JP3892118B2 - 2,2’−ビス(ジアリールホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル、これを配位子とする遷移金属錯体および光学活性な3−ヒドロキシ酪酸エステル誘導体あるいはβ−ブチロラクトンの製造方法 - Google Patents

2,2’−ビス(ジアリールホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル、これを配位子とする遷移金属錯体および光学活性な3−ヒドロキシ酪酸エステル誘導体あるいはβ−ブチロラクトンの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は新規なホスフィン化合物に関する。さらに詳しくは、ロジウム,ルテニウム,イリジウム,パラジウム,ニッケル等の遷移金属と錯体を形成することによって種々の不斉合成反応における有用な触媒となり得る新規なホスフィン化合物に関する。さらに本発明はアセト酢酸エステル誘導体あるいはジケテンの不斉水素化物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
不斉水素化反応,不斉異性化反応等の有機合成反応に利用できる遷移金属錯体が数多く知られている。とくに、ロジウム,ルテニウム,パラジウム等の遷移金属に光学活性な第3級ホスフィン化合物を配位させた錯体は、不斉合成反応の触媒として優れた性能を有すると数多く報告されている。
その第3級ホスフィン化合物の中で、特に2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(以下、BINAPという)は優れた配位子の一つであり、このBINAPを配位子としたロジウム錯体(特開昭55−61937号公報)およびルテニウム錯体(特開昭61−6390号公報)が既に報告されている。また、2,2’−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)−6,6’−ジメチル−1,1’−ビフェニル(以下、BICHEPという)がα,β−不飽和カルボン酸およびカルボン酸エステルの不斉水素化反応(特開平3−275691号公報)、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−6,6’−ジメチル−1,1’−ビフェニル(以下、BIPHEMPという)がアリルアミンの不斉異性反応(特開昭63−135397号公報)の触媒において、それぞれ有効な配位子となることが報告されている。
しかしながら、それら不斉合成反応の触媒用として開発された多数のホスフィン化合物も、目的とする反応、また用いる反応基質によっては、選択率、転化率、光学純度、持続性等の面で十分に満足できない場合があり、従来の触媒に比較し、より高い触媒性能を有する錯体を構成する新しいホスフィン配位子の開発が望まれていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、目的とする反応、また用いる反応基質において、選択率、転化率、光学純度等の面で十分な効果が得られ、不斉合成反応の触媒として従来の触媒に比較し、より高い触媒性能を有する錯体を構成する新しいホスフィン配位子を開発することが、本発明の課題である。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく軸性不斉を有する第3級ホスフィン化合物について鋭意研究を重ねた結果、2,2’−ビス(ジアリールホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルを配位子とするロジウム,ルテニウム,パラジウム等の遷移金属錯体が、BINAP、BIPHEMP、BICHEPを配位子とした遷移金属錯体に比べ、不斉合成反応における選択率,転化率,光学純度等を著しく高めることを見い出し、さらに研究を重ね本発明を完成した。
【0005】
すなわち、本発明は次式(1)
【化2】
Figure 0003892118
Figure 0003892118
(Rはフェニル基または低級アルキル基、低級アルコキシル基、ハロゲン原子、低級ハロアルキル基で置換されたフェニル基を示す)
で表される2,2’−ビス(ジアリールホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルおよびその誘導体(以下、BIRTFPという)、
そのBIRTFPを配位子とするロジウム錯体,ルテニウム錯体,イリジウム錯体,パラジウム錯体,ニッケル錯体から選ばれる遷移金属錯体、および
当該遷移金属錯体の存在下に、アセト酢酸エステル誘導体あるいはジケテンを不斉水素化することを特徴とする光学活性な3−ヒドロキシ酪酸エステル誘導体あるいはβ−ブチロラクトンの製造方法、
である。
【0006】
上記化合物(1)において、低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数が1〜4のアルキル基が挙げられ、低級アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などの炭素数が1〜4のアルコキシル基が挙げられ、ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子などが好ましく、低級ハロアルキル基としては、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。
【0007】
このBIRTFPは、例えば次の反応式(1)に従って製造される。
【式1】
