JP2002543086A - 二座の有機リン配位子及びその使用 - Google Patents

二座の有機リン配位子及びその使用

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Abstract

(57)【要約】 本発明は式(I)の非対称の二座の有機リン配位子に関し、これらは、モジュール構造を有し、かつ三価のホスフィン官能性及び第二級の三価のリン基を有し、これはキラル配位子骨格にヘテロ原子を介して結合している。式(I):RPZC*HRXP(YR)(YR) (I)[式中、Xは−O−、−S−又は−NR−であり、Yは直接のリン−炭素結合、−O−又は−NR−を表し、Zは互いに単結合又は二重結合によって結合している1〜6個の炭素原子であり、これらはリン単位PRを炭素中心C*と結合させ、かつPは三価のリンである]。本発明は更に式(I)のかかるキラル配位子系を有する錯体化合物に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 三置換された有機リン化合物は均一系触媒における配位子として非常に重要で
ある。かかる化合物中のリン上における置換基の変更によって、リン配位子の電
子的及び立体的特性を、均一系触媒的なプロセスにおける選択性及び活性を制御
することができるように意図的に影響を及ぼすことができる。エナンチオマー濃
縮されたキラル配位子は不斉合成もしくは不斉触媒において使用され、この場合
には配位子の電子的特性及び立体化学的特性は適宜にそれぞれの触媒問題に適合
することが重要である。従って立体化学的に、かつ/又は電子的に異なるキラル
配位子は、適宜に特定の不斉触媒反応のために“仕立てられた”配位子を見いだ
すために非常に重要である。理想的には、従って広範に変更でき、かつその立体
的及び電子的特性に関して広い範囲内で変更できるキラル配位子骨格を有するこ
とが望ましい。
【0002】 従来公知のリン配位子の構造の多様性は非常に広範囲である。これらの配位子
は、例えば化合物のクラスに従って分類でき、かつかかる化合物の例はトリアル
キルホスフィン及びトリアリールホスフィン、ホスファイト、ホスフィナイト、
ホスホナイト、アミノホスファンなどである。化合物のクラスに従う分類は配位
子の電子的特性を記載するために特に有用である。
【0003】 更に、リン配位子の分類はそれらの対称特性又は配位子の“デンティシティ(
denticity)”に従って分類できる。この構造化は、特に触媒/触媒前駆体として
のリン配位子を有する金属錯体の安定性、活性及び(潜在的な)立体選択性を考
慮に入れている。広範なC−対称の二座の配位子系、例えばDUPHOS、D
IOP、BINAP又はDEGUPHOSの他に、非対称の二座の有機リン配位
子は不斉触媒においてますます重要視されている。重要な例は、用途の広いキラ
ルのフェロセニルホスフィン配位子、例えばJOSIPHOS、例えば、特に良
好にオレフィンの不斉水素添加で使用されるPINDOPHOS又はDPAMP
Pのようなアミノホスフィン−フォスフィナイト配位子、又はオレフィンの不斉
ヒドロホルミル化において画期的なBINAPHOS又はBIPHEMPHOS
のようなホスフィン−ホスファイト配位子の大きなクラスである。これらのクラ
スの化合物の成功の重要な局面は、これらの配位子系によって、特に金属中心の
不斉環境が作成されるに至ることである。キラリティーの効果的な移行のために
かかる環境を利用するため、不斉誘導に固有の制限として配位子系のフレキシビ
リティを制御することが有利である。
【0004】 本発明は新規の、非対称の二座かつキラルのリン配位子系を記載しており、こ
れらは前記の効果的な不斉誘導のための重要な特性を独自の方法で併せ持つ。こ
れらの配位子系は両者とも高度に不斉の、互いに無関係に変更できる有機リン供
与体との配位領域を作成し、かつこれらはその立体的かつ電子的な特性に関して
非常に広範に容易に変更可能である。更にこれらは強度を、“配位子骨格”の基
本構造の変更によって段階的に調整することができる。同時に多くの確立された
配位子系に対して本発明による化合物は広範な多様性に及んで容易な合成を介し
て得ることができる。
【0005】 本発明は式(I)の非対称の二座の有機リン配位子に関し、これらは、モジュ
ール構造を有し、かつ三価のホスフィン官能性及び第二級の三価のリン基を有し
、これはキラル配位子骨格にヘテロ原子を介して結合しており、 RPZC*HRXP(YR)(YR) (I) [式中、 R〜Rは同一又は異なっており、かつそれぞれ水素原子又はC〜C50
炭化水素基、例えばC〜C24−アルキル、C〜C24−アルケニル、C 〜C−シクロアルキル、C〜C−シクロアルケニル、C〜C14−アリ
ール、フェニル、ナフチル、フルオレニル、特にN、O、Sからなる群からのヘ
テロ原子の数が1〜4であってよいC〜C13−ヘテロアリールであり、その
際、環式の脂肪族又は芳香族の基は、有利には5〜7員環であり、かつ前記の置
換基はそれぞれ1回以上置換されていてよく、これらの置換基は水素、C〜C 20 −アルキル、C〜C20−アルケニル、C〜C10−ハロアルキル、C 〜C−シクロアルキル、C〜C−シクロアルケニル、C〜C−ヘテ
ロアルキル、C〜C−ヘテロアルケニル、C〜C14−アリール、フェニ
ル、ナフチル、フルオレニル、特にN、O、Sからなる群からのヘテロ原子の数
が1〜4であってよいC〜C−ヘテロアリール、C〜C10−アルコキシ
、C〜C−トリハロメチルアルキル、トリフルオロメチル、トリクロロメチ
ル、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、ヒドロキシ、トリフルオロメ
チルスルホナト、オキソ、チオ、チオラト、アミノ、モノ−、ジ−、トリ−C 〜C−アルキルアミノ又はC〜C−アルケニルアミノ又はモノ−、ジ−、
トリ−C〜C−アリールアミノ又はC〜C−アルキル−C〜C−ア
リールアミノの形のC〜C−置換されたアミノ、シアノ、カルボキシル、C
OOR(Rは一価のカチオン又はC〜C−アルキルを表す)のカルボキ
シラト、C〜C−アシルオキシ、スルフィナト、SOの形のスルホナ
ト、PO、POHR、PO の形のホスファト、トリ−C
−アルキルシリルであり、かつ前記の置換基の2つは架橋していてよく、R 及びRもしくはR及びRは4〜8員環式化合物が存在するように互いに
架橋していてよく、 Xは−O−、−S−又は−NR−であり、 RはR〜Rに関して定義した基に相当し、 Yは直接のリン−炭素結合、−O−又は−NR−を表し、 RはR〜Rに関して定義した基に相当し、 Zは互いに単結合又は二重結合によって結合している1〜6個の炭素原子であり
、これらはリン単位PRを炭素中心C*と結合させ、その際、Zは場合に
よりヘテロ原子、有利には窒素、酸素又は硫黄の部分、含まれる脂肪族、脂環式
、オレフィン、シクロオレフィン系の部分、メタロセン、特に1,1′−又は1
