JP3862784B2

JP3862784B2 - 不斉反応のための触媒としての新規ビスホスフイン類

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Publication number: JP3862784B2
Application number: JP17544696A
Authority: JP
Inventors: クリステイアン・ラウエ; ゲオルク・シユレダー; デイーター・アルルト
Original assignee: Bayer AG
Current assignee: Bayer AG
Priority date: 1995-06-20
Filing date: 1996-06-17
Publication date: 2006-12-27
Anticipated expiration: 2016-06-17
Also published as: JPH093082A; HUP9601699A2; EP0749973A1; ATE208782T1; CA2179244C; PT749973E; HU215283B; TW427994B; DK0749973T3; HUP9601699A3; DE59608176D1; KR970001367A; CA2179244A1; HU9601699D0; ES2167489T3; IL118670A0; IL118670A; EP0749973B1; DE19522293A1; US5801261A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は鏡像異性的に純粋な新規ビスホスフィン類、それらの製造方法、並びに不斉反応、特に不斉水素化のための触媒としての金属錯体での使用に関する。
【０００２】
【発明の背景】
周期表の第ＶＩＩＩ族に属する金属とある種のビスホスフィンとの錯体が不斉水素化および鏡像異性選択性の水素シフトのために使用することができることは既知である（Ｒ．Ｓｃｈｍｉｄｅｔａｌ．，Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，７４，３７０（１９９１）参照）。
【０００３】
欧州特許出願公開第１０４３７５号明細書では、塩素の代わりにフッ素を有する点で、本発明のホスフィンと区別できるビスホスフィンを特許請求している。しかし、これらの既知のフッ素化合物について、フッ素の高い電気陰性度のために、電気陰性置換基を備えているＢＩＦＵＰと同様に反応性が弱いことが考えられたはずである（Ｋ．ＡｃｈｉｗａＳｙｎｌｅｔｔ，１９９１，８２７）。この文献の第８２８頁（表１も参照）には、この配位子は電気陰性基のために低い転化率しか与えないことが記載されている。また、立体選択性も悪い。即ち、少量成分の比率は、今まで知られた他のビスホスフィンによって達成された０．５％以下から２．５％（＝９５％ｅ．ｅ．）に上昇する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、不斉反応特に水素化において、高い立体選択性をもってかつ良好な転化率で反応を行うことができる触媒として、鏡像異性的に純粋な配位子およびそれら金属錯体の触媒を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の配位子は、ハロゲンのフッ素の代わりに、その位置にハロゲンの塩素を有し、例えば、Ｒｕ錯体の形態で、アセト酢酸メチルの水素化において、９９％ｅ．ｅ．以上の極めて良好な選択性を示し、このことは上記の偏見からは予想できなかったことである。
【０００６】
さらに、例えば、本発明の配位子は、そのルテニウム錯体の形態において、２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸をその対応するプロパン酸（＝Ｓ−ケトプロフェン誘導体）に水素化する反応を高い選択性をもって触媒することができる。
【０００７】
独国特許出願公開第４３３０７３０号明細書には、上記のプロペン酸誘導体の水素化において、８８％ｅ．ｅ．の選択性を与える配位子がすでに記載されている。しかし、そこで使用された配位子は、結晶化法によって鏡像体に分割される場合、低い鏡像体純度しか与えない。それ故、上記の特許の記載のように、キラル相を得るためには、クロマトグラフィーによる複雑なラセミ体分割が推奨されている。これと対照的に、本発明の配位子は結晶化法によって鏡像体に容易に分割することができる。
【０００８】
本発明は、一般式（Ｉ）
【０００９】
【化７】

【００１０】
［式中、
Ｒは各場合にＯＲ^１、Ｒ^１、ニトロ、ＮＨ_２、ＮＨＲ^１およびＮＲ^１ _２（式中、Ｒ^１は６個まで好適には４個までの炭素原子を有するアルキル基である）よりなる群から選択される１〜３個の置換基によってさらに置換され得るフェニル基を表すか、或いは
Ｒは７個まで好適には４個までの炭素原子を有するアルキル基であるか、または３〜７個好適には５〜６個の炭素原子を有するシクロアルキル基である］
で示される鏡像異性的に純粋なビスホスフィンを提供する。
【００１１】
Ｒがフェニルである一般式（Ｉ）で示される鏡像異性的に純粋なビスホスフィンは特に好適である。
【００１２】
一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンは、
ａ）５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを、慣用方法によって、選択的に一金属化した後、好適にはグリニャール反応によって一般式（ＩＩ）
【００１３】
【化８】

