JPH07149777A

JPH07149777A - 光学活性リン化合物

Info

Publication number: JPH07149777A
Application number: JP6240181A
Authority: JP
Inventors: Emil Albin Broger; エミール・アルビン・ブローガー; Marco Cereghetti; マルコ・セレゲッティ; Alain Rageot; アラン・ラジョ
Original assignee: F Hoffmann La Roche AG
Current assignee: F Hoffmann La Roche AG
Priority date: 1993-10-08
Filing date: 1994-10-04
Publication date: 1995-06-13
Anticipated expiration: 2020-12-07
Also published as: EP0647648A1; DK0647648T3; JP3723241B2; ATE177427T1; US5516944A; DE59407903D1; EP0647648B1; ES2130321T3

Abstract

(57)【要約】【構成】式（Ｉ）：〔式中、Ｒ及びＲ¹ は、各々独立
に、ヒドロキシ、保護されたヒドロキシ基、低級アルキ
ル又は低級アルコキシを表し、そしてＲ² 〜Ｒ⁵は、各
々独立に、３〜７個の炭素原子を有するアルキル、又は
シクロアルキル、若しくはアリールを表すか、或はＲ²
とＲ³ 、若しくはＲ⁴ とＲ⁵ が、リンと一緒に、式
（Ａ）：で示される基を形成するが、但し、Ｒ² がＲ³
と同じならば、Ｒ⁴ はＲ⁵ と同じではなく、又はＲ⁴ が
Ｒ⁵ と同じならば、Ｒ² はＲ³ と同じではない。〕で示
される化合物、その製造方法。【化１６】【効果】上記リン化合物と、第VIII族の遷移金属、特
にルテニウム、ロジウム、又はイリジウムとの、ジホス
フィン−金属錯体は、不斉水素添加の触媒として、プロ
キラル、アリル系でのエナンチオ選択的水素置換に有用
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、一般式（Ｉ）：

【０００２】

【化９】

【０００３】〔式中、Ｒ及びＲ¹ は、各々独立に、ヒド
ロキシ、保護されたヒドロキシ基、低級アルキル又は低
級アルコキシを表し、Ｒ² 〜Ｒ⁵ は、各々独立に、３〜
７個の炭素原子を有するアルキル、又はシクロアルキル
若しくはアリールを表すか、或はＲ² とＲ³ 、又はＲ⁴
とＲ⁵ が、リンと一緒に、下記式：

【０００４】

【化１０】

【０００５】で示される基を形成するが、但し、Ｒ² が
Ｒ³ と同じならば、Ｒ⁴ はＲ⁵ と同じではなく、又はＲ
⁴ がＲ⁵ と同じならば、Ｒ² はＲ³ と同じではない。〕
で示される、ビフェニル骨格の所定の軸キラリティーの
ほかに、片方又は両方のリン原子にキラリティー中心を
も有している新規な光学活性リン化合物に関する。

【０００６】本発明は、また、式（Ｉ）のリン化合物の
製造、例えば不斉水素添加、プロキラル、アリル系など
でのエナンチオ選択的水素置換のようなエナンチオ選択
的反応でのそれらの用途、並びに式（Ｉ）の化合物と第
VIII族の金属との錯体にも関する。

【０００７】ヒドロキシ基の保護基として、通常のエー
テル形成基、例えばベンジル、アリル、ベンジルオキシ
メチル、低級アルコキシメチル、及び２−メトキシエト
キシメチルが、特に本出願の範囲内で考慮される。

【０００８】本出願の範囲内で、用語「低級アルキル」
は、１〜４個の炭素原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、イソブチル、及びｔｅｒｔ−ブチルを
意味する。用語「低級アルコキシ」は、アルキル残基が
上に定義されたとおりである場合の基を意味している。

