JPH0768260B2 - 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 - Google Patents
2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規ホスフィシ化合物に関する。更に詳細には
ルテニウム又はロジウム、と錯体を形成することによっ
て種々の不斉合成反応における有用な触媒となり得る新
規なホスフィン化合物に関するものである。
ルテニウム又はロジウム、と錯体を形成することによっ
て種々の不斉合成反応における有用な触媒となり得る新
規なホスフィン化合物に関するものである。
従来、有機合成反応に利用できる遷移金属錯体、例え
ば、不斉水素化反応、不斉異性化反応、不斉シリル化反
応等不斉合成反応に用いられる遷移金属錯体触媒につい
て数多くの報告がなされている。中でもルテニウム、ロ
ジウム、パラジウム等の遷移金属に、光学活性な第三級
ホスフィン化合物を配位させた錯体は、不斉合成反応の
触媒として優れた性能を有するものが多く、この触媒の
性能を更に高めるために、特殊な構造のホスフィン化合
物がこれまでに多数開発されてきた(日本化学会編 化
学総説32「有機金属錯体の化学」p237〜238、昭和57
年)。とりわけ、2,2′−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)−1,1′−ビナフチル(以下単に「BINAP」という)
は優れたものの一つであり、このBINAPを配位子とした
ロジウム錯体(特開昭55−61937号公報)、及びルテニ
ウム錯体(特開昭61−63690号公報)がすでに報告され
ている。更に、2,2′−ビス〔ジ−(p−トリル)ホス
フィノ〕−1,1′−ビナフチル(以下、「p−T−BINA
P」という)を配位子としたロジウム錯体(特開昭60−1
99898号公報)、及びルテニウム錯体(特開昭61−63690
号公報)についても、不斉水素化反応、不斉異性化反応
において良好な結果を与えることが報告されいる。
ば、不斉水素化反応、不斉異性化反応、不斉シリル化反
応等不斉合成反応に用いられる遷移金属錯体触媒につい
て数多くの報告がなされている。中でもルテニウム、ロ
ジウム、パラジウム等の遷移金属に、光学活性な第三級
ホスフィン化合物を配位させた錯体は、不斉合成反応の
触媒として優れた性能を有するものが多く、この触媒の
性能を更に高めるために、特殊な構造のホスフィン化合
物がこれまでに多数開発されてきた(日本化学会編 化
学総説32「有機金属錯体の化学」p237〜238、昭和57
年)。とりわけ、2,2′−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)−1,1′−ビナフチル(以下単に「BINAP」という)
は優れたものの一つであり、このBINAPを配位子とした
ロジウム錯体(特開昭55−61937号公報)、及びルテニ
ウム錯体(特開昭61−63690号公報)がすでに報告され
ている。更に、2,2′−ビス〔ジ−(p−トリル)ホス
フィノ〕−1,1′−ビナフチル(以下、「p−T−BINA
P」という)を配位子としたロジウム錯体(特開昭60−1
99898号公報)、及びルテニウム錯体(特開昭61−63690
号公報)についても、不斉水素化反応、不斉異性化反応
において良好な結果を与えることが報告されいる。
しかしながら、これらのホスフィン錯体を用いても、対
象とする反応又はその反応基質によっては選択性、転化
率、持続性が充分でない場合があった。
象とする反応又はその反応基質によっては選択性、転化
率、持続性が充分でない場合があった。
本発明の目的は、様々な不斉合成反応において、その反
応に用いられる基質の選択性及び転化率に優れ、かつ反
応持続性があり、従来の触媒性能を画期的に高めた新規
なホスフィン化合物を提供するものである。
応に用いられる基質の選択性及び転化率に優れ、かつ反
応持続性があり、従来の触媒性能を画期的に高めた新規
なホスフィン化合物を提供するものである。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、多くのホスフィ
ン化合物について鋭意研究を重ねた結果、フェニル基の
3位及び5位に低級アルキル基を導入したBINAP誘導体
が、BINAP及びp−T−BINAPに比べて、不斉合成におけ
る選択率並びに転化率を著しく高めることを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成した。
ン化合物について鋭意研究を重ねた結果、フェニル基の
3位及び5位に低級アルキル基を導入したBINAP誘導体
が、BINAP及びp−T−BINAPに比べて、不斉合成におけ
る選択率並びに転化率を著しく高めることを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成した。
すなわち、本発明は次の一般式(I) 〔式中、Rは低級アルキル基を示す〕 で表わされる新規なホスフィン化合物、2,2′−ビス
〔ジ−(3,5−ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕−1,
1′−ビナフチル(以下、「3,5−DABINAP」という)に
係るものである。
〔ジ−(3,5−ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕−1,
1′−ビナフチル(以下、「3,5−DABINAP」という)に
係るものである。
