JP2004517901A - 配位子およびその使用 - Google Patents
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Abstract
一般式４
【化１】
（ここで、Ｗ，Ｘ，ＹおよびＺは各々異種原子がリンに結合した置換基（ＸとＹの対およびＺとＷの対は連結して環を形成してもよい。）またはＷ＝Ｘ＝Ｙ＝Ｚ＝Ｈである。）の化合物は新規である。これの錯体は水素化のような不斉反応に使用することができる。
【化１】
（ここで、Ｗ，Ｘ，ＹおよびＺは各々異種原子がリンに結合した置換基（ＸとＹの対およびＺとＷの対は連結して環を形成してもよい。）またはＷ＝Ｘ＝Ｙ＝Ｚ＝Ｈである。）の化合物は新規である。これの錯体は水素化のような不斉反応に使用することができる。
Description
【０００１】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、ｐ−シクロファン骨格を有する新規な二座のホスフィン、亜ホスホン酸エステル（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｔｅ）、亜ホスホン酸ジアミドおよび亜ホスホノアミド酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｏａｍｉｄｉｔｅ）配位子、その前駆物質、ならびに遷移金属を触媒とする不斉反応、特にロジウム、イリジウムおよびルテニウムを触媒とする二重結合の水素化のための配位子としてのそれらの使用に関する。
【０００２】
〔従来の技術〕
大部分の接触不斉合成の中心に、適当なキラルな鏡像異性体過剰率の高い有機配位子によって囲まれた遷移金属を主成分とする触媒の使用がある。二座のキラルなホスフィン（３つのＣ−Ｐ結合を有するリン（ＩＩＩ）化合物）は、最も広く使用されている部類の配位子であり、不斉反応の分野に適用されている（Ｒ． Ｎｏｙｏｒｉ， Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， １９９４； Ｎ． Ｊａｃｏｂｓｅｎ， Ａ． Ｐｆａｌｔｚ， Ｈ． Ｙａｍａｍｏｔｏ 編， Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ， Ｓｐｒｉｎｇｅｒ， １９９９）。不斉接触水素化は、その効率を高め環境への影響を減らすために、特に工業的関連を有する。
【０００３】
最近、ホスフィンを主成分とする触媒を用いて得られた結果のいくつかが、ホスファン配位子が亜ホスホン酸エステル（２つのＰ−Ｏ結合と１つのＰ−Ｃ結合、Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． １９９８， ２０７７）、ホスフィン−亜ホスホン酸エステル（Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９９， ２１２９）または亜ホスホルアミド酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒａｍｉｄｉｔｅｓ）（２つのＰ−Ｎと１つのＰ−Ｏ結合、Ｆｅｒｉｎｇａ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ２０００， １１５３９）で置換された錯体の使用に匹敵し得ることが示されている。キラルな単座（ｍｏｎｏ−ｄｅｎｔａｔｅ）亜ホスホン酸エステル（Ｐｒｉｎｇｌｅ ｅｔ ａｌ， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． ２０００， ９６１； Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ． ２０００， ６３３３）および亜リン酸モノエステル（ｍｏｎｏ−ｐｈｏｓｐｈｉｔｅｓ）（３つのＰ−Ｏ結合、Ｍ． Ｔ． Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｉｎｔ． Ｅｄ． ２０００， ３８８９）はしばしば類似の二座配位子と同じくらい有効であった。上記の配位子はしばしば対応するジホスフィンよりも製造が容易かつ安価であるという利点を有する。
【０００４】
キラルな二座亜ホスホン酸エステルはＷＯ−００／１４０９６およびＵＳ−Ａ−５８１７８５０に開示されている。それらは、３つの構築ブロック（ｂｕｉｌｄｉｎｇ ｂｌｏｃｋｓ）すなわち２つのリン原子を結合しているアキラルな炭素骨格（１，１’−二置換フェロセン、１，２−二置換エタン）およびＰ−異種原子の結合を形成するためにキラルなジオールから誘導された２つのキラル単位から構成される。この部類の配位子の例はＲｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． １９９８， ２０７７に記述されている。
【０００５】
いくつかのリンジアミド配位子が報告されており、それらの錯体がヒドロホルミル化反応およびアリル置換反応に役立つことが示されてきた（Ｗｉｌｌｓ ｅｔ ａｌ， Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ． １９９９， ９７３５； Ｓｐｉｌｌｉｎｇ ｅｔ ａｌ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ １９９８， ５４， １０５１３； Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９８， ９２７； Ｋｎｏｃｈｅｌ ｅｔ ａｌ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９７， ９８７）。
【０００６】
いわゆる擬オルト位（４−および１２−位；ｐｓ−オルトと略す。）に２つの同じ置換基を有する［２．２］−ｐ−シクロファン誘導体は平面掌性（ｐｌａｎａｒ ｃｈｉｒａｌｉｔｙ）を有する。成功したジホスフィン配位子であるファネホス（ＰｈａｎｅＰｈｏｓ）（Ｐｙｅ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． １９９７， ６２０７； ＷＯ ９７／４７６３２）はこの骨格を主成分としている。
【０００７】
〔課題を解決するための手段〕
本発明の一面によれば、新規な化合物はｐｓ−オルト−ジホスフィノ−［２．２］−ｐ−シクロファン（１）である。
【０００８】
【化４】
【０００９】
この化合物は、不斉触媒作用用途を有する環式ホスフィン配位子を容易に製造するための一般的な中間体として有用である。化合物（１）は、（Ｓ）で表される鏡像異性体またはもう一つの鏡像異性体（Ｒ）の一方が過剰であって少なくとも８０％ｅｅ（鏡像異性体過剰率）であることが好ましい。より好ましくは９５％ｅｅ以上である。化合物（１）は、化合物４ｄとして後述するテトラクロロ類似体を用いて製造することができる。
【００１０】
さらに、今では、ファネホス配位子（キラルな骨格）の構造的特徴をＤｕＰＨＯＳまたはＦｅｒｒｏＴＡＮＥ配位子（飽和４または５員環中のホスフィン（ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）原子）と組み合わせることにより、一般式（２）および（３）によって表される混成（ｈｙｂｒｉｄ）配位子（ただしＲ１およびＲ２はＨまたはアルキルを表し、ｎは１または２である。）を予測することができると理解されている。現在まで、この種の配位子は文献に記載されていない。重要なことに、キラルな骨格の存在が配位子を設計する方法に融通性を与える。なぜなら、環式ホスフィン単位はキラル（たとえばＲ１＝メチル，Ｒ２＝Ｈまたはその逆）であってもよいし、アキラル（たとえばＲ１＝Ｒ２＝Ｈ）であってもよいからである。キラルの場合は「適合（ｍａｔｃｈ）」したジアステレオマーの対を通して触媒を調整することができるし、アキラルの場合はＨＯ−（ＣＨ２）ｎ−ＯＨ型の安価なジオールから製造することができる。配位子（２）と（３）のどちらが工業的に有用であるかは容易には予測できない。スクリーニング実験を通じて体系的にこれを評価するために、そのような配位子が幾種類も入手できることが必要である。現在まで、これらの配位子の製造は適当な前駆物質が入手できないことから制限されてきた。化合物（１）の供給により、この制限はもはやなくなる。
【００１１】
【化５】
【００１２】
別の面によれば、この発明は、キラルな亜ホスホン酸エステルとリンジアミド、キラルな骨格を有する配位子の研究に基づいている。ｐｓ−オルト−二置換［２．２］−ｐ−シクロファン骨格を主成分とする新規の部類の分子は一般式４のものである。
【００１３】
【化６】
【００１４】
化合物４ａ−ｃのもっとも便利な合成は、ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−ｐ−シクロファン４ｄと、ジオール、ジアミン、アミノアルコール、アルコールまたはアミンから予め発生させた適当な共役塩基との反応に基づく。その代わりに、化合物４ｄを、化学量論量のまたは触媒量の適当な塩基、たとえば第三アミンの存在下で、適当なジオール、ジアミン、アルコールまたはアミンと反応させてもよい。化合物４ｄは、容易に入手できる前駆物質（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ジブロモ−ｐ−シクロファン（５）（Ｄ． Ｊ． Ｃｒａｍ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． １９６９， ３５２７）から種々の合成経路で得ることができる。
【００１５】
化合物４ａ−ｃは製造が容易であり、ジオキソおよびジアミドの構築ブロックは容易に入手できるので、ｐ−シクロファン骨格を基礎にして先例のない範囲の修飾を行うことができる。さらに、キラルなキレートを形成するジアルコキソ（ｄｉａｌｋｏｘｏ）およびジアミド置換基の使用は、骨格のキラリティーと異種原子単位のキラリティーの適合効果により触媒反応におけるキラリティーの移動を増加することができる。単座アルコキソ（ａｌｋｏｘｏ）およびアミドの配位子の使用は、もっと剛性があり立体的に込み入ったジアルコキソ／ジアミド配位子を補完することができるもっと融通のきく配位子を作り出す。単座アルコールまたはアミンから誘導されるキラルな亜ホスホン酸エステルはまったく先例がない。
【００１６】
ｐｓ−オルト二置換ｐ−シクロファン骨格を主成分とするキラルなジ亜ホスホン酸エステル（ｄｉ−ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｔｅｓ）およびリンジアミドは、遷移金属、特にロジウム、イリジウムおよびルテニウムに適した配位子である。化合物６−８は上述した錯体の具体例である。
【００１７】
【化７】
【００１８】
もっとも嵩高いキラルなジアルコキソ置換基を使用して、金属錯体の生成において非常に強い適合／不適合効果が見出された。錯体６−８は、不斉反応、特に不斉水素化のための非常に効果的な触媒として作用する。それらはまた不斉ヒドロホルミル化のためにも使用できる。
【００１９】
特に、高い水準の立体選択性（ｓｔｅｒｅｏｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）は、デヒドロアミノ酸の水素化においてｐ−シクロファン亜ホスホン酸エステルのロジウム錯体６ａによってもたらされる。これらの結果は、既知のロジウム−亜ホスホン酸エステルの系について報告されている結果に匹敵し、用途によってはそれに勝る。驚くべきことに、文献中の結果よりも良い結果がプロトン性溶媒において得られる。非プロトン性溶媒は選択性の顕著な増加をもたらす。
【００２０】
さらに、ｐ−シクロファン−亜ホスホン酸エステル４ａとキラルなジアミンのルテニウム錯体８ａは、非官能性（ｎｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｓｅｄ）ケトンおよびイミンの還元の触媒となる。ホスフィン−ルテニウム−ジアミン錯体がケトンの還元の触媒となることは知られている（Ｎｏｙｏｒｉ ａｎｄ Ｏｈｋｕｍａ， Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．， ２００１， ４０）が、ここに提供する結果は先例がないものである。
【００２１】
〔発明の実施の形態〕
本発明の化合物４は、一方の鏡像異性体のみからなる（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒｉｃａｌｌｙ ｐｕｒｅ）ｐｓ−オルト−ジハロゲン−ｐ−シクロファン５（Ｘ＝Ｂｒ）から製造することができる。亜ホスホン酸エステル４ａは、強い有機金属塩基で５を直接メタル化（ｍｅｔａｌａｔｉｏｎ）し、適当なクロロ−亜ホスホン酸エステル９と反応させることによって得ることができる（反応式１）。別のもっと便利な方法として、新規な中間体ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロ−ホスフィノ）−ｐ−シクロファン４ｄを適当なアルコールまたはジオールまたはそれらの金属塩基と反応させる方法がある（同じく反応式１参照）。
