JP3146186B2 - 新規なジホスホナート化合物、その製造中間体およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なジホスホナート
化合物、その製造中間体およびそれらの製造方法に関
し、更に詳細には優れた不斉反応用触媒を構成する光学
活性ホスフィン化合物を製造するための製造中間体であ
るジホスホナート化合物およびこのジホスホナート化合
物の製造中間体並びにジホスホナートを簡便に合成する
新規な製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来から、不斉水素化反応、不斉異性化反
応、不斉ヒドロシリル化反応等の不斉合成に利用できる
遷移金属錯体については、数多くの報告がなされてい
る。中でもルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジ
ウム等の遷移金属錯体に光学活性な三級ホスフィン化合
物が配位した錯体は、不斉合成反応の触媒として優れた
性能を有するものである。

【０００３】この遷移金属錯体触媒の性能を更に高める
ために、これまで様々な構造のホスフィン化合物が多数
開発されている（日本化学会編「化学総説32 有機金属
錯体の化学」、２３−２３８頁、昭和５７年；"Asymmet
ric Catalysis In Organic Synthesis "，野依良治著,
A Wiley-Interscience Publication）。これらホスフィ
ン化合物の中でも、２，２’−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、「ＢＩＮＡＰ」
という。）はとりわけ優れた光学活性ホスフィンのひと
つであり、このＢＩＮＡＰを配位子としたロジウム錯体
（特開昭５５−６１９７３号公報）及びルテニウム錯体
（特開昭６１−６３９０号公報）は既に報告されてい
る。

【０００４】従来、これらのホスフィン化合物の合成法
としては、ラセミ体のビナフトールをトリフェニルホス
フィン−ジブロミドを用いて高温（２４０℃−３２０
℃）でブロム化し、ジグリニャール試薬に導いた後にジ
アリールホスフィニルクロライド化合物と縮合してジホ
スフィンオキシド化合物とし、光学分割した後にトリク
ロロシラン還元剤を用いて第三級ジホスフィン化合物
（ＢＩＮＡＰ類）とする方法が工業的な方法として知ら
れている。(H. Takaya, K. Mashima, K. Koyano, M. Ya
gi, H.Kumobayashi, T. Taketomi, S. Akutagawa, R. N
oyori, J. Org. Chem.,1986 年,51 巻,629頁)

【０００５】また、ジアリールホスフィニルクロライド
化合物の合成法としては、アリールブロマイドより調製
されるグリニャール試薬とジエチルアミノホスフィニッ
クジクロライドを反応せしめて、ジアリールホスフィン
酸化合物とした後、塩化チオニルと反応せしめて、ジア
リールホスフィニルクロライド化合物を合成する方法が
知られている。(K. Mashima, K. Kusano, N. Sato, Y.
Matsumura, K. Nozaki, H.Kumobayashi, N. Sayo, Y. H
ori, T. Ishizaki, S. Akutagawa, H. Takaya,J. Org.
Chem.,1994 年,59 巻,3064 頁)

【０００６】他のホスフィン化合物の合成法としては、
置換基を有する（２−ニトロフェニル）ジフェニルホス
フィンオキシド化合物を還元し（２−アミノフェニル）
ジフェニルホスフィンオキシド化合物とし、続いてジア
ゾ化、ヨウ素化を行い、置換基を有する（２−ヨードフ
ェニル）ジフェニルホスフィンオキシド化合物とした
後、銅存在下二量化してビスホスフィンオキシド化合物
とし、光学分割した後にトリクロロシラン還元剤を用い
て第三級ジホスフィン化合物とする方法が知られてい
る。（特表平５−５０７５０３号公報）

