JP2745480B2 - 基板の表面をテクスチャ加工する方法及びデータ記録用ディスクを製造する方法 - Google Patents

基板の表面をテクスチャ加工する方法及びデータ記録用ディスクを製造する方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的にはデータ記録用
ディスクの基板をテクスチャ加工するためのプロセスに
関し、より具体的には、データ記録用ディスクのガラス
基板などの脆性非金属表面に対する制御能力の高いレー
ザによるテクスチャ加工プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の磁気ディスク・ドライブの設計で
は、ディスクが静止しているときに磁気ヘッドが磁気デ
ィスクの表面に接触する接触起動停止(CSS)方式と一般
に呼ばれるシステムが使われている。ディスクが回転し
始めると、磁気ヘッドは表面上をスライドし、ディスク
表面の層流によって最終的には表面から完全に浮き上が
って飛行する。
【０００３】磁気ヘッドをできるだけディスク表面近く
に乗せることができるように、当技術分野では滑らかで
鏡面状の記録面が好まれている。ディスク回転の起動お
よび停止時に発生する過度の接触スティクションおよび
摩擦を克服するため、当技術分野では、CSS時に磁気ヘ
ッドが接触する「テクスチャ加工」領域を金属ディスク
表面上に形成する方法が使用されている。この場合、磁
気ヘッドは適切な時期にドライブ・コントローラによっ
て「CSS領域」まで移動させられる。ディスク表面の残
りの部分は鏡面状の滑らかさが保持されているため、高
密度の磁気データ記録が可能である。
【０００４】当技術分野の専門家はこれまでに金属ディ
スク表面をテクスチャ加工するための有用な技法をいく
つか提案してきた。たとえば、繰返しレーザ・パルスを
使用して金属表面上に複製可能なピットを形成する方法
は薄板型押し表面、液体転写表面、金属製データ記録用
ディスクの表面への応用として当技術分野では既知の方
法である。残念ながら、このような方法は特定のデータ
記憶ディスク用として当技術分野で既知のガラス基板な
ど脆性非金属ディスク基板のテクスチャ加工には一般に
有効ではない。脆性非金属表面、特にガラス表面では、
金属ディスク基板用として当技術分野で既知の研削やレ
ーザ・テクスチャ加工法を用いると割れや過度の変形が
起こることが予想される。したがって、フェライトやガ
ラスなどの脆性表面の場合、当技術分野では、化学的表
面テクスチャ加工法やその他のパターン付着法の方が好
まれている。
【０００５】たとえば、米国特許第5079657号および第5
162073号は磁気ヘッドの浮動表面をテクスチャ加工する
ための選択的化学エッチング法を開示している。上記特
許が教示するスティクション減少法では、記録ディスク
上にCSS領域をテクスチャ加工する必要性がなくなる
が、不都合なことにこの手法は特定のヘッド表面材料の
みに限られる。
【０００６】米国特許第4985301号は結晶化材料と非晶
質材料とで異なるエッチング速度を与える化学的エッチ
ング処理を基板に施すことを含む記録用ディスクのガラ
ス基板の製造方法を開示している。上記特許はその方法
を使用して基板上にテクスチャ加工したCSS領域を形成
し、そのCSS領域を後で付着した記録材料層においても
再現されていることを教示している。他の専門家は磁気
記録用薄膜層を付着する前にガラス・ディスク表面上に
粗面域を形成するために高価な化学蒸着(CVD)プロセス
を使用することを提案している。
【０００７】印刷技術のある専門家はレーザ・パルスを
使用して炭化タングステンなどの脆性材料からなる表面
に小さいピットを多数形成する方法を教示している。た
とえば、米国特許第5143578号および第5236763号は印刷
ローラの液体転写面などの固体表面に一連の連続セルま
たはピットを彫る方法を開示している。上記特許では、
エッチングの分野で通常使用されているセラミックや金
属カーバイド表面の硬さを克服するためにこの方法を推
奨しているが、ヘッドのスティクションを解消するため
に脆性非金属ディスク表面にCSS領域を形成する際の具
