JP3519453B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
【0002】本発明は、複数のチップユニットで構成さ
れる半導体装置に関する。
【0003】近年、種々の電子機器のコンパクト化、高
機能化の要請に対して半導体装置の高集積化、高速化が
図られる中で、デバイスの短期間での開発、供給が望ま
れている。
【従来の技術】
【0004】従来、実装密度を向上させる半導体装置と
して、QFP(Quad FlatPackage)パ
ッケージのものが使用されてきており、そのリードピン
の増大、リードピッチの縮小化が行われている。
【0005】そこで、図18に、従来のQFP型半導体
装置の基板実装の説明図を示す。図18において、半導
体装置11は、パッケージ12の側部四方よりリード1
3が延出され、ガルウィング形状に形成される。
【0006】一方、実装基板14は、ガラス・エポキシ
樹脂等の材料上に上記半導体装置11のリード13や他
の部品に対応したパターン15が形成され、対応するパ
ターン(パッド15)上にはんだにより半導体装置11
等が実装される。
【0007】このような実装基板14は、はんだが比較
的低温(約180℃程度)で溶けることから作業性が良
好であると共に、ガラス・エポキシ樹脂が安価であり、
広く使用されている。
【0008】また、半導体装置11は、例えばプラスチ
ックパッケージのものはリードフレームのステージ上に
半導体チップ(チップユニット)が搭載され、インナリ
ードとの間でワイヤボンディングされて樹脂封止される
ものである。そして、さらなる高集積化を図るために、
単一のパッケージ内に複数の半導体チップを搭載するマ
ルチチップモジュールのものが出現してきている。
【0009】図19に、従来のマルチチップモジュール
の側断面図を示す。図19(A)に示す半導体装置21
A は、母材(マザーボード)22a上に複数の半導体チ
ップ23が搭載されてワイヤ24により電気的接続が行
われる。母材22aはステージ25上に載置され、イン
ナリード26aと母材22a間でワイヤ24により電気
的接続が行われる。そして、樹脂封止によりパッケージ
27が形成され、アウタリード28aがJ形状に折曲さ
れたものである。
【0010】また、図19(B)に示す半導体装置21
Bは、母材22b上に複数の半導体チップ23が搭載さ
れてワイヤ24により電気的接続される。母材22bは
リードフレームのインナリード26bと直接に接続され
た後にパッケージ27が形成される。そして、アウタリ
ード28aがガルウィング状に折曲されたものである。
【0011】図19(C)に示す半導体装置21Cは、
図19(B)の半導体装置21Bの母材22bの裏面が
表出されるパッケージ27aが形成され、表出された母
材22bの裏面に放熱部材29が設けられたものであ
る。
【0012】そして、図19(D)に示す半導体装置2
1Dは、図19(B)の半導体装置21Bの母材22b上
に搭載された複数の半導体チップ23にバンプ23aが
形成されて、母材22bとの間でテープリード30を用
いてフリップチップ接合したものである。
【発明が解決しようとする課題】
【0013】しかし、図18に示すように、実装基板1
4上に半導体装置11を含めて複数個の部品をレイアウ
トすることから、配線長が長くなって基板面積が増大さ
れ、動作の高速化、コンパクト化が阻害されると共に、
不良部品の交換が困難となって基板毎の交換となり、コ
スト高の原因になるという問題がある。
【0014】また、図19(A)〜(D)に示すマルチ
チップモジュールの半導体装置21A〜21Dは、半導体
チップ23と母材22a,22bとの接続をワイヤ24
又はテープリード30を用いて行われていることから、
配線長による高速処理が阻害されると共に、半導体チッ
プ23に機能追加を行う場合に設計のやり直しや製作の
ための部品交換を必要として汎用性がなくなり、工数及
製造コストが増大するという問題がある。
【0015】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、装置の小型、薄型化を図ると共に、高速処理
化、低コスト化を図る半導体装置を提供することを目的
とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】上記課題を解決するために、請求項1で
は、所定数の端子が形成された所定機能を有する所定形
状のチップユニットが、複数、その側面同士が突き合わ
されて平面状に並んでいる半導体装置であって、各チッ
プユニットは、側面に、凹状に切り欠いた端子が、複数
のチップユニットをその側面同士を突き合わせた場合
に、突き合わされた二つのチップユニットの端子が対向
する位置関係で形成してある構成であり、対向する2つ
の端子が作る空間の形状に対応した形状の導電性の連結
ブロックが、突き合わされた二つのチップユニットの対
向する2つの端子が作る空間内に挿入してあり、該挿入
された連結ブロックが、突き合わされた二つのチップユ
ニットの対向する2つの端子の間を電気的に接続すると
共に突き合わされた二つのチップユニットの間を機械的
結合する構成とする。
【0017】請求項2では、所定数の端子が形成された
所定機能を有する所定形状のチップユニットが、複数、
その側面同士が突き合わされて平面状に並んでいる半導
体装置であって、各チップユニットは、側面に、凹状に
切り欠いた端子が、複数のチップユニットをその側面同
士を突き合わせた場合に、突き合わされた二つのチップ
ユニットの端子が対向する位置関係で形成してある構成
であり、突き合わされた二つのチップユニットの対向す
る端子が作る空間内が、注入されて硬化された導電ペー
ストによって埋まっており、該硬化された導電ペースト
が、突き合わされた二つのチップユニットの対向する2
つの端子の間を電気的に接続すると共に突き合わされた
二つのチップユニットの間を機械的に結合する構成とす
る。
【作用】
【0018】上述のように、請求項1の発明では、チッ
プユニットを突き合わせることで形成される空間内に導
電性の連結ブロックが挿入されている。連結ブロックが
突き合わされた二つのチップユニットの対向する2つの
端子の間を電気的に接続すると共に突き合わされた二つ
のチップユニットの間を機械的に結合する。これによ
り、ユニット間の配線が不要となって高速処理化を図る
ことが可能となる。また、チップユニットの間を機械的
に結合ための専用の部材が必要でなくなる。
【0019】請求項2の発明では、チップユニットを突
き合わせることで形成される空間内が、ここに注入され
て硬化された導電ペーストによって埋まっている。この
硬化された導電ペーストが、突き合わされた二つのチッ
プユニットの対向する2つの端子の間を電気的に接続す
ると共に突き合わされた二つのチップユニットの間を機
械的に結合する。これにより、ユニット間の配線が不要
となって高速処理化を図ることが可能となる。また、チ
ップユニットの間を機械的に結合ための専用の部材が必
要でなくなる。
【実施例】
【0020】図1に、本発明の第1実施例の構成図を示
す。図1(A)は、半導体装置としてのチップブロック