【００２２】
【化８】
【００２３】
化合物４ｄは、便利な汎用の中間体であり、調製および取り扱いが容易なことが見いだされた。それは、ジブロモ化合物５（Ｘ＝Ｂｒ）をメタル化し、続いて、たとえばＣｌＰ（ＮＭｅ２）２またはＣｌＰ（ｉ−Ｐｒ２Ｎ）２のようなクロロ−リン−ジアミド１０でクエンチ（ｑｕｅｎｃｈ）することによってもっともうまく製造することができる（反応式２）。化合物４ｂ（Ｒ＝Ｍｅ，ｉ−Ｐｒ）は、それをその場で調製したまたは予め調製したＨＣｌ溶液（Ｅｔ２Ｏまたは他の都合の良い溶媒）で処理することによって化合物４ｄに変換される（再び反応式２参照）。
【００２４】
【化９】
【００２５】
また、亜ホスホン酸エステル４ａを製造するために、化合物４ｂ（Ｒ＝Ｍｅ，ｉ−Ｐｒ）を適当な塩基の存在下でジオールと直接反応させることもできる（Ｂｕｏｎｏ ｅｔ ａｌ， Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９８， ４９； ｖａｎ Ｂｏｏｍ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔ． ２０００， ８６３５−反応式３）。同じ方法が適当なジアミンまたはアミノアルコールと反応させることによって化合物４ｂ−ｃを製造するのに適用できる。
【００２６】
【化１０】
【００２７】
４ｄと多くのジオールおよびアルコールの共役塩基との反応が室温で円滑に進行し、対応する亜ホスホン酸エステル４ａが高収率で得られることが知られている。それらはすべてＭｅＯＨに比較的溶け難いので、単に反応溶媒を除去し、ＭｅＯＨで洗浄することにより反応原料から単離することができる（反応で生成した塩はＭｅＯＨに可溶である。）。化合物４ａの具体例は、アルコキソおよびジ−アルコキソ単位１１−２１（それらのうち１１，２０および２１はアキラルなものである）から調製されたものである。
【００２８】
【化１１】
【００２９】
化合物４ｂおよび４ｃの具体例は、それぞれジアミド単位２２−２５およびアルコキソ−アミド単位２６−２７から調製した。
【００３０】
【化１２】
【００３１】
化合物４ｃにおいて、リン原子が立体中心（ｓｔｅｒｅｏｇｅｎｉｃ ｃｅｎｔｅｒ）になるという事実は、ジアステレオ異性体の混合物の生成をもたらすかもしれない。しかしながら、分光学的証拠によれば、亜ホスホノアミド酸４ｃ／２３は単一のジアステレオ異性体（実施例１３）として形成される。化合物４ｂ／２８および４ｂ／２９は重要な中間体５を合成するための前駆物質として調製した。化合物４ｄは、また、Ｒｅｄ−ＡｌやＬｉＡｌＨ４のような種々の還元剤による還元によってジホスフィン１を合成するための非常に便利な中間体である。
【００３２】
化合物４ａ−ｃは、遷移金属（特にロジウム、イリジウム、ルテニウム）用の優れた配位子であることが分かった。金属錯体６ａ−ｃ，７ａ−ｃおよび８ａ−ｃは、［（ＣＯＤ）２Ｒｈ］ＢＦ４および［（ＣＯＤ）２Ｉｒ］ＢＦ４、［（ベンゼン）ＲｕＣｌ２］２のような前駆物質を反応させることにより、標準的手法によって調製した。他の適当な金属含有前駆物質は、当業者に知られた手法に従って、使用することができる。
【００３３】
予想外に、最も嵩高いジアルコキソ置換基を有する亜ホスホン酸エステル４ａ／１４および４ａ／１５を使用すると、非常に強い適合／不適合効果が金属錯体の形成において見いだされる。（Ｒ）−１５と（Ｓ）―４ｄから誘導された配位子だけが望ましいＲｈ錯体を生成した。（Ｓ）−１４と（Ｓ）―４ｄから誘導された配位子は［（ＣＯＤ）２Ｒｈ］ＢＦ４と反応しなかった。このことは、ジアステレオ異性体の混合物として配位子を使用し、適合する（Ｓ）−４ａ／（Ｒ）−１５ジアステレオ異性体から誘導された金属錯体を選択的に形成することを可能にする。便利なことに１４と１５の１：１混合物（ラセミ体のジオール）は当該ジアステレオ異性体の混合物を調製するために使用することができる。その代わりに、一方の鏡像異性体のみからなる１４または１５はラセミ体の５と結合することができる。
【００３４】
亜ホスホン酸エステル４ａのロジウム錯体６ａは、デヒドロアミノ酸の水素化において高い活性と選択性を示す。これらの結果は、既知のロジウム−亜ホスホン酸エステル系について報告されている他の結果とも一致している。驚くべきことに、文献（Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９９， ２１２９）に記載されているよりもよい結果がプロトン性溶媒（例えばＭｅＯＨ）で得られる。非プロトン性溶媒（例えばトルエン）を使用すると、選択性がわずかに増加する。プロトン性溶媒（例えばＭｅＯＨまたはＭｅＯＨ／Ｈ２Ｏ）中の触媒の安定性は、多くの場合極性で水溶性の分子である製薬用分子の水素化において潜在的な有用性を増加させる。
【００３５】
配位子４ａおよびＤＰＥＮ（１，２−ジフェニル−１，２−エタンジアミン）のようなキラルなジアミンを含むルテニウム錯体８ａは非官能性ケトンおよびイミンの還元の触媒となる。イミンの不斉還元は、その反応を効率的に促進する触媒が少ししか知られていないので、特に重要である。
【００３６】
〔実施例〕
次に実施例を挙げて本発明を説明する。実施例１〜１４は、配位子前駆物質および配位子の合成を示す（実施例３と４は同じ生成物を得るための代替方法を示す。）。実施例１５および１６は、錯体の合成を示す。実施例１７ないし２２は水素化に関するものである。実施例２３は化合物１に関する。
【００３７】
実施例１：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジメチルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｂ／２８
（Ｓ）−ｐｓ−オルト―ジブロモ−ｐ−シクロファン（１．０９８ｇ，３ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋ ｆｌａｓｋ）に入れ、無水Ｅｔ２Ｏ（４０ｍＬ）で溶解した。その後、溶液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却した。
ｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液（１．７Ｍ，７．１ｍＬ（１２ｍｍｏｌ））を５分間かけて一滴ずつ加えた。反応液は−７８℃で１時間撹拌した。一方、Ｐ（ＮＭｅ２）３を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコに入れ、ＰＣｌ３を室温でゆっくり添加した。添加は内部温度が３０℃超に上がらないような速度で行った。その後、反応液を無水Ｅｔ２Ｏ（１０ｍＬ）で希釈し、室温で３０分間撹拌した。ｐ−シクロファン・リチウム・ジアニオン溶液を冷却浴から取り出し、ＣｌＰ（ＮＭｅ２）２の溶液で直ちにクエンチ（ｑｕｅｎｃｈ）した。反応液をさらにＥｔ２Ｏ（１５ｍＬ）で希釈し、３０分間かけて室温に戻した。シリカゲル（約５ｍＬ）を加え、反応液をさらに２０分間撹拌したの後、窒素雰囲気下で焼結ガラスフィルターでろ過した。生じた透明無色の溶液を減圧下で蒸発させた。固体残渣をＥｔ２Ｏ（１０ｍＬ）で再び溶解し、ＭｅＯＨ（１０ｍＬ）に加えた。Ｅｔ２Ｏを除去するため真空にし、白色固形物が析出した。固形物を沈降させ、上澄み液を除去し、固形物をさらにＭｅＯＨ（１０ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥した（０．５２ｇ，収率３９％）。母液は乾燥するまで蒸発させ、固体残渣をＥｔ２Ｏ（５ｍＬ）およびＭｅＯＨ（５ｍＬ）で上記と同様に処理し、２番目の生成物（全収率：７４％、白色結晶性粉末）を得た。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１２０．３ｐｐｍ。
【００３８】
実施例２：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジ−ｉ−プロピルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｂ／２９
（Ｓ）−ｐｓ−オルト―ジブロモ−ｐ−シクロファン（０．８２ｇ，２．２４ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコに入れ、無水Ｅｔ２Ｏ（３０ｍＬ）で溶解した。その後、溶液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却した。ｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液（１．７Ｍ，５．４ｍＬ，９．２ｍｍｏｌ）を５分間かけて一滴ずつ加えた。反応液を−７８℃で１０分間撹拌した後、冷却浴を取り去り、さらに４０分間反応液を撹拌した。固体の（ｉ−ＰｒＮ）２ＰＣｌ（１．２５ｇ，４．６８ｍｍｏｌ）を一度に加え、反応液を室温で３０分間撹拌した。無水ＭｅＯＨ（１５ｍＬ）を加え、減圧下でＥｔ２Ｏを除去した。溶液から沈殿した白色固形物を窒素下で焼結ガラスフィルターで集め、真空下で乾燥した（１．２６ｇ，収率８４％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：８６．１ｐｐｍ。
【００３９】
実施例３：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｄ
（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジメチルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン（３．６ｇ，８．１ｍｍｏｌ）を無水Ｅｔ２Ｏ（３００ｍＬ）中に懸濁させた。懸濁液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却し、無水ＨＣｌを反応液中に吹き込み、ＨＣｌを飽和させた。その後、反応液を室温に温まるまで１．５時間放置した。窒素を反応液中に３０分間吹き込んだ。窒素下で焼結ガラスフィルターでろ過して塩を除去した。溶媒を蒸発させ、固体の白色残渣をペンタン（５ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥し、白色粉末の生成物（２．０７ｇ，収率６２％）を得た。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１６９．２ｐｐｍ。
【００４０】
実施例４：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｄ
ＨＣｌのＥｔ２Ｏ溶液（２Ｍ，５０ｍＬ，１００ｍｍｏｌ）を室温で撹拌しながら固体の（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジ−ｉ−プロピルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン（２．７６ｇ，４．１２ｍｍｏｌ）に加えた。反応液を室温で１８時間撹拌した後、溶媒を除去し、固体残渣をＥｔ２Ｏ（５０ｍＬ）に懸濁させた。塩をろ過で除去した。溶媒を除去し、Ｅｔ２Ｏ（２０ｍＬ）とヘキサン（４０ｍＬ）を加え、生じた濁った溶液をろ過した。溶媒を除去し、ヘキサンを加え（６０ｍＬ）、反応液を１０分間７０℃に加熱した後、生じた濁った溶液をろ過し、透明な溶液を得た。溶媒を蒸発させ、白色粉末の生成物を得た（０．９５ｇ，収率５６％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１６９．２ｐｐｍ。
【００４１】
実施例５：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（５，７−６−ホスファジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン−６−イル）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１１
