JP3489152B2 - ホスフィン化合物およびそれを配位子とする遷移金属錯体 - Google Patents
ホスフィン化合物およびそれを配位子とする遷移金属錯体Info
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- JP3489152B2 JP3489152B2 JP26350693A JP26350693A JP3489152B2 JP 3489152 B2 JP3489152 B2 JP 3489152B2 JP 26350693 A JP26350693 A JP 26350693A JP 26350693 A JP26350693 A JP 26350693A JP 3489152 B2 JP3489152 B2 JP 3489152B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なホスフィン化合
物に関し、更に詳しくはルテニウム、パラジウム、ロジ
ウム、イリジウム、ニッケル等の遷移金属と錯体を形成
することによって、様々な不斉合成反応における有用な
触媒となりうるホスフィン化合物に関するものである。
物に関し、更に詳しくはルテニウム、パラジウム、ロジ
ウム、イリジウム、ニッケル等の遷移金属と錯体を形成
することによって、様々な不斉合成反応における有用な
触媒となりうるホスフィン化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、不斉合成反応に用いられる遷移金
属触媒については数多くの報告がなされており、これら
の中でも光学活性なホスフィン化合物を配位子とするル
テニウム、パラジウム、ロジウム等の遷移金属錯体は、
不斉合成の触媒として優れた性能を有することが広く知
られている。（日本化学会編、化学総説３２「有機金属
錯体の化学」、PP237 〜238 、昭和５７年）。
属触媒については数多くの報告がなされており、これら
の中でも光学活性なホスフィン化合物を配位子とするル
テニウム、パラジウム、ロジウム等の遷移金属錯体は、
不斉合成の触媒として優れた性能を有することが広く知
られている。（日本化学会編、化学総説３２「有機金属
錯体の化学」、PP237 〜238 、昭和５７年）。
【０００３】更に、軸不斉を有する２，２’−ビスジフ
ェニルホスフィノ−１，１’−ビナフチルは特に優れた
配位子であることが知られており、特開昭５５−６１９
３７号公報には、これを配位子としたロジウム錯体が報
告されている。
ェニルホスフィノ−１，１’−ビナフチルは特に優れた
配位子であることが知られており、特開昭５５−６１９
３７号公報には、これを配位子としたロジウム錯体が報
告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反応の
種類またはその反応基質によっては、これらのホスフィ
ン錯体を用いても、生成物の選択性、転化率、触媒作用
の持続性等の点で必ずしも充分なものとは言い難いもの
であった。
種類またはその反応基質によっては、これらのホスフィ
ン錯体を用いても、生成物の選択性、転化率、触媒作用
の持続性等の点で必ずしも充分なものとは言い難いもの
であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような問題点を解決
するために、ホスフィン化合物について種々検討の結
果、全く新しい構造を持つホスフィン化合物を見いだ
し、本発明を完成するに至った。
するために、ホスフィン化合物について種々検討の結
果、全く新しい構造を持つホスフィン化合物を見いだ
し、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、一般式（１）
（式中、Ｒは、炭素数５〜７のシクロアルキル基；低級
アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基も
しくはハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル
基；または低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級
アルコキシ基もしくはハロゲン原子で置換されていても
よいフェニルアルキル基を示す。）で示されるホスフィ
ン化合物および該ホスフィン化合物を配位子とする遷移
金属錯体を提供するものである。
アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基も
しくはハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル
基；または低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級
アルコキシ基もしくはハロゲン原子で置換されていても
よいフェニルアルキル基を示す。）で示されるホスフィ
ン化合物および該ホスフィン化合物を配位子とする遷移
金属錯体を提供するものである。
【０００７】以下本発明について詳細に説明する。本発
明の一般式（１）で示されるホスフィン化合物に於い
て、置換基Ｒの炭素数５〜７のシクロアルキル基として
は、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基等が挙げられる。また、ハロゲン原子、低級アル
キル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基で置換
されていてもよいフェニル基のうち、低級アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
イソプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、ハロ低級
アルキル基としては、トリフルオロメチル基等が挙げら
れる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等
が挙げられ、低級アルコキシ基としては、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキ
シ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。かかる置換基の
数は１から５の間の任意の整数である。フェニルアルキ
ル基としては、ベンジル基、１−フェネチル基、２−フ
ェネチル基、フェニルプロピル基などが挙げられる。フ
ェニルアルキル基のフェニルはハロゲン原子、低級アル
キル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基で置換
されていてもよく、その具体例及び置換基の数は上で説
明したフェニル基の場合と全く同様である。
明の一般式（１）で示されるホスフィン化合物に於い
て、置換基Ｒの炭素数５〜７のシクロアルキル基として
は、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基等が挙げられる。また、ハロゲン原子、低級アル
キル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基で置換
されていてもよいフェニル基のうち、低級アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
イソプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられ、ハロ低級
アルキル基としては、トリフルオロメチル基等が挙げら
れる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等
が挙げられ、低級アルコキシ基としては、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキ
シ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。かかる置換基の
数は１から５の間の任意の整数である。フェニルアルキ
ル基としては、ベンジル基、１−フェネチル基、２−フ
ェネチル基、フェニルプロピル基などが挙げられる。フ
ェニルアルキル基のフェニルはハロゲン原子、低級アル
キル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基で置換
されていてもよく、その具体例及び置換基の数は上で説
明したフェニル基の場合と全く同様である。
【０００８】また、本発明のホスフィン化合物（１）に
は、光学活性体である（＋）体および（−）体が存在
し、本発明はこれらの（＋）体、（−）体およびラセミ
体のいずれをも含むものである。
は、光学活性体である（＋）体および（−）体が存在
し、本発明はこれらの（＋）体、（−）体およびラセミ
体のいずれをも含むものである。
【０００９】本発明のホスフィン化合物（１）は、例え
ば次の反応経路に従って製造することができる。 （Ｒは、前記と同じ意味を有する。）
ば次の反応経路に従って製造することができる。 （Ｒは、前記と同じ意味を有する。）
【００１０】すなわち、ホスフィンクロリド（５）はエ
ーテルあるいはテトラヒドロフラン溶媒中マグネシウム
と臭化物から得られるグリニャール試薬（８）とこれに
対し0.5 当量以下の３塩化隣を加え、反応させることに
よって容易に合成することができる。 得られたホスフ
ィンクロリド（５）をジクロロメタン溶媒中１当量以上
のジメチルスルホキシドを用いて酸化すればホスホニル
クロリド（６）が得られる。 ホスフィンクロリド
（５）およびホスホニルクロリド（６）はそれぞれ必要
により蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等により精製
することができる。
ーテルあるいはテトラヒドロフラン溶媒中マグネシウム
と臭化物から得られるグリニャール試薬（８）とこれに
対し0.5 当量以下の３塩化隣を加え、反応させることに
よって容易に合成することができる。 得られたホスフ
ィンクロリド（５）をジクロロメタン溶媒中１当量以上
のジメチルスルホキシドを用いて酸化すればホスホニル
クロリド（６）が得られる。 ホスフィンクロリド
（５）およびホスホニルクロリド（６）はそれぞれ必要
により蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等により精製
することができる。
【００１１】別途、アセトニトリル溶媒中当量の臭素と
トリフェニルホスフィンを反応させ、つぎに0.5 −1.0
当量の３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ビフェナン
トリル（２）を加え、５０℃以上にて加熱、さらに溶媒
を留去したのち２００℃以上にて反応が完結するまで加
熱することにより３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフ
ェナントリル（３）を得ることができる。必要により再
結晶、クロマトグラフィー等により精製することができ
る。 次に、エーテルあるいはテトラヒドロフラン溶媒
中３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル
（３）と２当量以上の金属マグネシウムを反応させ一般
式（４）で示されるグリニャール試薬（４）を得た後、
さきに得られたホスフィンクロリド（５）を２当量以上
加え、必要により加熱し、カップリングさせることによ
り３，３’−ビス置換ホスフィニル−４，４’−ビフェ
ナントリル（１）とすることができる。あるいはまた、
一般式（４）で示されるグリニャール試薬と２当量以上
のホスホニルクロリド（６）を必要により加熱し、カッ
プリングさせ、３，３’−ビス置換ホスホニル−４，
４’−ビフェナントリル（７）に導いた後、化合物
（７）をトルエン、キシレンあるいはクロルベンゼン溶
媒中トリブチルアミン、トリエチルアミン等の有機アミ
ンを触媒として用い、１当量以上、好ましくは５当量以
上のトリクロロシランを加え、加熱下、還元することに
よって３，３’−ビス置換ホスフィニル−４，４’−ビ
フェナントリル（１）とすることができる。さらに必要
により再結晶、クロマトグラフィー等により精製するこ
とができる。なお、上記反応後の後処理、精製は常法に
したがって処理することによって行うことができる。
トリフェニルホスフィンを反応させ、つぎに0.5 −1.0
当量の３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ビフェナン
トリル（２）を加え、５０℃以上にて加熱、さらに溶媒
を留去したのち２００℃以上にて反応が完結するまで加
熱することにより３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフ
ェナントリル（３）を得ることができる。必要により再
結晶、クロマトグラフィー等により精製することができ
る。 次に、エーテルあるいはテトラヒドロフラン溶媒
中３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル
（３）と２当量以上の金属マグネシウムを反応させ一般
式（４）で示されるグリニャール試薬（４）を得た後、
さきに得られたホスフィンクロリド（５）を２当量以上
加え、必要により加熱し、カップリングさせることによ
り３，３’−ビス置換ホスフィニル−４，４’−ビフェ
ナントリル（１）とすることができる。あるいはまた、
一般式（４）で示されるグリニャール試薬と２当量以上
のホスホニルクロリド（６）を必要により加熱し、カッ
プリングさせ、３，３’−ビス置換ホスホニル−４，
４’−ビフェナントリル（７）に導いた後、化合物
（７）をトルエン、キシレンあるいはクロルベンゼン溶
媒中トリブチルアミン、トリエチルアミン等の有機アミ
ンを触媒として用い、１当量以上、好ましくは５当量以
上のトリクロロシランを加え、加熱下、還元することに
よって３，３’−ビス置換ホスフィニル−４，４’−ビ
フェナントリル（１）とすることができる。さらに必要
により再結晶、クロマトグラフィー等により精製するこ
とができる。なお、上記反応後の後処理、精製は常法に
したがって処理することによって行うことができる。
【００１２】この反応で原料として使用される３，３’
−ジヒドロキシ−４，４’−ビフェナントリル（２）が
光学活性であれば得られる３，３’−ビス置換ホスフィ
ニル−４，４’−ビフェナントリル（１）は光学活性化
合物であり、先で説明した反応中ラセミ化は起こらな
い。これは、原料である３，３’−ジヒドロキシ−４，
４’−ビフェナントリル（２）の化学構造上の理由によ
る為であり、上記で説明した各々の反応ではラセミ化せ
ず、軸不斉の環境を保持して進行する。したがって、出