モジュール31を示したもので、チップを異なる機能を
有する例えば6つの四角形状のチップユニット32(3
2〜326)の集合体として平面的に構成される。例え
ば、チップユニット32(32〜326)を、メモリ部
32(321),演算回路部32(322),電源部32
(323),クロック発生部32(324),抵抗部32
(325),コンデンサ部32(326)とする。なお、
このような組み合わせに限らず、適宜所望の機能のチッ
プユニット32を形成して組み合わせることができる。
【0021】また、各チップユニット32は側面に所定
数の端子33が形成され、接続手段でこれらが直接、間
接に接触することにより電気的接続が行われる。
【0022】一方、各チップユニット32は、図1
(B)に示すように、外形サイズにおいて厚さが同一
で、縦a及び横bの整数倍の長さで形成される。ここ
で、端子33の形成を簡単に説明すると、ウエハのスク
ラブラインの部分に電極状の端子部分を通常のウエハ処
理で形成し、チップ状にダイシングカットしたときに、
チップユニットの側面(カット面)に端子33が表出す
るものである。
【0023】このように、機能を変更したチップが要求
されても、既存のチップユニット32より必要な部分を
用意することにより、ユニット構成の検討のみで直ちに
製造可能になると共に、配線部分が存在しないことか
ら、電気的損失を回避して高速処理させることができ
る。
【0024】ここで、図2に、図1のチップユニット接
続の説明図を示す。図2(A)は、所定のチップユニッ
ト32の側面の端子33を対応するチップユニット32
の側面の端子33に直接に当接させて電気的接続を行う
ものである。
【0025】また、図2(B)は、接続させるチップユ
ニット32,32の端子33間に導電部材でパッド34
aが形成された接続部材であるシート34を介在させて
電気的接続を行う。この場合、チップユニット32,3
2の対向する端子33,33を導通させるだけでなく、
シート34にパターンを設けることにより対向しない端
子33,33をも導通させることが可能となる。なお、
シート34に接着材を塗布することによりチップユニッ
ト32,32を固定させることができる。
【0026】次に、図3に、他の端子形成及び端子間接
続の説明図を示す。図3(A)は、チップユニット32
の接続を行う側面に例えば略円形凹状に切り欠いた端子
33aを所定数形成し、2つのチップユニット32,3
2の側面を突き合わせたときに端子33a,33aで形
成される凹部分の空間に導電性の導電部材である連結ブ
ロック35を挿入させて端子32a,32a間を導通さ
せるものである。
【0027】図3(B)は、チップユニット32の上面
と側面にかけて例えば切り欠き凹状に端子33bを所定
数形成し、2つのチップユニット32,32の側面を突
き合わせたときに端子33b,33bで形成される凹部
分内に、シリンジ12よりペースト状の導電部材である
例えば銀ペースト35aを注入して硬化させることで端
子32b,32b間を導通させるものである。
【0028】また、図3(C)は、チップユニット32
の上面に所定数の端子(パッド)33cを形成し、2つ
のチップユニット32,32の側面を突き合わせて、各
端子(パッド)33c,33c間をワイヤボンダにより
リード部材であるワイヤ37で電気的に接続を行うもの
である。これにより、隣接されていないチップユニット
にも配線することができる。
【0029】この場合、図2(A),(B),図3
(A),(B)に比べて配線長が長くなるが、図20に
示すマルチチップモジュールよりは短縮されて高速処理
を可能としている。
【0030】なお、リード部材としてワイヤ37の代わ
りにテープリードを用いて複数の端子33cにも接続を
行うことができる。
【0031】そして、端子33,33a〜33cからの
外部への引き出しは、直接又はソケット等により行われ
るものである。
【0032】続いて、図4に、本発明の他のチップユニ
ット形状の説明図を示す。図4(A)は、三角形状のチ
ップユニット32aによってチップブロックユニット3
1を構成するもので、組み合わせるユニット数によって
は四角形状のチップユニット32よりコンパクト化を図
ることができる。
【0033】なお、三角形状のチップユニット32a
は、ウエハ上に三角形状のチップパターンを形成するこ
とで、従来のウエハ処理技術により実現することができ
る。
【0034】図4(B)は、六角形状のチップユニット
32bによりチップブロックユニット31を構成するも
ので、四角形状のチップユニット32に対して隣接ユニ
ットとの接続面が増え、他のチップユニット32bとの
接続が容易にすることができ、装置の小型、薄型化を図
ることができる。
【0035】なお、チップユニット32a,32bは三
角形状、六角形状に限らず八角形状等の多角形状で形成
してもよい。また、これらの一辺の長さは所定長さの整
数倍に設定される。
【0036】図4(C)は、突き合わせ部分としていわ
ゆるオリフラ(オリエンテーションフラット)部32c
1を有するウエハ形状のチップユニット32cによりチ
ップブロックモジュール31を構成するものである。す
なわち、チップユニット32cのオリフラ部32c1に
より他ユニットと面接続を可能としたものである。
【0037】このように、何れの形状であっても、突き
合わせ部分(上記オリフラ、又は円弧状等)を有する構
成とすることで、コンパクト構成となり、装置の小型、
薄型化を図ることができる。
【0038】次に、図5に、チップの母材への実装説明
図を示す。図5は、母材を使用したときの半導体装置と
してのチップブロックモジュール31を示したもので、
ここではチップユニット32の側面に端子33が形成さ
れている場合を示す。
【0039】図5(A)において、ベース部材である母
材38には、チップユニット32の端子33及び信号等
の入出のための外部端子に応じた個数及びピッチで、パ
ターン及び固定部であるパッド39が形成されており、
この母材38上に対応するチップユニット32が載置さ
れる。
【0040】そして、図5(B)に示すように、チップ
ユニット32の端子33と母材38のパッド39との当
接部分にレーザ光を照射して溶着させることで電気的接
続が行われる。なお、レーザ光による溶着に限らず、導
電接合部材であるはんだ等の金属や、例えば銀ペースト
や高分子系熱可塑性樹脂等の導電性樹脂により接続を行
ってもよい。
【0041】これにより、再びレーザ光や加熱すること
で容易に取り外して交換可能であり、汎用的となって低
コストとすることができる。
【0042】このように、母材38に実装固定されたチ
ップユニット32は、同一平面となり、図5(C)に示
すように、吸着装置41で吸着が可能となり容易に搬送
することができるようになる。
【0043】吸着装置41は、アーム42の先端に吸着
パッド43が取り付けられ、吸着パッド43の連通部4
4より真空源に連結される。この吸着パッド43で母材
38に実装されたチップユニット32の平面的上面で真
空吸着して搬送を行うものである。
【0044】このようなチップブロックモジュール31
における外部との接続は、母材38のパッド39より、
コネクタやワイヤ配線等で行ってもよく、母材38の離