【００１４】
（式中、Ｒは上記１に記載の通りである）
で示される置換ホスフィン酸クロリドと反応させて、一般式（ＩＩＩ）
【００１５】
【化９】

【００１６】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示される化合物を得て、これらの化合物をオルト金属化法によって、好適にはリチウムアミドを使用して６位を金属化して、引き続いてヨウ素と反応させて、一般式（ＩＶ）
【００１７】
【化１０】

【００１８】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示される化合物を得て、引き続いてこれらの化合物を慣用方法によって二量体化して、一般式（Ｖ）
【００１９】
【化１１】

【００２０】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示されるラセミ化合物を得て、これらのホスフィンオキシドを鏡像異性的に純粋なモノカルボン酸またはジカルボン酸との結晶化によってそれらの鏡像体に分割して、分割された鏡像体を還元して、一般式（Ｉ）で示される化合物を得るか、或いは
ｂ）別法として、５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを、例えば、モノ−グリニャール試薬により金属化し、次いでその化合物を一般式（ＶＩ）
【００２１】
【化１２】

【００２２】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示されるホスフィンクロリドと反応させ、引き続いて生成物を慣用方法で酸化して、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を製造することによって、
製造することができる。
【００２３】
一般式（Ｉ）で示される新規なビスホスフィンは、第ＶＩＩＩ族に属する金属のような遷移金属、特にルテニウム、ロジウムおよびイリジウムと錯体を形成し、それらは不斉水素化およびプロキラル・アリル系での鏡像異性選択性の水素シフトにおける触媒として使用することができる。上記の水素化の場合、ルテニウム、イリジウムおよびロジウム錯体が好適であり、一方異性化の場合、ロジウム錯体が好適である。これらの触媒、即ち第ＶＩＩＩ族に族する金属および一般式（Ｉ）で示されるリン化合物を含んでなる錯体は新規であり、同時に本発明の主題である。
【００２４】
問題の錯体はそれ自体既知の方法で、例えば、適切な不活性有機または水性溶媒中で一般式（Ｉ）で示される化合物を第ＶＩＩＩ族に属する金属を供与できる化合物と反応させることによって製造することができる。記載できる適切な、例えばロジウム供与性の、化合物の例は、エチレン、プロピレン等との有機ロジウム錯体、およびビスオレフィン、例えば、１，５−シクロオクタジエン、１，５−ヘキサジエン、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエンまたは易溶性ロジウム錯体を形成するさらなるジエンとの有機ロジウム錯体である。
【００２５】
好適なロジウム供与化合物は、例えば、ジ−クロロ−ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム、ジ−クロロ−ビス（ノルボルナジエン）ジロジウム、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム−テトラフルオロボレートまたはビス（シクロオクタジエン）ロジウムペルクロレートである。記載できるイリジウム供与化合物の例は、ジ−クロロ−ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジイリジウムである。
【００２６】
一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンとのルテニウム錯体は特に重要である。記載できる典型的な例は、これらに制限されるものではないが、下記の式（ＶＩＩ）から式（ＸＩＶ）のルテニウム錯体である。
【００２７】
典型的なルテニウム錯体の例
【００２８】
【化１３】