【０００７】一方、ＢＩＮＡＰを配位子として用いた触
媒は優れた特性を有するが、対象とする反応あるいはそ
の反応基質によっては選択性（化学選択性、エナンチオ
選択性）、触媒活性が十分ではない場合がある。本発明
者等は、これを解決するため、（（５，６），（５’，
６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，
２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（以下、
「ＳＥＧＰＨＯＳ」という。）あるいはその誘導体を配
位子として用いた遷移金属錯体を開発し、先に出願した
（特願平８−３５９８１８号）。この遷移金属錯体は、
ヒドロキシアセトンの不斉水素化反応、α−置換−β−
ケトエステル類の不斉水素化反応に優れた触媒活性およ
びエナンチオあるいはジアステレオ選択を発揮する。し
かしながら、これらジホスフィン化合物は、製造中間体
によっては製造工程が長くなったり、必要とする光学活
性化合物の収量が低いとか、中間体の収量が悪いという
問題があり、経済性および工業的操作性を満足する方法
ではない。このため、製造方法の改良が望まれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、不斉合成反
応、特に不斉水素化反応の触媒として優れた性能（化学
選択性、エナンチオ選択性、触媒活性）を有するＳＥＧ
ＰＨＯＳなどのジホスフィン化合物の製造に有用な新規
製造中間体を提供することを目的とする。また、本発明
の他の目的は、該製造中間体を簡便に、かつ収率よく製
造する方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために、鋭意開発を重ねた結果、（（５，
６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフ
ェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスホナ
ート）（以下、「ＰｈＯ−ＳＥＧＰＨＯＳＯ」とい
う。）などのジホスホナート化合物が、ＳＥＧＰＨＯＳ
などのジホスフィン化合物の製造に有用な製造中間体で
あることを見出し、またＰｈＯ−ＳＥＧＰＨＯＳＯが、
ジフェニル（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホス
ホナートをリチウムジイソプロピルアミドなどの塩基で
処理した後三塩化鉄などの酸化剤で処理することによ
り、従来はヨウ素化、ウルマンカップリング反応による
二量化の２段階反応が必要とされていたところ、１段階
反応で、簡便かつ収率よく製造できることを見出して本
発明を完成したものである。

【００１０】即ち、本第１の発明は、一般式（１）

【化７】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は、各々独立に、アルキル基、
フェニル基または炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数
が１〜４のアルコキシル基、ハロゲン原子あるいはジア
ルキルアミノ基で置換された置換フェニル基を表す。）
で表されるジホスホナート化合物である。

【００１１】また、本第２の発明は、一般式（２）

【化８】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は上記と同じものを表す。）で
表されるホスホナート化合物である。

【００１２】また、本第３の発明は、一般式（３）

【化９】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は前記と同じものを表す。）で
表されるクロロホスフェート化合物と、一般式（４）

【化１０】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表される化合物
より調整されるグリニャール試薬またはリチウム試薬と
を反応させ、一般式（２）

【化１１】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は前記と同じものを表す。）で表さ
れるホスホナート化合物とし、続いて塩基で処理し、そ
の後酸化剤を使用して二量化することを特徴とする、一
般式（１）

【化１２】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は前記と同じものを表す。）で表さ
れるジホスホナート化合物の製造方法である。

【００１３】また、本第４の発明は、上記第３の発明に
おいて、塩基が有機リチウム化合物もしくは有機マグネ
シウム化合物であることを特徴とする一般式（１）で表
されるジホスホナート化合物の製造方法である。

【００１４】また、本第５の発明は、上記第３または第
４の発明において、酸化剤が酸化性を有する金属化合物
であり、具体的には、該金属化合物が鉄、銅、ルテニウ
ム、コバルト、ニッケル、バナジウム、モリブデン、マ
ンガン、チタンの金属塩又は金属錯化合物から選ばれる
少なくとも１種であることを特徴とする一般式（１）で
表されるジホスホナート化合物の製造方法である。