体的問題については考慮もしていないし、解決策の提案
もしていない。
【０００８】他の専門家はガラス基板を有するデータ記
録ディスクでのスティクションを減少するためにレーザ
・エネルギを使用する場合に固有の問題を検討してい
る。たとえば、特公平4−311814号は半透明基板の裏側
からレーザ・パルスを当てて表面側で小さいガラス粒子
を破砕し散乱させることにより、表面の耐久性を低下さ
せずにガラス基板をテクスチャ加工する技法を開示して
いる。レーザ・パルスは熱衝撃を誘導し、この熱衝撃が
効率よくガラス基板表面を細粒に粉砕し、その後、その
細粒はおそらく基板表面に部分的に焼きなまされて、そ
の後ガラス基板の表面に付着される磁気記録薄膜層にお
けるスティクションを減少するのに適した粗い表面形状
を形成する。しかし、上記特許は表面の損傷が制御され
ないことによる問題をこの方法でどのように解決するか
については論じていない。
【０００９】米国特許第5062021号および第5108781号は
スティクションを減少するために磁気記録用ディスクの
金属表面に間隔を詰めて一連のピットを形成するプロセ
スを開示している。上記特許はせん光電球励起ネオジム
・イットリウム・アルミニウム・ガーネット(Nd:YAG)レ
ーザを使用して必要な表面粗さを作り出す方法を教示し
ている。しかし、上記特許はガラス・ディスク基板など
の脆性非金属表面にそのテクスチャ加工方法を適用する
ことについては考慮も提案もしていない。むしろ、その
方法は脆性非金属材料には実用的でないことが一般に知
られている。
【００１０】当技術分野の専門家は一般にヘア・ライン
・クラックや表面材料の損傷が予想されるため、レーザ
・パルスを使用して脆性非金属表面の表面形状に制御さ
れた変化を起こすことを避けている。短いレーザ・パル
スによる急速な溶融と再固化に起因するこの損傷は顕微
鏡レベルのものであることが多く、ガラスなどの脆性非
金属材をレーザで溶融した後でよく見られるものであ
る。この急速な溶融と再固化は通常、ガラス内に過度の
応力を引き起こし、それが表面の割れや粉砕を引き起こ
す。そこで、このようなレーザ・パルスは脆性非金属表
面材料の「熱衝撃限界」を超える応力を発生すると言わ
れる。上記の特公平4−311814号に開示されている発明
の有用性はこの熱衝撃微細粉砕現象を利用しているとこ
ろにある。この限界以下のレーザ・パルス・エネルギは
脆性非金属表面の表面形状を変えるには無効であると一
般に考えられている。
【００１１】したがって、当技術分野では、金属表面に
ついては既知のレーザ・テクスチャ加工法の制御能力そ
の他の利点を備えた脆性非金属表面用のテクスチャ加工
法の必要性が明らかに感じられている。また、当技術分
野では、これに関連する未解決の問題や欠点も明らかに
感じられており、本発明は以下に記載するようにしてそ
れらの問題や欠点を解決するものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的はガラ
ス、セラミックまたはその他の脆性非金属基板表面のス
ティクション、磨耗、摩擦または被覆性を改善するため
に、その基板表面の所望のCSS領域に多数の微細隆起を
形成すること、あるいはそのネガの刻印を複製するため
の「型押し表面」型としての表面を準備することであ
る。本発明の方法の利点はパルス・レーザを使用して再
現性の高い微細隆起を表面の指定領域に制御可能に形成
できることである。
【００１３】本発明の他の目的はレーザ・パルスの加熱
によるマイクロクラックが引き起こす脆性非金属表面の
損傷を回避することにある。本発明の方法の特徴および
利点はこのようなガラス表面のヘア・ライン・クラック
や材料の噴出が生じる熱衝撃フルエンス限界のすぐ下の
適当な範囲内にレーザ・パルス・フルエンスが厳密に制
御されることである。この特徴は急激に遷移するエネル
ギ・フルエンス限界(「熱衝撃限界」)以下では、レーザ
・パルスのエネルギ・フルエンスはまったく影響しない
かまたは損傷を加えずに単に隆起を形成するだけである
というまったく意外な発見によるものである。圧縮表面
応力を持つガラス・ディスクでは、意外なことに、この
ような隆起のほぼ全体が公称表面より上に突出し、デー