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，１．６４ｍＬ，４．１ｍｍｏｌ）を２，２’−ビフェノール（３７３ｍｇ，２ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で４０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（４１０ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液に一滴ずつ加えた。反応液を室温で１時間撹拌した後、ＭｅＯＨ（１ｍＬ）を加えてクエンチした。溶媒を真空下で除去し、無水ＭｅＯＨを加えた（１０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌した後、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。その手順を２度繰り返し（２×５ｍＬ ＭｅＯＨ）、次いで白色固体残渣を真空下で乾燥した（４３８ｍｇ，収率６９％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１９４．２ｐｐｍ。
【００４２】
実施例６：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｒ）−３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル｝−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１３
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ（２８６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト―ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に一滴ずつ加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、ＭｅＯＨ（２ｍＬ）を加えてクエンチした。溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮した後、無水ＭｅＯＨを加えた（１０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（５ｍＬ ＭｅＯＨ）、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（２００ｍｇ，収率４８％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：２１７．６ｐｐｍ。
【００４３】
実施例７：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｓ）−３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル｝―［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１２
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を、（Ｓ）−ＢＩＮＯＬ（２８６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に一滴ずつ加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、ＭｅＯＨ（２ｍＬ）を加えてクエンチした。溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮した後、無水ＭｅＯＨを加えた（２０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。白色固体残渣を真空下で乾燥した（３００ｍｇ，収率７２％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：２０３．８ｐｐｍ。
【００４４】
実施例８：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｒ）−ジ−ｔ−ブチル−１，２，１０，１１−テトラメチル−５，７−ジオキサ−６−ホスファジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン−６−イル｝―［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１５
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を、（Ｒ）−３，３’−ｔ−ブチル−５，５’，６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェノール（２８６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を４５℃で１時間撹拌した後、その溶液を４５℃に加熱した（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液に４０分間かけて一滴ずつ加えた。反応液を５５℃で１．５時間撹拌し、溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮し、その後、無水ＭｅＯＨを加えた（１０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（５ｍＬ ＭｅＯＨ）、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（２５７ｍｇ，収率５３％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８８．６ｐｐｍ。
【００４５】
実施例９：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（（Ｓ）−ジ−ｔ−ブチル−１，２，１０，１１−テトラメチル−５，７−ジオキサ−６−ホスファジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン−６−イル）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１４
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を、（Ｓ）−３，３’−ｔ−ブチル−５，５’，６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェノール（３５５ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を３０℃で１時間撹拌した後、その溶液を、４５℃に加熱した（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液に１時間かけて一滴ずつ加えた。反応液を５５℃で１時間撹拌し、溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮し、その後、無水ＭｅＯＨを加えた（１５ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（２×１５ｍＬ ＭｅＯＨ）、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（２３５ｍｇ，収率４８％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８０．９ｐｐｍ。
【００４６】
実施例１０：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ジ（２，６−ジメチルフェノキシ）−ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／２０
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．３２ｍＬ，０．８ｍｍｏｌ）を、２，６−ジメチルフェノール（９８ｍｇ，０．８ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で１５分間撹拌した後、その溶液を、（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（７３ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、溶媒を蒸発させた。Ｅｔ２Ｏ（１５ｍＬ）およびＳｉＯ２（約２ｍＬ）を加え、反応液をろ過し、透明な溶液を得た。溶媒が約１ｍＬになるまで濃縮し、無水ＭｅＯＨ（２ｍＬ）を加えた。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。生じた白色固体残渣を真空下で乾燥した（収率未計算）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８６．３ｐｐｍ。
【００４７】
実施例１１：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ジ（２−ナフトキシ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／２１
（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ジブロモ−ｐ−シクロファン（３６６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコに入れ、無水Ｅｔ２Ｏ（３０ｍＬ）に溶解した。次いで、その溶液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却した。ｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液（１．５Ｍ，２．７５ｍＬ，４．１ｍｍｏｌ）を一滴ずつ加えた。冷却浴を取り除き、反応液が自然に温まるのを待った。３０分後、Ｏ，Ｏ’−ビス（２−ナフチル）クロロホスフィン（７７５ｍｇ，２．２ｍｍｏｌ）のＥｔ２Ｏ（１０ｍＬ）溶液を加えた。反応液は室温でさらに９０分間撹拌した後、無水ＭｅＯＨ（１ｍＬ）でクエンチした。溶媒を蒸発させ、固体残渣を無水のＥｔ２Ｏ（１０ｍＬ）およびＭｅＯＨ（１０ｍＬ）に再溶解させた。溶媒を減圧下で約５ｍＬになるまで濃縮し、生じた白色析出物を沈降させた。上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨ（１０ｍＬ）で洗浄し、それをもう一度繰り返し、次に白色固体残渣を真空下で乾燥した（２７５ｍｇ，収率３３％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１７８．０ｐｐｍ。
【００４８】
実施例１２：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（４Ｓ，５Ｓ）−２，２−ジメチル−４，４，８，８−テトラフェニルテトラヒドロ−［１，３］−ジオキソロ［４，５−ｅ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−６−イル｝−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１６
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．４５ｍＬ，１．１ｍｍｏｌ）を、（４Ｓ，５Ｓ）−４，５−ビス（ジフェニルヒドロキシメチル）−２，２−ジメチルジオキソラン（＝ＴＡＤＤＯＬ）（２３５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（４ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で１時間撹拌した後、その黄色の溶液を、（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（１００ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、室温で１分間かけて一滴ずつ加えた。反応液を室温で１時間撹拌し、真空下で溶媒を濃縮し乾燥させ、無水ＭｅＯＨを加えた（３ｍＬ）。生じた懸濁液を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（３ｍＬ）、白色固体残渣を真空下で乾燥した（収率未計算）。
３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８４．９。
【００４９】
実施例１３：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｓ）−テトラヒドロピロロ［１ ，２−ｃ］［１，３，２］オキサホホール−１−イル｝−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｃ／２６