,2−二置換されたフェロセンの部分、又は特に有利には芳香族又は複素芳香族
の環系の部分であり、それは場合により、R〜Rに関して挙げたような置換
基又は直接的にC〜C10−アルコキシ、C〜C−トリハロメチルアルキ
ル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨー
ド、ニトロ、ヒドロキシ、トリフルオロメチルスルホナト、オキソ、チオ、チオ
ラト、アミノ、NH、NH−アルキル−C〜C、NH−アリール−C
、N−アルキル−C〜C、N−アリール−C〜C、N−アルキ
−C〜C 、N−アリール−C〜C の形のC〜C−置換さ
れたアミノ、シアノ、COOH及びCOOR(Rは一価のカチオン又はC 〜C−アルキルを表す)の形のカルボキシラト、C〜C−アシルオキシ、
スルフィナト、SOH及びSO(Rは一価のカチオン、C〜C
アルキル又はC−アリールを表す)の形のスルホナト、ホスホナト、PO 、POHR及びPO (Rは一価のカチオン、C〜C−アル
キル又はC−アリールを表す)のホスファト、C〜C−トリアルキルシリ
ル、CONH、NHCO−アルキル−(C〜C)、CON(アルキル−(
〜C))、CO−アルキル−(C〜C)、COO−アルキル−(C 〜C)、CO−アルケニル−(C〜C)、NCOO−アルキル−(C 〜C)、CO−アリール−(C〜C10)、COO−アリール−(C〜C 10 )、CHCH−COO−アルキル−(C〜C)、CHCHCOOHによ
って1回以上置換されていてよく、かつ Pは三価のリンである] 本発明は更に少なくとも1つの金属を有する式(I)のキラルの配位子系を有
する錯体化合物に関する。
【0006】 有利にはR〜Rはそれぞれ互いに無関係にC〜C20−アルキル、アル
ケニル、ハロアルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ
アリール基であり、これらの基のそれぞれは1回以上置換されていてよく、該置
換基はC〜C20−アルキル、C〜C20−アルケニル、C〜C10−ハ
ロアルキル、C〜C−シクロアルキル、C〜C−シクロアルケニル、C 〜C14−アリール、C〜C−ヘテロアリール、C〜C10−アルコキ
シ、ハロゲノ、ニトロ、ヒドロキシ、オキソ、チオ、チオラト、アミノ、置換さ
れたアミノ、シアノ、スルホナト、トリ−C〜C−アルキルシリルであって
よく、その際、2つの置換基は架橋していてもよい。
【0007】 Zが環系の一部である化合物が有利である。Rは該環系の一部でない。3員
環ないし9員環の系が有利である。特に5員環ないし7員環の系が有利である。
該環系は1〜4つのヘテロ原子、有利には1〜2つのヘテロ原子を有していてよ
く、これらは有利にはO、N及びSから選択される。硫黄Sは種々の酸化状態で
、有利には−S−の他に−SO−で存在してよい。環系の窒素はNR、NR 、NRH、NC(O)R、NSOR、NP(O)Rとして存在してよく
、その際、Rはアルキル又はアリールである。環系はR〜Rについて示され
たように又はアルコキシ、ハロゲン、ニトロ、ヒドロキシ、オキソ、チオ、チオ
ラト、アミノ、置換されたアミノ、シアノ、スルホナト、ホスホナト、トリアル
キルシリル基によって直接1回以上置換されていてよく、その際、これらの置換
基は互いに架橋していてもよい。
【0008】 有利な環系は、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ピリジル、ピロ
ール、フリル、チオフェン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、ピ
ペリジル、ピロリジニル、フェロセン、ジオキソラン又はスルホラン環であり、
これらは非置換であるか、又は前記のように置換されていてよい。本発明の目的
のために、フェロセンのようなメタロセンは形式的に芳香族化合物中に含まれる
べきである。
【0009】 本発明の配位子系においては、R〜R中には有利には互いに無関係に1〜
20個の、特に1〜6個の炭素原子を有するアルキル、アルケニル、シクロアル
キル、シクロアルケニル、アルコキシ、トリアルキルシリル及び/又はジアルキ
ルアミノ基を含む。
【0010】 アルキル置換基の中で、メチル、エチル、n−プロピル、1−メチルエチル、
n−ブチル、1−メチルプロピル、1,1−ジメチルエチル、n−ペンチル、1
−メチル−ブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、2,2−ジメチルプ
ロピル、1−エチルプロピル、n−ヘキシル、1,1−ジメチルプロピル、1,
2−ジメチルプロピル、1−メチルペンチル、2−メチルペンチル、3−メチル
ペンチル、4−メチルペンチル、1,1−ジメチルブチル、1,2−ジメチルブ
チル、1,3−ジメチルブチル、2,2−ジメチルブチル、2,3−ジメチルブ
チル、3,3−ジメチルブチル、1−エチルブチル、2−エチルブチル、1,1
,2−トリメチルプロピル、1,2,2−トリメチルプロピル、1−エチル−1
−メチルプロピル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシルが有
利である。
【0011】 環式アルキル置換基の中で、特に置換された、及び非置換のシクロペンチル、
シクロヘキシル、シクロヘプチルが有利である。
【0012】 有利なアルケニル基は、ビニル、プロペニル、イソプロペニル、1−ブテニル
、2−ブテニル、1−ペンテニル、2−ペンテニル、2−メチル−1−ブテニル
、2−メチル−2−ブテニル、3−メチル−1−ブテニル、1−ヘキセニル、1
−ヘプテニル、2−ヘプテニル、1−オクテニル又は2−オクテニルである。環
式アルケニル置換基の中で、特にシクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロ
ヘプテニル及びノルボルニルが有利である。
【0013】 R〜Rにおけるアリール置換基の中で、特に2−アルキルフェニル、3−
アルキルフェニル、4−アルキルフェニル、2,6−ジアルキルフェニル、3,
5−ジアルキルフェニル、3,4,5−トリアルキルフェニル、2−アルコキシ
フェニル、3−アルコキシフェニル、4−アルコキシフェニル、2,6−ジアル
コキシフェニル、3,5−ジアルコキシフェニル、3,4,5−トリアルコキシ
フェニル、3,5−ジアルキル−4−アルコキシフェニル、3,5−ジアルキル
−4−ジアルキルアミノフェニル、4−ジアルキルアミノ(前記のアルキル及び
アルコキシ基は有利にはそれぞれ1〜6個の炭素原子を有する)、3,5−トリ
フルオロメチル、4−トリフルオロメチル、2−スルホニル、3−スルホニル、
4−スルホニル又は一ハロゲン化ないし四ハロゲン化されたフェニル及びナフチ
ルが有利である。有利なハロゲン置換基はF、Cl及びBrである。
【0014】 全てのハロアルキル及び/又はハロアリール基は、有利には一般式CHal 、CHCHal、CHalを有し、その際、Halは、特にF、Cl及