Figure 0003892118
すなわち、1−ハロ−3−トリフルオロメチルベンゼン(2)をエーテル、テトラヒドロフラン(以下、THFという)、トルエン、ベンゼンなどの不活性溶媒中、反応温度−78℃〜30℃でさらに好ましくは−78℃〜10℃で、金属マグネシウムあるいは低級アルキルリチウムの存在下、ジアリールホスフィニルハライドを縮合させることにより、1−(ジアリールホスフィニル)−3−トリフルオロメチルベンゼン(3)を得る。上記低級アルキルリチウムにおける低級アルキル基はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基などの炭素数が1〜4のアルキル基である。またジアリールホスフィニルハライドのアリール基としては、置換基を持たないフェニル基または低級アルキル基、低級アルコキシル基、ハロゲン原子、低級ハロアルキル基で置換されたフェニル基が好ましく、例えばp−メトキシフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−クロロフェニル基、p−トリル基、2,4−キシリル基、p−トリフルオロメチルフェニル基などが挙げられる。
上記化合物(3)をエーテル、THF、トルエン、ベンゼンなどの不活性溶媒中、反応温度−78℃〜30℃、さらに好ましくは−78℃〜10℃で、リチウムアルキルアミド特に好ましくはリチウムジイソプロピルアミドを用いてリチオ化し、さらに反応系内にヨウ素を加え、1−(ジアリールホスフィニル)−2−ヨード−3−トリフルオロメチルベンゼン(4)を得る。
この化合物(4)を銅粉の存在下ジメチルホルムアミドなどの非プロトン性極性溶媒中、反応温度60℃〜150℃でさらに好ましくは80℃〜100℃で、ウルマンカップリング反応を行い、ラセミ体の2,2’−ビス(ジアリールホスフィニル)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル(5)を得る。
光学活性なジベンゾイル酒石酸を光学分割剤として用い、クロロホルム−酢酸エチル混合溶媒からの優先再結晶法を採用して、再結晶を繰り返し行い、上記ラセミ体(5)を光学分割し、さらに1N水産化ナトリウムで処理し、光学的に純粋な化合物を得る。なお、光学純度の測定は光学活性カラム(キラルセルOD−H、ダイセル化学社製)を用いた高速液体クロマトグラフィーによる。
(−)−ジベンゾイル酒石酸を用いた光学分割法では(−)体の化合物(5)が、(+)−ジベンゾイル酒石酸を用いた光学分割法では(+)体の化合物(5)が、それぞれ優先的に析出する。
さらに、得られた(+)体の化合物(5)または(−)体の化合物(5)をトリクロロシランで還元することにより、(+)体の化合物(6)または(−)体の化合物(6)を得ることができる。
【0008】
このように得られたBIRTFPを用いて遷移金属と共に錯体を調製する。錯体を形成する遷移金属としては、ロジウム原子,ルテニウム原子,イリジウム原子,パラジウム原子,ニッケル原子等が挙げられ、形成される錯体としては、例えば次の一般式(7)、(8)、(10)、(12)および(13)で表される光学活性錯体を挙げることができる。
光学活性錯体1: RuCl(BIRTFP)(A)(7)
式中、BIRTFPは(+)−BIRTFPまたは(−)−BIRTFPを示し、Aは第三級アミンを示し、yは0か1であり、yが0のとき、xは2、zは4、wは1であり、yが1のとき、xは1、zは1、wは0である。上記第三級アミンとしては、トリエチルアミン、トリブチルアミン、エチルジイソプロピルアミン、1,8−ビス(ジメチルアミノ)−ナフタレン、ジメチルアニリン、ピリジン、N−メチルピペリジン等が挙げられるが、特にトリエチルアミンが好ましく用いられる。
光学活性錯体1の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
RuCl(BIRTFP)NEt (式中、Etはエチル基を示す)
RuHCl(BIRTFP)
この光学活性錯体1は、例えばJ.Chem.Soc.,Chem.Commun.,pp.922−924(1985)または特開昭61−63690号公報に記載の方法により調製される。すなわち、塩化ルテニウムとシクロオクタ−1,5−ジエン(以下、CODという)とをエタノール溶媒中で反応させて得られる[RuX(COD)](式中、qは自然数を示す)を、第三級アミンの存在下、トルエンまたはエタノール等の溶媒中で、BIRTFPと加熱反応させることにより製造される。
【0009】
光学活性錯体2: [RuH(BIRTFP)]T (8)
式中、BIRTFPは前記と同じであり、TはCIO、PFまたはBFを示し、mは0か1であり、mが0のとき、nは1、pは2であり、mが1のとき、nは2、pは1である。
光学活性錯体2の具体1列としては、例えば次のものが挙げられる。
[Ru(BIRTFP)](ClO
[Ru(BIRTFP)](PF
[Ru(BIRTFP)](BF
[RuH(BIRTFP)]ClO
[RuH(BIRTFP)]PF
[RuH(BIRTFP)]BF
この光学活性錯体2は、例えば特開昭63−41487号公報または特開昭63−145292号公報に記載の方法により得ることができる。例えば、一般式(8)中、mが0、nが1、pが2である化合物は、前記光学活性錯体1の中の
RuCl(BIRTFP)NEtと、一般式にてMT (9)
(式中、MはNa、K、Li、Agの金属を示し、Tは上記と同じである)で表される塩とを、水と疎水性有機溶媒との混合溶媒中、相関移動触媒としての第四級アンモニウム塩または第四級ホスホニウム塩の存在下反応させ、反応終了後、疎水性有機溶媒を取り出し、溶媒を留去乾燥する方法により精製し、製造することができる。
