JPH09237419A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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JPH09237419A
JPH09237419A JP8067446A JP6744696A JPH09237419A JP H09237419 A JPH09237419 A JP H09237419A JP 8067446 A JP8067446 A JP 8067446A JP 6744696 A JP6744696 A JP 6744696A JP H09237419 A JPH09237419 A JP H09237419A
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JP8067446A
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Hiroshi Osawa
弘 大澤
Daisuke Shiomi
大介 塩見
Akira Fukizawa
朗 蕗澤
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Showa Denko KK
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録媒体の基板と磁気ヘッドとの摺動耐
久性を向上させた磁気記録媒体の製造方法を提案する。 【解決手段】 レーザビームを照射して基板にテクスチ
ャ加工を施す工程を含む磁気記録媒体の製造方法におい
て、連続発振レーザに外部光変調器としてA/O素子或
いはE/O素子を組み合わせることにより、レーザ出力
強度比がImax/Imin=10〜100の範囲で連
続的に変調するレーザビームを照射し、基板表面に突起
状の構造体を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳しくは磁
気ディスク(以下、HDという)と磁気ヘッドとの間の
摺動耐久性を向上させた磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の高密度化の進歩はまさに日進
月歩の勢いであり、かつて10年で10倍といわれたハ
ードディスク・ドライブ(HDD)の記録密度向上速度
が最近では10年で100倍という声も聞かれている。
HDDは俗にウィンチェスター様式と呼ばれる、HD/
磁気ヘッド間の接触摺動−ヘッド浮上−接触摺動を基本
動作とするCSS(接触起動停止)方式が主流である。
この方式はHDDの高記録密度化を一気に加速した画期
的なものではあるが、一方で深刻なトライボロジー上の
課題を持ち込む端緒にもなった。近年の記録密度の向上
は、ディスクの回転速度の増加と磁気ヘッドの浮上高さ
の低減を伴い、CSS方式における摺動耐久性/安定性
やHD表面の平滑性への要求はますます強まっている現
状である。磁気ヘッド/HD間の摺動耐久性を向上させ
る鍵は、材料強度向上と潤滑性も含めた摩擦係数低下に
あるが、HDの側で言えば、従来トップコート技術の検
討〔ダイヤモンドライクカーボン(DLC)保護膜、各
種塗布潤滑剤等〕と並んでHD表面の粗面化によって摩
擦係数を低減させる努力が払われてきた。これはテクス
チャ処理と呼ばれ、接触面積の実効的低減によって摩擦
係数を下げてCSS耐久性/安定性を高めることを目的
としたものである。粗面化は基本的にはHD表面に所定
範囲の高低差を有する凹凸を形成することである。この
テクスチャ処理はHD製造技術の重要な要素技術となっ
ている。
【0003】上記テクスチャ技術は、当然のことながら
基板材質と不可分の関係にあり、従来のNiPメッキA
l基板の場合には、研磨粉等を用いた機械的研磨によっ
て凹凸を形成する手法が主流であった。また、ガラス基
板等ではリソグラフィー、或いはそれと印刷技法を組み
合わせたエッチング技術等が提案され、一部では実用化
されている。
【0004】テクスチャ技術全般に言えることとして、
精密な凹凸制御と並んで工程上の効率性も必要要件であ
るが、両者はしばしば拮抗する関係にあり、特に前述の
ようなHDDの高記録密度化が驚くべき速さで進行して
いる現今の状勢下では、従来技術は所定仕様を満足しき
れないだけではなく、もはや工夫や改良の蓄積ではカバ
ーし得ない様々な問題点を露呈しつつある。例えば、機
械研磨法では既に微細加工制御の限界付近にあり、凹凸
の高低のみならず、ゾーンテクスチャリング等で重要に
なるテクスチャ領域の精密制御でも根本的な困難に遭遇
している。具体的には一定の割合で発生する所定範囲外
の高低差を示す凹凸(過研磨、バリ等)の発生や、テク
スチャ境界のぼやけ等である。また、リソグラフィ的手
法は、精密制御の点では問題ないものの、工程の複雑さ
が避けられず、それが効率面でのアキレス腱になってい
る。他方、HDDの高記録容量化、高品質化は必然的に
HD製造環境の高いクリーン度達成を包含するものであ
り、各種汚染物、塵埃の高いレベルでの除去/排除が各
工程に対する至上目標となっている現状である。この観
点からすれば各工程が乾式であることが望ましく、この
乾式テクスチャリングに対して大きな期待が持たれてい
る。
【0005】レーザ光を物質加工や測定に応用する試み
はレーザの発明当初から始まったと言えるが、昨今のレ
ーザ光源の発達/開発は基本特性やハンドリング性の目
覚ましい向上をもたらし、高エネルギー加工から超微細
加工、精密測定まで利用技術の広い裾野を形成してい
る。レーザビームによって物質を成膜し、或いは物質表
面を加工するレーザアブレーション(爆蝕)ないしレー
ザエッチングは80年代から盛んに検討されている技術
であるが、これによってテクスチャを施す、所謂レーザ
テクスチャ技術が最近関心を集めている(例えばUSP
5062021、特開昭62−209788号公報、特
開平3−272018号公報、特開平7−182655
号公報)。レーザテクスチャ技術は、レーザビーム照射
により突起状構造物を任意の高さ、間隔、位置に基板上
で制御良く形成することができる上、基本的に乾式過程
であるという利点がある。特開平3−272018号公
報では、Qスイッチパルス発振のNd−YAGレーザ
(波長1064nm、発振周波数12KHz)を用い、
直径2.5〜100μmのクレータ状突起を間隔12.