びBrであってよい。式CF、CHCF、Cのハロアルキル及び/
又はハロアリールが特に有利である。
【0015】 XがNRである場合にはYは直接的なリン−炭素結合を表し、XがOの場合
にはYが直接的なリン−炭素結合を表すか、又は−O−であるような系が有利で
ある。最後に式Iのエナンチオマー濃縮されている配位子系が光学活性配位子系
として有利である。エナンチオマー濃縮が90%を上回る、特に99%を上回る
配位子系が特に有利である。
【0016】 式(I)の化合物の合成のためには、複数の経路が提供される: 反応経路の選択は、相応の出発物質の利用可能性及び所望の置換型に依存する
。以下に、例証となる選択を例によって示し、本願によって記載される新規の方
法によって得られる配位子系の多様性を、代替の合成経路及び他の代用特許及び
(I)型の配位子骨格を除外することなく示す。以下の記載において、置換基R
及びR′は前記にR〜Rの定義においてより厳密に規定された種々の置換基
を表す。明瞭にするために、単純な配位子骨格、例えばフェニル又はエチレンを
、制限又は限定を含意せずに選択されている。
【0017】 (I)型の6種の基本構造のための合成原理を以下に記載する。
【0018】 原則的に公知の方法のバリエーションはIII型、V型、VII型、VIII
型、X型及びVI型のホスフィンアルコール及びホスフィンアミン(反応式2〜
4)を幾つかの合成工程で得ることを可能にする。これらの経路を例証を目的と
して簡単に記載する。
【0019】 II型のキラルアルコール(反応式1)(種々の不斉還元法.水素添加:例え
ばNoyori et al., Tetrahedron Letters, 1991, 32, 4163; J. Am. Chem. Soc.
1998, 120, 13529; hydride reduction: 例えばCorey et al., J. Am. Chem. So
c. 1987, 109, 5551)は、適当なアルコール保護基SG(例えばメトキシメチレ
ン、Fuji et al., Synthesis, 1975, 276; tetrahydropyranyl, Weiss et al.,
J. Org. Chem. 1979, 44, 1438)の導入の後に金属化し、かつ引き続き所望のク
ロロホスフィン(Brunner et al., J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1, 1996)に
よってクエンチする。酸条件下に保護基を開裂した後に、図1の構造IIIに例
証される所望のキラルのホスフィノアルコールが得られる。
【0020】
【化1】
【0021】 V型の相応のキラルのアミノホスフィン(反応式2)は類似の反応順序を介し
て得られる。IV型のキラルアミン(原則的に公知の方法によって、種々の不斉
還元法(hydrogenation : Burk et al., J. Org. Chem. 1998, 63, 6084; J. Am
. Chem. Soc. 1996, 118, 5142; hydride transfer: Mukaiyama et al., Chem.
Lett. 1997, 493; enzymatically: Santaniello et al., Chem. Rev. 1992, 92,
1071)によって得られる)から出発して、NH官能基のN−アルキル化及び保護
の後に化合物を前記のようにホスフィン化し、引き続き第二級アミノホスフィン
Vを遊離させる。
【0022】
【化2】
【0023】 フェロセン架橋を有するアミノホスフィン及びヒドロキシホスフィン(VII
及びVIII)(反応式3)は同様に公知の合成計画の変法によって得られる。
エナンチオマー的に純粋なアミノフェロセニルホスフィン(VI)(合成、例え
ば:Hayashi and Kumada, Bull. Chem. Soc. Jpn. 1980, 53, 1138)から出発し
て、相応のs−ヒドロキシフェロセニルホスフィン(VII)又はアミノフェロ
セニルホスフィン(VIII)は種々の求核性置換反応による立体配置の保持(
Retention)によって得ることができる(Ugi et al., J. Org. Chem. 37, 3052,
and Hayashi and Kumada, Bull. Chem. Soc. Jpn., 1980, 53, 1138と同様の方
法)。
【0024】
【化3】
【0025】 アルキル架橋を有するボラン保護されたヒドロキシホスフィン(X)(反応式
4)はホスフィンアルデヒド(IX)上へのエナンチオ選択的な二有機亜鉛付加
によってBrunner他(Tetrahedron Lett. 1998, 54, 10317)と同様の方
法を使用して製造できる。相応のアミノホスフィン(XI)はホスフィニルアル
デヒド(IX)から第一級アミンによる還元的アミノ化及び引き続いてのラセミ
体の分割によって得ることができる。
【0026】
【化4】
【0027】 本発明によれば、アミノホスフィン及びヒドロキシホスフィンIII、V、V
II、VIIIの式(I)の新規の配位子系XII〜XVIIへの変換(反応式
5)は1工程でクロロホスフィン又はクロロホスファイトの添加によって化学量
論的量の塩基の存在下に生ずる(この型の置換反応のための方法:例えばReetz
et al., Angew. Chem. 1999, 111, 134; RajanBabu et al., J. Org. Chem. 199
7, 62, 6012; Onuma et al., Bull. Chem. Soc. Jpn. 1980, 53, 2012)。X及
びXIの型の化合物のためには、例えばアミンによってボラン保護基を引き続き
除去することが必要である。
【0028】
【化5】
【0029】 本発明によれば、置換基R、R、R及びRが同一であるI型の配位子
を、代替物として、II型の相応のハロアルコールから出発して2当量の強塩基
(例えばt−ブチルリチウム)との反応及び引き続いての2当量の相応のクロロ
ホスファンとの反応によってワンポット法で製造することができる(反応式6)
【0030】
【化6】
【0031】 式(I)の化合物は金属上で配位子として不斉の、金属触媒される反応(例え
ば水素添加、ヒドロホルミル化、転位、アリルアルキル化、シクロプロパン化、
ヒドロシリル化、水酸化物イオン移動、ヒドロホウ素化、ヒドロシアノ化、ヒド
ロカルボキシル化、アルドール反応又はヘック反応)において、かつ重合におい
ても使用することができる。これらは、特に不斉反応のために適当である。
【0032】 特に式(XVIII): [M]A (XVIII) の適当な錯体は式(I)の新規の化合物を配位子として含み、その際、式(XV
III)において、Mは金属中心、有利には遷移金属中心であり、Lは同一又は
異なる配位する有機又は無機の配位子であり、かつPは式(I)の新規の二座の