面にパッド39に接続されているパッドを形成して、パ
ッド上に例えばボールバンプを形成するBGA(Bal
l Grid Array)タイプとしてもよい(以下
の実施例においても同様である)。
【0045】続いて、図6に、図5の他の母材及び他の
実装説明図を示す。図6(A)に示すように、母材38
にパッド39に代えて表面及び離面のランド部間にスル
ーホール40が固定部としてマトリクス状に配列されて
形成される。スルーホール40はチップユニット32の
端子33のピッチdと同一のピッチdで形成される。そ
して、母材38上に所定数のチップユニット32が載置
される。
【0046】電気的接続は、母材38の裏面よりスルー
ホール40内からレーザ光を照射して溶着させる。すな
わち、母材38の裏面から電気的接続を行うことができ
るものである。
【0047】次に、図7に、母材にチップユニットを高
さ方向で実装した場合の説明図を示す。図7(A)は、
母材38上にチップユニット32を、側面を当接させて
垂直に所定数実装した場合を示している。これによれ
ば、底面積が縮小されてコンパクト化が図られると共
に、チップユニット32の母材38への接触面積が縮小
されて冷却性が向上されるものである。
【0048】図7(B)は、母材38上に垂直に実装し
たチップユニット32に、別のチップユニット327を
例えばバンプ51により接続して追加搭載した場合を示
している。これによって、機能の拡張を図ることができ
る。例えば、メモリ機能のチップユニット32に、さら
にメモリ機能のチップユニット327を搭載させること
で、メモリ容量を増大させることができるものである。
【0049】図7(C)は、母材38上に垂直に実装し
たチップユニット32間の信号の授受を行わせるため連
結ユニット52を、チップユニット32の側面で母材3
8に対向して設けた場合を示している。なお、チップユ
ニット32の他の側面に連結ユニットを設けてもよい。
これにより、各チップユニット32間を容易に電気的接
続を行うことができるものである。
【0050】図7(D)は、母材38に側面を当接させ
て実装するチップユニット32を、高さ方向に対して傾
斜させて実装した場合を示している。これにより、図7
(A)〜(C)に比べて高さを抑制することができ、装
置の小型化、スペースの効率利用を図ることができる。
【0051】次に、図8に、本発明の冷却方式の説明図
を示す。図8(A)に示す半導体装置としてのチップブ
ロックモジュール31は、母材38上に平面的にチップ
ユニット32が所定数(図では4個)搭載される一方
で、別のチップユニット328とを上面に形成された端
子間でワイヤ37により電気的接続を行ったものであ
る。そして、母材38と38aとの間には、空気等の気
体や液体を通した冷却手段としての流通部であるパイプ
53が位置される。
【0052】例えば、チップユニット328を発熱する
ユニットで構成されたときに、他のチップユニット32
と離隔させて熱の影響を回避させると共に、パイプ53
で効率的に冷却を行わせることができる。
【0053】なお、パイプ53を設けない場合であって
も、単一の母材38よりは冷却効果が向上されるもので
ある。
【0054】図8(B)に示すチップブロックモジュー
ル31は、母材38に平面的にチップユニット32が搭
載された所定位置(図では中央位置)に冷却手段として
アルミニウムや銅等で形成された放熱突起部54を設け
たものである。この場合、チップユニット32は放熱突
起部54を避ける形状で形成される。これにより、発熱
の高いチップユニット32を効率よく放熱することがで
きる。
【0055】図8(C)に示すチップブロックモジュー
ル31は、チップユニット32が所定数平面的に搭載さ
れた母材38の裏面に冷却手段として冷却ファン55を
設けたものである。この冷却ファン55は、モータを内
蔵させてもよく、また周囲よりエアが送風されることで
回転するものであってもよい。これにより、冷却効果を
さらに向上させることができる。
【0056】このように、冷却手段(パイプ53,放熱
突起部54,冷却ファン55)を設けることで、特に高
速処理による発熱を効率よく冷却することができ、容易
に高速処理化を図ることができるものである。
【0057】さらに、図8(D)は、母材38に所定数
のチップユニット32が搭載(平面的又は高さ方向)さ
れたチップブロックモジュール31を、例えばLN2
(液体窒素)の冷却液55aに浸漬したものである。こ
れにより、冷却性が向上し、高速処理化、モジュールサ
イズの縮小化を図ることができる。
【0058】次に、図9〜図11に、他の母材を使用し
た場合の説明図を示す。
【0059】図9(A)に示すチップブロックモジュー
ル31は、母材38bを積層構造としたもので、その表
裏両面にチップユニット32が平面的に所定数搭載され
た場合を示している。チップユニット32間の接続は、
母材38bの積層時に形成される配線部56によって行
う。これにより、チップユニット32の搭載個数を面積
を拡大せずに増やすことができ、装置の小型化(同一個
数なら小型となる)及び低コスト化を図ることができ
る。
【0060】図9(B)に示すチップブロックモジュー
ル31は、母材38cを配線部56を有する積層構造か
つ中空部57が形成された中空構造にすると共に、表裏
両面に所定数の通気孔57aが形成されたもので、母材
38cの両面に所定数のチップユニット32が搭載され
る。
【0061】このチップブロックモジュール31は、例
えば母材38cの裏面より冷却エアが吹き込まれたとき
に、裏面に搭載されたチップユニット32を冷却すると
共に、母材38cの表裏両面に形成された通気孔57a
により表面のチップユニット32が冷却されるものであ
る。すなわち、母材38cの裏面より冷却を行うことが
できる。
【0062】なお、図9(A),(B)において、図8
(B),(C)に示すような放熱突起部54や冷却ファ
ン55を併用してもよい。また、母材38b,38cの
片面のみにチップユニット32を搭載してもよい。
【0063】図9(C)に示すチップブロックモジュー
ル31は、配線部56aが形成された可撓部材のフィル
ムを母材38dとして、2つのブロックで所定数のチッ
プユニット32が搭載され、各チップユニット32間の
接続が配線部56aにより行う。
【0064】この母材38dは、例えばポリイミドフィ
ルム又はポリエステルフィルムに銅箔を貼り付けて形成
される。
【0065】これにより、折り曲げて使用することが可
能となって、装置の小型化、薄型化を図ることができ
る。
【0066】また、図10(A)に示すチップブロック
モジュール31は、母材38の平面的に搭載された所定
数のチップユニット32の領域以外の部分で例えば二隅
のそれぞれに穴58を形成したものである。すなわち、
この穴58を使用して搬送時の係合、実装時の位置決め
や、位置合わせなどの識別を容易に行うことができるも
のである。
【0067】図10(B)は、複数のチップユニット3
2が平面的に搭載された母材38の裏面に棒部材59が
設けられる。この棒部材59においても図10(A)の
穴58と同様に、搬送時の係合、実装時の位置決め、位
置合わせなどの識別を容易に行うものとして使用するこ