【０００９】用語「３〜７個の炭素原子を有するアルキ
ル」は、この場合、直鎖又は分岐鎖の基、例えばプロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ
−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル等を意味する
が、特にイソプロピル、イソブチル、又はｔｅｒｔ−ブ
チルを意味する。本発明の範囲内で、「シクロアルキ
ル」は、３−ないし７−員環、例えばシクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及び
シクロヘプチル、特にシクロペンチル又はシクロヘキシ
ルを意味する。用語「アリール」は、特にフェニル残基
を意味するが、これは非置換のものだけでなく、オルト
−、メタ−、又はパラ−位置で置換されたもの、又は複
数置換されたものでもありうる。考慮される置換基は、
例えばフェニル、低級アルキル若しくはアルコキシ基、
好ましくはメチル若しくはメトキシ基、又はジ低級アル
キルアミノ、好ましくはジメチルアミノ若しくはジエチ
ルアミノ、及び塩素、又はトリメチルシリルのようなト
リアルキルシリルである。更に、この用語は、ナフチル
も意味しうる。好ましいアリール残基は、特にフェニ
ル、ｐ−トリル、ｍ−トリル、ｍ，ｍ’−ジメチルフェ
ニル、ｍ，ｍ’−ジイソプロピルフェニル、ｐ−ジメチ
ルアミノフェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｍ−メトキ
シフェニル、ｐ−メトキシ−ｍ，ｍ’−ジメチルフェニ
ル、及びｐ−クロロフェニルである。

【００１０】大多数の配位子のステレオジェン中心は、
炭化水素骨格上のみ、又は例えばＤＩＰＡＭＰ（エチレ
ン−ビス〔（Ｓ）−（２−メトキシフェニル) −フェニ
ルホスフィン〕の場合のようにリン原子上にのみに限ら
れているが、両部位に立体中心を含んでいる配位子は、
二、三の例は知られている。また、これらは、主とし
て、第VIII族の遷移金属、特にルテニウム、ロジウム、
又はイリジウムとの錯体形成に使用される。このような
ジホスフィン- 金属錯体は、例えば不斉水素添加の触媒
として、及びプロキラル、アリル系でのエナンチオ選択
的水素置換に使用される。

【００１１】本発明は、今や、所定の軸キラリティーを
有し、更に１個又は２個の不斉リン原子によって区別さ
れる光学活性リン配位子を入手可能にする。１配位子で
のこれらの対称要素、キラリティー軸、及びキラリティ
ー中心の組合せは、新規である。これらは、上に定義さ
れた式（Ｉ）の化合物である。

【００１２】式（Ｉ）のリン化合物は、ラセミ体だけで
なく、光学活性体でも存在しうる。好ましい式（Ｉ）化
合物は、Ｒ及びＲ¹ が同じ意味を有し、かつ低級アルキ
ル、特にメチル、又は低級アルコキシ、特にメトキシを
表す場合の化合物である。このような化合物は、例えば
式（Ｉ−Ａ）又は（Ｉ−Ｂ）：

【００１３】

【化１１】

【００１４】〔式中、Ｒ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 及び
Ｒ⁵ は、上記と同義である〕で示される。

【００１５】式（Ｉ−Ａ）及び（Ｉ−Ｂ）の特に好まし
い化合物は、Ｒ及びＲ¹ が、低級アルキル又は低級アル
コキシを表し、Ｒ² 及びＲ⁴ が、各々独立に、シクロア
ルキル又はアリールを表し、そしてＲ³ 及びＲ⁵ が、各
々独立に、イソプロピル、イソブチル、又はｔｅｒｔ−
ブチルを表すそれらである。

【００１６】特に好ましい化合物は、それらの光学活性
形態での、式（Ｉ−Ａ）及び（Ｉ−Ｂ）の化合物、例え
ば、（Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ）−、及び（Ｓ，Ｓ）−Ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフ
ェニル−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２’−
ジイル) ジホスフィン；（Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ）−、
及び（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−シクロヘキシル−Ｐ−フェニル−
Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェ
ニル−２，２’−ジイル) ジホスフィン；（Ｒ，Ｓ）
−、（Ｒ，Ｒ）−、及び（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ−ジ−ｐ−トリル−
（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２’−ジイル)
ジホスフィン；（Ｒ，Ｓ，Ｓ）−、（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−、
及び（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェ
ニル−２，２−ジイル) ジホスフィン；（Ｒ，Ｓ，Ｓ）
−、（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−、及び（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’
−ジシクロヘキシル−Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，
６’−ジメチルビフェニル−２，２−ジイル) ジホスフ
ィン；及び（Ｒ，Ｓ，Ｓ）−、（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−、及び
（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−β−ナフチル−Ｐ，
Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニル−
２，２−ジイル) ジホスフィンである。