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８４ｍＬ，２．１ｍｍｏｌ）を、−７８℃で、（Ｓ）−プロリノール（１０６ｍｇ，１．０５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を−７８℃で１０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で１時間撹拌した後、溶媒を蒸発させた。無水ＴＨＦ（１ｍＬ）およびＭｅＯＨ（１５ｍＬ）を加えた。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨ（５ｍＬ）で洗浄し、それをもう一度繰り返し、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（１００ｍｇ，収率４５％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１５９．０ｐｐｍ。
【００５０】
実施例１４：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（４Ｒ，５Ｒ）−１，３−ジメチルオクタヒドロベンゾ［１，３，２］ジアザホスホリル−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｂ／２３
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．９ｍＬ，２．３ｍｍｏｌ）を、（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−（Ｎ，Ｎ’−ジアミノメチルシクロヘキサン）（１５５ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（６ｍＬ）溶液に加え、その暗赤色の溶液を室温で１時間撹拌した（赤色固体の沈殿が観察された）。（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２１０ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（８ｍＬ）溶液を室温で前記懸濁液に加えた。反応液を１時間撹拌し、溶媒を真空下で濃縮して乾燥し、無水ＭｅＯＨを加えた（５ｍＬ）。生じた懸濁液を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（５ｍＬ）、淡黄色固体残渣を真空下で乾燥した（収率未計算）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１３２．４ｐｐｍ。
【００５１】
実施例１５：陽イオン性ロジウム錯体６ａの一般的合成方法
配位子４ａ（１．０５ｍｍｏｌ）および［（ＣＯＤ）２Ｒｈ］ＢＦ４（１ｍｍｏｌ）を無水ＤＣＭ（５〜１０ｍＬ）に溶解し、反応液を室温で２〜１６時間撹拌した。溶媒が約０．５ｍＬになるまで真空下で濃縮し、無水Ｅｔ２Ｏ（５〜１５ｍＬ）を加えた。生じた黄色懸濁液を室温で１０〜３０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固体残渣をさらにＥｔ２Ｏで洗浄し、それをもう一度繰り返し（２×５ｍＬ）、真空下で乾燥した。
３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：（Ｓ）−６ａ／１１：１８６．３ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１２：１７７．０ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１３：１８６．１ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１５：１７４．３ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１６：１４２．０ｐｐｍ（ｄ）。
【００５２】
実施例１６：ルテニウム錯体８ａ
［ＲｕＣｌ２Ｃ６Ｈ６］２（０．０６ｍｍｏｌ）および配位子４ａ（０．１１ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下の乾燥したシュレンク・フラスコに入れた。その固形物に乾燥脱気したＤＭＦ（１ｍＬ）を加え、反応容器を排気してから、再度、窒素ガスを圧入した。これを４回繰り返した。不均一混合物を含むシュレンク・フラスコを１００℃の油浴に置き、３．５時間撹拌した。均一混合物を室温なるまで放冷した後、（Ｒ，Ｒ）−ＤＰＥＮ（＝１，２−ジフェニル−１，２−エタンジアミン）（０．１２ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で６６時間で撹拌した後、高真空下で蒸発し、固形物を得た。これをジクロロメタン（３ｍＬ）で洗浄し、溶媒を蒸発させた。この工程を繰り返し、褐色粉末を得た。
３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：（Ｓ）−８ａ／１１：２２２．４ｐｐｍ；（Ｓ）−８ａ／１３：２２３．５ｐｐｍ。
【００５３】
実施例１７〜２０
水素化はすべて、注射器を使用して溶媒を添加するためのゴム隔壁を有する注入口、圧力計、ぴったり嵌合し取り外し可能なガラス製内張りおよび磁気撹拌子を装備した５０ｍＬのパー（Ｐａｒｒ）水素化容器の中で行った。ＨＰＬＣ等級溶媒を、使用に先立って、少なくとも３０分間窒素を吹き込むことにより脱気した。
【００５４】
基質（２ｍｍｏｌ）および触媒６ａ（０．００２ｍｍｏｌ）を水素化容器に入れ、続いて密閉し窒素で洗い流した。容器を水素で５バールに加圧した後、放圧することによりパージした。この手順を少なくとも４回繰り返した。溶媒（５ｍＬ）を注入口から加え、反応液を再度水素でパージした。その後、３．５バールに加圧し、室温で撹拌した。それ以上の水素の吸収が圧力計で検知されなくなった時、反応を止めた。未精製の反応液の試料をＭＴＢＥで希釈し、転化率と選択率を求めるためにＧＣ（ＤｅｘＣＢのキラルカラム，遊離酸は過剰のトリメチルシリルジアゾメタンを加えることにより誘導した。）によって分析した。
【００５５】
実施例１７：アセトアミドアクリル酸メチルの水素化
【００５６】
【化１３】
【００５７】
【表１】
【００５８】
実施例１８：アセトアミドアクリル酸の水素化
【００５９】
【化１４】
【００６０】
【表２】
【００６１】
実施例１９：アセトアミドケイ皮酸の水素化
【００６２】
【化１５】
【００６３】
【表３】
【００６４】
実施例２０：アセトアミドケイ皮酸メチルの水素化
【００６５】
【化１６】
【００６６】
【表４】
【００６７】
実施例２１：減量した触媒充填量でのアセトアミドケイ皮酸メチルの水素化
基質（１０ｍｍｏｌ）および触媒６ａ（０．００２ｍｍｏｌ）を水素化容器に入れ、続いて密閉し、窒素で５バールに加圧し放圧することによりパージした。この手順を３回繰り返した。続いて、容器を水素で５バールに加圧した後、放圧することによりパージした。この手順を少なくとも４回繰り返した。溶媒（５ｍＬ）を注入口から加え、反応液を再び水素でパージした。その後、５バールに加圧し、室温で撹拌した。反応系に水素を再充填し、５バールと３．５バールの間の圧力に維持した。それ以上の水素の吸収が圧力計で検知されなくなった時、反応を止めた。未精製の反応液の試料をＭＴＢＥで希釈し、転化率を求めるために１Ｈ ＮＭＲで分析し、選択率を求めるためにＧＣ（ＤｅｘＣＢのキラルカラム）で分析した。
【００６８】
【化１７】
【００６９】
【表５】
【００７０】
実施例２２：触媒８ａによるイミンの水素化
Ｎ−（１−フェニルエチリデン）アニリン（１ｍｍｏｌ）および触媒を水素化容器に入れ、続いて密閉し、窒素で洗い流した。容器を水素で２０バールに加圧した後、放圧することにより、パージした。この手順を少なくとも４回繰り返した。２−プロパノール（４ｍＬ）を注入口から加え、反応系を再び水素で５回パージした。放圧し、１モル濃度のカリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドのｔｅｒｔ−ブタノール溶液（０．１ｍｍｏｌ）を加え、反応系を再び水素で４回パージした。反応系を１５バールに加圧し、６５℃で２０．５時間撹拌した。未精製の反応液の試料をアセトンで希釈し、転化率と選択率を求めるためにＧＣ（ＤｅｘＣＢのキラルのカラム）によって分析した。
【００７１】
【化１８】
【００７２】
【表６】
【００７３】
実施例２３：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ジホスフィノ−［２．２］−ｐ−シクロファン １
方法Ａ： 撹拌子を装備した１００ｍＬのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｃｋ）・フラスコを加熱乾燥した後、窒素を充填した。これに（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン（４ｄ，実施例４：３００ｍｇ，０．７５ｇ）および乾燥脱気したトルエン（４ｍＬ）を加えた。生じた溶液を５０℃の油浴に置き、５分間その温度で安定化するようにした。Ｒｅｄ−Ａｌ溶液（６５重量％トルエン溶液，１．９ｍＬ，８．０ｍｍｏｌ）を２分間かけて加えた。溶液は、急速に赤くなったが、２時間よく撹拌した。室温まで放冷した後、塩酸水溶液（２Ｍ，５ｍＬ）をゆっくり加え、それによって活発な気体の発生が観察された。上部の有機層を、套管（ｃａｎｎｕｌａ）を通じて、同様に乾燥した撹拌子を装備した１００ｍＬのシュレンク・フラスコに移液した。水相をさらにトルエン（２×４ｍＬ）で抽出し、第２のシュレンク・フラスコに移液した。混合した有機層を減圧下で穏やかに加熱して乾燥するまで蒸発させ、目的生成物を主として含む黄色の油を得た。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：２．３−２．７（ｍ，３Ｈ）；３．０−３．１（ｍ，１Ｈ）；３．５５および３．７５（２ｄ，１Ｊ＝２００，２Ｊ＝１２．６，２Ｈ）；６．７−７．０；（ｍ，３Ｈ）；３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：−１１３．４（ｔ ｏｆ ｄ，１Ｊ＝２００，３Ｊ＝７．９）。
【００７４】
方法Ｂ： ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２，２］−ｐ−パラシクロファン（４ｄ，１．５ｇ，３．６５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（６ｍＬ）溶液を０℃に冷却した。ＬｉＡｌＨ４のＥｔ２Ｏ溶液（１Ｍ，３０ｍＬ，３０ｍｍｏｌ）を０℃で加え、反応混合物を３０時間撹拌し、この間に室温に達するようにした。その後、再び０℃に冷却し、脱気したＨ２Ｏ（３ｍＬ）を１時間かけて一滴ずつ加えた。反応混合物を減圧下で蒸発乾固し、固体残渣をＣＨ２Ｃｌ２（５ｍＬ×３）とともに粉砕した。溶媒を減圧下で除去し、黄色固体の生成物を得た（０．７６ｇ，収率７６％）。
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、ｐ−シクロファン骨格を有する新規な二座のホスフィン、亜ホスホン酸エステル（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｔｅ）、亜ホスホン酸ジアミドおよび亜ホスホノアミド酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｏａｍｉｄｉｔｅ）配位子、その前駆物質、ならびに遷移金属を触媒とする不斉反応、特にロジウム、イリジウムおよびルテニウムを触媒とする二重結合の水素化のための配位子としてのそれらの使用に関する。
【０００２】
〔従来の技術〕
大部分の接触不斉合成の中心に、適当なキラルな鏡像異性体過剰率の高い有機配位子によって囲まれた遷移金属を主成分とする触媒の使用がある。二座のキラルなホスフィン（３つのＣ−Ｐ結合を有するリン（ＩＩＩ）化合物）は、最も広く使用されている部類の配位子であり、不斉反応の分野に適用されている（Ｒ． Ｎｏｙｏｒｉ， Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， １９９４； Ｎ． Ｊａｃｏｂｓｅｎ， Ａ． Ｐｆａｌｔｚ， Ｈ． Ｙａｍａｍｏｔｏ 編， Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ， Ｓｐｒｉｎｇｅｒ， １９９９）。不斉接触水素化は、その効率を高め環境への影響を減らすために、特に工業的関連を有する。