有機リン配位子であり、Sは配位する溶剤分子であり、かつAは等価の配位しな
いアニオンであり、かつx及びmは1以上の整数であり、n、q及びrは0以上
の整数である。
【0033】 m+n+qの合計は金属中心上で利用できる配位部位によって上限が規定され
、その際、全ての配位部位は占拠されるべきではない。八面体、偽八面体、四面
体、偽四面体、立方体の平坦な配位領域を有する錯体化合物が有利であり、これ
らはそれぞれの遷移金属中心の周りで歪曲していてもよい。かかる錯体化合物に
おいては、m+n+qの合計は6x以下である。
【0034】 本発明の錯体化合物は少なくとも1つの金属原子又はイオン、有利には遷移金
属原子又はイオン、特にパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム
、イリジウム、コバルト、ニッケル及び/又は銅からなる群から選択されるもの
を含む。
【0035】 4未満の金属中心を有する錯体化合物、特に1又は2つの金属中心を有するも
のが有利である。金属中心は種々の金属原子及び/又はイオンによって占拠され
ていてよい。
【0036】 かかる錯体化合物中の有利な配位子Lはハロゲン化物、特にCl、Br及びI
、特にシクロオクタジエン、ノルボルナジエン、オレフィン、特にエチレン及び
シクロオクテン、アセタト、トリフルオロアセタト、アセチルアセトナト、アリ
ル、メタリル、アルキル、特にメチル及びエチル、ニトリル、特にアセトニトリ
ル及びベンゾニトリル、及びカルボニル及びヒドリド配位子である。
【0037】 有利な配位する溶剤Sはアミン、特にトリエチルアミン、アルコール、特にメ
タノール、及び芳香族化合物、特にベンゼン及びクメンである。
【0038】 有利な配位しないアニオンAはトリフルオロアセテート、トリフルオロメタン
スルホネート、BF、ClO、PF、SbF及びBArである。
【0039】 個々の錯体化合物において、種々の分子、原子又はイオンは個々の成分M、P
、L、S及びAで存在していてよい。
【0040】 イオン構造を有する錯体化合物の中で、[RhP(ジエン)]-の化合物
が有利であり、その際、Pは式(I)の新規の配位子である。
【0041】 これらの金属−配位子錯体は金属塩又は適当な前駆錯体と式(I)の配位子と
の反応によってその場で製造できる。更に、金属−配位子錯体化合物は、金属塩
又は適当な前駆錯体と式(I)の配位子との反応及び引き続いての単離によって
得ることができる。
【0042】 金属塩の例は、特にパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、
イリジウム、コバルト、ニッケル及び/又は銅の金属塩化物、臭化物、ヨウ化物
、シアン化物、硝酸物、酢酸物、アセチル酢酸物、ヘキサフルオロアセチルアセ
トネート、テトラフルオロボレート、ペルフルオロアセテート及びトリフレート
である。
【0043】 前駆錯体の例は、 シクロオクタジエンパラジウムクロリド、シクロオクタジエンパラジウムヨージ
ド、1,5−ヘキサジエンパラジウムクロリド、1,5−ヘキサジエンパラジウ
ムヨージド、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム、ビス(アセトニトリ
ル)パラジウム(II)クロリド、ビス(アセトニトリル)パラジウム(II)
ブロミド、ビス(ベンゾニトリル)パラジウム(II)クロリド、ビス(ベンゾ
ニトリル)パラジウム(II)ブロミド、ビス(ベンゾニトリル)パラジウム(
II)ヨージド、ビス(アリル)パラジウム、ビス(メタリル)パラジウム、ア
リルパラジウムクロリド二量体、メタリルパラジウムクロリド二量体、テトラメ
チルエチレンジアミンパラジウムジクロリド、テトラメチルエチレンジアミンパ
ラジウムジブロミド、テトラメチルエチレンジアミンパラジウムジヨージド、テ
トラメチルエチレンジアミンジメチルパラジウム、シクロオクタジエン白金クロ
リド、シクロオクタジエン白金ヨージド、1,5−ヘキサジエン白金クロリド、
1,5−ヘキサジエン白金ヨージド、ビス(シクロオクタジエン)白金、カリウ
ムエチレントリクロロプラチネート、シクロオクタジエンロジウム(I)クロリ
ド二量体、ノルボルナジエンロジウム(I)クロリド二量体、1,5−ヘキサジ
エンロジウム(I)クロリド二量体、トリス(トリフェニルホスファン)ロジウ
ム(I)クロリド、ヒドリドカルボニルトリス(トリフェニルホスファン)ロジ
ウム(I)クロリド、ビス(シクロオクタジエン)ロジウム(I)ペルクロレー
ト、ビス(シクロオクタジエン)ロジウム(I)テトラフルオロボレート、ビス
(シクロオクタジエン)ロジウム(I)トリフレート、ビス(アセトニトリル)
シクロオクタジエンロジウム(I)ペルクロレート、ビス(アセトニトリル)シ
クロオクタジエンロジウム(I)テトラフルオロボレート、ビス(アセトニトリ
ル)シクロオクタジエンロジウム(I)トリフレート、シクロペンタジエンロジ
ウム(III)クロリド二量体、ペンタメチルシクロペンタジエンロジウム(I
II)クロリド二量体、(シクロオクタジエン)Ru(η−アリル)、((
シクロオクタジエン)Ru)(アセテート)、((シクロオクタジエン)R
u)(トリフルオロアセテート)、RuCl(アレン)二量体、トリス(
トリフェニルホスファン)ルテニウム(II)クロリド、シクロオクタジエンル
テニウム(II)クロリド、OsCl(アレン)二量体、シクロオクタジエン
イリジウム(I)クロリド二量体、ビス(シクロオクテン)イリジウム(I)ク
ロリド二量体、ビス(シクロオクタジエン)ニッケル、(シクロドデカトリエン
)ニッケル、トリス(ノルボルネン)ニッケル、ニッケルテトラカルボニル、ニ
ッケル(II)アセチルアセトネート、(アレン)銅トリフレート、(アレン)
銅ペルクロレート、(アレン)銅トリフルオロアセテート、コバルトカルボニル
である。
【0044】 1種以上の金属、特にRu、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cuから
なる群から選択される金属をベースとする錯体化合物はそれ自体で触媒であるか
、又は1種以上の金属、特にRu、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu
からなる群から選択される金属をベースとする触媒を製造するために使用できる
。これらの全ての錯体化合物は水素添加、ヒドロホルミル化、転位、アリルアル
キル化、シクロプロパン化、ヒドロシリル化、水酸化物イオン移動反応、ヒドロ
ホウ素化、ヒドロシアノ化、ヒドロカルボキシル化、アルドール反応又はヘック
反応のために適当である。本発明の錯体は、特にC=C、C=O又はC=N結合
の不斉水素添加において有用であり、その際、これらは不斉ヒドロホルミル化に
おいて高い活性及び選択性を有する。特に本願では式(I)の配位子を、変更可
能な広範かつ簡単な方法の故にそれらの立体特性及び電子特性に関してそれぞれ
