JP3280803B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関し、特にバリアメタルを介してシリコン基板に
金属配線を形成する方法に関する。
方法に関し、特にバリアメタルを介してシリコン基板に
金属配線を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】コンタクト部におけるシリコン(Si)
基板に形成された不純物拡散層と、シリコン(Si)基
板上に形成する金属配線とのオーミック接続する際、金
属配線とシリコン(Si)との反応を防止するためにバ
リアメタルの中間層が用いられる。バリアメタルとして
はチタン(Ti)と窒化チタン(TiN)が一般的に良
く用いられる。
基板に形成された不純物拡散層と、シリコン(Si)基
板上に形成する金属配線とのオーミック接続する際、金
属配線とシリコン(Si)との反応を防止するためにバ
リアメタルの中間層が用いられる。バリアメタルとして
はチタン(Ti)と窒化チタン(TiN)が一般的に良
く用いられる。
【0003】層間絶縁膜に開口したコンタクト孔でのシ
リコン(Si)基板とタングステン(W)配線との接続
方法では、シリコン(Si)基板に形成された不純物拡
散層上に層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜にコンタ
クト孔を開口し、基板表面にチタン(Ti)膜と窒化チ
タン(TiN)膜をバリアメタルとして順次形成し、窒
化チタン(TiN)膜をアニールするための熱処理をお
こなう。そしてタングステン(W)膜を堆積形成し、次
いで、第2の層間絶縁膜を形成し、ガラスフロー等の熱
処理をおこない、第2の層間絶縁膜に第2のコンタクト
孔を開口し、最後にアルミニウム(Al)膜を堆積しコ
ンタクト部の金属配線接続が完成する。従来、バリアメ
タルとして用いられている窒化チタン(TiN)膜は、
一般にチタン(Ti)をターゲット電極としたAr+N
2 雰囲気中での反応性スパッタ法により形成され、また
チタン(Ti)膜のN2あるいはNH3 雰囲気中でのラ
ンプアニール(RTN)によっても形成されていた。そ
して、その後のアニールを経て窒化チタン(TiN)膜
の結晶完全化がおこなわれる。
リコン(Si)基板とタングステン(W)配線との接続
方法では、シリコン(Si)基板に形成された不純物拡
散層上に層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜にコンタ
クト孔を開口し、基板表面にチタン(Ti)膜と窒化チ
タン(TiN)膜をバリアメタルとして順次形成し、窒
化チタン(TiN)膜をアニールするための熱処理をお
こなう。そしてタングステン(W)膜を堆積形成し、次
いで、第2の層間絶縁膜を形成し、ガラスフロー等の熱
処理をおこない、第2の層間絶縁膜に第2のコンタクト
孔を開口し、最後にアルミニウム(Al)膜を堆積しコ
ンタクト部の金属配線接続が完成する。従来、バリアメ
タルとして用いられている窒化チタン(TiN)膜は、
一般にチタン(Ti)をターゲット電極としたAr+N
2 雰囲気中での反応性スパッタ法により形成され、また
チタン(Ti)膜のN2あるいはNH3 雰囲気中でのラ
ンプアニール(RTN)によっても形成されていた。そ
して、その後のアニールを経て窒化チタン(TiN)膜
の結晶完全化がおこなわれる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体装置及びその製造装置では、窒化チタン(Ti
N)膜形成後の熱処理による結晶完全化の際、窒化チタ
ン(TiN)膜の収縮が起こり窒化チタン(TiN)膜
に微細なクラックが発生する。このため窒化チタン(T
iN)膜のバリア性が低下しコンタクト部でのリーク電
流が多くなる。また、タングステン(W)膜堆積後にガ
ラスフロー等の高温アニールが加わると、シリコン(S
i)基板のシリコン(Si)原子が窒化チタン(Ti
N)膜を透過して、タングステン(W)層と反応しタン
グステンシリサイド(WSix)層を生成するためコンタ
クト部の抵抗が増大する。
た半導体装置及びその製造装置では、窒化チタン(Ti
N)膜形成後の熱処理による結晶完全化の際、窒化チタ
ン(TiN)膜の収縮が起こり窒化チタン(TiN)膜
に微細なクラックが発生する。このため窒化チタン(T
iN)膜のバリア性が低下しコンタクト部でのリーク電
流が多くなる。また、タングステン(W)膜堆積後にガ
ラスフロー等の高温アニールが加わると、シリコン(S
i)基板のシリコン(Si)原子が窒化チタン(Ti
N)膜を透過して、タングステン(W)層と反応しタン
グステンシリサイド(WSix)層を生成するためコンタ
クト部の抵抗が増大する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、層間絶縁膜を
形成されたコンタクト構造において、シリコン(Si)
基板に設けられた不純物拡散上に、チタンシリサイド
(TiSix)層と複数の窒化チタン(TiN)層を設
け、複数の窒化チタン(TiN)層を[111]より
[200]にて結晶配向が強くなるように構成したもの
である。
形成されたコンタクト構造において、シリコン(Si)
基板に設けられた不純物拡散上に、チタンシリサイド
(TiSix)層と複数の窒化チタン(TiN)層を設
け、複数の窒化チタン(TiN)層を[111]より
[200]にて結晶配向が強くなるように構成したもの
である。
【0006】
【作用】本発明は、前記構成により、高温アニールによ
ってもコンクタクト部のリーク電流の少ない、さらにコ
ンタクト抵抗の増大のない、高信頼性のオーミックコン
タクトの形成が可能となる。
ってもコンクタクト部のリーク電流の少ない、さらにコ
ンタクト抵抗の増大のない、高信頼性のオーミックコン
タクトの形成が可能となる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の実施例を示すコンタクト部の
断面図である。図1において、シリコン(Si)基板1
上にCVD酸化(SiO2)膜やリンガラス(PSG)膜
等からなる第1の層間絶縁膜2を堆積した後、パターニ
ングし第1のコンタクト孔9を形成する。次に、第1の
コンタクト 孔9のシリコン(Si)基板1に不純物拡
散を行い不純物拡散層3を形成する。そして、スパッタ
リング法によりチタン(Ti)膜4を10乃至30nm
堆積する。
断面図である。図1において、シリコン(Si)基板1
上にCVD酸化(SiO2)膜やリンガラス(PSG)膜
等からなる第1の層間絶縁膜2を堆積した後、パターニ
ングし第1のコンタクト孔9を形成する。次に、第1の
コンタクト 孔9のシリコン(Si)基板1に不純物拡
散を行い不純物拡散層3を形成する。そして、スパッタ
リング法によりチタン(Ti)膜4を10乃至30nm
堆積する。
【0008】次に、800乃至900℃のN2雰囲気中
でランプアニール(RTN)を行い、チタン(Ti)膜
4を16乃至48nm程度のチタンシリサイド(TiS
ix)層5と2nm程度の第1の窒化チタン(TiN)
膜6に変成し、その上に反応性スパッタリング法により
第2の窒化チタン(TiN)膜7を30乃至100nm