【００１７】式（Ｉ）化合物を製造するための本発明の
方法は、式（II）：

【００１８】

【化１２】

【００１９】〔式中、Ｒ及びＲ¹ は、上記と同義であ
る〕で示されるキラルな６，６’−ジ置換−２，２’−
ジヨードビフェニルを、始めにｔｅｒｔ−ブチルリチウ
ムと、続いて、式（Ａ）及び（Ｂ）：

【００２０】

【化１３】

【００２１】〔式中、Ｒ² 〜Ｒ⁵ は、上記と同義であ
る〕で示される、それぞれの場合に対応的に置換された
ラセミ体のクロロホスフィン誘導体と反応させるか、又
は始めにｔｅｒｔ−ブチルリチウムと、続いて式（Ａ）
のクロロホスフィン誘導体２当量と反応させるか、又は
式（III ）：

【００２２】

【化１４】

【００２３】〔式中、Ｒ、Ｒ¹ 、及びＲ² は、上記と同
義である〕で示される２−モノヨードビフェニル誘導体
を、始めにｔｅｒｔ−ブチルリチウムと、続いて式
（Ｂ）で示される対応的に置換されたラセミ体のクロロ
ホスフィン誘導体と反応させることを含む。

【００２４】

【化１５】

【００２５】この反応手順の利点は、ビフェニルの選ば
れた立体配置が反応中に変化しないことである。このた
めに、最大で３個又は２個のみのジアステレオマーが可
能であるにすぎない（Ｉ−Ａ又はＩ−Ｂ；反応経路
１）。各場合とも不斉ビフェニル鋳型及びリン上の２個
の有機残基との間の立体相互作用の結果として、ジアス
テレオマーの一方が、好適には直接に、又は熱的平衡後
に形成する。

【００２６】従って、本発明の方法により、式（II）の
化合物から出発して、式（Ｉ）及び（Ｉ−Ｂ）の化合物
は、２工程で、そして式（Ｉ−Ａ）化合物は、１工程で
製造することができる。

【００２７】式（Ｉ−Ａ）化合物の製造のために、式
（II）のジヨードジフェニル誘導体を始めに適当な溶媒
中の２当量のｔｅｒｔ−ブチルリチウムで対応する金属
化化合物に変換し、続いて式（Ａ）で示される２分子の
ラセミ体のクロロホスフィン誘導体と反応させる。得ら
れる三つのジアステレオマーの生成混合物は、クロマト
グラフィによって個々のキラル成分に分離する。

【００２８】式（Ｉ−Ｂ）の化合物は、出発化合物とし
て使用される式（II）のジヨードビフェニル誘導体を、
上記のように始めにｔｅｒｔ−ブチルリチウム１当量、
続いてジ置換クロロホスフィン（Ｃ１Ｐ（Ｒ² ）₂ ）１
当量で、式（III ）の化合物に変換し、次にこれをｔｅ
ｒｔ−ブチルリチウムと、続いて式（Ｂ）のラセミ体の
クロロホスフィン１当量と反応させて製造される。式
（Ｉ−Ｂ）の二つのジアステレオマーをクロマトグラフ
ィによって分離することができる。

【００２９】式（Ｉ）化合物の製造のために、出発材料
として使用される式（II）のジヨード化物を、始めにモ
ノ金属化し、次いで式（Ａ）のラセミ体のクロロホスフ
ィン１当量と反応させ、続いて金属化してから、式
（Ｂ）のラセミ体のクロロホスフィン１当量と反応させ
る。

【００３０】化合物（II）又は（III ）の金属化誘導体
とクロロホスフィンとの反応は、例えばアルゴンや窒素
のような不活性ガス下に、ＴＨＦ、エーテル又はこれら
の一方又は両方とトルエンとの混合物のような不活性溶
媒中で、約−７８℃ないし最大−５０℃、好ましくは約
−７０℃ないし−５５℃の温度で都合よく行なわれる。

【００３１】式（II）及び（III ）の化合物は、既知化
合物であり、WO93/15090に記述されたようなそれ自体公
知の方法で製造することができる。

【００３２】本発明による式（Ｉ）のリン化合物は、第
VIII族の遷移金属、特にルテニウム、ロジウム、又はイ
リジウムと錯体を形成し、これらを不斉水素添加及びプ
ロキラル、アリル系でのエナンチオ選択的水素置換にお
ける触媒として使用することができる。ルテニウム及び
ロジウム錯体は、上記の水素添加に好ましく、一方ロジ
ウム錯体は異性化反応に好ましい。これらの触媒、すな
わち第VIII族金属と式（Ｉ）のリン化合物との錯体は、
新規なものであり、同じく本発明の目的である。