本発明はまた、3,5−DABINAPを配位子とする新規なルテ
ニウム錯体及びロジウム錯体に係るものである。
ニウム錯体及びロジウム錯体に係るものである。
本発明に係る新規化合物3,5−DABINAPは、前記一般式
(I)で表わされるものであり、(I)式中、Rは低級
アルキル基であるが、特に炭素数1〜4のアルキル基で
あることが好ましい。また、本発明に係る3,5−DABINAP
には(+)体及び(−)体の光学活性体が存在し、本発
明はこれらの(+)体、(−)体及びラセミ体のいずれ
を含むものである。
(I)で表わされるものであり、(I)式中、Rは低級
アルキル基であるが、特に炭素数1〜4のアルキル基で
あることが好ましい。また、本発明に係る3,5−DABINAP
には(+)体及び(−)体の光学活性体が存在し、本発
明はこれらの(+)体、(−)体及びラセミ体のいずれ
を含むものである。
本発明に係る3,5−DABINAPは、例えば次の反応式(1)
及び(2)に従って製造される。
及び(2)に従って製造される。
〔式中、Rは前記と同じ意味を有する〕 即ち、3−ブロム−1,5−ジアルキルベンゼン(II)と
金属マグネシウムを反応させ、グリニャール試薬(II
I)を調製し、これに、G.M.Kosolapoff;“J.Am.Chem.So
c.",71,p.369−370(1949)の方法によって得たジエチ
ルアミドホスフォニック=ジクロリド(IV)を縮合せし
めた後、塩酸で加水分解をして、ビス−(3,5−ジアル
キルフェニル)ホスフィン酸(V)とする。更に化合物
(V)に塩化チオニルを反応させ、反応後過剰の塩化チ
オニルを除き、次いでベゼン−ヘキサン混合液で再結晶
して、ビス−(3,5−ジアルキルフェニル)ホスホニル
=クロリド(VI)を得る。
金属マグネシウムを反応させ、グリニャール試薬(II
I)を調製し、これに、G.M.Kosolapoff;“J.Am.Chem.So
c.",71,p.369−370(1949)の方法によって得たジエチ
ルアミドホスフォニック=ジクロリド(IV)を縮合せし
めた後、塩酸で加水分解をして、ビス−(3,5−ジアル
キルフェニル)ホスフィン酸(V)とする。更に化合物
(V)に塩化チオニルを反応させ、反応後過剰の塩化チ
オニルを除き、次いでベゼン−ヘキサン混合液で再結晶
して、ビス−(3,5−ジアルキルフェニル)ホスホニル
=クロリド(VI)を得る。
一方、特開昭55−61937号公報で開示されている方法に
よって得られる2,2′−ジブロム−1,1′−ビナフチル
(VII)に金属マグネシウムを反応させグリニャール試
薬(VIII)とし、これに先に合成した化合物(VI)を反
応させて、2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジアルキルフェニ
ル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチル(IX)を合成す
る。このラセミ体化合物(IX)を四塩化炭素に加熱溶解
し、(−)−ジベンゾイル酒石酸のエーテル溶液を加え
て撹拌すると、結晶が析出し、該析出結晶を再結晶し
て、結晶物の施光度が一定値を示すまで、同様の操作を
繰り返す。次いで精製結晶を塩化メチレン下に懸濁して
おき、2N−水酸化ナトリウムを加えて、(−)体の遊離
のホスフィンオキシド(−)−(IX)を得る。また、
(+)−ジベンゾイル酒石酸を用いて上記と同様の光学
分割を行ない、(+)体の遊離のホスフィンオキシド
(+)−(IX)を得る。更に、この化合物(IX)の
(−)体又は(+)体をトリクロロシランによって還元
すれば、本発明に係る3,5−DABINAPの(−)体又は
(+)体を得ることができる。
よって得られる2,2′−ジブロム−1,1′−ビナフチル
(VII)に金属マグネシウムを反応させグリニャール試
薬(VIII)とし、これに先に合成した化合物(VI)を反
応させて、2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジアルキルフェニ
ル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチル(IX)を合成す
る。このラセミ体化合物(IX)を四塩化炭素に加熱溶解
し、(−)−ジベンゾイル酒石酸のエーテル溶液を加え
て撹拌すると、結晶が析出し、該析出結晶を再結晶し
て、結晶物の施光度が一定値を示すまで、同様の操作を
繰り返す。次いで精製結晶を塩化メチレン下に懸濁して
おき、2N−水酸化ナトリウムを加えて、(−)体の遊離
のホスフィンオキシド(−)−(IX)を得る。また、
(+)−ジベンゾイル酒石酸を用いて上記と同様の光学
分割を行ない、(+)体の遊離のホスフィンオキシド
(+)−(IX)を得る。更に、この化合物(IX)の
(−)体又は(+)体をトリクロロシランによって還元
すれば、本発明に係る3,5−DABINAPの(−)体又は
(+)体を得ることができる。
本発明に係る3,5−DABINAPは配位子としてルテニウム又
はロジウムと共に錯体を形成する。
はロジウムと共に錯体を形成する。
本発明に係るルテニウム錯体又はロジウム錯体を製造す
る方法としては、例えば、[Rh(CO2)Cl]2と本発明
に係る3,5−DABINAPとを反応せしめると Rh(CO)Cl(3,5−DABINAP)が得られる。また、M.A.Be
nnett;“J.Chem.Soc.Dalton",p.233−241(1974)の方
法により調製した[RuCl2(p−シメン)]2をヨウ化
カリウムで処理して[RuI2(p−シメン)]2とした