発原料に光学活性なビフェナントロール（２）を用いれ
ば、最終生成物には光学活性な化合物（１）が得られ
る。また、ラセミ体のビフェナントロール（２）を用い
れば、ラセミ体の化合物（１）が得られてくる。よっ
て、使用の目的により、光学活性体およびラセミ体を作
り分けることが可能である。
−ジヒドロキシ−４，４’−ビフェナントリル（２）が
光学活性であれば得られる３，３’−ビス置換ホスフィ
ニル−４，４’−ビフェナントリル（１）は光学活性化
合物であり、先で説明した反応中ラセミ化は起こらな
い。これは、原料である３，３’−ジヒドロキシ−４，
４’−ビフェナントリル（２）の化学構造上の理由によ
る為であり、上記で説明した各々の反応ではラセミ化せ
ず、軸不斉の環境を保持して進行する。したがって、出
発原料に光学活性なビフェナントロール（２）を用いれ
ば、最終生成物には光学活性な化合物（１）が得られ
る。また、ラセミ体のビフェナントロール（２）を用い
れば、ラセミ体の化合物（１）が得られてくる。よっ
て、使用の目的により、光学活性体およびラセミ体を作
り分けることが可能である。
【００１３】ちなみに、従来のビナフチル系、あるいは
ビフェニル系のホスフィン化合物は、たとえ原料に光学
活性体を利用しても、上記各工程の反応でラセミ化する
ため、反応途中で光学分割する必要があり、収率の低下
や操作性で煩雑さが避けられなかった。
ビフェニル系のホスフィン化合物は、たとえ原料に光学
活性体を利用しても、上記各工程の反応でラセミ化する
ため、反応途中で光学分割する必要があり、収率の低下
や操作性で煩雑さが避けられなかった。
【００１４】また、本発明によって得られる光学活性な
ホスフィン化合物（１）は、配位子として遷移金属に配
位し、錯体を形成する。この錯体を形成する遷移金属と
しては、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ム、ニッケル等が挙げられる。本発明に係る遷移金属錯
体のうち、例えばパラジウム錯体を製造する方法の例と
しては、日本化学会編「第４版 実験化学講座」、第１
８巻、有機金属錯体、１９９１年 丸善 Ｐ．３９３に
記載の方法に従い、ジベンゾニトリルパラジウムジクロ
リドと本発明の光学活性なホスフィン化合物（１）を反
応させて製造することができる。
ホスフィン化合物（１）は、配位子として遷移金属に配
位し、錯体を形成する。この錯体を形成する遷移金属と
しては、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウ
ム、ニッケル等が挙げられる。本発明に係る遷移金属錯
体のうち、例えばパラジウム錯体を製造する方法の例と
しては、日本化学会編「第４版 実験化学講座」、第１
８巻、有機金属錯体、１９９１年 丸善 Ｐ．３９３に
記載の方法に従い、ジベンゾニトリルパラジウムジクロ
リドと本発明の光学活性なホスフィン化合物（１）を反
応させて製造することができる。
【００１５】８さらに他の遷移金属錯体は以下の公知文
献に準じて製造することができる。 Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９３, ２３９７（１９７
１） Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．９２
２（１９８５） Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３１，２２７７（１９８８） 特開昭６１−６３６９０号公報等。
献に準じて製造することができる。 Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．９３, ２３９７（１９７
１） Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．９２
２（１９８５） Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．３１，２２７７（１９８８） 特開昭６１−６３６９０号公報等。
【００１６】金属錯体としては、例えば下記に示すよう
な金属のゼロ価あるいはカチオンの錯体を使用すること
ができる。かかる金属錯体の具体例は、たとえば以下の
ようなものが挙げられる。 ［Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＣｌＯ
4 Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））Ｃｌ ［Ｒｈ（ＮＢＤ）（ホスフィン化合物（１））］Ｃｌ Ｒｈ（ＣＯ）Ｃｌ（ホスフィン化合物（１）） ＰｄＣｌ2(ホスフィン化合物（１）） ＲｕＣｌ4(ホスフィン化合物（１））2(Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 ） Ｒｕ（ａｃａｃ）2 （ホスフィン化合物（１）） ［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（ホスフィン化合物
（１））］Ｃｌ ［Ｉｒ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＢＦ4 ［Ｉｒ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＰＦ6 ［Ｉｒ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＣｌＯ
4 ＮｉＣｌ2 （ホスフィン化合物（１） （式中、ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエンを、ＮＢ
Ｄはノルボルナジエンを、ａｃａｃはアセチルアセトナ
ート示す。）
な金属のゼロ価あるいはカチオンの錯体を使用すること
ができる。かかる金属錯体の具体例は、たとえば以下の
ようなものが挙げられる。 ［Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＣｌＯ
4 Ｒｈ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））Ｃｌ ［Ｒｈ（ＮＢＤ）（ホスフィン化合物（１））］Ｃｌ Ｒｈ（ＣＯ）Ｃｌ（ホスフィン化合物（１）） ＰｄＣｌ2(ホスフィン化合物（１）） ＲｕＣｌ4(ホスフィン化合物（１））2(Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 ） Ｒｕ（ａｃａｃ）2 （ホスフィン化合物（１）） ［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（ホスフィン化合物
（１））］Ｃｌ ［Ｉｒ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＢＦ4 ［Ｉｒ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＰＦ6 ［Ｉｒ（ＣＯＤ）（ホスフィン化合物（１））］ＣｌＯ
4 ＮｉＣｌ2 （ホスフィン化合物（１） （式中、ＣＯＤは１，５−シクロオクタジエンを、ＮＢ
Ｄはノルボルナジエンを、ａｃａｃはアセチルアセトナ
ート示す。）
【００１７】遷移金属錯体の製造に用いられる金属化合
物は、例えば下記に示すような金属のゼロ価あるいはカ
チオン化合物であればよく、以下のものが例示される。
Ｒｈ（アセチルアセトナート）（ＮＢＤ）、Ｒｈ（アセ