タ記憶ディスクのスティクションを減少する上できわめ
て有用である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明はエネルギ・フル
エンスを正確に制御した単一レーザ・パルスを使用して
ガラス・ディスク表面に再現性の高い隆起を制御可能に
形成することができるという意外な発見を利用すること
により、上記の問題を解決する。脆性非金属材料の急激
な熱衝撃フルエンス限界のすぐ下にある比較的狭い意外
な作用範囲を利用するには、フルエンスの制御が必要で
ある。フルエンス制御はレーザ照射領域の過剰応力を避
けるように、レーザの波長、パルス幅、繰返し率を適切
な隆起間隔と選択的に組み合わせて使用することにより
達成される。本発明の狭い動作フルエンス範囲は熱衝撃
限界を上限とし、素材の融点または軟化点を下限とす
る。
【００１５】
【実施例】本発明のプロセスはディスク表面を適当に移
動させながら適当な波長、パルス幅、繰返し率をもつ単
一レーザ・パルスを用いてガラス・ディスク表面上に再
現性の高い微細隆起を制御可能に安価かつ迅速に形成す
ることができるという意外な発見によるものである。図
1は本発明のプロセスを実施するのに適した装置例の機
能概略図である。この開示は主にスティクションを減少
するためのガラス記憶ディスク基板のテクスチャ加工に
関するものであるが、図1の装置はスティクションの減
少、磨耗の改善または被覆性の改善を目的として、ある
いはネガの型押しパターンで刻印されたその他の表面の
大量生産に使用する「型押し表面」として、ガラス、セ
ラミックまたはその他の脆性非金属基板表面に所望のパ
ターン領域を形成するのにも使用できる。従って、この
開示はデータ記憶用のガラス・ディスクのテクスチャ加
工に関するものであるが、本発明のプロセスは一般的な
適用性を有するものと見なすことができる。
【００１６】図1のパルス・レーザ10はガラス基板に対
して効果的に「近表面」加熱を行うために、ガラス・デ
ィスク基板12に入射する放射線の光透過が10ナノメート
ルより長く、1ミリメートルより短くなるように選択さ
れる。そのパルス幅は過度の熱衝撃(1ナノ秒以下)また
は熱拡散による過度の体積加熱(100ミリ秒以上)を引き
起こさずに作用体積を効果的に加熱するために、1ナノ
秒より長く、100ミリ秒より短くなるように選択され
る。レーザのピーク出力と、ガラス・ディスク12の2つ
の表面14および16上の集束スポット・サイズはフルエン
ス値を高くした場合に予想される破砕や表面14―16から
の材料の噴出を起こさずに、短時間の間に緩やかに表面
の軟化または溶融を行うのに十分な「エネルギ密度」ま
たは「フルエンス」が得られるように選択する。
【００１７】パルス・レーザ10はガラス・ディスク基板
12の適当な並進運動および回転運動と組み合わせたと
き、レーザを放射するたびに表面14―16上の新しい目標
域で単一レーザ・パルス作用が生じるようなパルス繰返
し率を提供するように、パルス式高周波(rf)励起信号18
によって制御される。本発明のプロセスにはこの要件が
必要である。というのは、表面割れや材料の噴出が起こ
る臨界値である「熱衝撃限界」以下のフルエンスの作用
範囲が広がるからである。このように間隔を置かれた目
標域の要件の方が好ましいが、本発明のプロセスは熱衝
撃フルエンス限界以下のフルエンスの許容可能な作用範
囲を狭くして照射目標スポットをオーバラップさせる場
合にも使用できる。
【００１８】次に図1の装置の動作について説明する。
モータ22によりシャフト20を軸としてガラス・ディスク
基板12を回転させ、モータ・シャフト・アセンブリ全体
を何らかの有効な並進手段(図示せず)により半径方向に
並進させる。ディスクの回転および並進と同期して、励
起信号18によりレーザ10をパルス発振させて、出力パル
ス24を得る。出力パルス24は可動ミラー26で偏向させて
スプリットし、上部固定ミラー28または下部固定ミラー
30のいずれかに向わせることができる。上部経路に沿っ
て進むパルス24はミラー28で反射してZnSe集束レンズ32
を通って固定ミラー34に達し、そこからガラス・ディス