堆積する。反応性スパッタリング条件は、N2ガス10
0%、ガス圧力4mmTorr、パワー6KWである。
この時の反応性スパッタリング法により形成された窒化
チタン(TiN)膜の結晶配向は[200]主体となる
傾向、即ち[111]より[200]にて結晶配向が強
くなる傾向があり、文献Solid State Devices and Mate
rials,Tokyo,1988,pp.569-572でも報告されている通り
である。さらに、CVD法にてタングステン(W)膜8
を200乃至400nm堆積し、パターニングを行いタ
ングステン(W)膜8、第2の窒化チタン(TiN)膜
7、第1の窒化チタン(TiN)膜6、チタン(Ti)
膜4を順次エッチングする。
でランプアニール(RTN)を行い、チタン(Ti)膜
4を16乃至48nm程度のチタンシリサイド(TiS
ix)層5と2nm程度の第1の窒化チタン(TiN)
膜6に変成し、その上に反応性スパッタリング法により
第2の窒化チタン(TiN)膜7を30乃至100nm
堆積する。反応性スパッタリング条件は、N2ガス10
0%、ガス圧力4mmTorr、パワー6KWである。
この時の反応性スパッタリング法により形成された窒化
チタン(TiN)膜の結晶配向は[200]主体となる
傾向、即ち[111]より[200]にて結晶配向が強
くなる傾向があり、文献Solid State Devices and Mate
rials,Tokyo,1988,pp.569-572でも報告されている通り
である。さらに、CVD法にてタングステン(W)膜8
を200乃至400nm堆積し、パターニングを行いタ
ングステン(W)膜8、第2の窒化チタン(TiN)膜
7、第1の窒化チタン(TiN)膜6、チタン(Ti)
膜4を順次エッチングする。
【0009】次に、図示はしないが、酸化シリコン(S
iO2)やリンガラス(PSG)等の第2の層間絶縁膜
を堆積し、850乃至950℃程度のガラスフローを行
ない、パターニングし第2のコンタクト孔を第2の層間
絶縁膜に開口し、アルミニウム(Al)膜を堆積する。
iO2)やリンガラス(PSG)等の第2の層間絶縁膜
を堆積し、850乃至950℃程度のガラスフローを行
ない、パターニングし第2のコンタクト孔を第2の層間
絶縁膜に開口し、アルミニウム(Al)膜を堆積する。
【0010】図2に、本実施例におけるコンタクト部の
シート抵抗のアニール温度依存性を示した。図から明ら
かなように従来の装置あるいは方法では達成できなかっ
た、850乃至950℃における高温アニールにおいて
も、コンタクト抵抗の顕著な増加はみられず、窒化チタ
ン(TiN)膜のバリア性が維持されていることがわか
る。
シート抵抗のアニール温度依存性を示した。図から明ら
かなように従来の装置あるいは方法では達成できなかっ
た、850乃至950℃における高温アニールにおいて
も、コンタクト抵抗の顕著な増加はみられず、窒化チタ
ン(TiN)膜のバリア性が維持されていることがわか
る。
【0011】この現象は、窒化チタン(TiN)膜の結
晶性に依るものと考えられる。従来一般に広く用いられ
ている窒化チタン(TiN)膜は、周知であるように
[111]に結晶配向した、図3の模式図に示されたよ
うな柱状結晶である。柱状であるが故に熱処理の際の結
晶完全化により応力が集中し、クラックが発生し易い。
さらに、柱状の粒界のため原子が粒界拡散を起こして窒
化チタン(TiN)膜を透過し易くなる。この場合、シ
リコン(Si)基板より供給されたシリコン(Si)原
子は、窒化チタン(TiN)膜を透過しタングステン
(W)膜と反応し、チタンシリサイド(TiSix)膜
となりコンタクト部の抵抗が増加していたものと考えら
れる。
晶性に依るものと考えられる。従来一般に広く用いられ
ている窒化チタン(TiN)膜は、周知であるように
[111]に結晶配向した、図3の模式図に示されたよ
うな柱状結晶である。柱状であるが故に熱処理の際の結
晶完全化により応力が集中し、クラックが発生し易い。
さらに、柱状の粒界のため原子が粒界拡散を起こして窒
化チタン(TiN)膜を透過し易くなる。この場合、シ
リコン(Si)基板より供給されたシリコン(Si)原
子は、窒化チタン(TiN)膜を透過しタングステン
(W)膜と反応し、チタンシリサイド(TiSix)膜
となりコンタクト部の抵抗が増加していたものと考えら
れる。
【0012】図4に本実施例におけるチタンシリサイド
(TiSix)膜と第1及び第2の窒化チタン(Ti
N)膜の試料のアニール後のX線回折の強度を示す。図
から明らかなように、積層した窒化チタン(TiN)膜
の結晶配向性は、第1の窒化チタン(TiN)膜を形成
するためのチタン(Ti)膜のランプアニール(RT
N)温度に依存していることが理解できる。700℃の
ランプアニール(RTN)では、[111]主体に結晶
配向しているが、800℃以上のランプアニール(RT
N)では、[200]に強く結晶配向した膜となってい
ることが分かる。本実施例は、800℃以上の高温のラ
ンプアニールを施すことにより第1の窒化チタン(Ti
N)膜を[111]より[200]にて結晶配向を強く
し、そして、第1の窒化チタン(TiN)膜を種結晶と
して、従来[200]に結晶配向し易いと考えられる生
成条件により第2の窒化チタン(TiN)膜を形成し、
[200]への結晶配向性が得られたものと推察でき
る。
(TiSix)膜と第1及び第2の窒化チタン(Ti
N)膜の試料のアニール後のX線回折の強度を示す。図
から明らかなように、積層した窒化チタン(TiN)膜
の結晶配向性は、第1の窒化チタン(TiN)膜を形成
するためのチタン(Ti)膜のランプアニール(RT
N)温度に依存していることが理解できる。700℃の
ランプアニール(RTN)では、[111]主体に結晶
配向しているが、800℃以上のランプアニール(RT
N)では、[200]に強く結晶配向した膜となってい
ることが分かる。本実施例は、800℃以上の高温のラ
ンプアニールを施すことにより第1の窒化チタン(Ti
N)膜を[111]より[200]にて結晶配向を強く
し、そして、第1の窒化チタン(TiN)膜を種結晶と
して、従来[200]に結晶配向し易いと考えられる生
成条件により第2の窒化チタン(TiN)膜を形成し、
[200]への結晶配向性が得られたものと推察でき
る。
【0013】結晶配向した窒化チタン(TiN)膜の構
造は、図5の模式図で示したように粒状結晶である。熱
処理の際、結晶完全化が起こっても応力が散漫し、クラ
ックが発生しにくい。また、粒状の粒界であるため、粒
界拡散がたとえ起こったとしてもシリコン(Si)基板
より供給されたシリコン(Si)原子が、窒化チタン
(TiN)膜を透過する確率は極めて低いと思われる。
以上の理由によりコンタクト部のリーク電流の発生も少
なく、タングステン(W)膜とのシリサイド反応も起こ
らず、コンタクト部の抵抗増加もあまり見られなかった
と考えられる。
造は、図5の模式図で示したように粒状結晶である。熱
処理の際、結晶完全化が起こっても応力が散漫し、クラ
ックが発生しにくい。また、粒状の粒界であるため、粒
界拡散がたとえ起こったとしてもシリコン(Si)基板
より供給されたシリコン(Si)原子が、窒化チタン
(TiN)膜を透過する確率は極めて低いと思われる。