用いられる疎水性有機溶媒としては塩化メチレン、臭化メチレン、トルエン、酢酸エチル等が挙げられ、とくに塩化メチレンが好ましい。また、前記相関移動触媒としての第四級アンモニウム塩または第四級ホスホニウム塩はとくに限定されるものではなく、通常用いられるものであるが、具体的には、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、塩化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、塩化テトラ(n−オクチル)アンモニウム、塩化ベンジルトリ(n−ブチル)アンモニウム、臭化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、臭化テトラ(n−オクチル)アンモニウム、ヨウ化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、塩化ベンジルトリフェニルアンモニウム、臭化テトラ(n−ブチル)ホスホニウム、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化テトラフェニルホスホニウムが挙げられ、とくに臭化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、ヨウ化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、臭化テトラ(n−ブチル)ホスホニウムが好ましい。
前記相関移動触媒の使用量は通常用いられる量の範囲内でよく、例えば、前記光学活性錯体1モルに対して、0.0001〜0.2モル、好ましくは0.05〜0.1モルである。
反応温度は0〜50℃、好ましくは室温であり、反応時間は3〜48時間、好ましくは12〜30時間である。
また、一般式(8)中、mが1、nが2、pが1である化合物は、前記光学活性錯体1の中のRuHCl(BIRTFP)と上記式(9)で表される化合物とを上記相関移動触媒を用い、前記と同様な方法により製造される。
【0010】
光学活性錯体3: [RuX(Q)(BIRTFP)]L(10)
式中、BIRTFPは前記と同じであり、Xはハロゲン原子を示し(なお、以下、Xはハロゲン原子を示すことを明記しないときがある)、Qはアセトニトリルまたは置換基を有していてもよいベンゼンを示し、Lはハロゲン原子、ClO、PF、BFまたはBPhを示し、Phはフェニル基を示し、Qが置換基を有していてもよいベンゼンの場合、a、b及びcはいずれも1であるか、a及びbが1、cが3であり、Qがアセトニトリルの場合、aは0か1であり、aが0のとき、bは4、cは2であり、aが1のとき、bは2、cは1である。
Qで示される置換基を有してもよいベンゼンは、ベンゼンあるいは炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖を有する低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子等で置換されたベンゼンであり、具体列としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、p−シメン、クメン、アニソール、メチルアニソール、安息香酸メチル、メチル安息香酸メチル、クロロ安息香酸メチル、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ブロモベンゼン、フルオロベンゼン等を挙げることができる。
前記ハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子をいう。
光学活住錯体3の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
[RuCl(ベンゼン)(BIRTFP)]Cl
[RuBr(ベンゼン)(BIRTFP)]Br
[RuI(ベンゼン)(BIRTFP)]I
[RuI(p−シメン)(BIRTFP)]I
[RuI(p−シメン)(BIRTFP)]I
[RuCl(安息香酸メチル)(BIRTFP)]Cl
[RuCl(ベンゼン)(BIRTFP)]ClO
[RuCl(ベンゼン)(BIRTFP)]PF
[RuCl(ベンゼン)(BIRTFP)]BF
[RuCl(ベンゼン)(BIRTFP)]BPh
[Ru(アセトニトリル)(BIRTFP)](BF
[RuCl(アセトニトリル)(BIRTFP)]Cl
【0011】
前記光学活性錯体3は、例えば特開平2−191289号公報に記載の方法により得ることができる。すなわち、一般式(10)中、Qが置換基を有していてもよいベンゼンでX及びLがともにハロゲン原子である化合物は、[RuX(Q)]とBIRTFPとを溶媒中、均一溶液となるまで攪拌し、その後溶媒を留去乾燥することにより製造される。ここで用いられる溶媒としては、メタノール、エタノール、ベンゼン、塩化メチレン及びこれらの混合溶媒等が挙げられる。
反応温度は室温〜100℃、好ましくは用いる溶媒の還流温度であり、反応時間は3〜48時間、好ましくは12〜30時間である。
とくに、一般式(10)中、Qがp−シメンでX及びLがヨウ素原子であり、a及びbが1、cが3である化合物は、[RuI(p−シメン)(BIRTFP)]Iとヨウ素とをメタノール等の熔媒中、15〜30℃で1〜5時間反応させた後、熔媒を留去、乾燥することにより調製される。
また、一般式(10)中、Qが置換基を有していてもよいベンゼンでLがClO、PF、BFまたはBPhである化合物は、[RuX(Q)(BIRTFP)]Xに、一般式にてML (11)