【０００３】
最近、ホスフィンを主成分とする触媒を用いて得られた結果のいくつかが、ホスファン配位子が亜ホスホン酸エステル（２つのＰ−Ｏ結合と１つのＰ−Ｃ結合、Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． １９９８， ２０７７）、ホスフィン−亜ホスホン酸エステル（Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９９， ２１２９）または亜ホスホルアミド酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒａｍｉｄｉｔｅｓ）（２つのＰ−Ｎと１つのＰ−Ｏ結合、Ｆｅｒｉｎｇａ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ２０００， １１５３９）で置換された錯体の使用に匹敵し得ることが示されている。キラルな単座（ｍｏｎｏ−ｄｅｎｔａｔｅ）亜ホスホン酸エステル（Ｐｒｉｎｇｌｅ ｅｔ ａｌ， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． ２０００， ９６１； Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ． ２０００， ６３３３）および亜リン酸モノエステル（ｍｏｎｏ−ｐｈｏｓｐｈｉｔｅｓ）（３つのＰ−Ｏ結合、Ｍ． Ｔ． Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｉｎｔ． Ｅｄ． ２０００， ３８８９）はしばしば類似の二座配位子と同じくらい有効であった。上記の配位子はしばしば対応するジホスフィンよりも製造が容易かつ安価であるという利点を有する。
【０００４】
キラルな二座亜ホスホン酸エステルはＷＯ−００／１４０９６およびＵＳ−Ａ−５８１７８５０に開示されている。それらは、３つの構築ブロック（ｂｕｉｌｄｉｎｇ ｂｌｏｃｋｓ）すなわち２つのリン原子を結合しているアキラルな炭素骨格（１，１’−二置換フェロセン、１，２−二置換エタン）およびＰ−異種原子の結合を形成するためにキラルなジオールから誘導された２つのキラル単位から構成される。この部類の配位子の例はＲｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． １９９８， ２０７７に記述されている。
【０００５】
いくつかのリンジアミド配位子が報告されており、それらの錯体がヒドロホルミル化反応およびアリル置換反応に役立つことが示されてきた（Ｗｉｌｌｓ ｅｔ ａｌ， Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ． １９９９， ９７３５； Ｓｐｉｌｌｉｎｇ ｅｔ ａｌ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ １９９８， ５４， １０５１３； Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９８， ９２７； Ｋｎｏｃｈｅｌ ｅｔ ａｌ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９７， ９８７）。
【０００６】
いわゆる擬オルト位（４−および１２−位；ｐｓ−オルトと略す。）に２つの同じ置換基を有する［２．２］−ｐ−シクロファン誘導体は平面掌性（ｐｌａｎａｒ ｃｈｉｒａｌｉｔｙ）を有する。成功したジホスフィン配位子であるファネホス（ＰｈａｎｅＰｈｏｓ）（Ｐｙｅ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． １９９７， ６２０７； ＷＯ ９７／４７６３２）はこの骨格を主成分としている。
【０００７】
〔課題を解決するための手段〕
本発明の一面によれば、新規な化合物はｐｓ−オルト−ジホスフィノ−［２．２］−ｐ−シクロファン（１）である。
【０００８】
【化４】
この化合物は、不斉触媒作用用途を有する環式ホスフィン配位子を容易に製造するための一般的な中間体として有用である。化合物（１）は、（Ｓ）で表される鏡像異性体またはもう一つの鏡像異性体（Ｒ）の一方が過剰であって少なくとも８０％ｅｅ（鏡像異性体過剰率）であることが好ましい。より好ましくは９５％ｅｅ以上である。化合物（１）は、化合物４ｄとして後述するテトラクロロ類似体を用いて製造することができる。
【００１０】
さらに、今では、ファネホス配位子（キラルな骨格）の構造的特徴をＤｕＰＨＯＳまたはＦｅｒｒｏＴＡＮＥ配位子（飽和４または５員環中のホスフィン（ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）原子）と組み合わせることにより、一般式（２）および（３）によって表される混成（ｈｙｂｒｉｄ）配位子（ただしＲ１およびＲ２はＨまたはアルキルを表し、ｎは１または２である。）を予測することができると理解されている。現在まで、この種の配位子は文献に記載されていない。重要なことに、キラルな骨格の存在が配位子を設計する方法に融通性を与える。なぜなら、環式ホスフィン単位はキラル（たとえばＲ１＝メチル，Ｒ２＝Ｈまたはその逆）であってもよいし、アキラル（たとえばＲ１＝Ｒ２＝Ｈ）であってもよいからである。キラルの場合は「適合（ｍａｔｃｈ）」したジアステレオマーの対を通して触媒を調整することができるし、アキラルの場合はＨＯ−（ＣＨ２）ｎ−ＯＨ型の安価なジオールから製造することができる。配位子（２）と（３）のどちらが工業的に有用であるかは容易には予測できない。スクリーニング実験を通じて体系的にこれを評価するために、そのような配位子が幾種類も入手できることが必要である。現在まで、これらの配位子の製造は適当な前駆物質が入手できないことから制限されてきた。化合物（１）の供給により、この制限はもはやなくなる。
【００１１】
【化５】
別の面によれば、この発明は、キラルな亜ホスホン酸エステルとリンジアミド、キラルな骨格を有する配位子の研究に基づいている。ｐｓ−オルト−二置換［２．２］−ｐ−シクロファン骨格を主成分とする新規の部類の分子は一般式４のものである。
【００１３】
【化６】
化合物４ａ−ｃのもっとも便利な合成は、ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−ｐ−シクロファン４ｄと、ジオール、ジアミン、アミノアルコール、アルコールまたはアミンから予め発生させた適当な共役塩基との反応に基づく。その代わりに、化合物４ｄを、化学量論量のまたは触媒量の適当な塩基、たとえば第三アミンの存在下で、適当なジオール、ジアミン、アルコールまたはアミンと反応させてもよい。化合物４ｄは、容易に入手できる前駆物質（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ジブロモ−ｐ−シクロファン（５）（Ｄ． Ｊ． Ｃｒａｍ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． １９６９， ３５２７）から種々の合成経路で得ることができる。
【００１５】
化合物４ａ−ｃは製造が容易であり、ジオキソおよびジアミドの構築ブロックは容易に入手できるので、ｐ−シクロファン骨格を基礎にして先例のない範囲の修飾を行うことができる。さらに、キラルなキレートを形成するジアルコキソ（ｄｉａｌｋｏｘｏ）およびジアミド置換基の使用は、骨格のキラリティーと異種原子単位のキラリティーの適合効果により触媒反応におけるキラリティーの移動を増加することができる。単座アルコキソ（ａｌｋｏｘｏ）およびアミドの配位子の使用は、もっと剛性があり立体的に込み入ったジアルコキソ／ジアミド配位子を補完することができるもっと融通のきく配位子を作り出す。単座アルコールまたはアミンから誘導されるキラルな亜ホスホン酸エステルはまったく先例がない。
【００１６】
ｐｓ−オルト二置換ｐ−シクロファン骨格を主成分とするキラルなジ亜ホスホン酸エステル（ｄｉ−ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｔｅｓ）およびリンジアミドは、遷移金属、特にロジウム、イリジウムおよびルテニウムに適した配位子である。化合物６−８は上述した錯体の具体例である。
【００１７】
【化７】
もっとも嵩高いキラルなジアルコキソ置換基を使用して、金属錯体の生成において非常に強い適合／不適合効果が見出された。錯体６−８は、不斉反応、特に不斉水素化のための非常に効果的な触媒として作用する。それらはまた不斉ヒドロホルミル化のためにも使用できる。
【００１９】
特に、高い水準の立体選択性（ｓｔｅｒｅｏｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）は、デヒドロアミノ酸の水素化においてｐ−シクロファン亜ホスホン酸エステルのロジウム錯体６ａによってもたらされる。これらの結果は、既知のロジウム−亜ホスホン酸エステルの系について報告されている結果に匹敵し、用途によってはそれに勝る。驚くべきことに、文献中の結果よりも良い結果がプロトン性溶媒において得られる。非プロトン性溶媒は選択性の顕著な増加をもたらす。
【００２０】
さらに、ｐ−シクロファン−亜ホスホン酸エステル４ａとキラルなジアミンのルテニウム錯体８ａは、非官能性（ｎｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｓｅｄ）ケトンおよびイミンの還元の触媒となる。ホスフィン−ルテニウム−ジアミン錯体がケトンの還元の触媒となることは知られている（Ｎｏｙｏｒｉ ａｎｄ Ｏｈｋｕｍａ， Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．， ２００１， ４０）が、ここに提供する結果は先例がないものである。
【００２１】
〔発明の実施の形態〕
本発明の化合物４は、一方の鏡像異性体のみからなる（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒｉｃａｌｌｙ ｐｕｒｅ）ｐｓ−オルト−ジハロゲン−ｐ−シクロファン５（Ｘ＝Ｂｒ）から製造することができる。亜ホスホン酸エステル４ａは、強い有機金属塩基で５を直接メタル化（ｍｅｔａｌａｔｉｏｎ）し、適当なクロロ−亜ホスホン酸エステル９と反応させることによって得ることができる（反応式１）。別のもっと便利な方法として、新規な中間体ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロ−ホスフィノ）−ｐ−シクロファン４ｄを適当なアルコールまたはジオールまたはそれらの金属塩基と反応させる方法がある（同じく反応式１参照）。
【００２２】
【化８】
化合物４ｄは、便利な汎用の中間体であり、調製および取り扱いが容易なことが見いだされた。それは、ジブロモ化合物５（Ｘ＝Ｂｒ）をメタル化し、続いて、たとえばＣｌＰ（ＮＭｅ２）２またはＣｌＰ（ｉ−Ｐｒ２Ｎ）２のようなクロロ−リン−ジアミド１０でクエンチ（ｑｕｅｎｃｈ）することによってもっともうまく製造することができる（反応式２）。化合物４ｂ（Ｒ＝Ｍｅ，ｉ−Ｐｒ）は、それをその場で調製したまたは予め調製したＨＣｌ溶液（Ｅｔ２Ｏまたは他の都合の良い溶媒）で処理することによって化合物４ｄに変換される（再び反応式２参照）。
【００２４】
【化９】
また、亜ホスホン酸エステル４ａを製造するために、化合物４ｂ（Ｒ＝Ｍｅ，ｉ−Ｐｒ）を適当な塩基の存在下でジオールと直接反応させることもできる（Ｂｕｏｎｏ ｅｔ ａｌ， Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９８， ４９； ｖａｎ Ｂｏｏｍ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔ． ２０００， ８６３５−反応式３）。同じ方法が適当なジアミンまたはアミノアルコールと反応させることによって化合物４ｂ−ｃを製造するのに適用できる。
【００２６】
【化１０】
４ｄと多くのジオールおよびアルコールの共役塩基との反応が室温で円滑に進行し、対応する亜ホスホン酸エステル４ａが高収率で得られることが知られている。それらはすべてＭｅＯＨに比較的溶け難いので、単に反応溶媒を除去し、ＭｅＯＨで洗浄することにより反応原料から単離することができる（反応で生成した塩はＭｅＯＨに可溶である。）。化合物４ａの具体例は、アルコキソおよびジ−アルコキソ単位１１−２１（それらのうち１１，２０および２１はアキラルなものである）から調製されたものである。
【００２８】
【化１１】
化合物４ｂおよび４ｃの具体例は、それぞれジアミド単位２２−２５およびアルコキソ−アミド単位２６−２７から調製した。
【００３０】
【化１２】