【００１５】以下、本発明を更に詳細に説明する。上記
一般式（１）において、式中のＲ¹ 、Ｒ² のアルキル基
はＣ₁ 〜Ｃ₅ のアルキル基が好ましもので、この好まし
いアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基があげられる。また、置
換フェニル基における置換基は、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル
基、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシル基、ハロゲン原子もしく
はジ（低級アルキル）アミノ基である。またここでいう
低級アルキルとはＣ₁ 〜Ｃ₅ のアルキル基である。

【００１６】これらの化合物のなかで、好ましい化合物
は、一般式（５）

【化１３】 （式中、Ａｒ¹ は、

【化１４】 であり、Ｒ⁴ およびＲ⁵ は、各々独立に、水素原子、Ｃ
₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基またはＣ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシル
基を表し、Ｒ⁶ は、水素原子、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基
またはＣ₁ 〜Ｃ₄ のアルコキシル基を表す。）であり、

【００１７】更に好ましい化合物は、一般式（６）

【化１５】 （式中、Ａｒ² は

【化１６】 であり、Ｒ⁷ およびＲ⁸ は同一で、かつ水素原子、ｔ−
ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、エチル基またはメチル基を表し；Ｒ⁹ は、水素原
子、ｔ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、エトキシ基ま
たはメトキシ基を表す。）で表される化合物である。

【００１８】上記化合物の中では、

【化１７】 （式中、Ｐｈはフェニル基を表す。）が特に好ましい化
合物である。

【００１９】また、本発明の上記一般式（２）で表され
るホスホナート化合物は、上記一般式（１）で表される
ジホスホナート化合物を製造するための製造中間体とし
て用いられるものである。

【００２０】以下、上記一般式（２）で表される化合物
を経て上記一般式（１）で表される化合物を製造する方
法の一例を説明する。合成は、次の経路により行われ
る。

【化１８】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｘは上記と同じものを表す。）

【００２１】まず、式（４）で表される化合物より調整
されるグリニャール試薬またはリチウム試薬と式（３）
で表されるクロロホスフェート化合物とを反応させるこ
とにより、式（２）で表されるホスホナート化合物が製
造される。前記グリニャール試薬またはリチウム試薬の
調整は、通常の方法、例えばテトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エーテル、トルエン、ヘキサンなどの溶媒中、
ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリールとマグネシウ
ム金属またはリチウム金属を反応させることにより容易
に行うことができる。また、式（３）で表される化合物
とグリニャール試薬またはリチウム試薬との反応も通常
の方法、例えばグリニャール試薬またはリチウム試薬の
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、トルエ
ン、ヘキサンなどの溶液に式（３）で表される化合物を
室温で滴下、反応させることにより容易に行うことがで
きる。

【００２２】次いで、式（２）で表されるホスホナート
化合物から式（１）で表されるジホスホナート化合物が
製造される。この製造においては、まず塩基によりホス
ホナート化合物をアニオン化するが、このアニオンの調
整は、それ自体知られている方法で実施することができ
る。例えば式（２）で表されるホスホナート化合物を、
１当量以上の、好ましくは１．２〜２．０当量のリチウ
ムアルキルアミド、アルキルリチウム、アリルリチウム
等の有機リチウム試薬、グリニャール試薬等の有機マグ
ネシウム試薬から選ばれる塩基、好ましくはリチウムジ
エチルアミド、リチウムジイプロピルアミド（以下、
「ＬＤＡ」という。）、メチルリチウム、ブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、Ｃ₁ 〜Ｃ₅ のアルキルマグネシ
ウムハライド、非置換もしくは置換フェニルマグネシウ
ムハライド、マグネシウムアミド等の塩基、より好まし
くはＬＤＡと、エーテル、脂肪族又は芳香族炭化水素系
溶媒又はこれらの混合溶媒、好ましくはテトラヒドロフ
ラン（以下、「ＴＨＦ」という。）、ジオキサン、ジエ
チルエーテル、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の溶媒
又はこれらの混合溶媒、より好ましくはＴＨＦ中、−５
℃以下、好ましくは−７８℃〜−１５℃で、反応させる
ことにより行われる。