後、これと本発明に係る3,5−DABINAPとを反応せしめる
と[RuI(p−シメン)(3,5−DABINAP)]+I-が得られ
る。
る方法としては、例えば、[Rh(CO2)Cl]2と本発明
に係る3,5−DABINAPとを反応せしめると Rh(CO)Cl(3,5−DABINAP)が得られる。また、M.A.Be
nnett;“J.Chem.Soc.Dalton",p.233−241(1974)の方
法により調製した[RuCl2(p−シメン)]2をヨウ化
カリウムで処理して[RuI2(p−シメン)]2とした
後、これと本発明に係る3,5−DABINAPとを反応せしめる
と[RuI(p−シメン)(3,5−DABINAP)]+I-が得られ
る。
このようにして得られたルテニウム錯体又はロジウム錯
体は、不斉合成反応、例えば、β−ケトエステル類の不
斉水素化反応等の触媒として用いると、高い不斉収率で
かつ高い光学純度の還元体を与える。また、本発明に係
る3,5−DABINAPの(−)体又は(+)体のいずれか一方
を選択し、これを配位子としたルテニウム錯体又はロシ
ウム触媒として用いることにより、不斉合成反応におい
て所望する絶対配置の目的物を得ることができる。
体は、不斉合成反応、例えば、β−ケトエステル類の不
斉水素化反応等の触媒として用いると、高い不斉収率で
かつ高い光学純度の還元体を与える。また、本発明に係
る3,5−DABINAPの(−)体又は(+)体のいずれか一方
を選択し、これを配位子としたルテニウム錯体又はロシ
ウム触媒として用いることにより、不斉合成反応におい
て所望する絶対配置の目的物を得ることができる。
次に、実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の測定には次の機器を用いた。
NMR:AM−400型装置(400MHz)(ブルッカー社製) 内部標準物質:1H−NMR……テトラメチルシラン 外部標準物質:31P−NMR……85%リン酸 施光度:DIP−4型装置(日本分光工業(株)製) 光学純度:高速液体クロマトグラフィーウォーターズ液
体クロマトグラフィーModel510(日本ミリポア・リミテ
ッド(株)製) 検出器:UV検出器Lambda−Max Model481(日本ミリポア
・リミテッド(株)製) 実施例1 ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸(V−
1)の合成: 3−ブロム−1,5−ジメチルベンゼン111g(0.6モル)を
脱水したTHF350ml中で金属マグネシウム14.6g(0.6モ
ル)と反応させて、グリニャール試薬を調製した。これ
にジエチルアミドホスフォニック=ジクロリド57g(0.3
モル)を還流下、2時間かけて滴下した。更に、2時間
加熱還流して反応せしめた後、氷水400mlと飽和塩化ア
ンモニウム水溶液150mlを加え、塩を分解した。これを
分液後、THF層に氷冷下濃塩酸500mlを加え80℃で5時間
反応せしめた。生成した沈殿を濾取、水洗、乾燥して、
粗生成物を81.2g得た。これを、水酸化ナトリウム17.8g
の水溶液1に加え均一溶液とした。不溶部の濾過して
除去し、これに20%硫酸を加えて中和し、更に酸性とし
た後、析出物を濾取、水洗、乾燥を行ない、精製して無
色の固体ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸6
2.7g(収率76%、m.p.256〜261℃)を得た。
体クロマトグラフィーModel510(日本ミリポア・リミテ
ッド(株)製) 検出器:UV検出器Lambda−Max Model481(日本ミリポア
・リミテッド(株)製) 実施例1 ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸(V−
1)の合成: 3−ブロム−1,5−ジメチルベンゼン111g(0.6モル)を
脱水したTHF350ml中で金属マグネシウム14.6g(0.6モ
ル)と反応させて、グリニャール試薬を調製した。これ
にジエチルアミドホスフォニック=ジクロリド57g(0.3
モル)を還流下、2時間かけて滴下した。更に、2時間
加熱還流して反応せしめた後、氷水400mlと飽和塩化ア
ンモニウム水溶液150mlを加え、塩を分解した。これを
分液後、THF層に氷冷下濃塩酸500mlを加え80℃で5時間
反応せしめた。生成した沈殿を濾取、水洗、乾燥して、
粗生成物を81.2g得た。これを、水酸化ナトリウム17.8g
の水溶液1に加え均一溶液とした。不溶部の濾過して
除去し、これに20%硫酸を加えて中和し、更に酸性とし
た後、析出物を濾取、水洗、乾燥を行ない、精製して無
色の固体ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン酸6
2.7g(収率76%、m.p.256〜261℃)を得た。
実施例2 ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニル=クロリド
(IV−1)の合成: 実施例1で得たビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフ
ィン酸63g(0.23モル)をトルエン120ml中に懸濁させ、
これに50〜55℃にて塩化チオニル35.6g(0.299モル)を
3時間で滴下した。室温に冷却後、不溶物を濾過して除
去し、常圧にてトルエンを除き、ヘキサン300ml中へ釜
残を注ぎ、析出したい結晶を手早く濾取、乾燥して無色