チルアセトナート）（ＣＯＤ）、Ｒｈ（アセチルアセト
ナート）2 、［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2 、 ［Ｒｈ（Ｎ
ＢＤ）Ｃｌ］2 、［Ｒｈ（Ｃ2 Ｈ4 ）2 Ｃｌ］2 、［Ｒ
ｈ（ＯＣＯＣＨ 3 ）2 Ｃｌ］2 、［Ｒｈ（１，５−ヘキ
サジエン）2 Ｃｌ］2 、Ｒｕ（アセチルアセトナート）
3 。
物は、例えば下記に示すような金属のゼロ価あるいはカ
チオン化合物であればよく、以下のものが例示される。
Ｒｈ（アセチルアセトナート）（ＮＢＤ）、Ｒｈ（アセ
チルアセトナート）（ＣＯＤ）、Ｒｈ（アセチルアセト
ナート）2 、［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2 、 ［Ｒｈ（Ｎ
ＢＤ）Ｃｌ］2 、［Ｒｈ（Ｃ2 Ｈ4 ）2 Ｃｌ］2 、［Ｒ
ｈ（ＯＣＯＣＨ 3 ）2 Ｃｌ］2 、［Ｒｈ（１，５−ヘキ
サジエン）2 Ｃｌ］2 、Ｒｕ（アセチルアセトナート）
3 。
【００１８】
【発明の効果】本発明によって得られるホスフィン化合
物（１）の光学活性体を配位子とする遷移金属錯体を、
不斉合成反応、例えば、不斉還元反応等の触媒として用
いると、高い収率かつ高い不斉収率で選択的に目的物を
得ることができる。また、本発明のホスフィン化合物
（１）の光学活性体のうち、（＋）体または（−）体の
いずれか一方を選択し、これを配位子とする遷移金属錯
体を触媒として使用することにより、不斉合成反応にお
いて目的とする絶対立体配置の生成物を選択的に得るこ
とができる。
物（１）の光学活性体を配位子とする遷移金属錯体を、
不斉合成反応、例えば、不斉還元反応等の触媒として用
いると、高い収率かつ高い不斉収率で選択的に目的物を
得ることができる。また、本発明のホスフィン化合物
（１）の光学活性体のうち、（＋）体または（−）体の
いずれか一方を選択し、これを配位子とする遷移金属錯
体を触媒として使用することにより、不斉合成反応にお
いて目的とする絶対立体配置の生成物を選択的に得るこ
とができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００２０】（参考例）
（光学活性な３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ビフ
ェナントリルの製造）ラセミの３，３’−ジヒドロキシ
−４，４’−ビフェナントリルはＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１０６５（１９８
５）に記載の方法に従い合成した。 このラセミ混合物
４８．８ｇをＨＰＬＣ（カラム：Ｓｕｍｉｃｈｉｒａｌ
ＯＡ−２０００（住友化学製）、移動相：ｎ−ヘキサ
ン／１，２−ジクロロエタン／エタノール＝８０／１５
／５、紫外線検出器：波長２５４ｎｍ）により光学分割
し、（Ｒ）−（−）−３，３’−ジヒドロキシ−４，
４’−ビフェナントリルと（Ｓ）−（＋）−３，３’−
ジヒドロキシ−４，４’−ビフェナントリルを各２２．
８ｇ得た。光学純度はそれぞれ９９．８％ｅｅ、９９．
６％ｅｅであった。かかる光学活性な３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ビフェナントリルの絶対配位はＪ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１０
６５（１９８５）に準じて決定した。
ェナントリルの製造）ラセミの３，３’−ジヒドロキシ
−４，４’−ビフェナントリルはＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１０６５（１９８
５）に記載の方法に従い合成した。 このラセミ混合物
４８．８ｇをＨＰＬＣ（カラム：Ｓｕｍｉｃｈｉｒａｌ
ＯＡ−２０００（住友化学製）、移動相：ｎ−ヘキサ
ン／１，２−ジクロロエタン／エタノール＝８０／１５
／５、紫外線検出器：波長２５４ｎｍ）により光学分割
し、（Ｒ）−（−）−３，３’−ジヒドロキシ−４，
４’−ビフェナントリルと（Ｓ）−（＋）−３，３’−
ジヒドロキシ−４，４’−ビフェナントリルを各２２．
８ｇ得た。光学純度はそれぞれ９９．８％ｅｅ、９９．
６％ｅｅであった。かかる光学活性な３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ビフェナントリルの絶対配位はＪ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１０
６５（１９８５）に準じて決定した。
【００２１】（実施例１）温度計、滴下漏斗を装着した
フラスコに、トリフェニルホスフィン１３．１ｇ（０．
０５ｍｏｌ）とアセトニトリル３０ｍｌを加え、氷冷
下、臭素８．２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を、３０分かけ
て加えた。つぎに、（Ｒ）−（−）−３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ビフェナントリル１７．４ｇ（０．
０４５ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液３０ｍｌを加え
た。６０℃で１時間撹拌後、溶媒を留去した。残渣を２
３０〜２５０℃に昇温、さらに３１０℃で１時間撹拌
後、５０℃まで冷却、トルエン２００ｍｌを加えた。不
溶分を濾別して除き、トルエンを減圧下に留去する。粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：ジクロロメタン）で精製し（Ｒ）−（−）−３，
３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−
１）１０．４ｇを得た。収率４５％。
フラスコに、トリフェニルホスフィン１３．１ｇ（０．
０５ｍｏｌ）とアセトニトリル３０ｍｌを加え、氷冷
下、臭素８．２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を、３０分かけ
て加えた。つぎに、（Ｒ）−（−）−３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ビフェナントリル１７．４ｇ（０．
０４５ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液３０ｍｌを加え
た。６０℃で１時間撹拌後、溶媒を留去した。残渣を２
３０〜２５０℃に昇温、さらに３１０℃で１時間撹拌
後、５０℃まで冷却、トルエン２００ｍｌを加えた。不
溶分を濾別して除き、トルエンを減圧下に留去する。粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：ジクロロメタン）で精製し（Ｒ）−（−）−３，
３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−
１）１０．４ｇを得た。収率４５％。
【００２２】次にここで得た（Ｒ）−（−）−３，３’
−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−１）
５．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム１．０ｇ