【００２３】更に一般式（１）で表されるジホスホナー
ト化合物をアニオンより製造する方法は、次のようにし
て行うことができる。即ち、上述の方法により調製した
アニオン溶液を、１当量以上の、好ましくは１．２〜
２．０当量（当量数は塩基の当量と同一でも、異なって
いてもかまわない。）の酸化性を有する金属化合物と、
ＴＨＦ又はＴＨＦと脂肪族又は芳香族炭化水素との混合
溶媒中、５０℃以下、好ましくは−５℃〜１５℃で反応
させることにより行われる。必要に応じて、反応は、低
温、好ましくは−７８℃〜−４０℃で、酸化剤をアニオ
ン溶液中に直接加えることにより実施することもでき
る。上記酸化性を有する金属化合物は、鉄、銅、ルテニ
ウム、コバルト、ニッケル、バナジウム、モリブデン、
マンガン、チタンなどの酸化性を有する化合物から選ば
れ、これら化合物としては、好ましくは三価の鉄、二価
の銅、三価のルテニウム、三価のコバルト、二価のニッ
ケル、三、四または五価のバナジウム、三、四、五また
は六価のモリブデン、三、四、五または六価のマンガ
ン、三または四価のチタンの金属塩または金属錯化合物
から選ばれる酸化剤、より好ましくはこれら金属の塩化
物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、酢
酸塩、シュウ酸塩、アセチルアセトン錯体、これら金属
塩のビピリジル、フェナンスレン錯体、更に好ましくは
三塩化鉄、三臭化鉄、三沃化鉄、二塩化銅、二臭化銅、
二沃化銅などが挙げられる。

【００２４】煩雑さを避けるために本発明に含まれる化
合物の中から上記一般式（７）で表される化合物；
（（５，６），（５’，６’）−ビス（メチレンジオキ
シ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニル
ホスホナート）（ＰｈＯ−ＳＥＧＰＨＯＳＯ）を例にし
て、本発明の化合物の製法の代表例を具体的に説明す
る。ただし、本発明はこの例に限定されるものではな
い。

【化１９】

【００２５】すなわち、マグネシウム片と３，４−メチ
レンジオキシブロモベンゼン（８）とを反応させてグリ
ニャール試薬とし、これをジフェニルホスホリルクロリ
ドに作用させ、ジフェニル（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）ホスホナート（９）を合成する。この化合物
をＬＤＡと反応させ、続いて三塩化鉄を作用させると、
目的とするＰｈＯ−ＳＥＧＰＨＯＳＯ（７）が高効率で
製造できる。

【００２６】さらに、本発明のジホスホナート化合物に
おいて、フェニル基に置換基を有するジホスホナート化
合物は、ジフェニルホスホリルクロリドの代わりに、置
換基を有するフェニル基を有するジアリールホスホリル
クロリドを利用することにより調製することができる。

【００２７】また、フェニル基の代わりにアルキル基を
有するジホスホナート化合物は、ジフェニルホスホリル
クロリドの代わりに、アルキル基を有するジアルキルホ
スホリルクロリドを利用することにより調製することが
できる。

【００２８】

【発明の効果】本発明の上記一般式（１）で表される新
規なジホスホナート化合物はとくにＳＥＧＰＨＯＳなど
のジホスフィン化合物の合成中間体として有用である。
上記一般式（２）で表される新規ホスホナート化合物
は、一般式（１）で表されるジホスホナート化合物の合
成中間体として有用である。また本発明の新規製造方法
により、簡便にかつ収率よく新規ジホスホナート化合物
を製造することができ、産業的に極めて有用である。