とができるものである。
【0068】また、図11のチップブロックモジュール
31は、母材38のチップユニット32が搭載される領
域に押出し開口部60をチップユニット32の個数に応
じて形成される。
【0069】すなわち、ユニット32の交換時に、加熱
により当該チップユニット32の母材38への固定を溶
融し、この押出し開口部60より当該チップユニット3
2を押し出すことで取り外すことができる。このよう
に、容易に交換が可能となって、設計変更による交換や
不良交換が低コストで行うことができるものである。
【0070】次に、図12に本発明のチップ製造の説明
図を示す。図12(A)は、所定のウエハ処理、例えば
メモリ回路等の回路パターンが形成されたウエハ61で
あり、破線で示すスクラブライン62上で後にダイシン
グソー等により切断分離されたものである。
【0071】なお、この状態で上述の回路パターンを修
正する必要があれば2点鎖線矢印で示すレーザ光で修正
箇所の切断を行う。
【0072】続いて、図12(B)に示すようにウエハ
61の各チップユニット領域で、所定数の端子33cと
なる部分のそれぞれにレーザ光を照射して、当該部分を
削り凹部33c1を形成する。
【0073】そして、図12(C)に示すように、凹部
33c1に導電部材33c2である金属(例えばはんだ)
や導電性樹脂(例えば銀ペースト)を注入して、端子3
3cが形成される。なお、この段階において(図12
(A)で回路パターン修正を行わなかった場合)、必要
があれば、レーザ光を照射して切断することにより、回
路パターンの修正を行う。
【0074】そこで、スクラブライン62に沿ってダイ
シングカットしてチップユニット32を取り出し、図1
2(D)に示すように、母材38上に平面的に隣接させ
て所定数搭載するものである。
【0075】なお、この段階において、レーザ光(二点
鎖線)照射による回路パターン33c3 修正を行っても
よい。また、チップユニット32のウエハ61の状態の
とき、又はウエハ61からの切断分離後に、当該チップ
ユニット32の機能試験を行うことができる。
【0076】また、図13に、図12の他の端子形成方
法の概略断面図を示す。図13は、図12(B)の工程
で、レーザ光照射に代えて、ダイシングブレード63の
回転により端子33cとなる部分を削って凹部33c1
を形成し、凹部33c1に導電部材33c2を埋め込んで
端子33cを形成するものである。
【0077】このように、必要な端子33cだけを形成
することができる。すなわち、従来のウエハ処理におけ
る端子形成はチップユニットの汎用性を持たせるために
不必要な部分まで開口させることから水の侵入などによ
り信頼性が低下するのに対して、本発明では不必要な開
口部を形成しないことから信頼性を向上させることがで
き、ひいては歩留りの向上から低コスト化を図ることが
できる。
【0078】また、各工程段階の何れかで、端子33c
や回路パターン33c3の必要な切断修正を行うことが
でき、回路変更や抵抗、容量等のトリミングを容易に行
うことができるものである。
【0079】次に、図14に、本発明の防振部材を設け
た場合の説明図を示す。図14に示すチップブロックモ
ジュール31は、母材38上に搭載される所定数のチッ
プユニット32と当該母材38との間に振動吸収部材6
4が介在される。
【0080】この場合、チップユニット32の上面に端
子33cが所定数形成され、該端子33cと母材38間
でワイヤボンディングによるワイヤ37aにより電気的
接続が行われる。なお、テープリードにより電気的接続
を行ってもよい。
【0081】振動吸収部材64は、例えばウレタンゴム
等の柔軟性樹脂や板ばね形状の金属等が使用される。こ
れによって防振対策が可能となる。
【0082】次に、図15に、チップブロックモジュー
ルに保護部材を設けた場合の説明図を示す。図15
(A)は概略斜視図、図15(B)はその断面図であ
る。図15(A),(B)に示すチップブロックモジュ
ール31は、チップユニット32が所定数搭載された母
材38上であって、該チップユニット32の周囲に保護
部材65aが設けられる。
【0083】この保護部材65aは、金属又は樹脂等の
部材で形成されるもので、これによりチップユニット3
2を外部からの衝撃より保護することができるものであ
る。
【0084】続いて、図16に、図15の他の保護部材
を設けた場合の説明図を示す。
【0085】図16(A)に示すチップブロックモジュ
ール31は、母材38上の所定数のチップユニット32
上に樹脂等の保護部材65bによりコーティングしたも
のである。
【0086】図16(B)に示すチップブロックモジュ
ール31は、母材38上でチップユニット32を空間内
で樹脂又は金属等の保護部材65cで覆ったものであ
る。
【0087】図16(C)に示すチップブロックモジュ
ール31は、母材38eが凹形状に形成されると共に、
その周囲に第1のネジ部38e1 が形成される。また、
母材38eの第1のネジ部38e1に螺合するように第
2のネジ部65d1が形成された樹脂又は金属等の保護
部材65dが用意される。
【0088】そして、母材38e上に所定数のチップユ
ニット32が搭載され、母材38eの第1のネジ部38
e1に保護部材65dの第2のネジ部65d1が螺合によ
り係合状態でカバーされるものである。これにより、組
立てや分解が容易となる。
【0089】図16(D)に示すチップブロックモジュ
ール31は、凹形状の母材38fに所定数のチップユニ
ット32が搭載され、この母材38fに、逆凹形状に樹
脂又は金属等で形成された保護部材65eがシール部材
であるOリング66を介在させて係合状態でカバーした
ものである。これにより、シール性を向上させることが
できる。
【0090】次に、図17に、本発明の第2実施例の構
成図を示す。図17に示す半導体装置71は、小規模の
半導体装置としてのチップブロックモジュール31を、
各モジュール間の配線等を行う2つのマザーボード72
a,72b間で所定数積層構造で実装したものである。
なお、単一のマザーボード上に高さ方向に実装してもよ
い。
【0091】チップブロックモジュール31は、図1に
示すように、チップユニット32の側面に端子33が形
成され、側面で対向する端子33を電気的に接触接続さ
せて突き合わされて形成される。そして、マザーボード
72a,72bにチップブロックモジュール31の側面
の端子33を接続させるようにして実装されるものであ
る。
【0092】これにより、同一機能のチップユニットで
従来のマルチチップモジュールとして半導体装置を構成
する場合に比べて、装置の小型化を図ることができると
共に、このようなチップブロックモジュール31を使用
することにより、チップユニットの交換等が容易に行う
ことができ、ひいては低コストとすることができるもの
である。
【発明の効果】
【0093】以上のように、請求項1の発明によれば、
チップユニットを突き合わせることで形成される空間内
に導電性の連結ブロックが挿入されており、連結ブロッ
クが突き合わされた二つのチップユニットの対向する2
つの端子の間を電気的に接続すると共に突き合わされた
二つのチップユニットの間を機械的に結合する構成であ