(式中Mは前記と同じ意味を有し、LはClO、PF、BFまたはBPhを示す)で表される塩をメタノール、エタノール、ベンゼン、塩化メチレンなどの溶媒中、15〜30℃で1〜5時間反応させた後、溶媒を留去、乾燥することにより調製される。
更に、一般式(10)中、Qがアセトニトリルでaが1、bが2、cが1である化合物は、例えば、[RuX(Q)(BIRTFP)]Xをアセトニトリルに溶解し、50℃程度で加熱反応させた後、熔媒を留去、乾燥することにより製造され、一般式(10)中、Qがアセトニトリルでaが0、bが4、cが2である化合物は、[RuX(Q)(BIRTFP)]Xをアセトニトリルと他の溶媒の混合溶媒に溶解しておき、これを25〜50℃で反応させた後、溶媒を留去、乾燥することにより製造される。ここでアセトニトリルと混合して用いる他の溶媒としては、メタノール、エタノール、アセトン、塩化メチレン等を挙げることができる。
【0012】
光学活性錯体4: Ru(BIRTFP)J (12)
式中、BIRTFPは前記と同じであり、Jは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又はOCRを示し、Rは炭素数1〜4の低級アルキル基又はハロゲン置換低級アルキル基を示す。ここで低級アルキル基はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基などのアルキル基であり、ハロゲン置換低級アルキル基はハロゲン原子が1個ないし複数個置換した炭素数1〜4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、具体例としては、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基等を挙げることができる。
光学活性錯体4の具体例としては次のものを挙げることができる。
Ru(BIRTFP)Cl
Ru(BIRTFP)Br
Ru(BIRTFP)I
Ru(BIRTFP)(OCCH
Ru(BIRTFP)(OCCF
この光学活性錯体4は例えば次の方法により製造することができる。
まず、一般式(12)中、Jが塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である化合物は、例えば、Tetrahedron Asymmetry,Vol.2,No.7,pp.555−567(1991)記載の方法により得ることができる。すなわち、BIRTFPを溶媒に溶解し、HCl,HBr,HIなどの酸のメタノール溶液を加え反応させることにより製造される。ここで用いられる溶媒としては、塩化メチレン、トルエン、アセトン等を挙げることができる。
【0013】
あるいは、前記光学活性錯体1の中のRuCl(BIRTFP)NEtと、
一般式にてM (13)
(式中、MはNa、K、Liの金属を示し、Lは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を示す)
で表される塩とを、水と疎水性有機溶媒との混合溶媒中、相関移動触媒としての第四級アンモニウム塩または第四級ホスホニウム塩の存在下反応させ、反応終了後、疎水性有機溶媒を取り出し、溶媒を留去乾燥する方法により精製し、製造することができる。
用いられる疎水性有機溶媒としては塩化メチレン、臭化メチレン、トルエン、酢酸エチル等が挙げられ、とくに塩化メチレンが好ましい。また、前記相関移動触媒としての第四級アンモニウム塩または第四級ホスホニウム塩はとくに限定されるものではなく、通常用いられるものであるが、具体的には、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、塩化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、塩化テトラ(n−オクチル)アンモニウム、塩化ベンジルトリ(n−ブチル)アンモニウム、臭化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、臭化テトラ(n−オクチル)アンモニウム、ヨウ化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、塩化ベンジルトリフェニルアンモニウム、臭化テトラ(n−ブチル)ホスホニウム、臭化ベンジルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化テトラフェニルホスホニウムが挙げられ、とくに臭化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、ヨウ化テトラ(n−ブチル)アンモニウム、臭化テトラ(n−ブチル)ホスホニウムが好ましい。
前記相関移動触媒の使用量は通常用いられる量の範囲内でよく、例えば、前記RuCl(BIRTFP)NEt 1モルに対して、0.0001〜0.2モル、好ましくは0.05〜0.1モルである。
反応温度は0〜50℃、好ましくは室温であり、反応時間は3〜48時間、好ましくは12〜30時間である。
また、一般式(12)中、JがOCR(Rは前記と同じである)である化合物は、例えば、OCR(Rは前記と同じである)で表わされる基を含むカルボン酸塩とRuCl(BIRTFP)NEtとをアルコール溶媒中で反応させることにより製造され、一般式(12)中、Jがトリフルオロメチル基である化合物は、例えば、Ru(BIRTFP)(OCCHにトリフルオロ酢酸を反応させることにより製造される。
【0014】
光学活性錯体5: RuG(BIRTFP) (14)
式中、BIRTFPは前記と同じであり、Gはアリル基又はメタリル基を示す。