【００２９】
式中、
ａｃａｃはアセチルアセトネートであり、
Ｂは一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンを表し、
Ｈａｌはハロゲン、特にヨウ素、塩素または臭素を表し、
Ｒ^３とＲ⁴は同一かまたは異なり、そして場合によりハロゲン、特にフッ素、塩素もしくは臭素によって置換される、９個までの炭素原子、好適には４個までの炭素原子を有するアルキルを表すか、または場合により１〜４個の炭素原子を有するアルキルによって置換されるフェニルを表すか、または好適には４個までの炭素原子を有するα−アミノアルキル酸を表すか、または一緒になって４個までの炭素原子を有するアルキリデン基を形成し、
Ｒ^５とＲ^６は同一かまたは異なり、そして好適には１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはハロゲンによって場合により置換された置換フェニルを表し、
Ｙは塩素、臭素、ヨウ素、ＣｌＯ_４、ＢＦ_４またはＰＦ_６であり、
Ｑは非置換ベンゼンまたはｐ−シメンのような置換ベンゼン環を表し、
Ｓはトリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミンまたはピリジンのような第三級アミンを表し、
ｎとｍはそれぞれ１または２を表し、
Ｘは０または１を表し、
式（Ｘ）では、ｘ＝０の場合ｎは１を表し、ｍは２を表し、そしてｘ＝１の場合ｎは２を表し、ｍは１を表す。
【００３０】
式（ＶＩＩ）〜式（ＸＩＩＩ）の錯体はそれ自体既知の方法によって製造することができる。
【００３１】
式（ＶＩＩ）および式（ＸＩＩ）で示される錯体は、例えば、欧州特許第１７４０５７号明細書またはＣｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．９２２（１９８５）に記載された方法と同様に製造することができる。
【００３２】
一般式（ＶＩＩＩ）で示されるの錯体は、例えば、欧州特許第３６６３９０号明細書に記載されているように、例えば、不活性有機溶媒中での既知のルテニウム錯体［ＲｕＨａｌ_２Ｑ］_２と一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンとの反応によって得ることができる。
【００３３】
一般式（ＩＸ）（ｎ＝１）で示される錯体は、例えば、欧州特許第２４５９５９号明細書に記載の方法によって、一般式（ＶＩＩ）で示される錯体を適切なカルボン酸と好適にはアルコール溶媒中で反応させることによって得ることができる。
【００３４】
一般式（ＩＸ）（ｎ＝２、およびｎ＝１そしてＲ^３，Ｒ^４＝ＣＦ_３の場合）で示される錯体は欧州特許第２７２７８７号明細書に記載の方法によって製造することができる。
【００３５】
一般式（Ｘ）で示される錯体は欧州特許第２５６６３４号明細書に記載と同様の方法によって製造することができる。
【００３６】
一般式（ＸＩ）で示される錯体は、欧州特許第４７０７５６号明細書に記載と同様の方法によって、そこに記載のＲｕ前駆体を一般式（Ｉ）で示される新規のビスホスフィンと反応させることによって製造することができる。
【００３７】
一般式（ＸＩＩＩ）で示される錯体は、Ｐ．Ｓｔａｈｌｅｙｅｔａｌ．，有機金属化合物（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ），１９９３，１４６７ｆｆに記載と同様の方法によって製造することができる。
【００３８】
一般式（ＸＩＶ）で示される錯体は、Ｊ．Ａ．Ｃ．Ｓ．１９８７，１０９，５８５６〜５８５８に記載と同様の方法によって製造することができる。
【００３９】
第ＶＩＩＩ族に属する金属、特にルテニウムとの錯体の形態にある本発明のビスホスフィンは不斉水素化のために使用することができる。適切な基質は置換もしくは非置換α−もしくはβ−ケトエステルまたはα−もしくはβ−ケトーアミド、α−もしくはβ−アミノまたはα−もしくはβ−ヒドロキシ−ケトン並びにアセトアミド桂皮酸誘導体である。
【００４０】
また、適しているのはアクリル酸、特に２−（６′−メトキシ−２′−ナフチル）−プロペン酸、２−（４−イソブチル）−プロペン酸および２−（３−ベンジルフェニル）−プロペン酸のような２−アリールプロペン酸並びに例えばそれらの第三級アミンとの塩である。
【００４１】
かかる水素化を行う場合は、これらの錯体を最初に製造し、次いで水素化される物質の溶液中に添加する。しかし、別法として、それらの錯体もインサイチュで、即ち水素化される物質の存在下で製造することもできる。
【００４２】
不斉水素化は、反応条件下で不活性である適切な有機溶媒中で行うことができる。特記できるこの種の溶媒は、メタノールもしくはエタノールのような低級アルコール、またはかかるアルコールとメチレンクロリド、クロロフォルムなどのようなハロゲン化炭化水素との混合物、またはかかるアルコールとテトラヒドロフランもしくはジオキサンなどのような環状エーテルとの混合物である。
【００４３】
一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンに対する金属の比率は有利には、ビスホスフィン配位子のモル当たり約０．５〜約２モルの範囲内、好適には約１モルのルテニウムである。水素化される物質に対する錯体中の金属の比率は有利には約０．０００５〜１モル％の範囲内、好適には約０．００５〜０．６モル％の範囲内である。
【００４４】
本発明の錯体を使用する不斉水素化は有利には、使用基質に依存して、約０℃〜約１００℃の温度で行われる。この水素化はまた有利には、加圧下で、好適には約５〜約２００バール、特に好適には約４０〜約１４０バールの圧力下で行われる。
【００４５】
さらに、本発明のビスホスフィン錯体はプロキラル・アリル系での鏡像異性選択性の水素シフトのための触媒として使用することができる。それらは、例えば、一般式（ＸＶＩ）
【００４６】
【化１４】

【００４７】
［式中、Ｒ^８は保護されたヒドロキシメチルまたは式
【００４８】
【化１５】

【００４９】
（式中、破線は追加の結合を表すことができる）
で示される基であり、
Ｒ^９とＲ^１０は同一かまたは異なり、そして低級アルキル（１〜７個の炭素原子）である］
で示される化合物から出発する、一般式（ＸＶ）
【００５０】
【化１６】