の基質に非常に良好に適合でき。かつ触媒反応に適合させることができることが
有利である。
【0045】 相応の触媒は少なくとも1つの本発明の錯体化合物を含む。
【0046】 実施例 一般 空気に敏感な化合物の反応をアルゴンで充填したグローブボックス又は標準的
なシュレンク管中で実施した。テトラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテ
ル及びジクロロメタン溶剤を脱ガスさせ、溶剤乾燥装置(Innovatibe Technolog
ies)を使用して、活性化された酸化アルミニウムで充填したカラムを通じての
濾過によって乾燥させ、トルエン及びペンタンを更に、銅触媒で充填されたカラ
ムを使用して酸素不含にした。
【0047】 以下の例は本発明を説明するものであり、本発明を制限するものではない。
【0048】 キラルアルコールの合成 以下の合成法は、例として芳香族ケトンのキラル還元を実施する可能な方法を
記載する。
【0049】 例1:(R)−2−ブロモフェニルエタン−1−オールの製造(反応式7) Noyori他の一般的方法を使用して、ブロモアセトフェノン(78.5ミ
リモル)及び[Ru(R−BINAP)Cl](0.079ミリモル)の30
mlのメタノール中の溶液をHの35バール下に70℃で3時間撹拌する。溶
剤を減圧下に除去し、粗生成物を130〜140℃及び2〜3バールでバルブチ
ューブ(Kugelrohr)中で蒸留する。無色の油状物が−20℃でペンタンから晶
出する。
【0050】 収率:76%;ee>99%。
【0051】
【化7】
【0052】 例2:(R)−2,5−ジメチル−4−ブロモ−3−(エタン−1−オール)
チオフェンの製造(反応式8) 3−アセチル−4−ブロモ−2,5−ジメチルチオフェン(78.5ミリモル
)をテトラヒドロフラン中のIpcBClを使用してBrown他の一般的方
法(J. Org. Chem. 1989, 54, 4504)を使用して還元した。
【0053】 収率:71%(ee=72%)。
【0054】
【化8】
【0055】 例3:ラセミ体アルコールの合成のための一般的方法 相応のケトンをメタノール中に溶解させ、2当量のホウ水素化ナトリウムのメ
タノール性懸濁液に滴加し、該混合物を室温で24時間撹拌した。該反応混合物
を冷却された飽和塩化アンモニウム溶液中に注入し、メタノールを減圧下に除去
する。水相を酢酸エチルで3回抽出し、合した有機相を硫酸マグネシウム上で乾
燥させ、溶剤を引き続き減圧下に除去する。粗製のラセミ生成物を真空蒸留又は
低温晶出によって精製する。
【0056】 本発明の配位子の合成 本発明の配位子のワンポット法による合成の一般的方法 40mlのテトラヒドロフラン(THF)中の相応のアルコール(10.6ミ
リモル)(例えば反応式9を参照のこと)の溶液を−78℃に冷却し、t−ブチ
ルリチウム(25.0ミリモル)を15分間かけて添加する。反応溶液を−70
℃で更に1時間撹拌し、引き続きクロロジフェニルホスフィン(7mlのTHF
中の22ミリモル)と混合する。反応溶液を室温で一晩加温し、かつ15時間撹
拌した。該溶液を減圧下に10mlに濃縮し、引き続き10mlのペンタンと混
合する。セライトを介して濾過して、溶剤を減圧下で除去する。残留物をエーテ
ル/ペンタン(3:2)中に取り、かつ酸化アルミニウム(ALOX)(中性)
を通じて濾過した(溶離剤:エーテル/ペンタン 3:2)。溶剤の除去によっ
て無色又は淡黄色の油状物がもたらされ、これは少しの間が経ったら部分的に晶
出する。
【0057】
【化9】
【0058】 例4:(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(O−ジフェニルホスフィニ
ルエタン−1−オール)ベンゼンの製造 収率76%
【0059】
【外1】
【0060】 例5:(R)−2−ジシクロヘキシルホスフィノ−1−(O−ジシクロヘキシ
ルホスフィニルエタン−1−オール)ベンゼンの製造 収率66%
【0061】
【外2】
【0062】 例6:(R)−2,5−ジメチル−4−ジフェニルホスフィノ−3−(O−ジ
フェニルホスフィニルエタン−1−オール)チオフェンの製造 収率:81%
【0063】
【外3】
【0064】 多段階法での配位子の合成 例7:(R)−2−ブロモ−1−(エタン−1−メトキシメチルエーテル)ベ
ンゼン(MOMエーテル)の製造(反応式10) 水素化ナトリウム(28.9ミリモル)をペンタンで洗浄した。ペンタンの除
去後に、60mlのTHF中の懸濁液を調製し、かつ(R)−2−ブロモフェニ
ルエタン−1−オール(19.2ミリモル)を、氷冷している時に少量ずつ添加
した。添加が完了した後に、反応混合物を60分間撹拌し、その後にクロロメチ
ルメチルエーテルを10分間かけて氷冷しながら添加し、混合物を一晩撹拌した
。反応溶液を慎重に飽和NHCl溶液で加水分解した。水相を100mlの酢
酸エチルで3回抽出し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下に除去する
。粗生成物を1.6ミリバール及び120℃でバルブチューブ中で蒸留する。
【0065】 収率:86%
【0066】
【化10】
【0067】 例8:(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(エタン−1−メトキシメチ
ルエーテル)ベンゼンの製造(反応式11) (R)−2−ブロモ−1−(エタン−1−メトキシメチルエーテル)ベンゼン
(5.0ミリモル)の20mlのTHF中の溶液を−78℃に冷却し、かつ2当
量のt−ブチルリチウムを15分かけて添加した。反応溶液を−78℃で更に9
0分間撹拌し、引き続き1.1当量のクロロジフェニルホスフィン(5mlのT
HF中)と−78℃で混合した。40分後に、反応溶液を室温に加温し、かつ1
5時間撹拌した。反応溶液を飽和され脱ガスされたNHCl溶液で加水分解し
、水相をその都度30mlのトルエンで3回抽出した。有機相を硫酸ナトリウム
上で乾燥させ、溶剤を減圧下に除去した。残留物をエーテル/ペンタン(3:2
)中に取り、ALOX(中性)を介して濾過した(溶離剤:エーテル/ペンタン
3:2)。溶剤の除去によって無色の油状物が得られた。収量:1.64g。
【0068】
【化11】
【0069】 例9:(R)−2−ジフェニルホスフィノフェニル(エタン−1−オール)の
製造(反応式12) (R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(エタン−1−メトキシメチルエー
テル)ベンゼンを40mlのジクロロメタン及び10mlのメタノール中に溶解
させ、p−トルエンスルホン酸と混合し、かつ40℃で4時間撹拌した。30m
lの炭酸水素ナトリウム溶液を該反応溶液に添加し、水相をジクロロメタンで2