ク基板12の上面14に達する。同様に、下部経路に沿って
進むパルス24はミラー30で反射してZnSe集束レンズ36を
通ってミラー38に達し、そこからガラス・ディスク基板
12の下面16に達する。このように、ミラー26の適当な機
械的制御により、表面14および16を同時にテクスチャ加
工することができる。
【００１９】図1において、表面14―16のテクスチャ加
工はパルス・エネルギ、スポット・サイズ、パルス繰返
し率、パルス幅、ディスク回転速度、ディスク並進速度
の組合せによって制御される。これらの制御要素に加
え、前述の近表面加熱効果が得られるようにレーザ波長
を選択する。図1に関連して上記の説明で例示したよう
に表面14―16上でのエネルギ・フルエンスを正確に制御
することが本発明のプロセスの不可欠な要素である。こ
の要件が重要である理由はガラスなどの多くの脆性非金
属表面では、かなり急激なエネルギ・フルエンスの「熱
衝撃限界レベル」が存在するという意外な発見による。
この限界を超えると、ガラス表面は少なくとも一部が破
砕し、材料が噴出することもある。熱衝撃フルエンス限
界以下のエネルギ・フルエンス領域の大部分では、脆性
非金属表面の表面形状に変更を加えるにはエネルギが不
十分である。本発明のプロセスは熱衝撃限界より下にあ
るこれまで知られていなかった比較的狭いフルエンス領
域を利用して、脆性非金属材料に有用な表面テクスチャ
を形成するものである。
【００２０】ガラスの記録ディスク基板上にCSS域を形
成するために本発明者等が使用したプロセス・パラメー
タの組合せ例によって得られたガラス表面上のテクスチ
ャは本発明のテクスチャの特色である複数の隆起を示
し、それぞれの隆起は所望の間隔Dsだけ隣接する隆起か
ら離れている。図3は図2に示す単一隆起を横切る経路に
沿って測定した原子間力顕微鏡(AFM)による断面を示し
ている。図3の断面は最大直径Ddがほぼ(90−30)＝60マ
イクロメートルで、周囲の基板表面より上の最大高さhd
がほぼ100ナノメートルであることが分かる。これらの
隆起は非常に滑らかで、データ記憶ディスクのCSS領域
でのスティクションを減少するには最適である。隆起の
突出部の高さhdが100ナノメートルであっても、ガラス
表面には割れも粉砕も見られない。CSS領域のテクスチ
ャ加工としては、これより低い30〜40ナノメートル程度
の隆起高さhdの方が望ましいこともある。このような低
い隆起を形成するには、100ナノメートルの隆起に必要
なレーザ・フルエンスより低いレーザ・フルエンスを使
用する。このように低い隆起を形成する際も割れや粉砕
は発生しない。
【００２１】ガラス表面に対して熱衝撃限界以下のエネ
ルギ・フルエンスをもたらす許容可能な動作範囲の例と
して、以下のプロセス・パラメータを開示する。 レーザの波長λp＝10.6マイクロメートル レーザのパルス幅tp＝60マイクロ秒 レーザ・パルスのピーク出力Pp＝12ワット 集束目標スポットの直径Dp＝200マイクロメートル パルス繰返し率Fp＝1500ヘルツ ディスクの回転速度ω＝4πラジアン／秒 ディスクの並進速度Vr＝200マイクロメートル／秒 公称半径方向隆起間隔ｒs＝100マイクロメートル。
【００２２】目標域のスポット・サイズDpは200マイク
ロメートルであるが、隆起サイズDdはわずか30マイクロ
メートルであることに留意されたい。この関係は照射し
たスポット・サイズよりはるかに小さい特徴サイズを形
成するという本発明のレーザ・テクスチャ加工プロセス
の「限界」特性を示している。裏付けとなる証拠はない
が、本発明者等は表面が軟化点以下に冷えるときに「凍
結する」ようなレーザ誘導の表面軟化またはレーザ誘導
の熱膨張によって表面応力が緩和されることにより、こ
の意外な「完全突出」のくぼみ効果が発生すると仮定し
ている。
【００２３】本発明のこの方法により、数ナノメートル
から数マイクロメートルにも及ぶ高さhdを持つ隆起を形
成することができる。どのパルスも熱衝撃限界のフルエ
ンス・レベルを超えなければ、割れを発生せずに同じ目
標領域スポットの繰返しパルスによってより高い隆起を
形成できることを本発明者等は実証した。
【００２４】ガラス表面で熱衝撃フルエンス限界を超え