【００３３】当該の錯体は、EP 538336 に記載されたよ
うに、それ自体公知の方法で製造することができる。

【００３４】

【実施例】以下の実施例は、本発明を例示するものであ
るが、いかなる形でも限定的であることを意図していな
い。実施例中、選ばれた略字は、以下の意味をもってい
る。ＧＣ：ガス・クロマトグラフィ、ＧＣ−Ａ％：ＧＣ
−面積パーセント、ＨＰＬＣ：高圧力液体クロマトグラ
フィ、ｅ．ｅ．：エナンチオマー過剰率、ＲＴ：室温。
温度はすべて摂氏で記載されている。

【００３５】実施例１（Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ）−、及び（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニ
ル−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２’−ジイ
ル) −ジホスフィンの製造（Ｓ）−ジフェニル−( ２' −ヨード−６，６’−ジメ
チルビフェニル−２−イル) ホスフィン１４．４g
（０．０２９モル）を、無水トルエン２００mlとエーテ
ル５０mlの混合物に、アルゴンガスを導入しながら溶解
した。−７０℃に冷却後、ブチルリチウム溶液（ヘキサ
ン中の１．６M ；０．０４８モル）３０mlを加え、反応
混合物を−６９℃で４５分かきまぜた。続いて、トルエ
ン５０ml中に溶解した（ｒａｃ）−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニルクロロホスフィン１６．０g （０．０８０モル）
を−６５℃で１５分以内に滴加し、灰ベージュ色の懸濁
液を−６５℃で１時間、次に室温（ＲＴ）で一夜かきま
ぜた。

【００３６】混合物を水８５mlと３N ＮａＯＨ３０mlで
処理し、１５分かきまぜ、トルエン３００mlで抽出し、
処理した。有機相を水１５０mlで２回洗い、乾燥（Ｎａ
₂ Ｓ０₄ ）し、濾過し、溶媒を蒸発させた。シリカゲル
４００g でのクロマトグラフィ（ヘキサン−トルエン
１：４〜１：１、次にトルエン）後、粗生成物の二つの
画分〔（Ｒ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−フェニ
ル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビ
フェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィン：７．３g
（理論の４７％）、及び（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’ジフェニル−（６，
６’−ジメチルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホス
フィン：３．９g （理論の２５％）] をＡｃＯＥｔ／Ｍ
ｅＯＨから再結晶して、以下のものを得た：

【００３７】（Ｒ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−
フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメ
チルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィン３．
５g（理論の２３％）、白色結晶、融点：１４０．９
℃；（ＣｈｉｒａｃｅｌＯＤ相でのＨＰＬＣ分析によ
り、１００％ｅ．ｅ．；ＧＣ含有率：９９．５％）；
〔α〕_D ²⁰ ＋１５４．３°（ｃ＝１；ＣＨＣl₃）、及び

【００３８】（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−
フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメ
チルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィン２．
３g（理論の１５％）、白色結晶、融点１４２．６℃
（ＣｈｉｒａｃｅｌＯＤ相でのＨＰＬＣ分析により１
００％ｅ．ｅ．；ＧＣ含有率：９７％）；〔α〕_D ²⁰ −
１２１．１°（ｃ＝１；ＣＨＣl₃）

【００３９】以下の化合物は、（Ｒ）−ジフェニル−
（２' −ヨード−６，６’−ジメチルビフェニル−２−
イル）ホスフィンを使用して、類似の方法で製造した。

【００４０】（Ｒ，Ｒ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−
フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメ
チルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィン；融
点：１４７−１４９℃；（Ｓ，Ｒ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，
６’−ジメチルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホス
フィン。

【００４１】実施例２次の化合物は、（Ｒ）−ジフェニル−（２' −ヨード−
６，６’−ジメチルビフェニル−２−イル）ホスフィン
を使用して、（ｒａｃ）−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルク
ロロホスフィンに代えて、（ｒａｃ）−シクロヘキシル
フェニルクロロホスフィンから、実施例１と類似の方法
で製造した。