以上の理由によりコンタクト部のリーク電流の発生も少
なく、タングステン(W)膜とのシリサイド反応も起こ
らず、コンタクト部の抵抗増加もあまり見られなかった
と考えられる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、積層した
窒化チタン(TiN)膜の結晶配向性を[111]より
[200]にて強くするように構成したために、後の高
温の熱処理においても積層した窒化チタン(TiN)膜
のバリア性の劣化を防止することが可能となった。した
がって、コンタクト部における接合リーク不良の発生及
びコンタクト抵抗不良の発生が抑制され、高信頼性の半
導体装置及びその製造方法を実現することができた。
窒化チタン(TiN)膜の結晶配向性を[111]より
[200]にて強くするように構成したために、後の高
温の熱処理においても積層した窒化チタン(TiN)膜
のバリア性の劣化を防止することが可能となった。した
がって、コンタクト部における接合リーク不良の発生及
びコンタクト抵抗不良の発生が抑制され、高信頼性の半
導体装置及びその製造方法を実現することができた。
【図1】本発明の実施例を説明するための半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図2】コンタクト部におけるタングステン膜のシート
抵抗のアニール温度依存性を示す図である。
抵抗のアニール温度依存性を示す図である。
【図3】[111]に結晶配向した窒化チタン(Ti
N)膜の柱状結晶の模式図である。
N)膜の柱状結晶の模式図である。
【図4】本発明の実施例におけるチタンシリサイド(T
iSix)膜と第1及び第2の窒化チタン(TiN)膜
を積層した試料のアニール後におけるX線回折の強度を
示す図である。
iSix)膜と第1及び第2の窒化チタン(TiN)膜
を積層した試料のアニール後におけるX線回折の強度を
示す図である。
【図5】[200]に結晶配向した窒化チタン(Ti
N)膜の粒状結晶の模式図である。
N)膜の粒状結晶の模式図である。
1 シリコン基板 2 第1の層間絶縁膜 3 不純物拡散層 4 チタン膜 5 チタンシリサイド膜 6 第1の窒化チタン膜 7 第2の窒化チタン膜 8 タングステン膜 9 第1のコンタクト孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−119129(JP,A) 特開 平7−201779(JP,A) 特開 平7−45554(JP,A) 特開 平7−45553(JP,A) 特開 平6−260445(JP,A) 特開 平6−204170(JP,A) 特開 平6−151815(JP,A) 特開 平6−97112(JP,A) 特開 平6−20997(JP,A) 特開 平5−190493(JP,A) 特開 平4−112529(JP,A) 特開 平1−231318(JP,A) 特表 平9−500175(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/285 301 H01L 21/768
Claims (4)
- 【請求項1】 シリコン基板に形成された不純物拡散層
と金属配線のオーミックコンタクトを有する半導体装置
に於て、 該不純物拡散層とオーミック接触をすべき部分にチタン
シリサイド層を有し、該チタンシリサイド層上に複数の
窒化チタン層が形成され、前記複数の窒化チタン層は
[111]より[200]にて結晶配向が強いことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 シリコン基板上に形成された不純物拡散
層と金属配線のオーミックコンタクトを有する半導体装
置の製造方法に於て、 上記拡散層上に存在する層間絶縁膜にコンタクト孔を開
口する工程と、 該コンタクト孔にチタン層を形成する工程と、[111]より[200]にて結晶配向が強くなる温度
での 熱処理により該チタン層の表面部を第1の窒化チタ
ン層に変え、該第1の窒化チタン層を[111]より
[200]にて結晶配向を強くさせる工程と、 該第1の窒化チタン層上に[111]より[200]に
て結晶配向を強くした第2の窒化チタン層を形成する工
程とを少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項3】 前記熱処理は800乃至900℃の窒素
あるいはアンモニア雰囲気のランプアニールであること
を特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記第2の窒化チタン層を形成した後
に、850乃至900℃で熱処理する工程を含むことを
特徴とする請求項2又は3記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19401694A JP3280803B2 (ja) | 1994-08-18 | 1994-08-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
US08/493,581 US5654235A (en) | 1994-08-18 | 1995-06-22 | Method of manufacturing contact structure using barrier metal |
EP95304445A EP0697729B1 (en) | 1994-08-18 | 1995-06-23 | Contact structure using barrier metal and method of manufacturing the same |
DE69522397T DE69522397T2 (de) | 1994-08-18 | 1995-06-23 | Kontaktstruktur mit metallischer Sperrschicht und Herstellungsverfahren |
KR1019950024998A KR100269439B1 (ko) | 1994-08-18 | 1995-08-14 | 반도체장치및그제조방법 |
US08/835,060 US5920122A (en) | 1994-08-18 | 1997-04-03 | Contact structure using barrier metal and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19401694A JP3280803B2 (ja) | 1994-08-18 | 1994-08-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0864555A JPH0864555A (ja) | 1996-03-08 |
JP3280803B2 true JP3280803B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=16317550
Family Applications (1)
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JPH10125627A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および高融点金属ナイトライド膜の形成方法 |