【００５１】
（式中、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は上記の通りである）
で示される光学活性化合物の製造に関連して特に重要である。
【００５２】
それらの化合物から加水分解によって得られた化合物（ＸＶ）またはアルデヒド、並びにこれらのアルデヒドから誘導された酸およびアルコールも、例えば、ビタミンＥおよびビタミンＫ_１の側鎖の合成における中間体として重要である。
【００５３】
上記の水素シフトを行うためには、式（Ｉ）で示されるリン化合物を、例えば、処理される化合物の溶液中でロジウム−またはイリジウム−供与化合物それ自体と接触させることができる。別法として、式（Ｉ）で示されるリン化合物は最初に適切な溶媒中で、例えば、ロジウム−またはイリジウム−供与化合物と反応させて、対応する触媒錯体を得て、次いでこれを処理される化合物の溶液に添加することができる。後者の方法が好適である。
【００５４】
式（Ｉ）で示されるリン化合物と、例えば、ロジウム−またはイリジウム−供与化合物との反応および上記の水素シフトは両方とも反応条件下で不活性である適切な有機溶媒中で行うことができる。特記することができる、この種の溶媒は、メタノールもしくはエタノールのような低級アルカノール、ベンゼンもしくはトルエンのような芳香族炭化水素、テトラヒドロフランもしくはジオキサンのような環状エーテル、酢酸エチルのようなエステル、またはそれらの混合物などである。さらに、錯体形成もまた水性溶媒中またはジクロロメタン中で行うことができる。
【００５５】
例えば、式（Ｉ）で示される配位子に対するロジウムまたはイリジウムの比率は有利には、式（Ｉ）で示される配位子のモル当たり約０．０５〜約５モルの範囲内、好適には約０．５〜約２モルの範囲内の金属である。
【００５６】
式（Ｉ）で示される配位子を含有する錯体中の金属量は、水素シフトを行う目的のために処理される化合物に基づいて、好適には約０．００５〜約０．５モル％の範囲内、特に約０．０１〜約０．２モル％の範囲内である。
【００５７】
式（Ｉ）で示される配位子を含有する金属錯体を使用する上記の水素シフトは有利には、不活性な有機溶媒中で、ほぼ室温から約１３０℃の範囲内の温度で行うことができる。この反応は、好適には高温で、即ち使用溶媒に依存して、反応混合物の環流温度または加圧下の閉鎖容器中のいずれかで行う。
【００５８】
【実施例】
実験の部：
実施例で使用する略語は次の通りである。
【００５９】
ｃｙｍ：４−イソプロピルトルエン、
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン、
ＤＭＦ：ジメチルフォルムアミド、
ＴＢＭＥ：ｔｅｒ−ブチルメチルエーテル、
ＨＰＬＣ：高圧液体クロマトグラフィー、
ＬＤＡ：リチウムジイソプロピルアミド、
Ａ）ビスホスフィンの製造
実施例Ａ１ａ）ジフェニル−（４−クロロ−３−メトキシ−フェニル）−ホスフィンオキシド（式ＩＩＩ）
９．０５ｇのＭｇ切片を、スパチュラ１杯のヨウ素と共にアルゴン下でヨウ素蒸気が生成するまで加熱し、混合物を乾燥条件下で５分間撹拌する。引き続いて３５０ｍｌのＴＨＦ（分析用試薬）を添加し、混合物を沸点まで加熱する。３６０ｍｌのＴＨＦ中の７５ｇの５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを環流下で１／２時間かけて添加し、最初の量を添加したときに反応が出発したことを確認する。撹拌を環流下で４０分間続ける。
【００６０】
混合物を０℃に冷却し、４５０ｍｌのＴＨＦ中の８８．５ｇのジフェニルホスフィン酸クロリドを、氷冷しつつ０〜５℃で２５時間かけて滴下する。混合物を室温で２時間撹拌する。０〜１５℃で、４５０ｍｌの１ＮＨＣｌを１５分間かけて滴々に添加し、混合物を１５分間良く撹拌する。有機相を分離し、水性相を毎回０．５ｌのメチレンクロリドで２回抽出し、一緒にした有機相を各々０．５ｌの１ＮＮａＯＨ、水、およびＮａＣｌ飽和溶液で洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥し、蒸発させる。１２０ｇの粗生成物を４００ｍｌのＴＢＭＥ中で撹拌し、室温で約１５０ｍｌまで蒸発させ、２時間撹拌し、濾過する。
【００６１】
収量：８１ｇ（７０％収率）
融点：１０４〜１０７℃
実施例Ａ１ｂ）ジフェニル−（４−クロロ−３−メトキシ−フェニル）−ホスフィンオキシド（式（ＩＩＩ））
１．３１ｇのＭｇ切片を、スパチュラ１杯のヨウ素と共にアルゴン下でヨウ素蒸気が生成するまで熱風を使用して加熱し、混合物を乾燥条件下で５分間撹拌する。引き続いて５０ｍｌのＴＨＦを添加し、混合物を沸点まで加熱する。５０ｍｌのＴＨＦ中の１０ｇの５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを環流下で１／２時間かけて添加し、最初の量を添加したときに反応が開始したことを確認する。撹拌を環流下で４０分間続ける。
【００６２】
混合物を０℃に冷却し、５０ｍｌのＴＨＦ中の９．９ｇのジフェニルホスフィン酸クロリドを、氷冷しつつ０〜５℃で２５分間かけて滴下する。混合物を室温で２時間撹拌する。
【００６３】
冷却しながら、２．８ｇのメタノールを添加し、混合物を回転式蒸発器で乾固まで蒸発させる。残渣を２００ｌのアセトン中に取り、１３．１ｇの過酸化水素水溶液を添加する。室温で４５分間撹拌し、２００ｍｌの水および１３５ｍｌの亜ジチオン酸ナトリウム飽和水溶液を添加した後、アセトンを真空で除去し、残留溶液をメチレンクロリドで抽出する。引き続いて、有機相を水、ＮａＣｌ飽和溶液で抽出し、ＭｇＳＯ_４で乾燥し、蒸発させた。残渣を０℃でＴＢＭＥ中で撹拌し、濾過する。