るため、ユニット間の配線が不要となって半導体装置の
高速処理化を図ることが出来る。また、チップユニット
の間を機械的に結合ための専用の部材が必要でないよう
に出来る。
【0094】請求項2の発明によれば、チップユニット
を突き合わせることで形成される空間内が、ここに注入
されて硬化された導電ペーストによって埋まっており、
この硬化された導電ペーストが、突き合わされた二つの
チップユニットの対向する2つの端子の間を電気的に接
続すると共に突き合わされた二つのチップユニットの間
を機械的に結合する構成であるため、ユニット間の配線
が不要となって高速処理化を図ることが出来る。また、
チップユニットの間を機械的に結合ための専用の部材が
必要でないように出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の構成図である。
【図2】図1のチップユニット接続の説明図である。
【図3】他の端子形成及び端子間の接続の説明図であ
る。
【図4】本発明の他のチップユニット形状の説明図であ
る。
【図5】チップユニットの母材への実装説明図である。
【図6】図5の他の母材及び他の実装説明図である。
【図7】母材にチップユニットを高さ方向で実装した場
合の説明図である。
【図8】本発明の冷却方式の説明図である。
【図9】他の母材を使用した場合の説明図(1)であ
る。
【図10】他の母材を使用した場合の説明図(2)であ
る。
【図11】他の母材を使用した場合の説明図(3)であ
る。
【図12】本発明のチップ製造の説明図である。
【図13】図12の他の端子形成方法の概略断面図であ
る。
【図14】本発明の防振部材を設けた場合の説明図であ
る。
【図15】チップブロックモジュールに保護部材を設け
た場合の説明図である。
【図16】図15の他の保護部材を設けた場合の説明図
である。
【図17】本発明の第2実施例の構成図である。
【図18】従来のQFP型半導体装置の基板実装の説明
図である。
【図19】従来のマルチチップモジュールの側断面図で
ある。
【符号の説明】
31 チップブロックモジュール 32 チップユニット 33 端子 34 シート 35 連結ブロック 38 母材 40 スルーホール 41 吸着装置 52 連結ユニット 53 パイプ 54 放熱突起部 55 冷却ファン 57 中空部 58 穴 59 棒部材 60 押出し開口部 61 ウエハ 62 スクラブライン 63 ダイシングブレード 64 振動吸収部材 65a〜65e 保護部材 66 Oリング 71 半導体装置 72a,72b マザーボード
フロントページの続き (72)発明者 関場 隆 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘1 番地の1 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (72)発明者 工藤 治 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘1 番地の1 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (56)参考文献 特開 平2−189961(JP,A) 特開 平2−1962(JP,A) 特開 平6−84973(JP,A) 特開 平5−343558(JP,A) 特開 平2−81463(JP,A) 特開 平2−120847(JP,A) 特開 平3−265194(JP,A) 特開 平3−273669(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定数の端子が形成された所定機能を有
    する所定形状のチップユニットが、複数、その側面同士
    が突き合わされて平面状に並んでいる半導体装置であっ
    て、 各チップユニットは、側面に、凹状に切り欠いた端子
    が、複数のチップユニットをその側面同士を突き合わせ
    た場合に、突き合わされた二つのチップユニットの端子
    が対向する位置関係で形成してある構成であり、 対向する2つの端子が作る空間の形状に対応した形状の
    導電性の連結ブロックが、突き合わされた二つのチップ
    ユニットの対向する2つの端子が作る空間内に挿入して
    あり、 該挿入された連結ブロックが、突き合わされた二つのチ
    ップユニットの対向する2つの端子の間を電気的に接続
    すると共に突き合わされた二つのチップユニットの間を
    機械的に結合する構成としたことを特徴とする 半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 所定数の端子が形成された所定機能を有
    する所定形状のチップユニットが、複数、その側面同士
    が突き合わされて平面状に並んでいる半導体装置であっ
    て、 各チップユニットは、側面に、凹状に切り欠いた端子
    が、複数のチップユニットをその側面同士を突き合わせ
    た場合に、突き合わされた二つのチップユニットの端子
    が対向する位置関係で形成してある構成であり、 突き合わされた二つのチップユニットの対向する端子が
    作る空間内が、注入されて硬化された導電ペーストによ
    って埋まっており、 該硬化された導電ペーストが、突き合わされた二つのチ
    ップユニットの対向する2つの端子の間を電気的に接続
    すると共に突き合わされた二つのチップユニットの間を
    機械的に結合する構成としたことを特徴とする 半導体装
    置。
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Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262434B1 (en) * 1996-08-23 2001-07-17 California Micro Devices Corporation Integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the IC devices
US7634529B2 (en) * 1996-11-29 2009-12-15 Ellis Iii Frampton E Personal and server computers having microchips with multiple processing units and internal firewalls
US7506020B2 (en) 1996-11-29 2009-03-17 Frampton E Ellis Global network computers
US8225003B2 (en) 1996-11-29 2012-07-17 Ellis Iii Frampton E Computers and microchips with a portion protected by an internal hardware firewall
US8312529B2 (en) 1996-11-29 2012-11-13 Ellis Frampton E Global network computers