【００４２】（Ｒ，Ｒ）−Ｐ−シクロヘキシル−Ｐ−フ
ェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチ
ルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィン；融
点：１８７．３−１８８．１℃。

【００４３】実施例３以下の化合物は、（Ｓ）−ジ−ｐ−トリル−（２' −ヨ
ード−６，６’−ジメチルビフェニル−２−イル）ホス
フィンを使用して、実施例１と類似の方法で製造した。

【００４４】（Ｒ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−
フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジ−ｐ−トリル−（６，６’−
ジメチルビフェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィ
ン；融点：１６１．５−１６２℃；〔α〕_D ²⁰ ＋１６
８．６°（ｃ＝０．８；ＣＨＣl₃）、及び（Ｓ，Ｓ）−
Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジ
−ｐ−トリル−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，
２’−ジイル）ジホスフィン。

【００４５】実施例４実施例１及び２で出発材料として使用した（Ｓ）−ジフ
ェニル−（２' −ヨード−６，６’−ジメチル−１，
１’−ビフェニル−２−イル）ホスフィンは、以下のと
おりに製造した。

【００４６】無水トルエン２００mlとエーテル５０ml中
に溶解した（Ｓ）−２，２’−ジヨード−６，６’−ジ
メチル−１，１’−ビフェニル１２．６g （０．０２９
モル）の−７６℃に冷却した溶液に、アルゴンを供給し
ながら、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム溶液１８ml（ペンタ
ン中１５％溶液；０．０２８モル）を加え、混合物を−
７０℃で１時間かきまぜた。続いて、無水トルエン５０
ml中のクロロジフェニルホスフィン１３g （０．０６２
モル）の溶液を滴下ロートから１５分以内に滴加し、混
合物を約−７０℃で１時間かきまぜ、冷却浴を除いた
後、室温（ＲＴ）で１時間かきまぜた。

【００４７】反応混合物の灰ベージュ色の懸濁液を水７
０mlで処理し、３N ＮａＯＨ３０mlでアルカリ性にし、
酢酸エチル５００mlで抽出し、処理した。有機相を水１
５０mlで中性にし、乾燥（Ｎａ₂ ＳＯ₄ ）し、溶媒を蒸
発させ、得られた残留物（２６g 、黄色の油状物）をシ
リカゲル３００g 上でクロマトグラフィ処理した。

【００４８】二つの主要画分中に、始めにヘキサン−ト
ルエン６：４混合物２．１リットルにより未反応出発材
料３．７g （ＧＣ含有率：７５％）が、続いてヘキサン
−トルエン１：１混合物３．５リットルによりエナンチ
オマー的に純粋な（Ｓ）−ジフェニル−（２' ヨード−
６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル−２−イ
ル）ホスフィン９．２g （理論の７５％）（ＨＰＬＣ：
９９．８％ｅｅ）が白色結晶として溶離し、これを次段
階に直接使用した。ＡｃＯＥｔ／ＭｅＯＨから結晶化し
て、純粋な（Ｓ）ジフェニル−（２' −ヨード−６，
６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル−２−イル）ホ
スフィンを得た。融点：１６７．５−１６８．４℃；
〔α〕_D ²⁰ ＋４３．５°（ｃ＝１；ＣＨＣｌ₃ ）

【００４９】以下の出発材料を、同様な方法で製造し
た。

【００５０】（ｒａｃ）−ジフェニル−（２' −ヨード
−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル−２−イ
ル）ホスフィン；（Ｒ）−ジフェニル−（２' −ヨード
−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル−２−イ
ル）ホスフィン；（Ｓ）−ジ−ｐ−トリル−（２' −ヨ
ード−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル−２
−イル）ホスフィン；（Ｓ）−ジシクロヘキシル−
（２' −ヨード−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフ
ェニル−２−イル）ホスフィン；（Ｓ）−ジベンゾホス
ホル−（２' −ヨード−６，６’−ジメチル−１，１’
−ビフェニル−２−イル）ホスフィン；（Ｓ）−ジフェ
ニル−（２' −ヨード−６，６’−ジメトキシ−１，
１’−ビフェニル−２−イル）ホスフィン；融点：１２
５．７℃；（ｒａｃ）−ジフェニル−（２' −ヨード−
６，６’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル−２−イ
ル）ホスフィン；融点：１９４．０−１９４．４℃。