【００６４】
収量：５．９１ｇ（４０％）
融点：１０４〜１０７℃
実施例Ａ２）ジフェニル−（２−ヨウド−４−クロロ−３−メトキシ−フェニル）−ホスフィンオキシド（式（ＩＶ））
ＴＨＦ中の１１２ｍｌの２ＭＬＤＡ溶液を９３０ｍｌのＴＨＦ中の６４．２ｇのジフェニル−（４−クロロ−３−メトキシ−フェニル）−ホスフィンオキシドの溶液に−７０℃で５分間かけて添加する。溶液を０℃まで加温し、この温度に５分間放置する。引き続いて、−７６℃で、６７０ｍｌのＴＨＦ中の５６．８ｇのＩ_２の溶液を７５分間かけて滴下し、混合物をこの温度でさらに５分間撹拌し、４５分間かけて室温まで加温し、この温度でさらに１時間撹拌する。
【００６５】
後処理のために、３２０ｍｌのＮａ_２ＳＯ_３溶液および２００ｍｌの水を添加し、混合物を酢酸エチルで抽出する。有機相をＮａＣｌ飽和溶液で洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を除去する。
【００６６】
粗収量：９０．６ｇ（１０３重量％）
^１Ｈ−ＮＭＲによる純度：約７０％
実施例Ａ３）ｒａｃ−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニルホスフィンオキシド）（式（Ｖ））
粗ジフェニル−（２−ヨウド−４−クロロ−３−メトキシ−フェニル）ホスフィンオキシドおよび３７．１ｇの銅粉の混合物を３９５ｍｌのＤＭＦと共にアルゴン下で１４０℃で１６時間煮沸する。混合物を吸引下でガラスフィルターにより熱濾過し、全量約１００ｍｌの温ＤＭＦで洗浄する。濾液から溶媒を除去し、９００ｍｌのＴＢＭＥ中で撹拌する。
【００６７】
収量：３９．１ｇ
融点：１７５℃（分解）
実施例Ａ４）（−）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）（式（Ｖ））
１１０ｍｌの酢酸エチル中の７．０７ｇの無水（−）−ジベンゾイル酒石酸の溶液を２００ｍｌのメチレンクロリド中の１３．５ｇの（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の溶液に室温で滴下する。得られた懸濁液を一晩撹拌し、濾過する。残渣を乾燥し、濾液から溶媒を除去する。
【００６８】
塩の粗量、結晶：８．０５ｇ（３９重量％）
塩の粗量、濾液：１１．６１ｇ（５６重量％）
結晶を１００ｍｌのメチレンクロリド中に取り、毎回２５ｍｌの１ＮＮａＯＨ溶液で２回抽出する。有機相を１ＮＨＣｌ、１ＮＮａＯＨおよびＮａＣｌ飽和溶液で抽出し、ＭｇＳＯ_４で乾燥する。
【００６９】
後処理後の結晶の収量：５．３３ｇ（３９％収率）
鏡像体純度：９９．４％ｅ．ｅ．
鏡像体純度は分析用ＨＰＬＣによって決定する。
【００７０】
ｎ−ヘプタン／ＴＨＦ１：１を溶出液として使用する。
【００７１】
［α］_Ｄ＝−９９．７（ｃ＝１，ＤＭＦ）
融点：１７９℃
実施例Ａ５）（＋）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニルホスフィンオキシド）（式（Ｖ））
４）で得られた濾液を蒸発させ、４）の結晶の後処理と同様の方法によって後処理する。
【００７２】
後処理後の濾液の収量：７．２ｇ（５３％収率）
ＨＰＬＣによる鏡像体純度：８４．１％ｅ．ｅ．
５９ｍｌの酢酸エチル中の３．５ｇの無水（＋）−ジベンゾイル酒石酸の溶液を、１０４ｍｌのメチレンクロリド中の７．０ｇの粗後処理濾液の（−）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）の溶液に室温で滴下する。生成した懸濁液を一晩撹拌し、濾過する。残渣を乾燥し、濾液から溶媒を除去する。
【００７３】
塩の粗重量、結晶：７．８５ｇ（ｒａｃ−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）に基づいて３８％）
塩の粗重量、濾液：２．８４ｇ
結晶を上記の通り後処理する。
【００７４】
後処理後の結晶の収量：５．１７ｇ（ｒａｃ−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）に基づいて３８％）
鏡像体純度：９９．９％ｅ．ｅ．以上（ＨＰＬＣによる）
融点：１７６℃
［α］_Ｄ＝＋１０４．１（ｃ＝１，ＤＭＦ）
実施例Ａ６）（＋）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィン）（式（Ｉ））
５．０６ｇの（＋）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）を、１９５ｍｌのキシレン、３５．８ｍｌの無水トリブチルアミンおよび９．１ｍｌのトリクロロシランの混合物中で環流下で煮沸する。後処理のために、混合物を冷却しながら７２ｍｌの３０％濃度のＮａＯＨ水溶液と徐々に混合し、有機相を分離し、次いで水相を７５ｍｌのＴＢＭＥで抽出する。有機相を水およびＮａＣｌ飽和溶液で抽出し、ＭｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を除去する。残渣を６５ｍｌのエタノール中で撹拌し、濾過する。
【００７５】
収量：４．０ｇ（８４％）
融点：２２０〜２２３℃（分解）
［α］_Ｄ＝＋５５．１（ｃ＝１，ＣＨＣｌ_３）