KR100241506B1 (ko) * | 1997-06-23 | 2000-03-02 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
FR2765398B1 (fr) * | 1997-06-25 | 1999-07-30 | Commissariat Energie Atomique | Structure a composant microelectronique en materiau semi-conducteur difficile a graver et a trous metallises |
KR100268803B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2000-10-16 | 김영환 | 반도체 소자의 도전층 제조방법 |
US5895267A (en) * | 1997-07-09 | 1999-04-20 | Lsi Logic Corporation | Method to obtain a low resistivity and conformity chemical vapor deposition titanium film |
US6054768A (en) * | 1997-10-02 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Metal fill by treatment of mobility layers |
KR19990030794A (ko) * | 1997-10-06 | 1999-05-06 | 윤종용 | 반도체장치의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 반도체장치 |
JP3248570B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2002-01-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100457409B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
KR100290467B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2001-08-07 | 박종섭 | 반도체소자의확산방지막형성방법 |
US6215186B1 (en) * | 1998-01-12 | 2001-04-10 | Texas Instruments Incorporated | System and method of forming a tungstein plug |
US6136690A (en) | 1998-02-13 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications |
KR20000007410A (ko) * | 1998-07-03 | 2000-02-07 | 김영환 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
KR100331545B1 (ko) | 1998-07-22 | 2002-04-06 | 윤종용 | 다단계 화학 기상 증착 방법에 의한 다층 질화티타늄막 형성방법및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US6100185A (en) * | 1998-08-14 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of forming a high purity <200> grain orientation tin layer and semiconductor processing method of forming a conductive interconnect line |
US6117793A (en) * | 1998-09-03 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Using silicide cap as an etch stop for multilayer metal process and structures so formed |
US6187673B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Small grain size, conformal aluminum interconnects and method for their formation |
US6093642A (en) * | 1998-09-23 | 2000-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Tungsten-nitride for contact barrier application |
US5998873A (en) * | 1998-12-16 | 1999-12-07 | National Semiconductor Corporation | Low contact resistance and low junction leakage metal interconnect contact structure |
KR100607305B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2006-10-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
US6177338B1 (en) * | 1999-02-08 | 2001-01-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Two step barrier process |
US6365507B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry |
US6524951B2 (en) * | 1999-03-01 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon |
KR100326253B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-03-08 | 박종섭 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
US6688584B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-02-10 | Micron Technology, Inc. | Compound structure for reduced contact resistance |