【００５１】実施例５２個のキラルなＰ* 原子を有する一般式（Ｉ−Ａ）の配
位子は、（Ｓ）−２，２’−ジヨード−６，６’−ジメ
チル−１，１’−ビフェニルと、各場合とも２倍量のブ
チルリチウム及び対応クロロホスフィンを使用して、実
施例１と同様な方法で製造した。

【００５２】（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチ
ルビフェニル−２，２−ジイル）ジホスフィン；融点：
１３８．８℃（９９．１％ｄ．ｅ．；ＧＣ：９７％）；
〔α〕_D ²⁰ ＋１８３．５°（ｃ＝０．４；ＣＨＣｌ₃ ）（Ｒ，Ｓ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニ
ル−２，２−ジイル）ジホスフィン；融点：１２０．１
℃（９９％ｄ．ｅ．；ＧＣ：９８．１％）；〔α〕_D ²⁰
＋３４．６°（ｃ＝０．８；ＣＨＣｌ₃ ）（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニ
ル−２，２−ジイル）ジホスフィン；融点：１４３．３
℃；（９９％ｄ．ｅ．；ＧＣ：９９．５％）；〔α〕_D
²⁰ −２４６．０°（ｃ＝１；ＣＨＣｌ₃ ）（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジシクロヘキシル−Ｐ，
Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニル−
２，２−ジイル）ジホスフィン；融点：１９０℃；（９
８％ｄ．ｅ．；ＧＣ：９８％）；〔α〕_D ²⁰ ＋１６０．
７°；（ｃ＝０．８；ＣＨＣｌ₃ ）（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジシクロヘキシル−Ｐ，
Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニル−
２，２−ジイル）ジホスフィン；融点：１５９−１９０
℃（９８％ｄ．ｅ．；ＧＣ：９５％）；〔α〕_D ²⁰ −５
６°（ｃ＝０．５；ＣＨＣｌ₃ ）（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−β−ナフチル−Ｐ，
Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニル−
２，２−ジイル）ジホスフィン；融点：１６９−１７０
℃；（８５％ｄ．ｅ．；ＧＣ：９８％）。

【００５３】実施例６グローブボックス（Ｏ₂ 含有量＜１pm）内の１００mlメ
スフラスコ中で、テトラ−μ−トリフルオロアセテート
−ビス−（１，５−シクロオクタジエン）ジルテニウム
（II）６．４mg（０．００７３mmol）と（Ｒ，Ｓ）−Ｐ
−シクロヘキシル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェ
ニル−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２’−ジ
イル）ジホスフィン８．１mg（０．０１４６mmol）をメ
タノール１００mlに溶解し、室温（ＲＴ）でかきまぜ
た。赤橙色の透明な触媒溶液が１６時間で生成した。

【００５４】実施例７グローブボックス（Ｏ₂ 含有量＜１pm）内で、５００ml
のオートクレーブにゲラニオール２７．０g （１７５．
０mmol）、メタノール３６ml、及び実施例６のとおりに
製造した触媒溶液１００mlを仕込んだ。水素添加を２０
℃、Ｈ₂ ６０bar の定圧で、よくかきまぜながら行なっ
た。変換は、２２時間後、１００％であった。淡黄色の
水素添加溶液をオートクレーブから洗い出し、溶媒をロ
ータリーエバポレーターで６０℃／１７mbarで蒸発させ
た。残留物を６５℃／０．０１mbarで蒸留した。（Ｒ）
−シトロネロール２６．７g （９９．０％）を無色油状
物として、エナンチオマー純度７４．３％ｅ．ｅ．で得
た。ｅ．ｅ．値の測定は、トロロックスメチルエーテル
（商標）で製造したジアステレオマーエステルのＧＣ分
析によって実施した。

【００５５】実施例８グローブボックス（Ｏ₂ 含有量＜１pm）内の５０mlメス
フラスコ中で、ビス（η−２−アセタト）（η−４−
１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）１０．
３mg（０．０３１５mmol）と（Ｒ，Ｓ）−Ｐ−シクロヘ
キシル−Ｐ−フェニル−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−
（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２’−ジイル）
ジホスフィン１７．６mg（０．０３１５mmol）をジエチ
ルエーテル６mlとテトラヒドロフラン２mlの混合物に溶
解し、４０℃で１６時間かきまぜ、続いてメタノール約
４２mlを加えて全量とした。赤橙色の透明な触媒溶液が
生成した。