US6725250B1 (en) 1996-11-29 2004-04-20 Ellis, Iii Frampton E. Global network computers
US6167428A (en) 1996-11-29 2000-12-26 Ellis; Frampton E. Personal computer microprocessor firewalls for internet distributed processing
US7024449B1 (en) * 1996-11-29 2006-04-04 Ellis Iii Frampton E Global network computers
US7805756B2 (en) 1996-11-29 2010-09-28 Frampton E Ellis Microchips with inner firewalls, faraday cages, and/or photovoltaic cells
US20050180095A1 (en) * 1996-11-29 2005-08-18 Ellis Frampton E. Global network computers
US7926097B2 (en) * 1996-11-29 2011-04-12 Ellis Iii Frampton E Computer or microchip protected from the internet by internal hardware
US6127245A (en) * 1997-02-04 2000-10-03 Micron Technology, Inc. Grinding technique for integrated circuits
JP2000031461A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Asahi Optical Co Ltd 半導体デバイスおよび半導体組立装置
US6664628B2 (en) * 1998-07-13 2003-12-16 Formfactor, Inc. Electronic component overlapping dice of unsingulated semiconductor wafer
US6465858B2 (en) * 2000-03-24 2002-10-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device package for optical communication device
US6469901B1 (en) * 2000-05-15 2002-10-22 3C Interactive, Inc. System and method for cartridge-based, geometry-variant scalable electronic systems
US6717245B1 (en) * 2000-06-02 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Chip scale packages performed by wafer level processing
US6343940B1 (en) * 2000-06-19 2002-02-05 Advantest Corp Contact structure and assembly mechanism thereof
TW492114B (en) 2000-06-19 2002-06-21 Advantest Corp Method and apparatus for edge connection between elements of an integrated circuit
US6696765B2 (en) * 2001-11-19 2004-02-24 Hitachi, Ltd. Multi-chip module
JP4606567B2 (ja) * 2000-11-02 2011-01-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積装置
US20020117753A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-29 Lee Michael G. Three dimensional packaging
US6610560B2 (en) * 2001-05-11 2003-08-26 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Chip-on-chip based multi-chip module with molded underfill and method of fabricating the same
US6512293B1 (en) * 2001-06-05 2003-01-28 Lsi Logic Corporation Mechanically interlocking ball grid array packages and method of making
JP3631445B2 (ja) * 2001-06-06 2005-03-23 東芝三菱電機産業システム株式会社 平型半導体スタック装置
US20030002267A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-02 Mantz Frank E. I/O interface structure
US20020190367A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Mantz Frank E. Slice interconnect structure
DE10130592C1 (de) * 2001-06-27 2002-10-24 Infineon Technologies Ag Modulbaugruppe für Speicher-Module und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6573461B2 (en) 2001-09-20 2003-06-03 Dpac Technologies Corp Retaining ring interconnect used for 3-D stacking
US6573460B2 (en) 2001-09-20 2003-06-03 Dpac Technologies Corp Post in ring interconnect using for 3-D stacking
US6891276B1 (en) 2002-01-09 2005-05-10 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor package device
US7190060B1 (en) 2002-01-09 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Three-dimensional stacked semiconductor package device with bent and flat leads and method of making same