の固定ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニル=ク
ロリド51.6g(収率(76.7%、m.p.108〜109℃)を得
た。
(IV−1)の合成: 実施例1で得たビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフ
ィン酸63g(0.23モル)をトルエン120ml中に懸濁させ、
これに50〜55℃にて塩化チオニル35.6g(0.299モル)を
3時間で滴下した。室温に冷却後、不溶物を濾過して除
去し、常圧にてトルエンを除き、ヘキサン300ml中へ釜
残を注ぎ、析出したい結晶を手早く濾取、乾燥して無色
の固定ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニル=ク
ロリド51.6g(収率(76.7%、m.p.108〜109℃)を得
た。
実施例3 2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホスホリ
ル〕−1,1′−ビナフチル(IX−1)の合成: 2,2′−ジブロム−1,1′−ビナフチル17.4g(0.038モ
ル、純度90%)と金属マグネシウム2.23g(0.092モル)
をトルエン270ml及びテトラヒドロフラン30ml中で反応
させ、グリニャール試薬を調製した。このものに実施例
2で得たビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニル=
クロリド23.4g(0.08モル)のトルエン溶液(25ml)を
加え40℃で反応せしめた後、常圧でテトラヒドロフラン
及びトルエンを回収し、更にトルエン200ml及び水200ml
を加えた。このものに10%硫酸10mlを加え60℃で30分撹
拌した後、分液し温水洗浄した。続いて、水100ml及び
飽和炭酸ナトリウム水溶液10mlを加え、60℃で30分間撹
拌した後温水洗浄を一回した。分液後溶媒を留去し、少
量のトルエンで溶解し、ヘキサン500mlで沈殿を濾取
し、トルエン125ml及びヘキサン125mlの混合液から再結
晶を行ない、無色の固体2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメ
チルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチル19.9g
(収率64.9%、m.p.287〜290℃)を得た。
ル〕−1,1′−ビナフチル(IX−1)の合成: 2,2′−ジブロム−1,1′−ビナフチル17.4g(0.038モ
ル、純度90%)と金属マグネシウム2.23g(0.092モル)
をトルエン270ml及びテトラヒドロフラン30ml中で反応
させ、グリニャール試薬を調製した。このものに実施例
2で得たビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスホニル=
クロリド23.4g(0.08モル)のトルエン溶液(25ml)を
加え40℃で反応せしめた後、常圧でテトラヒドロフラン
及びトルエンを回収し、更にトルエン200ml及び水200ml
を加えた。このものに10%硫酸10mlを加え60℃で30分撹
拌した後、分液し温水洗浄した。続いて、水100ml及び
飽和炭酸ナトリウム水溶液10mlを加え、60℃で30分間撹
拌した後温水洗浄を一回した。分液後溶媒を留去し、少
量のトルエンで溶解し、ヘキサン500mlで沈殿を濾取
し、トルエン125ml及びヘキサン125mlの混合液から再結
晶を行ない、無色の固体2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメ
チルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチル19.9g
(収率64.9%、m.p.287〜290℃)を得た。
実施例4 2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホスホリ
ル〕−1,1′−ビナフチルの光学分割: 実施例3で得たラセミ体である2,2′−ビス〔ジ−(3,5
−ジメチルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチ
ル5.6g(7.30ミリモル)を、四塩化炭素80mlにて、40℃
で溶解させた。次に、(−)−ジベンゾイル酒石酸2.62
g(7.31ミリモル)をジェチルエーテル100mlに溶解させ
たものを加えた。室温に冷却後、ヘキサンを加えて沈殿
を得、これを乾燥させてジアステレオマー〔同符号塩、
(−)(−)塩〕と〔異符合、(+)(−)塩〕を得
た。この合塩0.8g(0.71ミリモル)を、四塩化炭素2.5m
lにて、60℃で溶解させてから温度を40℃に冷却し、こ
の溶液にエーテル25mlを撹拌しながらゆっくり加えた。
更に、撹拌しながら室温まで冷却すると沈殿が析出して
くる。1時間撹拌後、濾別して難溶性ジアステレオマー
〔同符号塩、(−)(−)塩〕0.27gを得た。施光度を
測定し、施光度が一定値を示すまで同様の操作を繰り返
す。次いで2N−水酸化ナトリウムと塩化メチレンをそれ
ぞれ約40mlずつ加えて中和し、撹拌しながらよく溶かし
た。これを分液し、水層を更に塩化メチレンを用いて各
々約20mlで2〜3回抽出する。塩化メチレンの層に炭酸
カリウムを適量加え、乾燥させた。濾過した後、溶媒を
減圧留去して(−)−2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチ
ルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチル(−)
(IX−1)を得た。得られた光学活性体(−)+(IX−
1)は、四塩化炭素とエーテル1:10(容量比)の混合溶
媒を用いて結晶の比施光度の変動が見られなくなるまで
再結晶を繰り返した。
ル〕−1,1′−ビナフチルの光学分割: 実施例3で得たラセミ体である2,2′−ビス〔ジ−(3,5
−ジメチルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチ
ル5.6g(7.30ミリモル)を、四塩化炭素80mlにて、40℃
で溶解させた。次に、(−)−ジベンゾイル酒石酸2.62
g(7.31ミリモル)をジェチルエーテル100mlに溶解させ
たものを加えた。室温に冷却後、ヘキサンを加えて沈殿
を得、これを乾燥させてジアステレオマー〔同符号塩、
(−)(−)塩〕と〔異符合、(+)(−)塩〕を得
た。この合塩0.8g(0.71ミリモル)を、四塩化炭素2.5m
lにて、60℃で溶解させてから温度を40℃に冷却し、こ
の溶液にエーテル25mlを撹拌しながらゆっくり加えた。
更に、撹拌しながら室温まで冷却すると沈殿が析出して
くる。1時間撹拌後、濾別して難溶性ジアステレオマー
〔同符号塩、(−)(−)塩〕0.27gを得た。施光度を
測定し、施光度が一定値を示すまで同様の操作を繰り返
す。次いで2N−水酸化ナトリウムと塩化メチレンをそれ
ぞれ約40mlずつ加えて中和し、撹拌しながらよく溶かし
た。これを分液し、水層を更に塩化メチレンを用いて各
々約20mlで2〜3回抽出する。塩化メチレンの層に炭酸
カリウムを適量加え、乾燥させた。濾過した後、溶媒を
減圧留去して(−)−2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチ
ルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナフチル(−)
(IX−1)を得た。得られた光学活性体(−)+(IX−
1)は、四塩化炭素とエーテル1:10(容量比)の混合溶
媒を用いて結晶の比施光度の変動が見られなくなるまで
再結晶を繰り返した。
また(+)−ジベンゾイル酒石酸を使用した以外は上述
と同様の操作を行なって、(+)−2,2′−ビス〔ジ−
(3,5−ジメチルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナ
フチル(+)−(IX−1)を得た。
と同様の操作を行なって、(+)−2,2′−ビス〔ジ−
(3,5−ジメチルフェニル)ホスホリル〕−1,1′−ビナ
フチル(+)−(IX−1)を得た。
(+)体〔α〕▲25 D▼:+220.5゜(c=1,クロロホル
ム) (−)体〔α〕▲25 D▼:−220.8゜(c=1,クロロホル
ム) (+)あるいは(−)体の光学純度は、下記条件の高速
液体クロマトグラフィーで検定した結果、99.8%eeであ
った。
ム) (−)体〔α〕▲25 D▼:−220.8゜(c=1,クロロホル
ム) (+)あるいは(−)体の光学純度は、下記条件の高速
液体クロマトグラフィーで検定した結果、99.8%eeであ
った。
カラム:キラルセルODφ0.46cm×25cm(ダイセル化学工
業(株)製) 展開溶媒:ヘキサン:イソプロパノール=9:1(容量
比,以下溶媒比はすべて容量比を表わす) 流速:1ml/分 検出波長:UV−254nm 実施例5 (−)−2,2′ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホ
スフィノ〕−1,1′−ビナフチル(−)−(I−I)の
合成: 実施例4で得た光学活性な化合物(−)−(IX−1)0.
77g(1.00ミリモル)にキシレン6.5ml及びトリエチルア
ミン2.7ml(19.37ミリモル)を加え、撹拌溶解後、トリ
クロロシラン1.7ml(16.87ミルモル)を20〜30分間かけ
て滴下した。100℃で1時間、120℃で1時間、更に145
℃で4時間反応させた後、室温まで冷却してキシレン8.
5mlと30%水酸化ナトリウム溶液10mlを加えた。70℃で3
0分間撹拌した後分液し、油層を水洗、硫酸マグネシウ
ムで乾燥させ、トルエンを減圧留去して0.62gの還元体
を得た。生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ヘキサン:酢酸エチル=8:1)で分離分割し、(−)
−2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホスフ
ィノ〕−1,1′−ビナフチル(以下単に(−)−3,5−DM
BINAPという)0.24g(収率32.7%)を得た。
業(株)製) 展開溶媒:ヘキサン:イソプロパノール=9:1(容量
比,以下溶媒比はすべて容量比を表わす) 流速:1ml/分 検出波長:UV−254nm 実施例5 (−)−2,2′ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホ
スフィノ〕−1,1′−ビナフチル(−)−(I−I)の
合成: 実施例4で得た光学活性な化合物(−)−(IX−1)0.
77g(1.00ミリモル)にキシレン6.5ml及びトリエチルア
ミン2.7ml(19.37ミリモル)を加え、撹拌溶解後、トリ
クロロシラン1.7ml(16.87ミルモル)を20〜30分間かけ
て滴下した。100℃で1時間、120℃で1時間、更に145
℃で4時間反応させた後、室温まで冷却してキシレン8.