化合物４ｃにおいて、リン原子が立体中心（ｓｔｅｒｅｏｇｅｎｉｃ ｃｅｎｔｅｒ）になるという事実は、ジアステレオ異性体の混合物の生成をもたらすかもしれない。しかしながら、分光学的証拠によれば、亜ホスホノアミド酸４ｃ／２３は単一のジアステレオ異性体（実施例１３）として形成される。化合物４ｂ／２８および４ｂ／２９は重要な中間体５を合成するための前駆物質として調製した。化合物４ｄは、また、Ｒｅｄ−ＡｌやＬｉＡｌＨ４のような種々の還元剤による還元によってジホスフィン１を合成するための非常に便利な中間体である。
【００３２】
化合物４ａ−ｃは、遷移金属（特にロジウム、イリジウム、ルテニウム）用の優れた配位子であることが分かった。金属錯体６ａ−ｃ，７ａ−ｃおよび８ａ−ｃは、［（ＣＯＤ）２Ｒｈ］ＢＦ４および［（ＣＯＤ）２Ｉｒ］ＢＦ４、［（ベンゼン）ＲｕＣｌ２］２のような前駆物質を反応させることにより、標準的手法によって調製した。他の適当な金属含有前駆物質は、当業者に知られた手法に従って、使用することができる。
【００３３】
予想外に、最も嵩高いジアルコキソ置換基を有する亜ホスホン酸エステル４ａ／１４および４ａ／１５を使用すると、非常に強い適合／不適合効果が金属錯体の形成において見いだされる。（Ｒ）−１５と（Ｓ）―４ｄから誘導された配位子だけが望ましいＲｈ錯体を生成した。（Ｓ）−１４と（Ｓ）―４ｄから誘導された配位子は［（ＣＯＤ）２Ｒｈ］ＢＦ４と反応しなかった。このことは、ジアステレオ異性体の混合物として配位子を使用し、適合する（Ｓ）−４ａ／（Ｒ）−１５ジアステレオ異性体から誘導された金属錯体を選択的に形成することを可能にする。便利なことに１４と１５の１：１混合物（ラセミ体のジオール）は当該ジアステレオ異性体の混合物を調製するために使用することができる。その代わりに、一方の鏡像異性体のみからなる１４または１５はラセミ体の５と結合することができる。
【００３４】
亜ホスホン酸エステル４ａのロジウム錯体６ａは、デヒドロアミノ酸の水素化において高い活性と選択性を示す。これらの結果は、既知のロジウム−亜ホスホン酸エステル系について報告されている他の結果とも一致している。驚くべきことに、文献（Ｒｅｅｔｚ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９９， ２１２９）に記載されているよりもよい結果がプロトン性溶媒（例えばＭｅＯＨ）で得られる。非プロトン性溶媒（例えばトルエン）を使用すると、選択性がわずかに増加する。プロトン性溶媒（例えばＭｅＯＨまたはＭｅＯＨ／Ｈ２Ｏ）中の触媒の安定性は、多くの場合極性で水溶性の分子である製薬用分子の水素化において潜在的な有用性を増加させる。
【００３５】
配位子４ａおよびＤＰＥＮ（１，２−ジフェニル−１，２−エタンジアミン）のようなキラルなジアミンを含むルテニウム錯体８ａは非官能性ケトンおよびイミンの還元の触媒となる。イミンの不斉還元は、その反応を効率的に促進する触媒が少ししか知られていないので、特に重要である。
【００３６】
〔実施例〕
次に実施例を挙げて本発明を説明する。実施例１〜１４は、配位子前駆物質および配位子の合成を示す（実施例３と４は同じ生成物を得るための代替方法を示す。）。実施例１５および１６は、錯体の合成を示す。実施例１７ないし２２は水素化に関するものである。実施例２３は化合物１に関する。
【００３７】
実施例１：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジメチルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｂ／２８
（Ｓ）−ｐｓ−オルト―ジブロモ−ｐ−シクロファン（１．０９８ｇ，３ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコ（Ｓｃｈｌｅｎｋ ｆｌａｓｋ）に入れ、無水Ｅｔ２Ｏ（４０ｍＬ）で溶解した。その後、溶液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却した。
ｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液（１．７Ｍ，７．１ｍＬ（１２ｍｍｏｌ））を５分間かけて一滴ずつ加えた。反応液は−７８℃で１時間撹拌した。一方、Ｐ（ＮＭｅ２）３を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコに入れ、ＰＣｌ３を室温でゆっくり添加した。添加は内部温度が３０℃超に上がらないような速度で行った。その後、反応液を無水Ｅｔ２Ｏ（１０ｍＬ）で希釈し、室温で３０分間撹拌した。ｐ−シクロファン・リチウム・ジアニオン溶液を冷却浴から取り出し、ＣｌＰ（ＮＭｅ２）２の溶液で直ちにクエンチ（ｑｕｅｎｃｈ）した。反応液をさらにＥｔ２Ｏ（１５ｍＬ）で希釈し、３０分間かけて室温に戻した。シリカゲル（約５ｍＬ）を加え、反応液をさらに２０分間撹拌したの後、窒素雰囲気下で焼結ガラスフィルターでろ過した。生じた透明無色の溶液を減圧下で蒸発させた。固体残渣をＥｔ２Ｏ（１０ｍＬ）で再び溶解し、ＭｅＯＨ（１０ｍＬ）に加えた。Ｅｔ２Ｏを除去するため真空にし、白色固形物が析出した。固形物を沈降させ、上澄み液を除去し、固形物をさらにＭｅＯＨ（１０ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥した（０．５２ｇ，収率３９％）。母液は乾燥するまで蒸発させ、固体残渣をＥｔ２Ｏ（５ｍＬ）およびＭｅＯＨ（５ｍＬ）で上記と同様に処理し、２番目の生成物（全収率：７４％、白色結晶性粉末）を得た。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１２０．３ｐｐｍ。
【００３８】
実施例２：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジ−ｉ−プロピルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｂ／２９
（Ｓ）−ｐｓ−オルト―ジブロモ−ｐ−シクロファン（０．８２ｇ，２．２４ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコに入れ、無水Ｅｔ２Ｏ（３０ｍＬ）で溶解した。その後、溶液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却した。ｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液（１．７Ｍ，５．４ｍＬ，９．２ｍｍｏｌ）を５分間かけて一滴ずつ加えた。反応液を−７８℃で１０分間撹拌した後、冷却浴を取り去り、さらに４０分間反応液を撹拌した。固体の（ｉ−ＰｒＮ）２ＰＣｌ（１．２５ｇ，４．６８ｍｍｏｌ）を一度に加え、反応液を室温で３０分間撹拌した。無水ＭｅＯＨ（１５ｍＬ）を加え、減圧下でＥｔ２Ｏを除去した。溶液から沈殿した白色固形物を窒素下で焼結ガラスフィルターで集め、真空下で乾燥した（１．２６ｇ，収率８４％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：８６．１ｐｐｍ。
【００３９】
実施例３：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｄ
（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジメチルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン（３．６ｇ，８．１ｍｍｏｌ）を無水Ｅｔ２Ｏ（３００ｍＬ）中に懸濁させた。懸濁液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却し、無水ＨＣｌを反応液中に吹き込み、ＨＣｌを飽和させた。その後、反応液を室温に温まるまで１．５時間放置した。窒素を反応液中に３０分間吹き込んだ。窒素下で焼結ガラスフィルターでろ過して塩を除去した。溶媒を蒸発させ、固体の白色残渣をペンタン（５ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥し、白色粉末の生成物（２．０７ｇ，収率６２％）を得た。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１６９．２ｐｐｍ。
【００４０】
実施例４：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｄ
ＨＣｌのＥｔ２Ｏ溶液（２Ｍ，５０ｍＬ，１００ｍｍｏｌ）を室温で撹拌しながら固体の（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ビス（ジ−ｉ−プロピルアミノ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン（２．７６ｇ，４．１２ｍｍｏｌ）に加えた。反応液を室温で１８時間撹拌した後、溶媒を除去し、固体残渣をＥｔ２Ｏ（５０ｍＬ）に懸濁させた。塩をろ過で除去した。溶媒を除去し、Ｅｔ２Ｏ（２０ｍＬ）とヘキサン（４０ｍＬ）を加え、生じた濁った溶液をろ過した。溶媒を除去し、ヘキサンを加え（６０ｍＬ）、反応液を１０分間７０℃に加熱した後、生じた濁った溶液をろ過し、透明な溶液を得た。溶媒を蒸発させ、白色粉末の生成物を得た（０．９５ｇ，収率５６％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１６９．２ｐｐｍ。
【００４１】
実施例５：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（５，７−６−ホスファジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン−６−イル）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１１
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，１．６４ｍＬ，４．１ｍｍｏｌ）を２，２’−ビフェノール（３７３ｍｇ，２ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で４０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（４１０ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液に一滴ずつ加えた。反応液を室温で１時間撹拌した後、ＭｅＯＨ（１ｍＬ）を加えてクエンチした。溶媒を真空下で除去し、無水ＭｅＯＨを加えた（１０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌した後、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。その手順を２度繰り返し（２×５ｍＬ ＭｅＯＨ）、次いで白色固体残渣を真空下で乾燥した（４３８ｍｇ，収率６９％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１９４．２ｐｐｍ。
【００４２】
実施例６：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｒ）−３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル｝−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１３
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ（２８６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト―ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に一滴ずつ加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、ＭｅＯＨ（２ｍＬ）を加えてクエンチした。溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮した後、無水ＭｅＯＨを加えた（１０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（５ｍＬ ＭｅＯＨ）、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（２００ｍｇ，収率４８％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：２１７．６ｐｐｍ。
【００４３】