US6989295B1 (en) 2002-01-09 2006-01-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor package device that includes an insulative housing with first and second housing portions
US6936495B1 (en) 2002-01-09 2005-08-30 Bridge Semiconductor Corporation Method of making an optoelectronic semiconductor package device
US6791035B2 (en) * 2002-02-21 2004-09-14 Intel Corporation Interposer to couple a microelectronic device package to a circuit board
US6856010B2 (en) * 2002-12-05 2005-02-15 Staktek Group L.P. Thin scale outline package
US20040207990A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Rose Andrew C. Stair-step signal routing
TWI234867B (en) * 2003-06-03 2005-06-21 Gigno Technology Co Ltd Flip-chip attach structure and method
JP4263953B2 (ja) * 2003-06-23 2009-05-13 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7203074B1 (en) * 2003-07-28 2007-04-10 Intellect Lab, Llc Electronic circuit building block
US7612443B1 (en) 2003-09-04 2009-11-03 University Of Notre Dame Du Lac Inter-chip communication
GB0426943D0 (en) * 2003-12-09 2005-01-12 Optimum Care Int Tech Inc Memory module
US7705464B2 (en) * 2004-09-13 2010-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Connection structure for semiconductor devices
US7327006B2 (en) * 2005-06-23 2008-02-05 Nokia Corporation Semiconductor package
KR100652549B1 (ko) * 2005-07-11 2006-12-01 삼성전기주식회사 다각형, 라운드 및 원형 플립칩 볼 그리드 어레이 기판
KR100771862B1 (ko) * 2005-08-12 2007-11-01 삼성전자주식회사 메모리 모듈을 위한 인쇄회로기판, 그 제조 방법 및 메모리모듈-소켓 어셈블리
US7750441B2 (en) * 2006-06-29 2010-07-06 Intel Corporation Conductive interconnects along the edge of a microelectronic device
US7999383B2 (en) * 2006-07-21 2011-08-16 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. High speed, high density, low power die interconnect system
DE102006033870B4 (de) * 2006-07-21 2009-02-26 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit mehreren Substraten sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben
JP2008047802A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US7791173B2 (en) * 2007-01-23 2010-09-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip having side pad, method of fabricating the same and package using the same
US8193613B2 (en) * 2007-03-06 2012-06-05 Broadcom Corporation Semiconductor die having increased usable area
US7892176B2 (en) * 2007-05-02 2011-02-22 General Electric Company Monitoring or imaging system with interconnect structure for large area sensor array
US20080315331A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 Robert Gideon Wodnicki Ultrasound system with through via interconnect structure
US8125796B2 (en) 2007-11-21 2012-02-28 Frampton E. Ellis Devices with faraday cages and internal flexibility sipes
US7928563B2 (en) * 2008-05-28 2011-04-19 Georgia Tech Research Corporation 3-D ICs with microfluidic interconnects and methods of constructing same
US8546930B2 (en) * 2008-05-28 2013-10-01 Georgia Tech Research Corporation 3-D ICs equipped with double sided power, coolant, and data features
US8283566B2 (en) * 2009-03-14 2012-10-09 Palo Alto Research Center Incorporated Printed circuit boards by massive parallel assembly