回抽出した。有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、溶剤を減圧下に除去した
。生成物は油状物として単離される。
【0070】 収率:53%。
【0071】
【化12】
【0072】 例10:(R)−2−ブロモ−1−(エタン−1−テトラヒドロピラニルエー
テル)ベンゼン((R)−THPエーテル)の製造(反応式13) 0.92ミリモルのp−トルエンスルホン酸を20mlのジクロロメタン中の
20ミリモルの(R)−2−ブロモフェニル−1−(エタン−1−オール)の氷
冷溶液に添加した。22.1ミリモルの3,4−ジヒドロピランを2分間かけて
添加し、該溶液を室温に加温し、かつ更に1.5時間撹拌した。反応溶液を20
mlの炭酸水素ナトリウム溶液で加水分解し、水相をジクロロメタンで2回抽出
し、有機相を水で洗浄した。硫酸マグネシウム上での乾燥の後に、溶剤を減圧下
に除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン
1:1−>3:1)によって精製した。収率:64%(ジアステレオマー比
4:1)
【0073】
【化13】
【0074】 例11:(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(エタン−1−テトラヒド
ロピラニルエーテル)ベンゼン−ボラン付加物の製造(反応式14) t−ブチルリチウム(23.5ミリモル)を10分間かけて、−78℃に冷却
した(R)−THPエーテルの溶液(34mlのTHF中の11.7ミリモル)
に添加し、黄色の溶液を−78℃で更に1時間撹拌した。クロロジフェニルホス
フィン(11.7ミリモル)を該溶液に添加し、その溶液を30分間室温に加温
した。反応溶液を再び−78℃に冷却し、35.2ミリモルのボラン−THF錯
体と混合し、室温で一晩加温した。反応混合物を冷水で加水分解し、90mlの
t−ブチルメチルエーテル及び65mlの1Mの塩酸と混合した。相分離は50
mlのジクロロメタンの添加の後に開始した。水相をジクロロメタンで2回抽出
し、飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させる。溶剤を
除去した後に、白色の固体として粗生成物が得られ、これを更に精製せずに反応
させる。
【0075】 収量:6.24g
【0076】
【化14】
【0077】 例12:(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(エタン−1−オール)ベ
ンゼン−ボラン付加物の製造(反応式15) ボラン錯体(12ミリモル)を20mlのメタノール及び5mlのジクロロメ
タノ中に溶解させる。0.6ミリモルのトルエンスルホン酸を該溶液に添加し、
かつ混合物を緩慢に加温させながら6時間撹拌し、その後に、溶剤を減圧下に除
去した。粗生成物をフラッシュクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン 2
:8−>3:7)によって精製した。ボラン基を開裂させた生成物を第2フラク
ションとして単離した。
【0078】
【化15】
【0079】 例13:(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(エタン−1−オール)ベ
ンゼンの製造(反応式16) ボラン錯体(15.9ミリモル)を31mlのメタノール及び6mlのジクロ
ロメタン中に溶解させる。0.79ミリモルのトルエンスルホン酸を該溶液に添
加し、混合物を緩慢に加温しながら24時間撹拌し、その後に溶剤を減圧下で除
去した。粗生成物をフラッシュクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン 2
:8−>3:7)によって精製した。
【0080】 収率:51%
【0081】
【化16】
【0082】 例15:(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(O−ジイソプロピルホス
フィノエタン−1−オール)ベンゼンの製造(反応式17) 5mlのTHF中の2−ジフェニルホスフィノ−1−(エタン−1−オール)
ベンゼン(3.6ミリモル)の溶液を0℃に冷却し、4.2ミリモルのトリエチ
ルアミンと混合した。4.2ミリモルのクロロジイソプロピルホスフィンを引き
続き5分間かけて注入器を使用して添加した。反応溶液を0℃で2時間撹拌し、
引き続き室温で更に2時間撹拌した。該溶液を減圧下に濃縮し、引き続き3ml
のペンタン及び5mlのジエチルエーテルと混合し、ALOX(中性)を介して
濾過した(溶離剤 エーテル/ペンタン 3:2)。溶剤の除去後に淡黄色の油
状物として生成物が得られた。
【0083】
【化17】
【0084】 例15:(R)−1−[(S)−2−(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル
]−(O−ジフェニルホスフィノエタノール)の製造 (R)−1−[(S)−2−(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル]エタノ
ールの製造をHayashi他(Hayashi et al., Bull. Chem. Soc. Jpn. 1980
, 53, 1138)に記載のように実施した。60mg(0.14ミリモル)の(R)
−1−[(S)−2−(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル]エタノールをT
HF中でクロロジフェニルホスフィンと、例14と同様の方法を使用して反応さ
せるが、塩基としてピリジンの存在下に反応させた。反応の粗生成物は所望の生
成物への変換を示している。
【0085】31 P−NMR(CDCl):δ=98.4(s,P−O),−21.2(s
,P−C)ppm 本発明による金属錯体 金属錯体の一般的製造 0.11ミリモルの金属塩を4mlのジクロロメタン中に溶解させる。0.1
1ミリモルの配位子(1mlのジクロロメタン中に溶解されている)を該溶液に
添加し、この溶液を30分間撹拌した。錯体はペンタンの添加によって澄明な橙
色の溶液から沈殿した。
【0086】 例16:κP,P′−{[(R)−2−ジフェニルホスフィノ−1−(O−
ジフェニルホスフィニルエタン−1−オール)ベンゼン]シクロオクタジエニル
ロジウム}トリフレート(反応式18) 収率:94%
【0087】
【化18】
【0088】 例17:κP,P′−{[(R)−2−ジフェニルホスフィノフェニル−O
−ジフェニルホスフィニルエタン−1−オール)ジクロロパラジウム(反応式1
9) 収率:91%
【0089】
【化19】
【0090】 例18:κP,P′−{[(R)−2,5−ジメチル−4−ジフェニルホス
フィノ−3−(O−ジフェニルホスフィニルエタン−1−オール)チオフェン]
シクロオクタジエニルロジウム}トリフレート(反応式20) 収率:93%