【００５６】実施例９グローブボックス（Ｏ₂ 含有量＜１pm）内の５００mlオ
ートクレーブに、（Ｚ）−２−アセチル−１−（ｐ−メ
トキシベンジリデン）−１，２，３，４，５，６，７，
８−オクタヒドロイソキノリン１５．０g （５０．４４
mmol）、メタノール１６０ml、及び実施例８により製造
した触媒溶液１０mlを仕込んだ。水素添加を１００℃、
Ｈ₂ ３５bar の定圧で、激しくかきまぜながら行なっ
た。変換は、２２時間後、７４．０％であった。水素添
加溶液（粗生成物約２g を含有）のアリコートから、溶
媒を４０℃／１７mbarで蒸発させた。残留物（１．９５
g ）は、７４ＧＣ−Ａ％の（Ｓ）−２−アセチル−１−
（ｐ−メトキシベンジル）−１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロイソキノリン：ｅ．ｅ．９１．２
％及び２６％の未反応析出物との混合物からなってい
た。

【００５７】ｅ．ｅ．値の測定のために、エチレングリ
コールと４０％ＫＯＨ水溶液との混合物中の残留物の均
質試料を、１７０℃で１８時間加水分解した。生成した
アミンをピリジン／４−ジメチルアミノ−ピリジン中
で、（−）−カンファノイルクロライドによりジアステ
レオマーのアミド混合物に変換し、これをＰＶＭＳ−５
４毛管カラムでのガスクロマトグラフィによって分析し
た。

【００５８】実施例１０グローブボックス（Ｏ₂ 含有量＜１pm）内の５００mlオ
ートクレーブに、メチル３−オキソテトラデカノエー
ト２３．１g （９０．０mmol）、メタノール６０ml、及
びジクロロメタン５ml中のＲｕ₂(ＣＯＤ) ₂ Ｃl(μＣl)
₃(ＣＨ₃ ＣＮ)〔文献：E. Singletonら、S.-Afr. Tydsk
r. Chem.,40,183（1987）〕５．４g （０．００９mmo
l）と（Ｒ，Ｓ）−Ｐ−シクロヘキシル−Ｐ−フェニル
−Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフ
ェニル−２，２’−ジイル）ジホスフィン１０．０mg
（０．０１８mmol）の溶液を仕込んだ。水素添加を８０
℃、３５bar で行なった。変換は、２２時間後、１００
％であった。