7〜25.4μmでNiPメッキAl基板に形成してい
る。また、特開平7−182655号公報では、パルス
発振のCO2レーザ(波長10600nm、発振周波数
1.5KHz)を用い、直径1〜200μmの突起を間
隔1〜500μmでガラス基板上に形成している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
テクスチャ技術では突起高さ、間隔の設定を誤ると、デ
ィスク表面へのヘッド吸着、CSS特性の悪化が顕著と
なる。また、ディスク表面の異常突起を検出するグライ
ドヘッドの飛行安定性不良によるヘッドノイズ増大が発
生し、正常なグライド高さ検査が困難になる。
【0007】一方、パルス発振レーザを用いて突起を形
成する上記方法では、基板表面に形成する突起間隔を狭
めるにつれて相対的にテクスチャ加工領域内の突起数が
増大し、加工に要する時間が増大する。直径95mmの
ディスクの中心から17〜20mmの帯状の範囲にレー
ザテクスチャ加工を施す場合を具体例として説明する。
直径25μmの突起の外端部間隔を周方向、半径方向共
に25μmとした場合、約14万点の突起を形成するた
めに、前記特開平3−272018号公報の12KHz
パルス発振のNd−YAGレーザ(波長1064nm)
を用いると約11秒の加工時間が必要となる。また、前
記特開平7−182655号公報の1.5KHzパルス
発振のCO2 レーザ(波長10600nm)を用いると
約90秒の加工時間が必要となる。さらに、突起の直径
2μm、外端部間隔を円周方向半径方向共に8μmとし
た場合、突起の総数は約350万点になり、前記特開平
3−272018号公報の12KHzパルス発振のNd
−YAGレーザ(波長1064nm)を用いると約5分
の加工時間が必要となる。また、前記特開平7−182
655号公報の1.5KHzパルス発振のCO2 レーザ
(波長10600nm)を用いると約39分の加工時間
が必要となる。
【0008】他方、特願平4−281030号では半径
方向の突起間隔を円周方向より粗とすることにより、ヘ
ッドの吸着現象を低減させているが、その実施例を参考
に突起の直径2μm、外端部間隔を円周方向8μm、半
径18μmとした場合、170万点の突起を形成するた
めに、12KHzパルス発振のNd−YAGレーザ(波
長1064nm)を用いると約2分30秒の加工時間が
必要となる。また、特開平7−182655号公報の
1.5KHzパルス発振のCO2 レーザ(波長1060
0nm)を用いると約19分30秒の加工時間が必要と
なる。パルス発振レーザの繰り返し発振周波数は、市販
のスイッチNd−YAGレーザの場合、最大20KHz
であり、これより高い発振周波数ではレーザ出力の安定
性が低下し、レーザテクスチャ加工への利用に適さな
い。以上の例で明らかな様に、基板表面に形成する突起
の間隔を狭めることは、磁気ディスク製造工程用のレー
ザテクスチャ装置の加工性を決定的に低下させることに
なる。言い換えれば、レーザテクスチャ装置の加工性を
低下させないためには、突起の間隔はパルス発振のレー
ザを使用する限り一定間隔以下に狭めることはできなく
なる。このことは、CSS特性向上のためにレーザテク
スチャ用突起の設計に制約を与えることになる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記に鑑み提
案されたもので、磁気記録媒体の製造方法に関し、連続
発振レーザに外部光変調器としてA/O素子或いはE/
O素子を組み合わせることにより、図1に示されるレー
ザ出力強度比がImax/Imin=10〜100の範
囲で連続的に変調するレーザビームを照射することによ
り、レーザテクスチャ装置の加工性を低下させることな
く、基板表面に任意の高さの突起状の構造体を任意の間
隔で形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】レーザビームを基板に照射するこ
とにより形成される突起状構造体の高さは、照射される
レーザ出力により変化する。レーザテクスチャ法で用い
られる突起高さは10〜50nmであり、NiPメッキ
Al基板を例にとれば突起形成のために基板に照射され
るレーザエネルギーは個々の突起形成当たり1〜10μ
J/SPOTであることが報告されている(IEEE,
TRANSACTIONS ON MAGNETIC
S,VOL.31,No.6,p2946)。また、ガ
ラス、セラミックス等の基板について、特開平7−18
2655号公報、特願平7−156723号では、レー
ザアブレーションの発生するエネルギー以下の出力のレ
ーザビームを照射することにより基板表面に突起を形成
する方法について述べている。何れのテクスチャ加工の
場合も、パルス発振レーザのピークエネルギーを利用し
ており、上述の文献では照射するレーザ出力を減ずるた
めに減衰器(ATTENUATOR)を用いている。レ