た場合の影響を知るために、繰返し率(Fpは1500Hzでは
なく2000Hz)とパルス幅tpを除き、前述したのと同じ動
作パラメータを使用してテクスチャを形成したガラス表
面の状態は許容可能なフルエンス作用範囲の急激な上限
を示すものであった。繰返し率Fpを上げたため、その隆
起間隔は前述のものより小さくなった。
【００２５】パルス幅tpを60マイクロ秒にした場合、及
びtpを33％上げて80マイクロ秒にした場合に得られた表
面テクスチャ表面は依然として目に見える微小クラック
や破片がない状態を保っていた。しかし、パルス幅tpを
さらに12.5％上げて90マイクロ秒にした場合、広範囲に
わたる微小クラック発生の形跡が示された。ここに示し
たようなテクスチャ加工プロセスの精密なフルエンス制
御要素の動機となったのは脆性非金属表面が持つこの予
想外に急激な熱衝撃フルエンス限界特性である。最後
に、パルス幅tpをはじめに使用した値の250％に相当す
る150マイクロ秒にして形成した場合、脆性非金属表面
をレーザでテクスチャ加工した際に当技術分野で知られ
ている広範囲にわたる表面損傷と材料の噴出が示され
た。
【００２６】図4および図5は鏡面状の外部表面42と、磁
気ヘッド46の接触起動停止(CSS)サイクルに使用するテ
クスチャ加工された環状領域44とを有する磁気記憶ディ
スク40を示したものである。磁気ヘッド46はアーム48に
取り付けられ、このアームは回転する磁気記憶ディスク
40に対して一般的には半径方向に磁気ヘッド46を位置決
めするための手段(図示せず)に接続されている。特に、
磁気ヘッド46は磁気記憶ディスク40の回転が開始または
停止されるとき必ずテクスチャ加工された環状領域44上
に置かれる。
【００２７】磁気記憶ディスク40(図5)の鏡面状の外部
表面42は複数層の介在材料を覆っている場合もある。た
とえば、本発明のプロセスに従ってガラス基板12を形成
し、テクスチャ加工してから次の磁気記録層50および保
護層52を付着させる。ガラス基板12のテクスチャ加工さ
れた表面の表面形状の特徴が後から付着された各層の表
面に再現され、それにより、外部表面42のCSS領域44に
所望のテクスチャが得られる。別法として、ガラス基板
12上にいずれかの層を最初に付着し、その後で本発明の
方法または当技術分野で既知のその他の有用な方法によ
りテクスチャ加工を施してもよい。したがって、ここで
「外部表面」42とは層12、50または52のいずれかの層が
本発明のプロセスによりその表面形状が変更されている
最表面を示す。最後に、データ記憶ディスクの応用例で
は、保護層52の表面はテクスチャ加工された環状領域44
からなるCSS領域に所望のテクスチャを表す。
【００２８】図6はガラス基板12を有する本発明による
テクスチャ加工されたディスク40を使用した直接アクセ
ス記憶装置(DASD)54の機能ブロック図である。DASD54は
制御ユニット56を含み、このユニットが全要素の動作と
回転ディスク40とを調整する。制御ユニット56はモータ
制御信号58を駆動モータ60に出力し、このモータがシャ
フト62によりディスク40を回転させる。また、制御ユニ
ット56は位置制御線66によりヘッド・アクチュエータ64
も操作する。ヘッド・アクチュエータ64は2つの可撓性
部材68および70により2つの磁気ヘッド72および74にそ
れぞれ機械的に連結されている。磁気ヘッド72は回転す
るディスク40の上面42上にあるデータを読み取り書き込
むように配置され、ヘッド74は同様に回転ディスク40の
下面76上にあるデータを読み取り書き込むように配置さ
れる。ヘッド72および74は読取り／書込みチャネル78に
より制御ユニット56に連結され、それによりディジタル
・データが回転ディスク40との間でやりとりされる。
【００２９】
【発明の効果】データ記録ディスク用のガラス基板など
の脆性非金属表面に、そのエネルギ・フルエンス限界以
下の極狭いエネルギ・フルエンス作用範囲にレーザ・パ
ルスを精密に制御しながら照射することで、表面材料の
マイクロ・クラックや噴出を生じることなく、多数の微