実施例７：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｓ）−３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル｝―［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１２
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を、（Ｓ）−ＢＩＮＯＬ（２８６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１５ｍＬ）溶液に一滴ずつ加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、ＭｅＯＨ（２ｍＬ）を加えてクエンチした。溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮した後、無水ＭｅＯＨを加えた（２０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。白色固体残渣を真空下で乾燥した（３００ｍｇ，収率７２％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：２０３．８ｐｐｍ。
【００４４】
実施例８：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｒ）−ジ−ｔ−ブチル−１，２，１０，１１−テトラメチル−５，７−ジオキサ−６−ホスファジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン−６−イル｝―［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１５
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を、（Ｒ）−３，３’−ｔ−ブチル−５，５’，６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェノール（２８６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を４５℃で１時間撹拌した後、その溶液を４５℃に加熱した（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液に４０分間かけて一滴ずつ加えた。反応液を５５℃で１．５時間撹拌し、溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮し、その後、無水ＭｅＯＨを加えた（１０ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（５ｍＬ ＭｅＯＨ）、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（２５７ｍｇ，収率５３％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８８．６ｐｐｍ。
【００４５】
実施例９：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（（Ｓ）−ジ−ｔ−ブチル−１，２，１０，１１−テトラメチル−５，７−ジオキサ−６−ホスファジベンゾ［ａ，ｃ］シクロヘプテン−６−イル）−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１４
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８２ｍＬ，２．０５ｍｍｏｌ）を、（Ｓ）−３，３’−ｔ−ブチル−５，５’，６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェノール（３５５ｍｇ，１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を３０℃で１時間撹拌した後、その溶液を、４５℃に加熱した（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液に１時間かけて一滴ずつ加えた。反応液を５５℃で１時間撹拌し、溶媒が約２ｍＬになるまで真空下で濃縮し、その後、無水ＭｅＯＨを加えた（１５ｍＬ）。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（２×１５ｍＬ ＭｅＯＨ）、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（２３５ｍｇ，収率４８％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８０．９ｐｐｍ。
【００４６】
実施例１０：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ジ（２，６−ジメチルフェノキシ）−ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／２０
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．３２ｍＬ，０．８ｍｍｏｌ）を、２，６−ジメチルフェノール（９８ｍｇ，０．８ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で１５分間撹拌した後、その溶液を、（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（７３ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で３０分間撹拌した後、溶媒を蒸発させた。Ｅｔ２Ｏ（１５ｍＬ）およびＳｉＯ２（約２ｍＬ）を加え、反応液をろ過し、透明な溶液を得た。溶媒が約１ｍＬになるまで濃縮し、無水ＭｅＯＨ（２ｍＬ）を加えた。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。生じた白色固体残渣を真空下で乾燥した（収率未計算）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８６．３ｐｐｍ。
【００４７】
実施例１１：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス［ジ（２−ナフトキシ）ホスフィノ］−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／２１
（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ジブロモ−ｐ−シクロファン（３６６ｍｇ，１ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下でシュレンク・フラスコに入れ、無水Ｅｔ２Ｏ（３０ｍＬ）に溶解した。次いで、その溶液をドライアイス／エタノール浴で−７８℃に冷却した。ｔ−ＢｕＬｉのペンタン溶液（１．５Ｍ，２．７５ｍＬ，４．１ｍｍｏｌ）を一滴ずつ加えた。冷却浴を取り除き、反応液が自然に温まるのを待った。３０分後、Ｏ，Ｏ’−ビス（２−ナフチル）クロロホスフィン（７７５ｍｇ，２．２ｍｍｏｌ）のＥｔ２Ｏ（１０ｍＬ）溶液を加えた。反応液は室温でさらに９０分間撹拌した後、無水ＭｅＯＨ（１ｍＬ）でクエンチした。溶媒を蒸発させ、固体残渣を無水のＥｔ２Ｏ（１０ｍＬ）およびＭｅＯＨ（１０ｍＬ）に再溶解させた。溶媒を減圧下で約５ｍＬになるまで濃縮し、生じた白色析出物を沈降させた。上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨ（１０ｍＬ）で洗浄し、それをもう一度繰り返し、次に白色固体残渣を真空下で乾燥した（２７５ｍｇ，収率３３％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１７８．０ｐｐｍ。
【００４８】
実施例１２：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（４Ｓ，５Ｓ）−２，２−ジメチル−４，４，８，８−テトラフェニルテトラヒドロ−［１，３］−ジオキソロ［４，５−ｅ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−６−イル｝−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ａ／１６
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．４５ｍＬ，１．１ｍｍｏｌ）を、（４Ｓ，５Ｓ）−４，５−ビス（ジフェニルヒドロキシメチル）−２，２−ジメチルジオキソラン（＝ＴＡＤＤＯＬ）（２３５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（４ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で１時間撹拌した後、その黄色の溶液を、（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（１００ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に、室温で１分間かけて一滴ずつ加えた。反応液を室温で１時間撹拌し、真空下で溶媒を濃縮し乾燥させ、無水ＭｅＯＨを加えた（３ｍＬ）。生じた懸濁液を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（３ｍＬ）、白色固体残渣を真空下で乾燥した（収率未計算）。
３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１８４．９。
【００４９】
実施例１３：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（Ｓ）−テトラヒドロピロロ［１ ，２−ｃ］［１，３，２］オキサホホール−１−イル｝−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｃ／２６
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．８４ｍＬ，２．１ｍｍｏｌ）を、−７８℃で、（Ｓ）−プロリノール（１０６ｍｇ，１．０５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を−７８℃で１０分間撹拌した後、その溶液を（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２０５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に加えた。反応液を室温で１時間撹拌した後、溶媒を蒸発させた。無水ＴＨＦ（１ｍＬ）およびＭｅＯＨ（１５ｍＬ）を加えた。生じた懸濁液を１０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨ（５ｍＬ）で洗浄し、それをもう一度繰り返し、その後、白色固体残渣を真空下で乾燥した（１００ｍｇ，収率４５％）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１５９．０ｐｐｍ。
【００５０】
実施例１４：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス｛（４Ｒ，５Ｒ）−１，３−ジメチルオクタヒドロベンゾ［１，３，２］ジアザホスホリル−［２．２］−ｐ−シクロファン （Ｓ）−４ｂ／２３
ｎ−ＢｕＬｉ（２．５Ｍヘキサン溶液，０．９ｍＬ，２．３ｍｍｏｌ）を、（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−（Ｎ，Ｎ’−ジアミノメチルシクロヘキサン）（１５５ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（６ｍＬ）溶液に加え、その暗赤色の溶液を室温で１時間撹拌した（赤色固体の沈殿が観察された）。（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン４ｄ（２１０ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（８ｍＬ）溶液を室温で前記懸濁液に加えた。反応液を１時間撹拌し、溶媒を真空下で濃縮して乾燥し、無水ＭｅＯＨを加えた（５ｍＬ）。生じた懸濁液を沈降させ、上澄み液を除去した。固形物をさらにＭｅＯＨで洗浄し、それをもう一度繰り返し（５ｍＬ）、淡黄色固体残渣を真空下で乾燥した（収率未計算）。３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：１３２．４ｐｐｍ。