US6670267B2 (en) * | 2001-06-13 | 2003-12-30 | Mosel Vitelic Inc. | Formation of tungstein-based interconnect using thin physically vapor deposited titanium nitride layer |
US6503824B1 (en) | 2001-10-12 | 2003-01-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Forming conductive layers on insulators by physical vapor deposition |
US6780086B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-08-24 | Mosel Vitelic, Inc. | Determining an endpoint in a polishing process |
US7169704B2 (en) * | 2002-06-21 | 2007-01-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of cleaning a surface of a water in connection with forming a barrier layer of a semiconductor device |
US7311946B2 (en) * | 2003-05-02 | 2007-12-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing metal films on diffusion barrier layers by CVD or ALD processes |
US7114403B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-10-03 | Oakville Hong Kong Co., Ltd | Fluid collection and application device and methods of use of same |
US20050106753A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-05-19 | Oakville Trading Hong Kong Limited | Sanitary fluid collection, application and storage device and methods of use of same |
WO2005050167A2 (en) * | 2003-11-14 | 2005-06-02 | Oakville Hong Kong Co., Limited | Rapid sample collection and analysis device |
KR100519642B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-10-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 형성 방법 |
US20050221612A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-06 | International Business Machines Corporation | A low thermal budget (mol) liner, a semiconductor device comprising said liner and method of forming said semiconductor device |
KR100621630B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 이종 금속을 이용하는 다마신 공정 |
US8871155B2 (en) * | 2005-11-30 | 2014-10-28 | Alere Switzerland Gmbh | Devices for detecting analytes in fluid sample |
JP2008016538A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Renesas Technology Corp | Mos構造を有する半導体装置及びその製造方法 |
US7684227B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-03-23 | Micron Technology, Inc. | Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device |
US20090130466A1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-05-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition Of Metal Films On Diffusion Layers By Atomic Layer Deposition And Organometallic Precursor Complexes Therefor |
JP2011146507A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8530875B1 (en) | 2010-05-06 | 2013-09-10 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory including ovonic threshold switch with layered electrode and methods for forming same |
JP2013021012A (ja) | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9166158B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-10-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same |
US9263281B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-02-16 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Contact plug and method for manufacturing the same |
JP6690333B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2020-04-28 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN106684034B (zh) * | 2016-08-22 | 2019-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种在接触孔中制备薄膜的方法 |