細隆起を形成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法によるガラスまたはその他の脆性
非金属表面をテクスチャ加工するための装置例を示す機
能概略図である。
【図２】本発明の方法を使用して得られる典型的な隆起
の1つを示す図である。
【図３】図2に示した本発明の方法を使用して得られる
典型的な隆起の断面原子間力顕微鏡で観測した図であ
る。
【図４】磁気ヘッドと記録ディスクとの接触用の接触起
動停止(CSS)領域を含む回転式磁気記録ディスクおよび
磁気ヘッドの平面図である。
【図５】図9の磁気ディスクの拡大断面図である。
【図６】本発明のテクスチャ加工を施した記録ディスク
の実施例を使用した直接アクセス記憶装置(DASD)の機能
ブロック図である。
【符号の説明】
10 パルス・レーザ 12 ガラス・ディスク基板 14 表面 16 表面 18 パルス式高周波(rf)励起信号 20 シャフト 22 モータ 24 出力パルス 26 可動ミラー 28 上部固定ミラー 30 下部固定ミラー 32 ZnSe集束レンズ 34 固定ミラー 36 ZnSe集束レンズ 38 ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィン・プン・レン アメリカ合衆国91006 カリフォルニア 州アールカディア オークウッド・アベ ニュー 1856 (72)発明者 フン・ヴィエト・グエン アメリカ合衆国95148 カリフォルニア 州サンノゼ ニーマン・ブールバード 3023 (72)発明者 タオ・アイン・グエン アメリカ合衆国95127 カリフォルニア 州サンノゼ ジェフリーダ・アベニュー 534 ナンバー ３ (72)発明者 アンドリュー・チン・タム アメリカ合衆国95070 カリフォルニア 州サラトガ コンチネンタル・サークル 21463 (72)発明者 アンソニー・ウー アメリカ合衆国95120 カリフォルニア 州サンノゼ ブライア・ランチ・レーン 663 (56)参考文献 特開 平３−252922（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−272018（ＪＰ，Ａ)

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガラス材の破砕が発生する臨界レベルであ
    る熱衝撃限界フルエンス・レベルを有するガラス材で本
    質的に構成された基板の表面をテクスチャ加工する方法
    であって、 前記表面の処理域上の間隔を置かれた複数の位置にレー
    ザ・エネルギ・パルスを選択的に集中させて前記間隔を
    置かれた位置の各々にある目標域内の前記表面の表面形
    状を変更するステップを含み、 前記レーザ・エネルギ・パルスの各々は前記間隔を置か
    れた位置の各々において前記ガラス材の前記熱衝撃限界
    より小さいフルエンスfpを有し、 前記レーザ・エネルギ・パルスの各々はレーザ・エネル
    ギEp、持続時間tp及び最大スポット直径Dpを有する集束
    スポットを有し、Ep、tp及びDpは前記目標域の各々に隆
    起が形成されるように前記フルエンスfpを前記熱衝撃限
    界より下の値に制限するように選択され、 前記隆起の各々は前記表面より最大高さhd以内で隆起し
    ていることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】前記基板は磁気データ記録材で覆われたガ
    ラス・ベースで本質的に構成されることを特徴とする請
    求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】前記レーザ・エネルギ・パルスは前記ガラ
    ス材内の前記レーザ・エネルギ・パルスの光透過が10-8
    メートルから10-3メートルの範囲内になるような波長λ
    pを有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】前記ガラス材は第一のスペクトル領域のレ
    ーザ・エネルギを強く吸収し、前記波長λpは前記第一
    のスペクトル領域内にあることを特徴とする、請求項３