5mlと30%水酸化ナトリウム溶液10mlを加えた。70℃で3
0分間撹拌した後分液し、油層を水洗、硫酸マグネシウ
ムで乾燥させ、トルエンを減圧留去して0.62gの還元体
を得た。生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ヘキサン:酢酸エチル=8:1)で分離分割し、(−)
−2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)ホスフ
ィノ〕−1,1′−ビナフチル(以下単に(−)−3,5−DM
BINAPという)0.24g(収率32.7%)を得た。
また実施例4で得た光学活性な化合物(+)−(IX−
1)を使用した以外は上述と同様の操作を行なって、
(+)−2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)
ホスフィノ〕−1,1′−ビナフチル0.22g(収率30.0%)
を得た。
1)を使用した以外は上述と同様の操作を行なって、
(+)−2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジメチルフェニル)
ホスフィノ〕−1,1′−ビナフチル0.22g(収率30.0%)
を得た。
(+)体〔α〕▲25 D▼:+163.3゜(c=1,クロロホル
ム) (−)体〔α〕▲25 D▼:−163.7゜(c=1,クロロホル
ム) 実施例6 [RuI(p−シメン)((−)−3,5−DMBINAP)]+I-の
合成: [RuCl2(p−シメン)]22.0g(3.27ミリモル)、ヨウ
化カリウム1.8g(10.84ミリモル)及びヨウ化テトラメ
チルアンモニウム0.07g(0.35ミリモル)を水50ml及び
塩化メチレン50mlの混合溶媒に溶解し、室温で4時間撹
拌した。次いでこれを分液し、水層を除いた後、水50ml
で1回洗浄し、続いて減圧下(20mmHg)において塩化メ
チレンを留去した。残渣を室温、高真空下(0.2mmHg)
で乾燥して赤褐色の錯体[RuI2(p−シメン)]23.03g
(収率95%)を得た。1 H−NMR(CD2Cl2)δppm: 1.25(d,6H,J=6.93Hz) 2.35(s,3H) 3.00(hep,1H,J=6.93H) 5.42(d,2H,J=5.96Hz) 5.52(d,2H,J=5.96Hz) この錯体0.0296g(0.03ミリモル)と実施例5で得た
(−)−3.5−DMBINAP 0.0504g(0.0671ミリモル)をエ
タノール5.4ml及び塩化メチレン2.75mlの混合溶媒に溶
かし、50℃で1時間反応せしめた。反応液を濃縮乾固し
て標題の錯体0.08gを定量的に得た。
ム) (−)体〔α〕▲25 D▼:−163.7゜(c=1,クロロホル
ム) 実施例6 [RuI(p−シメン)((−)−3,5−DMBINAP)]+I-の
合成: [RuCl2(p−シメン)]22.0g(3.27ミリモル)、ヨウ
化カリウム1.8g(10.84ミリモル)及びヨウ化テトラメ
チルアンモニウム0.07g(0.35ミリモル)を水50ml及び
塩化メチレン50mlの混合溶媒に溶解し、室温で4時間撹
拌した。次いでこれを分液し、水層を除いた後、水50ml
で1回洗浄し、続いて減圧下(20mmHg)において塩化メ
チレンを留去した。残渣を室温、高真空下(0.2mmHg)
で乾燥して赤褐色の錯体[RuI2(p−シメン)]23.03g
(収率95%)を得た。1 H−NMR(CD2Cl2)δppm: 1.25(d,6H,J=6.93Hz) 2.35(s,3H) 3.00(hep,1H,J=6.93H) 5.42(d,2H,J=5.96Hz) 5.52(d,2H,J=5.96Hz) この錯体0.0296g(0.03ミリモル)と実施例5で得た
(−)−3.5−DMBINAP 0.0504g(0.0671ミリモル)をエ
タノール5.4ml及び塩化メチレン2.75mlの混合溶媒に溶
かし、50℃で1時間反応せしめた。反応液を濃縮乾固し
て標題の錯体0.08gを定量的に得た。
元素分析値:C62H62I2P2Ru C H 理論値(%) 60.84 5.11 実測値(%) 60.97 5.2531 P−NMR(CD2Cl2)δppm: 25.73(d,J=57.8Hz) 39.36(d,F=58.5Hz) 実施例7 Rh(CO)Cl((−)−3,5−DMBINAP)の合成: [Rh(CO)2Cl2]0.0261g(0.067ミルモル)と実施例5
で得た(−)−3,5−DMBINAP0.1008g(0.134ミリモル)
を塩化メチレン3.0mlに溶かし、室温で30分反応せしめ
た。反応液を濃縮乾固して標題の錯体0.127gを定量的に
得た。
で得た(−)−3,5−DMBINAP0.1008g(0.134ミリモル)
を塩化メチレン3.0mlに溶かし、室温で30分反応せしめ
た。反応液を濃縮乾固して標題の錯体0.127gを定量的に
得た。
元素分析値:C53H48ClOP2Rh C H 理論値(%) 70.63 5.37 実測値(%) 70.94 5.5331 P−NMR(CD2Cl2)δppm: 23.10(dd,J=126.6,42.2Hz) 47.05(dd,J=161.7,42.2Hz) 実施例8 2−ベンズアミドメチル−3−オキソブタン酸メチルエ
ステルの不斉水素化反応: 予め窒素置換を行った100mlのステンレス製オートクレ
ーブに、2−ベンズアミドメチル−3−オキソブタン酸
メチルエステル5.01g(20.1ミリモル)、メタノール20m
l及び[Rul(p−シメン)((−)−3,5−DMBINAP)]
+I-28.3mg(0.023ミリモル)を仕込み、水素圧50kg/c
m2、50℃の条件で20時間水素化反応を行ない、反応後溶
媒を留去して3.13gの水素化物を得た。生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:イソプロパ
ノール=85:15)で分離分割した後、1H−NMRスペクトル
により構造を確認したところ、ジアステレオマー2成分
が生成していた。1 H−NMR(CDCl3)δppm: A成分;1.26(d,3H,J=6.25Hz) 2.60〜3.64(m,1H) 3.57〜3.62(m,1H) 4.00〜4.03(m,1H) 3.73(s,3H) 4.08〜4.14(m,1H) 7.27(br,s,1H) 7.41〜7.45(m,2H) 7.49〜7.53(m,1H) 7.77〜7.80(m,1H) B成分;1.30(d,3H,J=6.28Hz) 2.84〜2.86(m,1H) 3.74(s,3H) 3.71〜3.77(m,1H) 3.85〜3.91(m,1H) 4.09〜4.14(m,1H) 6.92(br,s,1H) 7.40〜7.44(m,2H) 7.48〜7.50(m,1H) 7.74〜7.76(m,1H) 転化率並びにジアステレオマー2成分の生成比は下記条
件の高速液体クロマトグラフィーにより分析した。結果
は転化率62.5%、ジアステレオマー比A/B=86.5/13.5