光学活性錯体5の具体例としては次のものを挙げることができる。
Ru(C(BIRTFP) (式中、Cはアリル基を示す)
Ru(C(BIRTFP) (式中、Cはメタリル基を示す)
この光学活性錯体5も上記製法と同様な方法で調製することができる。すなわち、上記Tetrahedron Asymmetry,Vol.2,No.7,pp.555−567(1991)記載の方法に準じて、一般式RuG(COD)(式中Gは前記と同じである)とBIRTFPをアルゴン雰囲気下ヘキサン等の溶媒中50℃で3〜48時間加熱反応させ、溶媒を留去後、乾燥することにより製造される。
【0015】
光学活性錯体6: [M(D)(BIRTFP)]L’ (15)
式中、BIRTFPは前記と同じであり、MはRhあるいはIrを示し、Dはノルボルナジエン(以下、NBDという)あるいはCODを示し、L’はClO、PF、BFまたはBPh(Phはフェニル基を示す)を示す。
光学活性錯体6の具体例としては次のものを挙げることができる。
[Rh(COD)(BIRTFP)]ClO
[Rh(COD)(BIRTFP)]PF
[Rh(NBD)(BIRTFP)]BF
[Rh(NBD)(BIRTFP)]BPh
[Ir(COD)(BIRTFP)]ClO
[Ir(COD)(BIRTFP)]PF
[Ir(NBD)(BIRTFP)]BF
[Ir(NBD)(BIRTFP)]BPh
光学活性錯体6のうちMがRhである化合物は、例えばJ.Am.Chem.Soc.,93,30,89(1971)に記載の方法により得ることができる。すなわち、[Rh(D)L’]から合成される[Rh(D)]L’とBIRTFPを塩化メチレン中、室温で反応させた後、塩化メチレンを減圧留去することにより製造される。
また、光学活性錯体6のうちMがIrである化合物は、例えばJ.Chem.Soc.(A)2334,(1971)に記載の方法により得ることができる。すなわち、[Ir(D)(CHCN)]L’とBIRTFPを塩化メチレン中、室温で反応させた後、塩化メチレンを減圧留去することにより製造される。
【0016】
光学活性錯体7: MX’(BIRTFP) (16)
式中、BIRTFPは前記と同じであり、MはNiあるいはPdを示し、X’は塩素原子または臭素原子を示す。
光学活性錯体7の具体例としては次のものを挙げることができる。
NiCl(BIRTFP)
NiBr(BIRTFP)
PdCl(BIRTFP)
PdBr(BIRTFP)
この光学活性錯体7のうちMがNiである化合物は、例えばJ.Chem.Soc.,3239(1965)に記載の方法により得ることができる。すなわち、NiX’のエタノール溶液にBIRTFPのエタノール溶液を加え反応し、析出する固体を濾過、真空乾燥することにより製造される。
また、光学活性錯体7のうちMがPdである化合物は、例えばJ.Chem.Soc.,2537(1962)に記載の方法により得ることができる。すなわち、PdClとBIRTFPをエタノール中で還流反応した後、エタノールを減圧留去することにより製造される。
以上の光学活性錯体1〜7中のBIRTFPは、(+)体または(−)体のいずれかを用いる。また、本発明においては、これらの(+)体または(−)体のいずれかを選択することにより、所望する絶対配置の光学活性化合物を得ることができる。
なお、この光学活性錯体5を不斉水素化反応の錯体触媒成分として使用する場合は、錯体に、アセトン、トルエン等の溶媒の存在下、塩酸、トリフルオロ酢酸、臭化水素酸等から適宜選ばれる酸を加え、減圧下で過剰の酸及び溶媒を留去した後に用いることが好ましい。
【0017】
かくして得られた遷移金属錯体は各種基質の不斉水素化反応の触媒として有用である。とくに、アセト酢酸エステル誘導体あるいはジケテンの不斉水素化反応に利用することができる。
このアセト酢酸エステル誘導体としては、下記一般式(17)
【化3】
Figure 0003892118
Figure 0003892118
(式中Rは水素原子あるいはハロゲン原子を示し、Rは炭素数1〜4の直鎖または分岐アルキル基あるいは置換基を有してもよいベンジル基を示す)
で表されるものであり、具体的にはアセト酢酸メチル、アセト酢酸t−ブチル、アセト酢酸ベンジル、4−クロロアセト酢酸メチル、4−クロロアセト酢酸エチル等が挙げられる。これらは市販品で合成品でも使用可能である。なお、この基質を不斉水素化する際には、不斉水素化反応の前に蒸留処理する事が好ましい。このアセト酢酸エステル誘導体を不斉水素化すると、下記一般式(18)
【化4】
Figure 0003892118
Figure 0003892118
(式中、R、Rは上記と同じであり、*は不斉炭素原子を意味する)
で表される光学活性な化合物を得ることができる。具体的には、光学活性な3−ヒドロキシ酪酸メチル、3−ヒドロキシ酪酸t−ブチル、3−ヒドロキシ酪酸ベンジル、4−クロロ−3−ヒドロキシ酪酸メチル、4−クロロ−3−ヒドロキシ酪酸エチル等が挙げられる。
上記ジケテンは下記一般式(19)
【化5】
Figure 0003892118
Figure 0003892118
で表される化合物であり、市販品で合成品でも使用可能である。なお、この基質を不斉水素化する際には、不斉水素化反応の前に蒸留処理する事が好ましい。
このジケテンを不斉水素化すると、下記一般式(20)
【化6】
Figure 0003892118
Figure 0003892118
(式中、*は不斉炭素原子を意味する)
で表される光学活住なβ−ブチロラクトンを得ることができる。
【0018】
不斉水素化反応条件は特に限定されるものではないが、好ましくは次のとおりである。