【0091】
【化20】
【0092】 例19:κP,P′−[(R)−2,5−ジメチル−4−ジフェニルホスフ
ィノ−3−(O−ジフェニルホスフィニルエタン−1−オール)チオフェン]ジ
クロロパラジウム(反応式21) 収率:96%
【0093】
【化21】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07F 9/50 C07F 9/50 9/655 9/655 17/02 17/02 19/00 19/00 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 C07M 7:00 C07M 7:00 (72)発明者 ウーヴェ ディンガーディッセン ドイツ連邦共和国 ゼーハイム−ユーゲン ハイム リンネヴェーク 1 (72)発明者 アクセル モンゼース ドイツ連邦共和国 フランクフルト ファ ルクシュトラーセ 46 Fターム(参考) 4G069 AA06 BA27A BA27B BC71A BC71B BC72A BC72B BE03A BE03B BE21A BE21B BE26A BE26B BE27A BE28A BE28B BE29A BE33A BE37B BE38A BE38B BE46A BE46B 4H006 AA01 AA02 AB40 AC41 AC81 BA18 BA48 BE20 FC52 FE11 4H039 CA60 CB20 4H050 AA01 AA02 AA03 AB40 WB11 WB16

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I): RPZC*HRXP(YR)(YR) (I) [式中、 R〜Rは同一又は異なり、水素原子又はC〜C50−炭化水素含有基、例
    えばC〜C24−アルキル、C〜C24−アルケニル、C〜C−シクロ
    アルキル、C〜C−シクロアルケニル、C〜C14−アリール、フェニル
    、ナフチル、フルオレニル、C〜C13−ヘテロアリールであり、その際、ヘ
    テロ原子の数は1〜4であってよく、かつ 前記の基はそれぞれ1回以上置換されていてよく、これらの置換基は、互いに無
    関係に水素、C〜C20−アルキル、C〜C20−アルケニル、C〜C −ハロアルキル、C〜C−シクロアルキル、C〜C−シクロアルケニ
    ル、C〜C−ヘテロアルキル、C〜C−ヘテロアルケニル、C〜C −アリール、フェニル、ナフチル、フルオレニル、C〜C−ヘテロアリー
    ル(ヘテロ原子の数は1〜4であってよい)、C〜C10−アルコキシ、C 〜C−トリハロメチルアルキル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、フ
    ルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、ヒドロキシ、トリフルオロメチルス
    ルホナト、オキソ、チオ、チオラト、アミノ、モノ−、ジ−、トリ−C〜C −アルキルアミノ又はC〜C−アルケニルアミノ又はモノ−、ジ−、トリ−
    〜C−アリールアミノ又はC〜C−アルキル−C〜C−アリール
    アミノの形のC〜C−置換されたアミノ、シアノ、カルボキシル、式COO
    (Rは一価のカチオン又はC〜C−アルキル基である)のカルボキシ
    ラト、C〜C−アシルオキシ、スルフィナト、式SOのスルホナト、
    式POの形のホスファト、POHR、PO 、トリ−C〜C −アルキルシリルであってよく、前記の置換基の2つは架橋していてもよく、
    かつ R及びR又はR及びRは4員環式化合物ないし8員環式化合物が存在す
    るように互いに架橋していてよく、 XはO、S又はNRであり、 RはR〜Rに関して定義した基の1つに相当し、 Yは直接的なリン−炭素結合、−O−又は−NR−であり、その際、 RはR〜Rに関して定義した基の1つに相当し、 Zは単結合又は二重結合によって互いに結合され、かつホスフィン単位PR を炭素中心C*に結合させる1〜6個の炭素原子であり、その際、Zはヘテロ
    原子を有していてよい脂肪族、脂環式、オレフィン、シクロオレフィン系の一部
    、置換基がR〜Rに関して挙げられ、又はC〜C10−アルコキシ、C 〜C−トリハロメチルアルキル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、フ
    ルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード、ニトロ、ヒドロキシ、トリフルオロメチルス
    ルホナト、オキソ、チオ、チオラト、アミノ、式NH、NH−アルキル−C 〜C、NH−アリール−C〜C、N−アルキル−C〜C、N−アリ
    ール−C〜C、N−アルキル−C〜C 、N−アリール−C
    のC〜C−置換されたアミノ、シアノ、式COOH及びCOOR
    カルボキシラト(Rは一価のカチオン又はC〜C−アルキルのいずれかで
    ある)、C〜C−アシルオキシ、スルフィナト、式SOH及びSO のスルホナト(Rは一価のカチオン、C〜C−アルキル又はC−アリー
    ルのいずれかである)、ホスホナト、式PO、POHR及びPO (Rは一価のカチオン、C〜C−アルキル又はC−アリールである
    )のホスファト、C〜C−トリアルキルシリル、CONH、NHCO−ア
    ルキル−(C〜C)、CON(アルキル−(C〜C))、CO−アル
    キル−(C〜C)、COO−アルキル−(C〜C)、CO−アルケニル
    −(C〜C)、NHCOO−アルキル−C〜C、CO−アリール−(C 〜C10)、COO−アリール−(C〜C10)、CHCH−COO−アル
    キル−(C〜C)、CHCHCOOHによって直接置換されていてよいメタ
    ロセンの一部を表し、 Pは三価のリンである]の二座の有機リン配位子。
  2. 【請求項2】 R〜Rがそれぞれ、互いに無関係に20個以下の炭素原
    子を有するアルキル、アルケニル、ハロアルキル、シクロアルキル、シクロアル
    ケニル、アリール、ヘテロアリール基を表し、これらはC〜C20−アルキル
    、C〜C20−アルケニル、C〜C10−ハロアルキル、C〜C−シク
    ロアルキル、C〜C−シクロアルケニル、C〜C14−アリール、C
    −ヘテロアリール、C〜C10−アルコキシ、ハロゲノ、ニトロ、ヒドロ
    キシ、オキソ、チオ、チオラト、アミノ、置換されたアミノ、シアノ、スルホナ
    ト、トリ−C〜C−アルキルシリルによって1回以上置換されていてよい、
    請求項1記載の化合物。
  3. 【請求項3】 Zが3員環系ないし9員環系、有利には5員環系ないし7員
    環系の一部である、請求項1又は2記載の化合物。
  4. 【請求項4】 環系が芳香族化合物又は複素芳香族化合物である、請求項3
    記載の化合物。