(重量)であった。
ステルの不斉水素化反応: 予め窒素置換を行った100mlのステンレス製オートクレ
ーブに、2−ベンズアミドメチル−3−オキソブタン酸
メチルエステル5.01g(20.1ミリモル)、メタノール20m
l及び[Rul(p−シメン)((−)−3,5−DMBINAP)]
+I-28.3mg(0.023ミリモル)を仕込み、水素圧50kg/c
m2、50℃の条件で20時間水素化反応を行ない、反応後溶
媒を留去して3.13gの水素化物を得た。生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:イソプロパ
ノール=85:15)で分離分割した後、1H−NMRスペクトル
により構造を確認したところ、ジアステレオマー2成分
が生成していた。1 H−NMR(CDCl3)δppm: A成分;1.26(d,3H,J=6.25Hz) 2.60〜3.64(m,1H) 3.57〜3.62(m,1H) 4.00〜4.03(m,1H) 3.73(s,3H) 4.08〜4.14(m,1H) 7.27(br,s,1H) 7.41〜7.45(m,2H) 7.49〜7.53(m,1H) 7.77〜7.80(m,1H) B成分;1.30(d,3H,J=6.28Hz) 2.84〜2.86(m,1H) 3.74(s,3H) 3.71〜3.77(m,1H) 3.85〜3.91(m,1H) 4.09〜4.14(m,1H) 6.92(br,s,1H) 7.40〜7.44(m,2H) 7.48〜7.50(m,1H) 7.74〜7.76(m,1H) 転化率並びにジアステレオマー2成分の生成比は下記条
件の高速液体クロマトグラフィーにより分析した。結果
は転化率62.5%、ジアステレオマー比A/B=86.5/13.5
(重量)であった。
カラム:コスモシルφ0.46cm×25cm(ナカライテスク社
製) 溶離液:ヘキサン:クロロホルム:メタノール=900:10
0:20 流速:2ml/分 検出波長:UV−254nm 更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン:酢酸エチル=1:1)で単離した各成分をメトキシト
リフルオロメチルフェニル酢酸エステルに誘導した後、
下記条件の高速液体クロマトグラフィーにより分析した
結果、A成分の光学純度は96%eeであった。
製) 溶離液:ヘキサン:クロロホルム:メタノール=900:10
0:20 流速:2ml/分 検出波長:UV−254nm 更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ン:酢酸エチル=1:1)で単離した各成分をメトキシト
リフルオロメチルフェニル酢酸エステルに誘導した後、
下記条件の高速液体クロマトグラフィーにより分析した
結果、A成分の光学純度は96%eeであった。
カラム:コスモシルφ0.46cm×25cm(ナカライテスク社
製) 溶離液:ヘキサン:テトラヒドロフラン:メタノール=
100:100:1 流速:1ml/分 検出波長:UV−254nm 比較例1 予め窒素置換を行なった100mlのオートクレーブに2−
ベンズアミドメチル−3−オキソブタン酸メチルエステ
ル5.27g(21.1ミリモルア、メタノール21ml及び[RuI
(p−シメン)((−)−BINAP)]+I-23.5mg(0.022
ミリモル)を仕込み、水素圧50kg/cm2、50℃の条件で20
時間水素化反応を行なった。
製) 溶離液:ヘキサン:テトラヒドロフラン:メタノール=
100:100:1 流速:1ml/分 検出波長:UV−254nm 比較例1 予め窒素置換を行なった100mlのオートクレーブに2−
ベンズアミドメチル−3−オキソブタン酸メチルエステ
ル5.27g(21.1ミリモルア、メタノール21ml及び[RuI
(p−シメン)((−)−BINAP)]+I-23.5mg(0.022
ミリモル)を仕込み、水素圧50kg/cm2、50℃の条件で20
時間水素化反応を行なった。
実施例8と同様の方法で、転化率並びにジアステレオマ
ー比及び光学純度を測定した結果、転化率49.4%、ジア
ステレオマー比A/B=80.8/19.2、A成分の光学純度95%
eeであった。
ー比及び光学純度を測定した結果、転化率49.4%、ジア
ステレオマー比A/B=80.8/19.2、A成分の光学純度95%
eeであった。
本発明に係る3,5−DABINAPは不斉合成用触媒の配位子と
して優れたものであり、これとルテニウム又はロジウム
との錯体は、不斉水素化、不斉異性化、不斉シリル化
等、種々の不斉合成用触媒として優れた触媒活性を有
し、これを用いれば光学純度の高い光学活性体を製造す
ることができる。
して優れたものであり、これとルテニウム又はロジウム
との錯体は、不斉水素化、不斉異性化、不斉シリル化
等、種々の不斉合成用触媒として優れた触媒活性を有
し、これを用いれば光学純度の高い光学活性体を製造す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 61/00 300
Claims (2)
- 【請求項1】次の一般式(I) 〔式中、Rは低級アルキル基を示す〕 で表わされる2,2′−ビス〔ジ−(3,5−ジアルキルフェ
ニル)ホスフィノ〕−1,1′−ビナフチル。 - 【請求項2】請求項1記載の2,2′−ビス〔ジ−(3,5−
ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕−1,1′−ビナフチ
ルを配位子とするルテニウム錯体又はロジウム錯体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2050262A JPH0768260B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
CA002037007A CA2037007C (en) | 1990-03-01 | 1991-02-25 | 2,2'-bis[di-(3,5-dialkylphenyl)phosphino]-1,1'-binaphthyl and transition metal complex containing the same as ligand |
DE69105302T DE69105302T2 (de) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | 2,2'-Bis-(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthyl enthaltende Verbindungen und katalytische Komplexe davon. |
EP91301644A EP0444930B1 (en) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | Compounds containing 2,2'-bis-(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthyl and catalytic metal complexes thereof |