触媒として用いる遷移金属錯体の使用量は、基質1モルに対して0.0001モル〜0.01モル、好ましくは0.0005モル〜0.002モルである。
反応溶媒としては特に限定されず、例えば、塩化メチレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、THF、1、4−ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、t−ブタノール、ベンゼン、トルエン等が挙げられる。この溶媒を単独で用いてもよいが、2種類以上の混合溶媒として用いてもよい。
不斉水素化反応の反応温度や反応時間などは、用いる基質、錯体触媒、溶媒等により異なるが、通常、室温〜100℃にて、1時間〜50時間反応させる。このときの水素圧は5〜100kgf/cmが好適である。
【0019】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらになんら制約されるものではない。
なお、実施例および比較例中で得られた化合物の分析は次の測定機器を用いて行った。
Figure 0003892118
実施例1−a 1−(ジフェニルホスフィニル)−3−トリフルオロメチルベンゼンの合成
窒素雰囲気下、1−ブロモ−3−トリフルオロメチルベンゼン24.5g(109mmol)をTHF200mlに溶解した。この溶液をドライアイス−アセトン浴で冷却し、1.6M:n−ブチルリチウムヘキサン溶液71.6mlを1時間で滴下した。滴下ロートを蒸留THF30mlで洗浄し、さらに2時間撹拌した。つづいてジフェニルホスフィニルクロリド29.0g(120mmol)のTHF60ml溶液をドライアイス−アセトン浴下30分で滴下した。滴下終了後、滴下ロートをTHF30mlで洗浄し、さらに撹拌しながら室温まで放置し、反応溶液を200mlまで濃縮した。2N:水酸化ナトリウム水溶液を200ml加えTHFで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。炭酸カリウムで乾燥後、濾過濃縮し褐色油状物を得た。これをカラムクロマトグラフィー(SiO350g,CHCl/CHCOOC=6/1)で単離することにより、淡黄色油状物の標記化合物を14.56g(45.5%)得た。
H−NMR(CDCl,δppm): 7.49(dt,4H),7.59(dt,2H),7.62(dt,1H),7.67(dd,4H),7.8(d,1H),7.84(dd,1H),7.99(d,1H)
31P−NMR(CDCl,δppm):28.5(s)
【0020】
実施例1−b 1−(ジフェニルホスフィニル)−2−ヨード−3−トリフルオロメチルベンゼンの合成
窒素雰囲気下、水酸化カリウムにより脱水したジイソプロピルアミン5.64g(55.7mmol)をTHF50mlに溶解し、ドライアイス−アセトン浴中で冷却しながら1.6M:n−ブチルリチウムヘキサン溶液30.2ml(48.3mmol)を15分で滴下した。
同様に窒素雰囲気下で別の反応フラスコに、1−(ジフェニルホスフィニル)−3−トリフルオロメチルベンゼン12.9g(37.1mmol)とTHF200mlを加え、溶解した。この溶液をドライアイス−アセトン浴で冷却し、前述のとうり調製したリチウムジイソプロピルアミド(48.3mmol)のTHF50ml溶液を1時間で滴下した。2時間撹拌後、ヨウ素12.25g(48.3mmol)のTHF100ml溶液を30分で滴下した。室温になるまで撹拌し、チオ硫酸ナトリウム水溶液(Na 3g/HO 50ml)と飽和食塩水を加え、THFで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去しクロマトグラフィー(SiO 400g,CHCl)で分離した。濃縮後、得られた黒褐色固体にTHF100ml,ジイソプロピルエーテル50mlを加え、超音波洗浄器中で洗浄することにより淡黄色結晶の標記化合物を8.11g(46.2%)得た。
H−NMR(CDCl,δppm): 7.29(dd,1H),7.41(t,1H),7.48(dt,4H),7.57(dt,2H),7.68(dd,4H),7.75(d,1H)
31P−NMR(CDCl,δppm): 35.5(s)
【0021】
実施例1−c 2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルの合成
窒素雰囲気下、1−(ジフェニルホスフィニル)−2−ヨード−3−トリフルオロメチルベンゼン4.16g(8.81mmol)を40mlのジメチルホルムアミドに熔解し、銅粉1.5gを加え100℃で30分間撹拌した。放冷後、ジメチルホルムアミドを減圧下留去し、クロマトグラフィー(SiO 70g,CHCl)で精製した。酢酸エチルより再結晶を行い、白色結晶の標記化合物を0.64g(21%)得た。
1H−NMR(CDCl,δppm): 7.16(dt,4H),7.28(t,2H),7.4(dt,4H),7.45−7.62(m,14H),7.81(d,2H)
31P−NMR(CDCl,δppm):30.6(s)
【0022】
実施例1−d 2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルの光学分割