US8429735B2 (en) 2010-01-26 2013-04-23 Frampton E. Ellis Method of using one or more secure private networks to actively configure the hardware of a computer or microchip
US8541262B2 (en) * 2010-09-02 2013-09-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Die edge contacts for semiconductor devices
US9190371B2 (en) * 2010-12-21 2015-11-17 Moon J. Kim Self-organizing network with chip package having multiple interconnection configurations
CN102779760B (zh) * 2011-05-13 2015-06-03 力成科技股份有限公司 基板镶接式多晶片封装制程与构造
USD668658S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD680119S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-16 Connectblue Ab Module
USD668659S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD692896S1 (en) * 2011-11-15 2013-11-05 Connectblue Ab Module
USD680545S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-23 Connectblue Ab Module
USD689053S1 (en) * 2011-11-15 2013-09-03 Connectblue Ab Module
US9620473B1 (en) 2013-01-18 2017-04-11 University Of Notre Dame Du Lac Quilt packaging system with interdigitated interconnecting nodules for inter-chip alignment
US9099363B1 (en) * 2014-02-12 2015-08-04 Freescale Semiconductor, Inc. Substrate with corner cut-outs and semiconductor device assembled therewith
KR20160006032A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 삼성전자주식회사 칩, 이를 이용하는 칩 적층 패키지 및 그 제조방법
US9911716B2 (en) 2015-01-29 2018-03-06 International Business Machines Corporation Polygon die packaging
US10923456B2 (en) * 2018-12-20 2021-02-16 Cerebras Systems Inc. Systems and methods for hierarchical exposure of an integrated circuit having multiple interconnected die
CN112448561B (zh) * 2019-08-30 2022-04-15 台达电子企业管理(上海)有限公司 电源模块及电源模块的制备方法
US11410894B2 (en) 2019-09-06 2022-08-09 International Business Machines Corporation Polygon integrated circuit (IC) packaging

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379998B1 (en) * 1986-03-12 2002-04-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US4860444A (en) * 1986-03-31 1989-08-29 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of assembling a fluid-cooled integrated circuit package
JPS6427420A (en) 1987-07-22 1989-01-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hydroponic culture apparatus
US4990462A (en) * 1989-04-12 1991-02-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method for coplanar integration of semiconductor ic devices
US5126286A (en) * 1990-10-05 1992-06-30 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing edge connected semiconductor die
JP2821262B2 (ja) * 1990-11-26 1998-11-05 株式会社日立製作所 電子装置
US5272113A (en) * 1992-11-12 1993-12-21 Xerox Corporation Method for minimizing stress between semiconductor chips having a coefficient of thermal expansion different from that of a mounting substrate
KR100245257B1 (ko) * 1993-01-13 2000-02-15 윤종용 웨이퍼 수준의 반도체 패키지의 제조방법
JP3147666B2 (ja) * 1994-07-21 2001-03-19 株式会社村田製作所 積層電子部品およびその製造方法
MY114888A (en) * 1994-08-22 2003-02-28 Ibm Method for forming a monolithic electronic module by stacking planar arrays of integrated circuit chips

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