    に記載の方法。
  5. 【請求項５】前記基板は磁気データ記録材で覆われたガ
    ラス・ベースで本質的に構成されることを特徴とする請
    求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】データ記録用ディスクを製造する方法であ
    って、 材料の破砕が発生する臨界レベルである熱衝撃限界フル
    エンス・レベルを有するガラス・ベース・プレートを用
    意するステップと、 前記ガラス・ベース・プレートの表面を研磨するステッ
    プと、 前記表面の処理域上の間隔を置かれた複数の位置にレー
    ザ・エネルギ・パルスを選択的に集中させて前記間隔を
    置かれた位置の各々の表面に最大隆起直径Ddを有する隆
    起を形成するステップと、 前記表面上に磁気データ記録材の膜を付着してデータ記
    録用層を形成するステップとを含み、 前記レーザ・エネルギ・パルスの各々は前記間隔を置か
    れた位置の各々において前記熱衝撃限界より小さいフル
    エンスfpを有することを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】前記間隔を置かれた位置の各々は最も隣接
    する前記位置から間隔Ds≧Ddだけ離れていることを特徴
    とする、請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】前記間隔を置かれた位置の各々は前記複数
    の隆起が隣接する隆起と合体して前記表面上にほぼ連続
    するうねを形成するように、最も隣接する前記位置から
    前記最大直径Ddより実質的に小さい間隔Dsだけ離れてい
    ることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
  9. 【請求項９】データ記録用ディスクを製造する方法であ
    って、 公称表面を有する基板を含むガラスを用意するステップ
    と、 前記ガラスの前記表面上の複数の位置に複数のレーザ・
    エネルギ・パルスを差し向けるステップを含み、 前記レーザ・エネルギ・パルスの各々はフルエンスfp及
    び持続時間tpを持ち、 前記ガラスは前記位置の各々においてガラス破砕または
    材料の噴出の臨界レベルである熱衝撃限界フルエンス・
    レベルを有し、 前記レーザ・エネルギ・パルスの各々は前記位置の各々
    において前記熱衝撃限界フルエンス・レベルを越えるこ
    となく直径Dd及び前記公称表面からの高さhdを持つ隆起
    を形成するようにフルエンスfp及び持続時間tpが選択さ
    れていることを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】前記位置の少なくともいくつかの位置の
    各々における隆起の高さを増大させるために前記いくつ
    かの位置の各々に複数のレーザ・パルスを差し向け、前
    記複数のレーザ・パルスは前記いくつかの位置の各々に
    おいて前記熱衝撃限界フルエンス・レベルを越えないよ
    うに選定されたパルス繰返し率Fpを有することを特徴と
    する請求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】前記位置の各々は最も隣接する前記位置
    から中心間間隔Ds≧Ddだけ離れていることを特徴とす
    る、請求項９に記載の方法。
  12. 【請求項１２】前記レーザ・エネルギ・パルスは前記ガ
    ラス材内の前記レーザ・エネルギ・パルスの光透過が10
    -8メートルから10-3メートルの範囲内になるような波長
    λpを有することを特徴とする、請求項９に記載の方
    法。
  13. 【請求項１３】前記基板は第一のスペクトル領域のレー
    ザ・エネルギを強く吸収し、前記波長λpは前記第一の
    スペクトル領域内にあることを特徴とする、請求項９に
    記載の方法。
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