【００５９】水素添加溶液を５０℃／１７mbarで濃縮
し、結晶残留物をジエチルエーテル２５０ml中に溶解し
た。触媒を分離するために、エーテル溶液をシリカゲル
５０g上で濾過した。濾過したエーテル相を濃縮し、乾
燥後、メチル（Ｓ）−３−ヒドロキシテトラデカノエ
ート２２．９g を白色結晶として得た。ｅ．ｅ．８８．
５％。ｅ．ｅ．測定には、均質試料を（Ｓ）−６−メト
キシ−２，５，７，８−テトラメチルクロマン−２−カ
ルボン酸でエステル化し、ジアステレオマーをＯＶ−２
４０−ＯＨ毛管カラム上のガスクロマトグラフィによっ
て分析した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者マルコ・セレゲッティスイス国、ツェーハー−4058 バーゼル、ヴェットシュタインアレー 65 (72)発明者アラン・ラジョフランス国、エフ−68300 サンルウィ、リュ・ドゥ・ラ・チュイルリ 18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）：【化１】〔式中、Ｒ及びＲ¹ は、各々独立に、ヒドロキシ、保護
されたヒドロキシ基、低級アルキル又は低級アルコキシ
を表し、そしてＲ² 〜Ｒ⁵ は、各々独立に、３〜７個の
炭素原子を有するアルキル、又はシクロアルキル、若し
くはアリールを表すか、或はＲ² とＲ³ 、又はＲ⁴ とＲ
⁵ が、リンと一緒に、下記式：【化２】で示される基を形成するが、但し、Ｒ² がＲ³ と同じな
らば、Ｒ⁴ はＲ⁵ と同じではなく、又はＲ⁴ がＲ⁵ と同
じならば、Ｒ² はＲ³ と同じではない。〕で示される化
合物。
【請求項２】一般式（Ｉ−Ａ）又は（Ｉ−Ｂ）：【化３】〔式中、Ｒ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 及びＲ⁵ は、請求
項１と同義である〕で示される請求項１記載の化合物。
【請求項３】Ｒ及びＲ¹ が、同じ意味を有し、かつ、
低級アルキル、特にメチル、又は低級アルコキシ、特に
メトキシを表す請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】Ｒ² 及びＲ⁴ が、各々独立に、シクロア
ルキル又はアリールを表し、そしてＲ³ 及びＲ⁵ が、各
々独立に、イソプロピル、イソブチル又はｔｅｒｔ−ブ
チルを表わす、請求項１〜３のいずれか１項記載の化合
物。
【請求項５】（Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ）−、及び
（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−フェニル−
Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェ
ニル−２，２’−ジイル) ジホスフィン。
【請求項６】（Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ）−、及び
（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−シクロヘキシル−Ｐ−フェニル−
Ｐ’，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェ
ニル−２，２’−ジイル) ジホスフィン。
【請求項７】（Ｒ，Ｓ）−、（Ｒ，Ｒ）−、及び
（Ｓ，Ｓ）−Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｐ−フェニル−
Ｐ’，Ｐ’−ジ−p −トリル−（６，６’−ジメチルビ
フェニル−２，２’−ジイル) ジホスフィン。
【請求項８】（Ｒ，Ｓ，Ｓ）−、（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−、
及び（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェ
ニル−２，２−ジイル) ジホスフィン。
【請求項９】（Ｒ，Ｓ，Ｓ）−、（Ｓ，Ｓ，Ｓ）−、
及び（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−シクロヘキシル−
Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェニ
ル−２，２−ジイル) ジホスフィン。
【請求項１０】（Ｒ，Ｓ，Ｓ）−、（Ｓ，Ｓ，Ｓ）
−、及び（Ｒ，Ｒ，Ｓ）−Ｐ，Ｐ’−ジ−β−ナフチル
−Ｐ，Ｐ’−ジフェニル−（６，６’−ジメチルビフェ
ニル−２，２−ジイル) ジホスフィン。
【請求項１１】一般式（Ｉ）：【化４】〔式中、Ｒ及びＲ¹ は、各々独立に、ヒドロキシ、保護
されたヒドロキシ基、低級アルキル又は低級アルコキシ
を表し、Ｒ² 〜Ｒ⁵ は、各々独立に、３〜７個の炭素原
子を有するアルキル、又はシクロアルキル若しくはアリ
ールを表すか、或はＲ² とＲ³ 、又はＲ⁴ とＲ⁵ は、、
リンと一緒に、下記式：【化５】で示される基を形成するが、但し、Ｒ² がＲ³ と同じな
らば、Ｒ⁴ はＲ⁵ と同じではなく、又はＲ⁴ がＲ⁵ と同
じならば、Ｒ² はＲ³ と同じではない。〕で示される化
合物を製造する方法であって、ａ）式（II）：【化６】〔式中、Ｒ及びＲ¹ は、上記と同義である〕で示される
キラルな化合物を、始めにｔｅｒｔ−ブチルリチウム、
続いて式（Ａ）及び式（Ｂ）：【化７】〔式中，Ｒ² 〜Ｒ⁵ は、上記と同義である〕で示され
る、それぞれの場合に対応的に置換されたラセミ体のク
ロロホスフィン誘導体と反応させるか、又はｂ）式（I
I）で示される化合物を、始めにｔｅｒｔ−ブチルリチ
ウムと、続いて式（Ａ）で示される２分子のクロロホス
フィン誘導体と反応させるか、又はｃ）式（III ）：【化８】〔式中、Ｒ、Ｒ¹ 、及びＲ² は、上記と同義である〕で
示されるキラルな２−モノヨードビフェニル誘導体を、
始めにｔｅｒｔ−ブチルリチウムと、続いて式（Ｂ）で
示される、対応的に置換されたラセミ体のクロロホスフ
ィン誘導体と反応させることを特徴とする方法。