【００２９】

【実施例】以下に実施例、参考例を挙げ、本発明を詳細
に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定され
るものではない。なお、各実施例における物性の測定に
用いた装置は次の通りである。 核磁気共鳴 ¹Ｈ ＮＭＲ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＭ４００（４００ＭＨｚ） ³¹Ｐ ＮＭＲ Ｂｒｕｋｅｒ ＡＭ４００（１６２ＭＨｚ） 融点 Ｙａｎａｃｏ ＭＰ−５００Ｄ 旋光度 日本分光 ＤＩＰ−４ ガスクロマトグラフィ− ＧＬＣ Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ ５８９０−ＩＩ 高速液体クロマトグラフィー ＨＰＬＣ 島津製作所 ＬＣ１０ＡＴ＆ＳＰＤ１０Ａ 質量分析 ＭＡＳＳ 日立 Ｍ−８０Ｂ

【００３０】〔実施例１〕ジフェニル（３，４−メチレ
ンジオキシフェニル）ホスホナートの合成 窒素気流下、マグネシウム５１ｇ（２．１０ｍｏｌ）、
ＴＨＦ（１００ｍｌ）、ヨウ素 (触媒量) を入れ撹拌し
ている中に１−ブロモ−（３，４）−メチレンジオキシ
ベンゼン４０５．９ｇ（２．０２ｍｏｌ）のＴＨＦ（２
Ｌ）溶液を少量加えグリニャール試薬の生成を確認した
後、反応温度を２５〜３０℃に保ちながら滴下を続け
た。室温で一晩撹拌した後、生成したグリニャール試薬
を、−５℃に冷却したジフェニルホスホリルクロライド
５８０ｇ（２．０５ｍｏｌ）のＴＨＦ（１Ｌ）溶液中に
滴下した。室温で一晩撹拌した後、ＴＨＦを減圧留去
し、酢酸エチル（３Ｌ）、１Ｎ塩酸（１．５Ｌ）を加え
撹拌した。有機層を分離し、水、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶
媒を減圧留去して粗生成物（７４６．４８ｇ）を得た。
粗生成物は酢酸エチルより再結晶を行い、表題化合物５
７４．９ｇを得た。

【００３１】収率 ８０％ ｍｐ：５５．５℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ６．０４（２Ｈ，
ｓ），６．９０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．８，３．９Ｈ
ｚ），７．１２−７．２０（５Ｈ，ｍ），７．２７−
７．３１（４Ｈ，ｍ），７．３５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１
３．６，１．３Ｈｚ），７．５２（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝
１４．７，８．０，１．５Ｈｚ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ１２．５

【００３２】〔実施例２〕（（５，６），（５’，
６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，
２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスホナート）の合成 窒素気流下、氷浴で冷却したジイソプロピルアミン１１
５ｍｌ（０．８８ｍｏｌ）のＴＨＦ６００ｍｌ溶液に、
１．６Ｎノルマルブチルリチウム溶液５００ｍｌ（０．
８０ｍｏｌ）を滴下し、滴下終了後さらに２時間撹拌し
てＬＤＡを調整した。次に−６０℃にてジフェニル
（３，４−メチレンジオキシフェニル）ホスホナート２
３４ｇ（０．６６ｍｏｌ）のＴＨＦ１．５Ｌ溶液に、調
整したＬＤＡを加え、４５分間撹拌し、さらに−７０℃
にて三塩化鉄１２８ｇ（０．８０ｍｏｌ）を加え、室温
で一晩撹拌した。溶媒を減圧にて留去し酢酸エチル（２
Ｌ）、１Ｎ塩酸（１．５Ｌ）を加え撹拌した。有機層を
分離し、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を減圧にて留去して粗生成物（２３０ｇ）
を得た。粗生成物はアセトニトリルより再結晶を行い、
表題化合物９１．７ｇを得た。

【００３３】収率 ４０％ ｍｐ：１１９−１２３℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ５．５４（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ），５．９０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．
４Ｈｚ），６．７７−６．９４（８Ｈ，ｍ），６．９７
（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，３．５Ｈｚ），７．０１−
７．０８（４Ｈ，ｍ），７．０８−７．２０（８Ｈ，
ｍ），７．８２（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．７，８．１Ｈ
ｚ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ１０．５