（４０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍｌ中で反
応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジフェニ
ルホスホニルクロリド（６−１）５．０ｇ（２１ｍｍｏ
ｌ）のテトラヒドロフラン３０ｍｌ及びトルエン３０ｍ
ｌ溶液を１０〜１５℃で１時間かけて滴下した。後、６
０〜７０℃で３時間撹拌した。反応終了後、１０％塩化
アンモニウム水溶液１００ｍｌを加え、トルエン２００
ｍｌにて抽出した。有機層は分液後、減圧下濃縮し、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ
−ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、（Ｒ）−
３，３’−ビス（ジフェニルホスホリル−４，４’−ビ
フェナントリル（７−１）４．１ｇを得た。収率５４
％。
−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−１）
５．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム１．０ｇ
（４０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍｌ中で反
応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジフェニ
ルホスホニルクロリド（６−１）５．０ｇ（２１ｍｍｏ
ｌ）のテトラヒドロフラン３０ｍｌ及びトルエン３０ｍ
ｌ溶液を１０〜１５℃で１時間かけて滴下した。後、６
０〜７０℃で３時間撹拌した。反応終了後、１０％塩化
アンモニウム水溶液１００ｍｌを加え、トルエン２００
ｍｌにて抽出した。有機層は分液後、減圧下濃縮し、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ
−ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、（Ｒ）−
３，３’−ビス（ジフェニルホスホリル−４，４’−ビ
フェナントリル（７−１）４．１ｇを得た。収率５４
％。
【００２３】次に（Ｒ）−３，３’−ビス（ジフェニル
ホスホリル−４，４’−ビフェナントリル（７−１）
３．０ｇ（４ｍｍｏｌ）、トリブチルアミン１１．１ｇ
（６０ｍｍｏｌ）、トリクロロシラン８．０ｇ（６０ｍ
ｍｏｌ）およびトルエン１００ｍｌの混合溶液を、還流
下に２０時間反応させた。反応終了後冷却し、３Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液９０ｍｌを加え、５０℃で１時間撹
拌した。反応液を分液、有機層を無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去して粗生成物を得た。これをシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチ
ル）で精製し、（Ｒ）−３，３’−ビス（ジフェニルホ
スフィニル−４，４’−ビフェナントリル（１−１）
３．０ｇを得た。収率６９％。
ホスホリル−４，４’−ビフェナントリル（７−１）
３．０ｇ（４ｍｍｏｌ）、トリブチルアミン１１．１ｇ
（６０ｍｍｏｌ）、トリクロロシラン８．０ｇ（６０ｍ
ｍｏｌ）およびトルエン１００ｍｌの混合溶液を、還流
下に２０時間反応させた。反応終了後冷却し、３Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液９０ｍｌを加え、５０℃で１時間撹
拌した。反応液を分液、有機層を無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去して粗生成物を得た。これをシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：酢酸エチ
ル）で精製し、（Ｒ）−３，３’−ビス（ジフェニルホ
スフィニル−４，４’−ビフェナントリル（１−１）
３．０ｇを得た。収率６９％。
【００２４】（実施例２）上で得た（Ｒ）−（−）−
３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３
−１）１．０ｇ（２ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム０．
２ｇ（８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌ中で
反応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジー４
ートリルホスフィニルクロリド（５−２）１．５ｇ（６
ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン５ｍｌ溶液を１０〜１
５℃で１時間かけて滴下した。その後、還流下に５時間
撹拌した。反応終了後、１０％塩化アンモニウム水溶液
２０ｍｌを加え、トルエン７０ｍｌにて抽出した。有機
層は分液後、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（移動相：トルエン／酢酸エチル＝１
／４）で精製し、（Ｒ）−３，３’−ビス（ジ−４−ト
リルホスフィニル−４，４’−ビフェナントリル（１−
２）０．４ｇを得た。収率２５％。
３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３
−１）１．０ｇ（２ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム０．
２ｇ（８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌ中で
反応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジー４
ートリルホスフィニルクロリド（５−２）１．５ｇ（６
ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン５ｍｌ溶液を１０〜１
５℃で１時間かけて滴下した。その後、還流下に５時間
撹拌した。反応終了後、１０％塩化アンモニウム水溶液
２０ｍｌを加え、トルエン７０ｍｌにて抽出した。有機
層は分液後、減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（移動相：トルエン／酢酸エチル＝１
／４）で精製し、（Ｒ）−３，３’−ビス（ジ−４−ト
リルホスフィニル−４，４’−ビフェナントリル（１−
２）０．４ｇを得た。収率２５％。
【００２５】（実施例３）温度計、滴下漏斗を装着した
フラスコに、トリフェニルホスフィン１３．１ｇ（０．
０５ｍｏｌ）とアセトニトリル３０ｍｌを加え、氷冷
下、臭素８．２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を、３０分かけ
て加えた。つぎに、（Ｓ）−（＋）−３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ビフェナントリル１７．４ｇ（０．
０４５ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液３０ｍｌを加え
た。６０℃で１時間撹拌後、溶媒を留去した。残渣を２