鏡像体過剰率：９９．９％以上（ＨＰＬＣによる）
実施例Ａ７）（−）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィン）（式（Ｉ））
２．３５ｇの（−）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニル−ホスフィンオキシド）を実施例Ａ６）と同様の方法を使用して反応させる。
【００７６】
収量：１．７８ｇ（８０％）
［α］_Ｄ＝−５０．７（ｃ＝１，ＣＨＣｌ_３）
融点：２２３〜２２５℃（分解）
鏡像体過剰率：９９．９％以上（ＨＰＬＣによる）
Ｂ）独国特許出願公開第４３３０７３０号明細書からの参考例
実施例Ｂ１ａ）結晶化による（ビス−４，４′−ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニルホスフィンオキシドのラセミ体分割
２９ｍｌの酢酸エチル中の３５８ｇの無水（−）−ジベンゾイル酒石酸の溶液を４４ｍｌのクロロフォルム中の７３５ｍｇの（ビス−４，４′−ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニルホスフィンオキシドの溶液に室温で滴下し、混合物を環流下で３０分間加熱する。引き続いて、それを室温で４８時間撹拌し、濾過する。残渣を乾燥し、濾液から溶媒を除去する。
【００７７】
結晶を５ｍｌのメチレンクロリド中に取り、毎回約３ｍｌの１ＮＮａＯＨ溶液で２回抽出する。有機相を１ＮＨＣｌ、１ＮＮａＯＨ、ＮａＣｌ飽和溶液で抽出し、ＭｇＳＯ_４で乾燥する。
【００７８】
後処理後の結晶の収量：４７ｍｇ
鏡像体純度：５％ｅ．ｅ．（ＨＰＬＣによる）
実施例Ｂ１ｂ）３．８ｍｌの酢酸エチル中の２４４ｍｇの無水（−）−ジベンゾイル酒石酸の溶液を７．５ｍｌのメチレンクロリド中の５００ｍｇの（ビス−４，４′−ジベンゾフラン−３−イル）−ジフェニルホスフィンオキシドの溶液に室温で滴下する。引き続いて、混合物を室温で４８時間撹拌し、濾過する。残渣を乾燥し、濾液から溶媒を除去する。
【００７９】
結晶を５ｍｌのメチレンクロリド中に取り、毎回３ｍｌの１ＮＮａＯＨ溶液で２回抽出する。有機相を１ＮＨＣｌ、１ＮＮａＯＨ、ＮａＣｌ飽和溶液で抽出し、ＭｇＳＯ_４で乾燥する。
【００８０】
後処理後の結晶の収量：１７４ｍｇ
鏡像体純度：５％ｅ．ｅ．（ＨＰＬＣによる）
Ｃ）触媒錯体の製造
実施例Ｃ１）［ヨウド−Ｒｕ−ｃｙｍ−（（＋）−５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン］ヨウジド
５ｍｌのメタノール／メチレンクロリド（１：１）中の４２ｍｇの（ｃｙｍ_２Ｒｕ_２Ｉ_４）の溶液を５ｍｌのメタノール／メチレンクロリド（１：１）中の６１ｍｇの（（＋）−５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィンの混合物に添加し、混合物を空気を排除した環流下で１０分間煮沸し、そして蒸発させる。
【００８１】
^３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４１．３（ｄ，Ｊ＝６１．５ｐｐｍ），２５．２（ｄ，Ｊ＝６１．５ｐｐｍ）
実施例Ｃ２）［（＋）−（５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−（ジフェニルホスフィン）_２Ｒｕ_２Ｃｌ_４］ＮＥｔ_３
２３．５ｍｇのジクロロ−シクロオクタ−１，５′−ジエン−ルテニウム−（ＩＩ）、６１ｍｇの（（＋）−５，５′−ジクロロ−６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２，２′−ジイル）−ビス−ジフェニルホスフィン、０．０３５ｍｇのトリエチルアミンおよび３ｍｌのトルエンの混合物を空気を排除して１２０℃で１０時間撹拌する。引き続いて、溶媒を高真空で除去する。
【００８２】
収量：定量的
^３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：２９．１ｐｐｍ
Ｄ）使用実施例
実施例Ｄ１）２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸の水素化
１５ｍｌの脱ガスしたメタノール中の１ｇの２−（３−ベンジル−フェニル）−プロペン酸および４６０ｍｇのトリエチルアミンの溶液を空気を排除しながら実施例Ｃ２）で製造された４２．３ｍｇの触媒と混合する。引き続いて、水素化を室温で９０気圧で７２時間行う。
【００８３】
収量：定量的
鏡像体過剰率：８８％
（鏡像体過剰率の決定は、２−（３−ベンジル−フェニル）−プロピオン酸に酸化した後、欧州特許出願公開第５２９４４４号明細書に記載の通りキラル相のＨＰＬＣによって行う。出発物質の製造は欧州特許出願公開第５２９４４４号明細書に記載の通りである。）
実施例Ｄ２）アセト酢酸メチルの水素化
１５ｍｌの脱ガスしたメタノール／メチレンクロリド１：１中の８２０ｍｇのアセト酢酸メチルの溶液を空気を排除しながら実施例Ｃ１）で製造された３３．８ｍｇの触媒と混合する。引き続いて、水素化を室温で９０気圧で７２時間行う。
【００８４】
収量：定量的
鏡像体過剰率：９７％
（鏡像体過剰率の決定は、モッシャ−（Ｍｏｓｈｅｒ）エステルの形成およびそれに続くガスクロマトグラフィーによる分析によって行う。）
なお、本発明の主たる特徴および態様を以下に記載する。
【００８５】
１．一般式（Ｉ）
【００８６】
【化１７】