【００３４】〔実施例３〕ジエチル（３，４−メチレン
ジオキシフェニル）ホスホナートの合成 窒素気流下、四つ口フラスコにマグネシウム６．０５ｇ
（０．２５ｍｏｌ）、ＴＨＦ（１５ｍｌ）を量り取り、
少量のジブロモエタンでマグネシウムを活性化した後、
４−ブロモ−１，２−メチレンジオキシベンゼン５０ｇ
（０．２５ｍｏｌ）のＴＨＦ２３５ｍｌ溶液を、反応温
度を２５〜３０℃に保ちながら滴下した。室温で１時間
半攪拌した後、氷浴中、ジエチルリン酸クロリド３５．
９ｍｌ（ｏ．２５ｍｏｌ）を滴下し、１時間攪拌し、更
に室温に戻し、２時間攪拌した。ＴＨＦを減圧留去し飽
和塩化アンモニウム水溶液を加え攪拌した後、酢酸エチ
ルを加え抽出した。有機層を分離し、飽和食塩水で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して粗
生成物を得た。粗生成物を減圧蒸留（２０ｍｍＨｇ，１
４５℃）し、表題化合物４２．４５ｇ（０．１６５ｍｏ
ｌ）を無色の液体として得た。

【００３５】収率 ６６．３％¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ１．２７（６Ｈ，
ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），４．０６（４Ｈ，ｍ），６．０
１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ），６．８６（１Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝８．０，３．６Ｈｚ），７．２２（１Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝１２．９，１．４Ｈｚｍ），７．３８（１Ｈ，
ｄｄｄ，Ｊ＝１３．９，７．９，１．４Ｈｚｍ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ１９．６

【００３６】〔実施例４〕（（５，６），（５’，
６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，
２’−ジイル）ビス（ジエチルホスホナート）の合成 窒素気流下、１Ｌの四つ口フラスコにジエチル（３，４
−メチレンジオキシフェニル）ホスホナート４２．０ｇ
（０．１６３ｍｏｌ）、ＴＨＦ（２１０ｍｌ）を量り取
り、ドライアイス−アセトン浴中（−７２℃）で０．７
Ｍ ＬＤＡのＴＨＦ２８０ｍｌ溶液（０．１９６ｍｏ
ｌ）を滴下し、さらに２時間攪拌した。次に窒素気流
下、１Ｌの四つ口フラスコに塩化第二鉄３１．７５ｇ
（０．１９５７ｍｏｌ）を量り取りＴＨＦ２０９ｍｌを
滴下し攪拌した後、ドライアイス−アセトン浴中（−７
２℃）で先の溶液を滴下し、一晩攪拌反応させた。反応
混合物から溶剤を留去し、飽和塩化アンモニウム水溶液
を加え攪拌し、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濃縮した。シリカゲルカラムで精製した後、クロロ
ホルム−ヘキサンより再結晶を行い、得られた結晶を減
圧にて乾燥して表題化合物２２．７ｇを得た。

【００３７】収率 ５４．１％ ｍｐ：１８９℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ１．１３（６Ｈ，
ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．１９（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．
１Ｈｚ），３．７７（２Ｈ，ｍ），３．９７（６Ｈ、
ｍ），５．９６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ），６．０
１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ），６．８７（２Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝８．０，３．０Ｈｚ），７．５６（２Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝１４．１，８．１Ｈｚ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ１８．１

【００３８】〔参考例１〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィンオキ
シド）の合成 窒素気流下、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メ
チレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス
（ジフェニルホスホナート）１．０ｇ（１．４２ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ１０ｍｌ溶液に、０．５Ｎフェニルマグネ
シウムブロマイド（１４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液２８ｍ
ｌを室温で滴下した。その後室温で一晩撹拌反応させ、
水を加え過剰のグリニャール試薬をクエンチした。溶媒
を減圧にて留去し、酢酸エチル（１００ｍｌ）、１Ｎ塩
酸（１００ｍｌ）を加え撹拌した。有機層を分離し、飽
和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶
媒を減圧にて留去して粗生成物を得た。シリカゲルカラ
ムで精製を行い、表題化合物（０．７３ｇ）を得た。