【００５１】
実施例１５：陽イオン性ロジウム錯体６ａの一般的合成方法
配位子４ａ（１．０５ｍｍｏｌ）および［（ＣＯＤ）２Ｒｈ］ＢＦ４（１ｍｍｏｌ）を無水ＤＣＭ（５〜１０ｍＬ）に溶解し、反応液を室温で２〜１６時間撹拌した。溶媒が約０．５ｍＬになるまで真空下で濃縮し、無水Ｅｔ２Ｏ（５〜１５ｍＬ）を加えた。生じた黄色懸濁液を室温で１０〜３０分間撹拌し、固形物を沈降させ、上澄み液を除去した。固体残渣をさらにＥｔ２Ｏで洗浄し、それをもう一度繰り返し（２×５ｍＬ）、真空下で乾燥した。
３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：（Ｓ）−６ａ／１１：１８６．３ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１２：１７７．０ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１３：１８６．１ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１５：１７４．３ｐｐｍ（ｄ），（Ｓ）−６ａ／１６：１４２．０ｐｐｍ（ｄ）。
【００５２】
実施例１６：ルテニウム錯体８ａ
［ＲｕＣｌ２Ｃ６Ｈ６］２（０．０６ｍｍｏｌ）および配位子４ａ（０．１１ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下の乾燥したシュレンク・フラスコに入れた。その固形物に乾燥脱気したＤＭＦ（１ｍＬ）を加え、反応容器を排気してから、再度、窒素ガスを圧入した。これを４回繰り返した。不均一混合物を含むシュレンク・フラスコを１００℃の油浴に置き、３．５時間撹拌した。均一混合物を室温なるまで放冷した後、（Ｒ，Ｒ）−ＤＰＥＮ（＝１，２−ジフェニル−１，２−エタンジアミン）（０．１２ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を室温で６６時間で撹拌した後、高真空下で蒸発し、固形物を得た。これをジクロロメタン（３ｍＬ）で洗浄し、溶媒を蒸発させた。この工程を繰り返し、褐色粉末を得た。
３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：（Ｓ）−８ａ／１１：２２２．４ｐｐｍ；（Ｓ）−８ａ／１３：２２３．５ｐｐｍ。
【００５３】
実施例１７〜２０
水素化はすべて、注射器を使用して溶媒を添加するためのゴム隔壁を有する注入口、圧力計、ぴったり嵌合し取り外し可能なガラス製内張りおよび磁気撹拌子を装備した５０ｍＬのパー（Ｐａｒｒ）水素化容器の中で行った。ＨＰＬＣ等級溶媒を、使用に先立って、少なくとも３０分間窒素を吹き込むことにより脱気した。
【００５４】
基質（２ｍｍｏｌ）および触媒６ａ（０．００２ｍｍｏｌ）を水素化容器に入れ、続いて密閉し窒素で洗い流した。容器を水素で５バールに加圧した後、放圧することによりパージした。この手順を少なくとも４回繰り返した。溶媒（５ｍＬ）を注入口から加え、反応液を再度水素でパージした。その後、３．５バールに加圧し、室温で撹拌した。それ以上の水素の吸収が圧力計で検知されなくなった時、反応を止めた。未精製の反応液の試料をＭＴＢＥで希釈し、転化率と選択率を求めるためにＧＣ（ＤｅｘＣＢのキラルカラム，遊離酸は過剰のトリメチルシリルジアゾメタンを加えることにより誘導した。）によって分析した。
【００５５】
実施例１７：アセトアミドアクリル酸メチルの水素化
【００５６】
【化１３】
【表１】
実施例１８：アセトアミドアクリル酸の水素化
【００５９】
【化１４】
【表２】
実施例１９：アセトアミドケイ皮酸の水素化
【００６２】
【化１５】
【表３】
実施例２０：アセトアミドケイ皮酸メチルの水素化
【００６５】
【化１６】
【表４】
実施例２１：減量した触媒充填量でのアセトアミドケイ皮酸メチルの水素化
基質（１０ｍｍｏｌ）および触媒６ａ（０．００２ｍｍｏｌ）を水素化容器に入れ、続いて密閉し、窒素で５バールに加圧し放圧することによりパージした。この手順を３回繰り返した。続いて、容器を水素で５バールに加圧した後、放圧することによりパージした。この手順を少なくとも４回繰り返した。溶媒（５ｍＬ）を注入口から加え、反応液を再び水素でパージした。その後、５バールに加圧し、室温で撹拌した。反応系に水素を再充填し、５バールと３．５バールの間の圧力に維持した。それ以上の水素の吸収が圧力計で検知されなくなった時、反応を止めた。未精製の反応液の試料をＭＴＢＥで希釈し、転化率を求めるために１Ｈ ＮＭＲで分析し、選択率を求めるためにＧＣ（ＤｅｘＣＢのキラルカラム）で分析した。
【００６８】
【化１７】
【表５】
実施例２２：触媒８ａによるイミンの水素化
Ｎ−（１−フェニルエチリデン）アニリン（１ｍｍｏｌ）および触媒を水素化容器に入れ、続いて密閉し、窒素で洗い流した。容器を水素で２０バールに加圧した後、放圧することにより、パージした。この手順を少なくとも４回繰り返した。２−プロパノール（４ｍＬ）を注入口から加え、反応系を再び水素で５回パージした。放圧し、１モル濃度のカリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドのｔｅｒｔ−ブタノール溶液（０．１ｍｍｏｌ）を加え、反応系を再び水素で４回パージした。反応系を１５バールに加圧し、６５℃で２０．５時間撹拌した。未精製の反応液の試料をアセトンで希釈し、転化率と選択率を求めるためにＧＣ（ＤｅｘＣＢのキラルのカラム）によって分析した。
【００７１】
【化１８】
【表６】
実施例２３：（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ジホスフィノ−［２．２］−ｐ−シクロファン １
方法Ａ： 撹拌子を装備した１００ｍＬのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｃｋ）・フラスコを加熱乾燥した後、窒素を充填した。これに（Ｓ）−ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２．２］−ｐ−シクロファン（４ｄ，実施例４：３００ｍｇ，０．７５ｇ）および乾燥脱気したトルエン（４ｍＬ）を加えた。生じた溶液を５０℃の油浴に置き、５分間その温度で安定化するようにした。Ｒｅｄ−Ａｌ溶液（６５重量％トルエン溶液，１．９ｍＬ，８．０ｍｍｏｌ）を２分間かけて加えた。溶液は、急速に赤くなったが、２時間よく撹拌した。室温まで放冷した後、塩酸水溶液（２Ｍ，５ｍＬ）をゆっくり加え、それによって活発な気体の発生が観察された。上部の有機層を、套管（ｃａｎｎｕｌａ）を通じて、同様に乾燥した撹拌子を装備した１００ｍＬのシュレンク・フラスコに移液した。水相をさらにトルエン（２×４ｍＬ）で抽出し、第２のシュレンク・フラスコに移液した。混合した有機層を減圧下で穏やかに加熱して乾燥するまで蒸発させ、目的生成物を主として含む黄色の油を得た。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：２．３−２．７（ｍ，３Ｈ）；３．０−３．１（ｍ，１Ｈ）；３．５５および３．７５（２ｄ，１Ｊ＝２００，２Ｊ＝１２．６，２Ｈ）；６．７−７．０；（ｍ，３Ｈ）；３１Ｐ ＮＭＲ（１６２ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６）：−１１３．４（ｔ ｏｆ ｄ，１Ｊ＝２００，３Ｊ＝７．９）。
【００７４】
方法Ｂ： ｐｓ−オルト−ビス（ジクロロホスフィノ）−［２，２］−ｐ−パラシクロファン（４ｄ，１．５ｇ，３．６５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（６ｍＬ）溶液を０℃に冷却した。ＬｉＡｌＨ４のＥｔ２Ｏ溶液（１Ｍ，３０ｍＬ，３０ｍｍｏｌ）を０℃で加え、反応混合物を３０時間撹拌し、この間に室温に達するようにした。その後、再び０℃に冷却し、脱気したＨ２Ｏ（３ｍＬ）を１時間かけて一滴ずつ加えた。反応混合物を減圧下で蒸発乾固し、固体残渣をＣＨ２Ｃｌ２（５ｍＬ×３）とともに粉砕した。溶媒を減圧下で除去し、黄色固体の生成物を得た（０．７６ｇ，収率７６％）。
Claims (42)
- 一般式４
の化合物。 - 置換基ＸとＹの対がＺとＷの対と同じである請求項１記載の化合物。
- Ｗ，Ｘ，ＹおよびＺが各々ハロゲン，窒素，酸素または硫黄から選択された異種原子を含む請求項１または２記載の化合物。
- 異種原子が酸素である請求項３記載の化合物。
- 置換基ＸとＹの対およびＺとＷの対が各々ジオールの共役塩基である請求項４記載の化合物。
- 異種原子が窒素である請求項３記載の化合物。
- 置換基ＸとＹの対およびＺとＷの対が各々第一または第二ジアミンの共役塩基である請求項６記載の化合物。
- 置換基ＸとＹの対およびＺとＷの対の各々において異種原子が酸素および窒素である請求項３記載の化合物。
- 置換基ＸとＹの対およびＺとＷの対が各々アミノアルコールの共役塩基である請求項８記載の化合物。
- キラルな構造であり鏡像異性体過剰率（ｅｅ）が高い請求項１ないし９のいずれか１項記載の化合物。
- ジオールが鏡像異性体過剰率の高いキラルなジオールである請求項５記載の化合物。
- キラルなジオールが軸掌性（ａｘｉａｌ ｃｈｉｒａｌｉｔｙ）を有するビアリールジオールである請求項１１記載の化合物。
- ジアミンが鏡像異性体過剰率の高いキラルな第一または第二ジアミンである請求項９記載の化合物。
- アミノアルコールが鏡像異性体過剰率の高いキラルなアミノアルコールである請求項９記載の化合物。
- 鏡像異性体過剰率（ｅｅ）が少なくとも８０％である請求項１０ないし１４のいずれか１項記載の化合物。
- 鏡像異性体過剰率（ｅｅ）が少なくとも９０％である請求項１５記載の化合物。
- ジオールがアキラルである請求項５記載の化合物。
- Ｗ＝Ｘ＝Ｙ＝Ｚ＝Ｃｌである請求項１記載の化合物。
- ｐｓ−オルト−ジホスフィノ−「２．２」−ｐ−シクロファン（１）である請求項１記載の化合物。
- 鏡像異性体過剰率が高い請求項１９記載の化合物。
- 少なくとも８０％ｅｅである請求項２０記載の化合物。
- 少なくとも９５％ｅｅである請求項２０記載の化合物。
- キラルな配位子（２）または（３）
を製造するための請求項１９ないし２２のいずれか１項記載の化合物の使用。 - 請求項１０ないし１７のいずれか１項記載の鏡像異性体過剰率が高い化合物と、遷移金属と、金属の配位圏を完全にするために必要な他の中性配位子および対イオンとからなる錯体。
- 遷移金属がロジウム，イリジウムまたはルテニウムである請求項２４記載の錯体。
- 配位子が請求項５，１１および１２のいずれかに定義されたものである請求項２４または２５記載の錯体。
- 配位子が請求項６，７および１３のいずれかに定義されたものである請求項２４または２５記載の錯体。
- 配位子が請求項８，９および１４のいずれかに定義されたものである請求項２４または２５記載の錯体。
- 式
［（配位子）（ジエン）金属］Ｑ
（ここで、金属はロジウムまたはイリジウムであり、ジエンはＣＯＤまたはＮＢＤであり、ＱはＢＦ４またはＰＦ６である。）
で表される請求項２６記載の錯体。 - 金属がロジウムであり、ジエンがＣＯＤであり、ＱがＢＦ４である請求項２９記載の錯体。
- 金属がイリジウムであり、ジエンがＣＯＤであり、ＱがＢＦ４である請求項２９記載の錯体。
- 式
［（配位子）（ジアミン）金属（ｈａｌ）２］
（ここで、金属はルテニウムであり、ｈａｌはハロゲン原子であり、ジアミンは鏡像異性体過剰率の高いキラルなジアミンである。）
で表される請求項２６記載の錯体。 - 請求項３記載の化合物をアルコールまたはジオールの共役塩基と反応させることからなる請求項５，１１，１２および１７のいずれか１項記載の化合物の製造方法。
- 請求項３記載の化合物をアミンまたはジアミンの共役塩基と反応させることからなる請求項６，７および１３のいずれか１項記載の化合物の製造方法。
- 請求項３記載の化合物をアミノアルコールの共役塩基と反応させることからなる請求項８，９および１４のいずれか１項記載の化合物の製造方法。
- 不斉反応に触媒作用を及ぼすための請求項２４ないし３２のいずれか１項記載の錯体の使用。
- 不斉反応が水素化である請求項３６記載の使用。
- 水素化がＣ＝Ｃ，Ｃ＝ＮまたはＣ＝Ｏの二重結合の水素化である請求項３７記載の使用。
- 錯体が請求項２５記載のものである請求項３７記載の使用。
- 錯体が請求項２９記載のものである請求項３９記載の使用。
- 水素化がＣ＝ＮまたはＣ＝Ｏの二重結合の水素化であり、錯体が請求項３２記載のものである請求項３７記載の使用。
- 不斉反応がヒドロホルミル化である請求項３６記載の使用。
Applications Claiming Priority (4)
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