【００８７】
［式中、
Ｒは各場合にＯＲ^１、Ｒ^１、ニトロ、ＮＨ_２、ＮＨＲ^１およびＮＲ^１ _２（式中、Ｒ^１は６個までの炭素原子を有するアルキル基である）よりなる群から選択される１〜３個の置換基によってさらに置換され得るフェニル基を表すか、或いはＲは７個までの炭素原子を有するアルキル基であるかまたは３〜７個の炭素原子を有するシクロアルキル基である］
で示される鏡像異性的に純粋なビスホスフィン。
【００８８】
２．Ｒが各場合にＯＲ^１、Ｒ^１、ニトロ、ＮＨ_２、ＮＨＲ^１およびＮＲ^１ _２（式中、Ｒ^１は４個までの炭素原子を有するアルキル基である）よりなる群から選択される１〜３個の置換基によってさらに置換され得るフェニル基を表すか、或いは
Ｒが１〜４個の炭素原子を有するアルキル基であるかまたは５〜６個の炭素原子を有するシクロアルキル基である、
上記１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィン。
【００８９】
３．Ｒがフェニルを表す上記１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィン。
【００９０】
４．第ＶＩＩＩ族に属する金属と、上記１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンとの錯体。
【００９１】
５．ロジウム、ルテニウムおよびイリジウムよりなる群から選択される金属と、上記１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンとの錯体。
【００９２】
６．ａ）５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを、慣用方法によって選択的に一金属化した後、一般式（ＩＩ）
【００９３】
【化１８】