US20180331118A1 (en) | 2017-05-12 | 2018-11-15 | Sandisk Technologies Llc | Multi-layer barrier for cmos under array type memory device and method of making thereof |
US10453747B2 (en) * | 2017-08-28 | 2019-10-22 | Globalfoundries Inc. | Double barrier layer sets for contacts in semiconductor device |
CN111029358A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-17 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
US20210327881A1 (en) * | 2020-04-17 | 2021-10-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of Utilizing Etch-Stop Material During Fabrication of Capacitors, Integrated Assemblies Comprising Capacitors |
KR20220055526A (ko) * | 2020-10-26 | 2022-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 구조물을 포함하는 적층 구조물 및 이의 제조 방법 |
US11688601B2 (en) * | 2020-11-30 | 2023-06-27 | International Business Machines Corporation | Obtaining a clean nitride surface by annealing |
Family Cites Families (18)
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---|---|---|---|---|
JPS63160328A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4937657A (en) * | 1987-08-27 | 1990-06-26 | Signetics Corporation | Self-aligned metallization for semiconductor device and process using selectively deposited tungsten |
JPH02119129A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5231055A (en) * | 1989-01-13 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming composite interconnect system |
JPH02235372A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2537413B2 (ja) * | 1989-03-14 | 1996-09-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5162262A (en) * | 1989-03-14 | 1992-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Multi-layered interconnection structure for a semiconductor device and manufactured method thereof |
US5000818A (en) * | 1989-08-14 | 1991-03-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method of fabricating a high performance interconnect system for an integrated circuit |
JP3109091B2 (ja) * | 1990-08-31 | 2000-11-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE69102851T2 (de) * | 1990-10-09 | 1995-02-16 | Nec Corp | Verfahren zur Herstellung eines Ti/TiN/Al Kontaktes unter Benutzung eines reaktiven Zerstäubungsprozesses. |
JP2737470B2 (ja) * | 1990-10-09 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH05160070A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-06-25 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置の接点とその製法 |
US5242860A (en) * | 1991-07-24 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation |
JPH0536843A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH06151815A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH06204170A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5455197A (en) * | 1993-07-16 | 1995-10-03 | Materials Research Corporation | Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer |
US5514908A (en) * | 1994-04-29 | 1996-05-07 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit with a titanium nitride contact barrier having oxygen stuffed grain boundaries |
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