【００３９】収率 ８１％ ｍｐ：２３０−２３２℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ５．２６（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），５．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．
６Ｈｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．１
Ｈｚ），６．７７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．１，８．１
Ｈｚ），７．２８−７．７２（２０Ｈ，ｍ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ２９．６

【００４０】〔参考例２〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジメチルフ
ェニル）ホスフィンオキシド）の合成 窒素気流下、（（５，６），（５’，６’）−ビス（メ
チレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）ビス
（ジフェニルホスホナート）１．０ｇ（１．４２ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ１０ｍｌ溶液に、３，５−ジメチルフェニ
ルマグネシウムブロマイド（１４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ２
０ｍｌ溶液を室温で滴下した。その後室温で一晩撹拌反
応させ、水を加え過剰のグリニャール試薬をクエンチし
た。溶媒を減圧にて留去し，酢酸エチル（１００ｍ
ｌ）、１Ｎ塩酸（１００ｍｌ）を加え撹拌した。有機層
を分離し、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウム
で乾燥し、溶媒を減圧にて留去して粗生物を得た。シリ
カゲルカラムで精製を行い、表題化合物（０．９０ｇ）
を得た。

【００４１】収率 ８５％ ｍｐ：２５６−２５８℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ２．１１（１２Ｈ，
ｓ），２．３０（１２Ｈ，ｓ），５．４３（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１．６Ｈｚ），５．７７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈ
ｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈ
ｚ），６．９２（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．１Ｈ
ｚ），６．９５（２Ｈ，ｓ）７．０９（２Ｈ，ｓ），
７．１４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），７．３７
（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ３０．５

【００４２】〔参考例３〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−メチルフェニ
ル）ホスフィンオキシド）の合成 窒素気流下、四つ口フラスコにマグネシウム４．３ｇ
（０．１７８ｍｏｌ）、ＴＨＦ（８ｍｌ）、ヨウ素（触
媒量）を入れ室温で１時間攪拌し、ｐ−ブモトルエン２
９．６ｇ（０．１７ｍｏｌ）のＴＨＦ（１５０ｍｌ）溶
液を滴下し室温で３時間攪拌した。（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ジフェニルホスホナート）
２０．０ｇ（０．０２８３ｍｏｌ）のＴＨＦ（１４０ｍ
ｌ）溶液に、先に調整した４−メチルフェニルマグネシ
ウムブロマイドのＴＨＦ溶液を氷浴中で滴下し、室温で
一晩攪拌反応させた。反応混合物から溶剤を留去し、飽
和塩化アンモニウム水溶液を加え攪拌し、酢酸エチルで
抽出した。有機層を３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で３回
洗い、次いで飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸マ
グネシウムで乾燥した後濃縮した。シリカゲルカラムで
精製した後、酢酸エチルより再結晶を行い、得られた結
晶を減圧で乾燥して表題化合物（１９．４ｇ）を得た。

【００４３】収率 ９８％ ｍｐ：１５６−１５８℃¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ２．２７（６Ｈ，
ｓ），２．３８（６Ｈ，ｓ），５．３７（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１．６Ｈｚ），５．７５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．６Ｈ
ｚ），６．６５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，２．０Ｈ
ｚ），６．７８（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．１Ｈ
ｚ），７．０４（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．０，２．２Ｈ
ｚ），７．１９（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．０，２．２Ｈ
ｚ），７．４３（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．９，８．１Ｈ
ｚ），７．５７（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．７，８．１Ｈ
ｚ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ２９．６