【００９４】
（式中、Ｒは上記１に記載の通りである）
で示される置換ホスフィン酸クロリドと反応させて、一般式（ＩＩＩ）
【００９５】
【化１９】

【００９６】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示される化合物を得て、これらの化合物の６位を金属化し、引き続いてヨウ素と反応させて、一般式（ＩＶ）
【００９７】
【化２０】

【００９８】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示される化合物を得て、引き続いてこれらの化合物を慣用方法によって二量体化し、一般式（Ｖ）
【００９９】
【化２１】

【０１００】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示されるラセミ化合物を得て、これらのホスフィンオキシドを鏡像異性的に純粋なモノカルボン酸またはジカルボン酸との結晶化によってそれらの鏡像体に分割して、分割された鏡像体を一般式（Ｉ）で示される化合物に還元するか、或いは
ｂ）別法として、５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを金属化して、それを一般式（ＶＩ）
【０１０１】
【化２２】

【０１０２】
（式中、Ｒは上記の通りである）
で示されるホスフィンクロリドと反応させ、引き続いて生成物を慣用方法で酸化することによって、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を製造する、
ことを特徴とする上記１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンの製造方法。
【０１０３】
７．５−ブロモ−２−クロロ−アニソールをモノ−グリニャール化合物に転化した後、一般式（ＩＩ）
【０１０４】
【化２３】

【０１０５】
で示されるオキシ塩化リンと反応させて、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を得て、これらの化合物をリチウムアミドを使用して６の位置で金属化し、引き続いてヨウ素と反応させて、一般式（ＩＶ）で示される化合物を得て、次いでこれらの化合物をウルマン・カップリングによって二量体化して、一般式（Ｖ）で示されるラセミ化合物を得て、得られたホスフィンオキシドを鏡像異性的に純粋な酒石酸との結晶化によってそれらの鏡像体に分割して、次いでそれらの化合物を式（Ｉ）で示される化合物に復帰させる、
ことを特徴とする上記６に記載の製造方法。
【０１０６】
８．第ＶＩＩＩ族に属する金属との錯体を製造するための、上記１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンの使用。
【０１０７】
９．ケト基の対応アルコールへの不斉水素化または炭素−炭素二重結合の不斉水素化での上記４に記載の錯体の使用。
【０１０８】
１０．置換もしくは非置換α−もしくはβ−ケト−エステルまたはアミドあるいはα−もしくはβ−アミノ−もしくはヒドロキシ−ケトンの不斉水素化、或いはアリルアミン、アリルアルコール、アクリル酸またはアセトアミド桂皮酸誘導体の炭素−炭素二重結合の水素化での上記４に記載の錯体の使用。
【０１０９】
１１．２−アリールプロペン酸またはそれらの塩の不斉水素化での上記４に記載の錯体の使用。

Claims

一般式（Ｉ）

［式中、
Ｒは各場合にＯＲ¹、Ｒ¹、ニトロ、ＮＨ₂、ＮＨＲ¹およびＮＲ¹ ₂（式中、Ｒ¹は６個までの炭素原子を有するアルキル基である）よりなる群から選択される１〜３個の置換基によってさらに置換され得るフェニル基を表すか、或いは
Ｒは７個までの炭素原子を有するアルキル基であるかまたは３〜７個の炭素原子を有するシクロアルキル基である］
で示される鏡像異性的に純粋なビスホスフィン。
第ＶＩＩＩ族に属する金属と、請求項１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンとの錯体。
ａ）５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを、慣用方法によって選択的に一金属化した後、一般式（ＩＩ）

（式中、Ｒは請求項１に記載の通りである）
で示される置換ホスフィン酸クロリドと反応させて、一般式（ＩＩＩ）

（式中、Ｒは上記の通りである）
で示される化合物を得て、これらの化合物の６位を金属化し、引き続いてヨウ素と反応させて、一般式（ＩＶ）

（式中、Ｒは上記の通りである）
で示される化合物を得て、引き続いてこれらの化合物を慣用方法によって二量体化し、一般式（Ｖ）

（式中、Ｒは上記の通りである）
で示されるラセミ化合物を得て、これらのホスフィンオキシドを鏡像異性的に純粋なモノカルボン酸またはジカルボン酸との結晶化によってそれらの鏡像体に分割して、分割された鏡像体を一般式（Ｉ）で示される化合物に還元するか、或いは
ｂ）別法として、５−ブロモ−２−クロロ−アニソールを金属化して、それを一般式（ＶＩ）

（式中、Ｒは上記の通りである）
で示されるホスフィンクロリドと反応させ、引き続いて生成物を慣用方法で酸化することによって、一般式（ＩＩＩ）で示される化合物を製造する、
ことを特徴とする請求項１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンの製造方法。
第ＶＩＩＩ族に属する金属との錯体を製造するための、請求項１に記載の一般式（Ｉ）で示されるビスホスフィンの使用方法。
ケト基の対応アルコールへの不斉水素化または炭素−炭素二重結合の不斉水素化での請求項２に記載の錯体の使用方法。