2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル0.69g(1mmol)と(−)−ジベンジル酒石酸一水和物0.395g(1.05mmol)をクロロホルム15ml、酢酸エチル5mlに加熱溶解した。室温まで放置し、析出した結晶0.40gろ濾過した。この結晶をクロロホルム5mlに溶解し、1N水酸化ナトリウム水溶液を5ml加え室温で14時間撹拌した。クロロホルムで分液抽出後、乾燥し、溶媒を留去し、白色結晶を得た。この結晶の旋光度が一定の値を示すまで上述の操作を繰り返し行い、(−)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ジ(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル0.32gを得た。[α]D25=−2.57°(c=0.7,CHCl
同様の操作で(+)−ジベンジル酒石酸を用い、(+)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ジ(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルを得た。
[α]D25=+2.56゜(c=0.7,CHCl
【0023】
実施例1−e (−)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルの合成
(−)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル0.32g(0.464mmol)をキシレン10mlに溶解した。室温でN,N−ジメチルアニリン0.42g(2.78mmol)を加えた。反応溶液を0℃に冷却しながら、トリクロロシラン0.25g(1.86mmol)を加えた後、室温で30分、100℃で1時間、120℃で6.5時間、130℃で17時間撹拌した。反応溶液を室温まで放冷し、30%水酸化ナトリウム水溶液を20ml加えた。トルエンで抽出水洗し、乾燥後溶媒を留去した。得られた油状物をエタノールから再結晶し、(−)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル(以下、(−)−BIFLUPと略す)を0.18g得た。
H−NMR(CDCl,δppm): 7.09−7.15(m,4H),7.15−7.24(m,10H),7.24−7.36(m,6H),7.48(d,4H),7.8(t,2H)
31P−NMR(CDCl,δppm): −15.2(s)
[α]D25=−45.87゜(c=1.09,CHCl
同様の操作で、(+)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィニル)−6,6’−ジ(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルを用いることにより、(+)−2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル(以下、(+)−BIFLUPと略す)を得た。
[α]D25=+45.88゜(c=1.09,CHCl
【0024】
実施例2 RuCl((+)−BIFLUP)NEtの合成
窒素気流下、(+)−BIFLUP0.08g(0.121mmol)とRuCl(COD)0.34g(0.121mmol)をトルエン10mlに懸濁し、トリエチルアミン0.06g(0.607mmol)を加え130℃で均一溶液となるまで8時間撹拌した。トルエンと過剰のトリエチルアミンを減圧留去後50℃で真空乾燥し、錯体を得た。
実施例3 [RuCl(benzene)((−)−BIFLUP)]Clの合成
窒素気流下、(−)−BIFLUP0.1g(0.152mmol)と[RuCl(benzene)]0.038g(0.0759mmol)を塩化メチレン20ml、エタノール13mlに懸濁し、50℃で均一溶液となるまで23時間撹拌した。溶媒を減圧留去後50℃で真空乾燥し、錯体を得た。
31P−NMR(CDCl,δppm): 33−5(d),42.2(d)
実施例4 [RuI(benzene)((+)−BIFLUP)]Iの合成
窒素気流下、(+)−BIFLUP0.1g(0.152mmol)と[RuI(benzene)]0.0657g(0.0759mmol)を塩化メチレン20ml、エタノール30mlに懸濁し、50℃で均一溶液となるまで96時間撹拌した。溶媒を減圧留去後50℃で真空乾燥し、錯体を得た。
31PNMR(CDCl,δppm): 32.8(d),39.6(d)
【0025】
実施例5 RuI((+)−BIFLUP)の合成
窒素気流下、実施例2で得られた錯体0.0546g(0.031mmol)とヨウ化ナトリウム0.093g(0.62mmol)を塩化メチレン10mlに溶解した。この溶液にテトラブチルアンモニウムブロマイド一片、水10mlを加え、室温で2時間撹拌した。塩化メチレン相を3回水洗した後、塩化メチレンを減圧留去した。50℃で真空乾櫟し、錯体を得た。
実施例6 [Rh(COD)((+)−BIFLUP)]BFの合成
窒素気流下、(+)−BIFLUP0.0057g(0.00866mmol)と[Ru(COD)]BF0.00351g(0.00866mmol)を塩化メチレン20mlに溶解し、室温で2時間撹拌した。溶媒を減圧留去後50℃で真空乾燥し、錯体を得た。
31P−NMR(CDCl,δppm): 27.9(s),28.8(s)
【0026】
実施例7 4−クロロアセト酢酸エチルの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブに炭酸ナトリウム21mg、RuCl((−)−BIFLUP)NEt14.1mg(0.008mmol)を入れ、窒素置換した。これにエタノール6.6ml、4−クロロアセト酢酸エチル2.7ml(20mmol)を加え、オートクレーブ内を水素置換した。水素圧を10kgf/cmとし、100℃で2時間撹拌した。反応終了後、ガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィーで転化率、選択率、光学純度を測定した。転化率100%、選択率96.3%、光学純度96.8%eeで4−クロロ−(S)−3−ヒドロキシ酪酸が得られた。