  5. 【請求項5】 芳香族化合物が1,1′−又は1,2−置換されたメタロセ
    ンである、請求項4記載の化合物。
  6. 【請求項6】 メタロセンがフェロセンである、請求項5記載の化合物。
  7. 【請求項7】 環系Zが1〜4個のヘテロ原子を有する、請求項1から6ま
    でのいずれか1項記載の化合物。
  8. 【請求項8】 環系Zが1又は2個のヘテロ原子を有する、請求項1から7
    までのいずれか1項記載の化合物。
  9. 【請求項9】 環系が、非置換又は請求項1に記載のように置換されたフェ
    ニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ピリジル、ピロール、フリル、チオフ
    ェン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、ピペリジル、ピロリジニ
    ル、ジオキソラン、フェロセニル、スルホランを表す、請求項3記載の化合物。
  10. 【請求項10】 ヘテロ原子がO、N又はSである、請求項1から9までの
    いずれか1項記載の化合物。
  11. 【請求項11】 Rがメチル又はエチル又はイソプロピルである、請求項
    1から10までのいずれか1項記載の化合物。
  12. 【請求項12】 R〜R中のアルキル、アルケニル、ハロアルキル、シ
    クロアルキル、シクロアルケニル、アルコキシ、トリアルキルシリル及び/又は
    ジアルキルアミノ基はそれぞれ、互いに無関係に1〜20個、特に1〜6個の炭
    素原子を有している、請求項1記載の化合物。
  13. 【請求項13】 R〜R中のハロアルキル基がCF、CHCF
    である、請求項1記載の化合物。
  14. 【請求項14】 R、R、R及びRがアリール置換基である、請求
    項1記載の化合物。
  15. 【請求項15】 アリール置換基が2−アルキルフェニル、3−アルキルフ
    ェニル、4−アルキルフェニル、2,6−ジアルキルフェニル、3,5−ジアル
    キルフェニル、3,4,5−トリアルキルフェニル、2−アルコキシフェニル、
    3−アルコキシフェニル、4−アルコキシフェニル、2,6−ジアルコキシフェ
    ニル、3,5−ジアルコキシフェニル、3,4,5−トリアルコキシフェニル、
    3,5−ジアルキル−4−アルコキシフェニル、3,5−ジアルキル−4−ジア
    ルキルアミノフェニル、4−ジアルキルアミノ、3,5−トリフルオロメチル、
    4−トリフルオロメチル、2−スルホニル、3−スルホニル、4−スルホニル、
    一ハロゲン化ないし四ハロゲン化されたフェニル、ナフチルである、請求項14
    記載の化合物。
  16. 【請求項16】 R、R、R及びRがアルキル置換基又はシクロア
    ルキル置換基である、請求項1記載の化合物。
  17. 【請求項17】 アルキル置換基がメチル、エチル、n−プロピル、1−メ
    チルエチル、n−ブチル、1−メチルプロピル、1,1−ジメチルエチル、n−
    ペンチル、1−メチルブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、2,2−
    ジメチルプロピル、1−エチルプロピル、n−ヘキシル、1,1−ジメチルプロ
    ピル、1,2−ジメチルプロピル、1−メチルペンチル、2−メチルペンチル、
    3−メチルペンチル、4−メチルペンチル、1,1−ジメチルブチル、1,2−
    ジメチルブチル、1,3−ジメチルブチル、2,2−ジメチルブチル、2,3−
    ジメチルブチル、3,3−ジメチルブチル、1−エチルブチル、2−エチルブチ
    ル、1,1,2−トリメチルプロピル、1,2,2−トリメチルプロピル、1−
    エチル−1−メチルプロピル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−
    デシルである、請求項16記載の化合物。
  18. 【請求項18】 環式のアルキル置換基が置換及び非置換のシクロペンチル
    、シクロヘキシル、シクロヘプチルである、請求項16記載の化合物。
  19. 【請求項19】 XがNR又はOである、請求項1記載の化合物。
  20. 【請求項20】 YがNR、O又は直接的なリン−炭素結合である、請求
    項1記載の化合物。
  21. 【請求項21】 式Iの化合物が光学活性である、請求項1記載の化合物。
  22. 【請求項22】 式Iの化合物がエナンチオマー濃縮されている、請求項1
    記載の化合物。
  23. 【請求項23】 エナンチオマー濃縮が90%、有利には99%を上回る、
    請求項22記載の化合物。
  24. 【請求項24】 配位子としての請求項1記載の化合物並びに少なくとも1
    種の遷移金属を含有する錯体化合物。
  25. 【請求項25】 式(XVIII): [M]A (XVIII) [式中、 Mは金属中心であり、 Lは同一又は異なる配位する有機又は無機の配位子であり、 Pは式(I)の本発明による二座の有機リン配位子であり、 Sは配位する溶剤分子であり、かつ Aは等価の配位しないアニオンであり、 x及びmは1以上の整数であり、n、q及びrは0以上の整数である]を有する
    、請求項24記載の錯体化合物。
  26. 【請求項26】 m+n+qの合計が6x以下である、請求項25記載の錯
    体化合物。
  27. 【請求項27】 錯体が1〜4つ、有利には1又は2つの金属中心を有する
    、請求項24から26までのいずれか1項記載の錯体化合物。
  28. 【請求項28】 錯体化合物が少なくとも1つの金属中心を有するか、又は
    金属中心Mが少なくとも1つの遷移金属原子又はイオン、特にパラジウム、白
    金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、コバルト、ニッケル及び
    /又は銅を有する、請求項24から27までのいずれか1項記載の錯体化合物。
  29. 【請求項29】 不斉水素添加又は重合のための触媒としての、請求項24
    から28までのいずれか1項記載の錯体化合物の使用。
  30. 【請求項30】 不斉合成、ヒドロホルミル化、転位、アリルアルキル化、
    シクロプロパン化、ヒドロシリル化、水酸化物イオン移動反応、ヒドロホウ素化
    、ヒドロシアン化、ヒドロカルボキシル化、アルドール反応又はヘック反応のた
    めの触媒としての、請求項24から28までのいずれか1項記載の錯体化合物の
    使用。
  31. 【請求項31】 不斉水素添加及び/又はヒドロホルミル化のための触媒と
    しての、請求項24から28までのいずれか1項記載の錯体化合物の使用。
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