３０〜２５０℃に昇温、さらに３１０℃で１時間撹拌
後、５０℃まで冷却、トルエン２００ｍｌを加えた。不
溶分を濾別して除き、トルエンを減圧下に留去する。粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：ジクロロメタン）で精製し（Ｓ）−（＋）−３，
３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−
３）１０．１ｇを得た。収率４４％。
フラスコに、トリフェニルホスフィン１３．１ｇ（０．
０５ｍｏｌ）とアセトニトリル３０ｍｌを加え、氷冷
下、臭素８．２ｇ（０．０５１ｍｏｌ）を、３０分かけ
て加えた。つぎに、（Ｓ）−（＋）−３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ビフェナントリル１７．４ｇ（０．
０４５ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液３０ｍｌを加え
た。６０℃で１時間撹拌後、溶媒を留去した。残渣を２
３０〜２５０℃に昇温、さらに３１０℃で１時間撹拌
後、５０℃まで冷却、トルエン２００ｍｌを加えた。不
溶分を濾別して除き、トルエンを減圧下に留去する。粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：ジクロロメタン）で精製し（Ｓ）−（＋）−３，
３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−
３）１０．１ｇを得た。収率４４％。
【００２６】次にここで得た（Ｓ）−（＋）−３，３’
−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−３）
２．６ｇ（５ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム０．５ｇ
（２０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌ中で反
応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジシクロ
ヘキシルホスホニルクロリド（６−３）３．０ｇ（１２
ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２０ｍｌ及びトルエン
３０ｍｌ溶液を１０〜２０℃で１時間かけて滴下した。
後、６０〜７０℃で５時間撹拌した。反応終了後、１０
％塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌを加え、酢酸エチル
８０ｍｌにて抽出した。有機層は分液後、減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、
（Ｓ）−３，３’−ビス（ジシクロヘキシルホスホリル
−４，４’−ビフェナントリル（７−３）１．５ｇを得
た。収率３８％。
−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３−３）
２．６ｇ（５ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム０．５ｇ
（２０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌ中で反
応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジシクロ
ヘキシルホスホニルクロリド（６−３）３．０ｇ（１２
ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２０ｍｌ及びトルエン
３０ｍｌ溶液を１０〜２０℃で１時間かけて滴下した。
後、６０〜７０℃で５時間撹拌した。反応終了後、１０
％塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌを加え、酢酸エチル
８０ｍｌにて抽出した。有機層は分液後、減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で精製し、
（Ｓ）−３，３’−ビス（ジシクロヘキシルホスホリル
−４，４’−ビフェナントリル（７−３）１．５ｇを得
た。収率３８％。
【００２７】次に（Ｓ）−３，３’−ビス（ジシクロヘ
キシルホスホリル−４，４’−ビフェナントリル（７−
３）１．２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン
３．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）、トリクロロシラン４．０ｇ
（３０ｍｍｏｌ）およびトルエン４０ｍｌの混合溶液
を、還流下に２８時間反応させた。反応終了後冷却し、
３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌを加え、５０℃で
２時間撹拌した。反応液を分液、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒を留去して粗生成物を得た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：
トルエン／酢酸エチル＝１／４）で精製し、（Ｓ）−
３，３’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィニル−４，
４’−ビフェナントリル（１ー３）０．７ｇを得た。収
率６５％。
キシルホスホリル−４，４’−ビフェナントリル（７−
３）１．２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン
３．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）、トリクロロシラン４．０ｇ
（３０ｍｍｏｌ）およびトルエン４０ｍｌの混合溶液
を、還流下に２８時間反応させた。反応終了後冷却し、
３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌを加え、５０℃で
２時間撹拌した。反応液を分液、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、溶媒を留去して粗生成物を得た。
これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：
トルエン／酢酸エチル＝１／４）で精製し、（Ｓ）−
３，３’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィニル−４，
４’−ビフェナントリル（１ー３）０．７ｇを得た。収
率６５％。
【００２８】（実施例４）上で得た（Ｓ）−（＋）−
３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３
−３）２．６ｇ（５ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム０．
５ｇ（２０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌ中
で反応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジー
４ーメトキシフェニルホスホニルクロリド（６−４）
３．０ｇ（１２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン３０ｍ
ｌ溶液を１０〜２０℃で１時間かけて滴下した。後、還
流下で８時間撹拌した。反応終了後、１０％塩化アンモ
ニウム水溶液５０ｍｌを加え、酢酸エチル８０ｍｌにて
抽出する。有機層は分液後、減圧下濃縮し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ−ヘキサ
ン／酢酸エチル＝１／３）で精製し、（Ｓ）−３，３’
−ビス（ジ−４−メトキシフェニルホスホリル）−４，
４’−ビフェナントリル（７−４）２．６ｇを得た。収
率６５％。
３，３’−ジブロモ−４，４’−ビフェナントリル（３
−３）２．６ｇ（５ｍｍｏｌ）と金属マグネシウム０．
５ｇ（２０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌ中
で反応させ、グリニャール試薬を調製した。次に、ジー
４ーメトキシフェニルホスホニルクロリド（６−４）
３．０ｇ（１２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン３０ｍ
ｌ溶液を１０〜２０℃で１時間かけて滴下した。後、還
流下で８時間撹拌した。反応終了後、１０％塩化アンモ
ニウム水溶液５０ｍｌを加え、酢酸エチル８０ｍｌにて
抽出する。有機層は分液後、減圧下濃縮し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ−ヘキサ
ン／酢酸エチル＝１／３）で精製し、（Ｓ）−３，３’
−ビス（ジ−４−メトキシフェニルホスホリル）−４，
４’−ビフェナントリル（７−４）２．６ｇを得た。収
率６５％。
【００２９】次に（Ｓ）−３，３’−ビス（ジ−４−メ
トキシフェニルホスホリル）−４，４’−ビフェナント
リル（７−４）１．６ｇ（２ｍｍｏｌ）、トリエチルア
ミン３．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）、トリクロロシラン４．
０ｇ（３０ｍｍｏｌ）およびトルエン４０ｍｌの混合溶
液を、還流下に３０時間反応させた。反応終了後冷却
し、３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液４０ｍｌを加え、５０
℃で３時間撹拌した。反応液を分液、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して粗生成物を得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：トルエン／酢酸エチル＝１／４）で精製し、（Ｓ）
−３，３’−ビス（ジ−４−メトキシフェニルホスフィ
ニル）−４，４’−ビフェナントリル（１−４）１．１
ｇを得た。収率７２％。
トキシフェニルホスホリル）−４，４’−ビフェナント
リル（７−４）１．６ｇ（２ｍｍｏｌ）、トリエチルア
ミン３．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）、トリクロロシラン４．
０ｇ（３０ｍｍｏｌ）およびトルエン４０ｍｌの混合溶
液を、還流下に３０時間反応させた。反応終了後冷却
し、３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液４０ｍｌを加え、５０
℃で３時間撹拌した。反応液を分液、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去して粗生成物を得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動
相：トルエン／酢酸エチル＝１／４）で精製し、（Ｓ）
−３，３’−ビス（ジ−４−メトキシフェニルホスフィ
ニル）−４，４’−ビフェナントリル（１−４）１．１
ｇを得た。収率７２％。
【００３０】（実施例５）実施例１で得られた光学活性
なホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体を使っ
た不斉還元例を以下に示す。（Ｒ）−３，３’−ビス
（ジフェニルホスフィニル−４，４’−ビフェナントリ
ル（１−１）８．３ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）とＲｕ
（アセチルアセトナート）3 錯体 ４．０ｍｇ，０．０
１ｍｍｏｌ）をオートクレーブに入れ、窒素雰囲気下、
テトラヒドロフラン３０ｍｌを加え溶解した。この中に
３−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−２−フタ
ルイミド−３−オキソプロピオン酸メチル１．１ｇ
（３．０ｍｍｏｌ）を加えた。つぎにオートクレーブを
水素ガスにて置換した後、水素圧１００Ｋｇ／ｃｍ2 ,
１００℃で２０時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し
水素ガスをパージした。反応液はそのまま減圧に濃縮し
た。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（移動相：クロロホルム／メタノール＝１０／１）で精
製し光学活性な３−ヒドロキシ−３−（３，４−メチレ
ンジオキシフェニル）プロピオン酸メチル１．０ｇを得
た。収率９４％。
なホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体を使っ
た不斉還元例を以下に示す。（Ｒ）−３，３’−ビス
（ジフェニルホスフィニル−４，４’−ビフェナントリ
ル（１−１）８．３ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）とＲｕ
（アセチルアセトナート）3 錯体 ４．０ｍｇ，０．０
１ｍｍｏｌ）をオートクレーブに入れ、窒素雰囲気下、
テトラヒドロフラン３０ｍｌを加え溶解した。この中に
３−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−２−フタ
ルイミド−３−オキソプロピオン酸メチル１．１ｇ
（３．０ｍｍｏｌ）を加えた。つぎにオートクレーブを
水素ガスにて置換した後、水素圧１００Ｋｇ／ｃｍ2 ,
１００℃で２０時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し
水素ガスをパージした。反応液はそのまま減圧に濃縮し
た。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（移動相：クロロホルム／メタノール＝１０／１）で精
製し光学活性な３−ヒドロキシ−３−（３，４−メチレ
ンジオキシフェニル）プロピオン酸メチル１．０ｇを得
た。収率９４％。
【００３１】（実施例６）実施例２で得られた光学活性
なホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体を使っ
た不斉還元例を以下に示す。（Ｒ）−３，３’−ビス
（ジ−４−トリルホスフィニル−４，４’−ビフェナン
トリル（１−１）８．６ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）と
［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2 錯体 ２．２ｍｇ（０．００