【００４４】〔参考例４〕（±）−（（５，６），
（５’，６’）−ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル
−２，２’−ジイル）ビス（ビス（４−クロロフェニ
ル）ホスフィンオキシド）の合成 １００ｍＬの三つ口フラスコの内部を窒素で置換した
後、マグネシウム０．７６ｇ（３２ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ
２ｍｌを計り取る。少量のジブロモエタンを加え、激し
く撹拌しマグネシウムを活性化させた後、１−ブロモ−
４−クロロベンゼン５．４３ｇ（２８ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ２４ｍｌ溶液を水浴下で滴下した後、室温にて３時間
撹拌した。次に、（（５，６），（５’，６’）−ビス
（メチレンジオキシ）ビフェニル−２，２’−ジイル）
ビス（ジフェニルホスホナート）２．０１ｇ（２．８ｍ
ｍｏｌ）、ＴＨＦ１６ｍｌを量り取り、５０〜６０℃
で、調製したグリニャール試薬を溶液に滴下した。３／
４滴下したところで反応の終了を確認し、水で過剰の試
薬を潰し反応を終了した。溶媒を減圧にて留去し、塩化
メチレン１００ｍｌを加え１．２Ｎ塩酸水溶液１００ｍ
ｌ×２回、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌ×２
回、水１００ｍｌ×２回洗浄した後、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧にて溶媒を留去して粗目的物３．２ｇを
得た。酢酸エチル、メタノ−ルで洗浄を行うことによ
り、表題化合物（１．５６ｇ）を得た。

【００４５】収率７１％ ｍｐ：３１０−３１３℃（分解）¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ５．４１（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ），５．８０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．
５Ｈｚ）），６．６７−６．７３（４Ｈ，ｍ），７．２
９（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．２Ｈｚ），７．４１
（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．７，２．２Ｈｚ），７．４６
（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．７，８．５Ｈｚ），７．５７
（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１．３，８．５Ｈｚ）³¹ Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）： δ２８．７

フロントページの続き (72)発明者 石▲崎▼ 健朗 神奈川県平塚市西八幡一丁目４番11号 高砂香料工業株式会社 総合研究所内 (56)参考文献 特開 平11−246576（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−182678（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07F 9/655 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は、各々独立に、アルキル基、
   フェニル基または炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数
   が１〜４のアルコキシル基、ハロゲン原子あるいはジア
   ルキルアミノ基で置換された置換フェニル基を表す。）
   で表されるジホスホナート化合物。
2. 【請求項２】一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は、各々独立に、アルキル基、
   フェニル基または炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数
   が１〜４のアルコキシル基、ハロゲン原子あるいはジア
   ルキルアミノ基で置換された置換フェニル基を表す。）
   で表されるホスホナート化合物。
3. 【請求項３】一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は、各々独立に、アルキル基、
   フェニル基または炭素数が１〜４のアルキル基、炭素数
   が１〜４のアルコキシル基、ハロゲン原子あるいはジア
   ルキルアミノ基で置換された置換フェニル基を表す。）
   で表されるクロロホスフェート化合物と、一般式（４） 【化４】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表される化合物
   より調整されるグリニャール試薬またはリチウム試薬と
   を反応させることにより、一般式（２） 【化５】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は前記と同じものを表す。）で表さ
   れるホスホナート化合物とし、続いて塩基で処理し、そ
   の後酸化剤を使用して二量化することを特徴とする、一
   般式（１） 【化６】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は前記と同じものを表す。）で表さ
   れるジホスホナート化合物の製造方法。
4. 【請求項４】塩基が有機リチウム化合物もしくは有機マ
   グネシウム化合物である請求項３記載のジホスホナート
   化合物の製造方法。
5. 【請求項５】酸化剤が酸化性を有する金属化合物である
   請求項３または４記載のジホスホナート化合物の製造方
   法。
6. 【請求項６】酸化性を有する金属化合物が鉄、銅、ルテ
   ニウム、コバルト、ニッケル、バナジウム、モリブデ
   ン、マンガン、チタンの金属塩又は金属錯化合物から選
   ばれる少なくとも１種である請求項５記載のジホスホナ
   ート化合物の製造方法。