲ2、ビニル、置換ビ
    ニルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択され；各Ｒは独立して、水素
    、アルキル、アリール、アルカリールおよびアラルキルからなる群から選択され
    ；各Ｘは独立して、水素、ハライド、アルキル、アリール、アルコキシ、シラン
    、カルボキシレートおよびアミドからなる群から選択され；各Ｙは独立して、水
    素、アルキル、アリール、アルコキシ、カルボキシレートおよびアミドからなる
    群から選択され；各Ｚは独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、ア
    ミド、カルボキシレートおよびヘテロ環式化合物からなる群から選択される］で
    表される化合物からなる群から選択される配位子とを接触させることを含む方法
    で製造されるものである、上記の不斉化合物の製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記の不斉反応が水素化、ヒドリド転移、ヒドロシリル化
    、ヒドロホウ素化、ヒドロビニル化、ヒドロホルミル化、アリルアルキル化、シ
    クロプロパン化、ディールス−アルダー反応、ヘック反応、異性化、アルドール
    反応、マイケル付加およびエポキシ化からなる群から選択される、請求項２１に
    記載の方法。
  23. 【請求項２３】 上記の不斉反応が水素化であり；上記の基質がエチレン性
    不飽和化合物、イミン、ケトン、エナミン、エナミドおよびビニルエステルから
    なる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 上記の触媒がキラルｆ−ビナファンのＩｒ錯体であり、上
    記の不斉反応がキラルアミンを生成させるイミンの水素化である、請求項２１に
    記載の方法。
  25. 【請求項２５】 キラル１,１′−ジ(クロロメチル)ビナフチルまたはその
    置換誘導体と、１,１′−ビスホスフィノフェロセンまたはその置換誘導体とを
    、塩基および溶剤の存在下に接触させて、ｆ−ビナファンまたはその置換誘導体
    を生成させることを含む、キラルｆ−ビナファンまたはその置換誘導体の製造方
    法。
  26. 【請求項２６】 上記の塩基がＮａＨである、請求項２５に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 上記の溶剤がテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である、請求
    項２５に記載の方法。
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