４４ｍｍｏｌ）をオートクレーブに入れ、窒素雰囲気
下、メタノール２０ｍｌを加え溶解した。この中に、ト
リエチルアミン１０．１ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）と２−
アセタミド−３−（３，４−メチレンジオキシフェニ
ル）−３−オキソプロピオン酸メチル０．７ｇ（２．５
ｍｍｏｌ）を加えた。つぎにオートクレーブを水素ガス
にて置換した後、水素圧１２０Ｋｇ／ｃｍ2 , ７０℃で
１２０時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し水素ガス
をパージした。反応液はそのまま減圧に濃縮した。濃縮
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：
クロロホルム／メタノール＝１０／１）で精製し光学活
性な２−アセタミド−３−ヒドロキシ−３−（３，４−
メチレンジオキシフェニル）プロピオン酸メチル０．７
ｇを得た。収率９７％。
なホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体を使っ
た不斉還元例を以下に示す。（Ｒ）−３，３’−ビス
（ジ−４−トリルホスフィニル−４，４’−ビフェナン
トリル（１−１）８．６ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）と
［Ｒｈ（ＣＯＤ）Ｃｌ］2 錯体 ２．２ｍｇ（０．００
４４ｍｍｏｌ）をオートクレーブに入れ、窒素雰囲気
下、メタノール２０ｍｌを加え溶解した。この中に、ト
リエチルアミン１０．１ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）と２−
アセタミド−３−（３，４−メチレンジオキシフェニ
ル）−３−オキソプロピオン酸メチル０．７ｇ（２．５
ｍｍｏｌ）を加えた。つぎにオートクレーブを水素ガス
にて置換した後、水素圧１２０Ｋｇ／ｃｍ2 , ７０℃で
１２０時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し水素ガス
をパージした。反応液はそのまま減圧に濃縮した。濃縮
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：
クロロホルム／メタノール＝１０／１）で精製し光学活
性な２−アセタミド−３−ヒドロキシ−３−（３，４−
メチレンジオキシフェニル）プロピオン酸メチル０．７
ｇを得た。収率９７％。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｃ
Ｅ
15/04 15/04
(56)参考文献 特開 平５−239076（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−170780（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−139192（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−255090（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−20290（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−68386（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07F 9/00
C07F 15/00
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ｒは、炭素数５〜７のシクロアルキル基；低級
アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基も
しくはハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル
基；または低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級
アルコキシ基もしくはハロゲン原子で置換されていても
よいフェニルアルキル基を示す。）で示されるホスフィ
ン化合物。 - 【請求項２】請求項１に記載のホスフィン化合物を配位
子とする遷移金属錯体。 - 【請求項３】光学活性体である請求項１記載のホスフィ
ン化合物。 - 【請求項４】請求項３記載のホスフィン化合物を配位子
とする遷移金属錯体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26350693A JP3489152B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | ホスフィン化合物およびそれを配位子とする遷移金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26350693A JP3489152B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | ホスフィン化合物およびそれを配位子とする遷移金属錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07118282A JPH07118282A (ja) | 1995-05-09 |
| JP3489152B2 true JP3489152B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=17390479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26350693A Expired - Fee Related JP3489152B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | ホスフィン化合物およびそれを配位子とする遷移金属錯体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3489152B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69913412T2 (de) * | 1998-04-07 | 2004-09-16 | Firmenich S.A. | Stereospezifische Isomerisierung von Allylaminen unter Verwendung von Chiralen Phospho-Liganden |
| WO2006075651A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光学活性β－ヒドロキシ－α－アミノカルボン酸誘導体の製造法 |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP26350693A patent/JP3489152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118282A (ja) | 1995-05-09 |
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