Figure 0003892118
【0027】
実施例8 ジケテンの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブに[RuCl(benzene)((−)−BIFLUP)]Cl54mg(0.0595mmol)を入れ、窒素置換した。これにTHF35ml、ジケテン5g(59.5mmol)を加え、オートクレーブ内を水素置換した。水素圧を100kgf/cmとし、50℃で26.5時間撹拌した。反応終了後、実施例8と同じガスクロマトグラフィー条件で転化率、選択率、光学純度を測定した。転化率100%、選択率96.3%、光学純度95.5%eeである(S)−β−ブチロラクトンが得られた。
実施例9 ジケテンの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブに[RuI(benzene)((+)−BIFLUP)]I129mg(0.119mmol)を入れ、窒素置換した。これにTHF35ml、ジケテン5g(59.5mmol)を加え、オートクレーブ内を水素置換した。水素圧を90kgf/cmとし、50℃で22時間撹拌した。反応終了後、実施例8と同様のガスクロマトグラフィー条件で転化率、選択率、光学純度を測定した。転化率100%、選択率、97.2%、光学純度94.8%eeで(R)−β−ブチロラクトンが得られた。
【0028】
比較例1 4−クロロアセト酢酸エチルの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブにRuCl((R)−BINAP)NEt13.5mg(0.008mmol)を入れた他は実施例7と同じ操作を行い、転化率100%、95.9%、光学純度94.4%eeで4−クロロ−(S)−3−ヒドロキシ酪酸エチルを得た。
比較例2 4−クロロアセト酢酸エチルの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブにRuCl((R)−BIPHEMP)NEt12.4mg(0.008mmol)を入れ、窒素置換した。これにエタノール6.6ml、4−クロロアセト酢酸エチル2.7ml(20mmol)を加え、オートクレーブ内を水素置換した。水素圧を10kgf/cmとし、100℃で2時間撹拌した。反応終了後、実謝列5と同様のクロマトグラフィー条件で転化率、選択率、光学純度を測定した。転化率95.5%、選択率93.9%、光学純度95.7%eeで4−クロロ−(S)−3−ヒドロキシ酪酸エチルが得られた。
【0029】
比較例3 ジケテンの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブにRuCl((S)−BINAP)NEt84.5mg(0.05mmol)を入れ、窒素置換した。これにTHF28ml、ジケテン4.2g(50mmol)を加え、オートクレーブ内を水素置換した。水素圧を100kgf/cmとし、50℃で70時間撹拌した。
反応終了後、実施例6と同様のガスクロマトグラフィー条件で転化率、選択率、光学純度を測定した。転化率100%、選択率98.4%、光学純度90.6%eeで(R)−β−ブチロラクトンが得られた。
比較例4 ジケテンの不斉水素化
ステンレス製オートクレーブに[RuI(benzene)((S)−T−BINAP)]I55.6mg(0.05mmol)を入れ、窒素置換した。これにTHF28ml、ジケテン4.2g(50mmol)を加え、オートクレーブ内を水素置換した。水素圧を100kgf/cmとし、50℃で29.5時間撹拌した。反応終了後、実施例6と同様のガスクロマトグラフィー条件で転化率、選択率、光学純度を測定した。転化率67.6%、選択率99.2%、光学純度91.4%eeで(R)−β−ブチロラクトンが得られた。
【0030】
【発明の効果】
本発明により製造される新規なホスフィン化合物は、不斉合成用触媒の配位子として優れており、これと遷移金属との錯体は優れた触媒活性を有し、この錯体を不斉水素化などの不斉合成用触媒として用いることにより、光学純度の高い生成物を効率よく得ることが可能である。得られた光学活性化合内は、ポリマー原料、医楽品原料、液晶材料等の有機合成化学工業における中間体として極めて有用である。

Claims (3)

  1. 次式(1)
    Figure 0003892118
    Figure 0003892118
    (Rはフェニル基または低級アルキル基、低級アルコキシル基、ハロゲン原子、低級ハロアルキル基で置換されたフェニル基を示す)
    で表される2,2’−ビス(ジアリールホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニル。
  2. 請求項1記載の2,2’−ビス(ジアリールホスフィノ)−6,6’−ビス(トリフルオロメチル)−1,1’−ビフェニルを配位子とするロジウム錯体,ルテニウム錯体,イリジウム錯体,パラジウム錯体,ニッケル錯体から選ばれる遷移金属錯体。
  3. 請求項2記載の遷移金属錯体の存在下に、アセト酢酸エステル誘導体あるいはジケテンを不斉水素化することを特徴とする光学活性な3−ヒドロキシ酪酸エステル誘導体あるいはβ−ブチロラクトンの製造方法。
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