US07/662,600 US5223632A (en) | 1990-03-01 | 1991-03-01 | 2,2'-bis(di-(3,5-dialkylphenyl)phosphino)-1,1'-binaphthyl and transition metal complex containing the samd ligand |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2050262A JPH0768260B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 2,2’―ビス〔ジ―(3,5―ジアルキルフェニル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル及びこれを配位子とする遷移金属錯体 |
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JPH0768260B2 true JPH0768260B2 (ja) | 1995-07-26 |
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---|---|
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EP (1) | EP0444930B1 (ja) |
JP (1) | JPH0768260B2 (ja) |
CA (1) | CA2037007C (ja) |
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JP3310056B2 (ja) * | 1992-07-16 | 2002-07-29 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性4−メチル−2−オキセタノンの製造方法 |
US5935892A (en) | 1994-02-22 | 1999-08-10 | California Institute Of Technology | Supported phase catalyst |
JP3441284B2 (ja) * | 1995-03-14 | 2003-08-25 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性アミンの製造方法 |
JP3338243B2 (ja) * | 1995-07-21 | 2002-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性非対称ジホスフィン化合物及びその製造方法 |
JP3770639B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2006-04-26 | 高砂香料工業株式会社 | 光学活性ジホスフィンの製造方法 |
JP3441605B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2003-09-02 | 高砂香料工業株式会社 | 新規光学活性ジホスフィン及び該化合物より得られる遷移金属錯体及び該錯体の存在下にて光学活性体を得る方法 |
US6307087B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Ligands for metals and improved metal-catalyzed processes based thereon |
US7223879B2 (en) * | 1998-07-10 | 2007-05-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Ligands for metals and improved metal-catalyzed processes based thereon |
CN100519569C (zh) | 2001-12-07 | 2009-07-29 | 武田药品工业株式会社 | 二膦化合物的制备方法及用于该方法的中间体 |
JP4148702B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2008-09-10 | 高砂香料工業株式会社 | 新規なジホスフィン化合物、その製造中間体、該化合物を配位子とする遷移金属錯体並びに該錯体を含む不斉水素化触媒 |
KR101311122B1 (ko) | 2005-09-20 | 2013-09-25 | 다케다 야쿠힌 고교 가부시키가이샤 | 디포스핀 리간드 및 이를 이용한 전이 금속 착물 |
CN114029092B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-03-05 | 苏利制药科技江阴有限公司 | 一种金属催化剂的合成方法 |
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---|---|---|---|---|
JPS59157094A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-06 | Takasago Corp | 2,2′−ビス(ジフエニルホスフイノ)−1,1′−ビナフチルジオキサイドのラセミ体を光学分割する方法 |
JPS6061587A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Takasago Corp | ロジウム−ホスフイン錯体 |
JPS6163690A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-01 | Takasago Corp | ルテニウム−ホスフイン錯体 |
JPH0757758B2 (ja) * | 1988-10-24 | 1995-06-21 | 高砂香料工業株式会社 | ルテニウム―ホスフィン錯体 |
JPH0733392B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1995-04-12 | 高砂香料工業株式会社 | 2,2’―ビス〔ジー(m―トリル)ホスフィノ〕―1,1’―ビナフチル |
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- 1990-03-01 JP JP2050262A patent/JPH0768260B2/ja not_active Expired - Lifetime
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