ーザテクスチャ加工に必要とされるレーザエネルギー
は、一般にレーザ加工で用いられるレーザエネルギーと
比較して極めて微弱であり、パルス発振するレーザ出力
の僅かな変動によっても加工高さにばらつきを生じた
り、突起が形成されない場合も発生する。本発明者等は
この点に着目し、ピークエネルギー値の大きいパルス発
振レーザを減衰器を通して使用しなくても連続発振のレ
ーザを用いる場合であっても突起形成に必要な最小エネ
ルギー以上及び以下のレーザ出力を連続的に発生させる
ことにより、スポット状のテクスチャ加工を基板表面に
形成することが可能になることを見出した。
【0011】連続的にレーザ出力を変更させる方法とし
て、音響光学効果素子(Acoustic−Optic
Device,略してA/O素子)、或いは電気光学
効果素子(Electro−Optic Devic
e,略してE/O素子)を用いる方法がある。A/O素
子は、光学結晶に外部より超音波を導入し、結晶の光弾
性効果を利用して入射した連続発振レーザ光の回折角度
を変化させることにより直進透過するレーザ出力を連続
的に変化させることができる。E/O素子は、光学結晶
に電圧を印加して結晶の屈折率が変化する電気光学効果
を利用して入射レーザの光路を変更させることによりレ
ーザ出力を連続的に変化させることができる。上記何れ
の素子も、外部から入力する超音波周波数、電気パルス
周波数によりMHz帯域でのレーザ出力変調が可能であ
り、出力変調幅も任意に変更することが容易である。
【0012】本発明では、連続発振レーザに外部光変調
器としてA/O素子或いはE/O素子を組み合わせるこ
とにより、突起形成に必要な最小エネルギー以上及び以
下のレーザ出力を、MHz帯域の周波数で連続的に発生
させることにより、パルス発振レーザ(安定発振周波数
20KHz)では加工時間の制約から困難であった突起
間隔の狭いスポット状レーザテクスチャを生産性を低下
させることなく基板表面に形成することを可能とした。
最大及び最小レーザ出力の変調率は、使用する素子の特
性によりImax/Imin=10〜100の範囲にあ
る。但し、レーザビームの最小出力は突起の形成されな
いエネルギー値以下となるように制御されなければなら
ない。
【0013】A/O素子或いはE/O素子を利用した外
部変調器を通して出力の変調されたレーザビームは、レ
ンズを通して基板表面に1〜10μmのスポット径を結
ぶように集光される。照射するレーザビームのエネルギ
ーを効果的に突起形成に用いるためには、基板表面から
一定深度の位置に焦点を絞ることにより効率よくレーザ
エネルギーを吸収させることが必要である。上述のよう
にレーザテクスチャに用いる突起形成に必要なレーザエ
ネルギーは、10μJ/パルス程度であるために使用す
るレーザ本体の出力安定度が突起高さのばらつきに影響
を与える。焦点深度はレーザ波長に依存するので、YA
Gレーザ、CO2 レーザ等の赤外線レーザは十分な焦点
深度が得られず適当でない。また、YAGレーザ第4高
調波、或いはエキシマレーザ等の紫外線レーザは十分な
焦点深度が得られる点では好適であるが、レーザ出力安
定度のばらつきが大きく、特願平7−176929号で
述べている紫外線レーザを吸収して突起形成が可能とな
るガラス基板等の特殊な基板以外では利用に適さない。
以上の理由により、本発明では可視光領域のレーザ、好
ましくは400〜600nmの波長を持つレーザが突起
形成に効率的な焦点深度と出力安定度を持つ結果、レー
ザテクスチャ加工に最適であることを見出した。
【0014】本発明では、A/O素子或いはE/O素子
を利用した外部変調器を通して出力の変調されたレーザ
を、突起を螺旋状に形成させるために一定速度で回転す
ると共に一回転毎に一定間隔半径方向に移動する加工ス
テージに取り付けられた基板表面に、1〜10μmのス
ポット径を結ぶようにレンズにより集光する。若しく
は、レーザを、連続的に反射角度が変更されるミラーを
通した上で、加工ステージ上に固定された基板表面に、
1〜10μmのスポット径を結ぶようにレンズにより集
光する。加工時間をさらに短縮させる方法として、上述
のレーザビームを2〜10本の平行光線に分離し、レン
ズを通して基板に照射する方法も用いられる。レーザを
分離する方法としては、回折格子を用いる方法、多重ハ
ーフミラーを用いる方法が利用される。
【0015】実用上(磁気記録媒体の基板表面のテクス
チャとして)に適した突起部の大きさは、直径1〜10
μm、高さ1〜30nm、外端部間隔1〜50μmが好
ましく、この突起部の基板表面に対する占有面積の割合
は0.1〜99.9%であることが好ましい。
【0016】本発明で使用される基板は、NiPメッキ
Al或いはSi、ガラス等セラミックスであるが、可視
光領域のレーザ、好ましくは400〜600nmの波長
を持つレーザで加工される材料であれば何等限定される
ものではない。さらに、このようなテクスチャ処理は磁
性層或いは炭素保護膜に対する粗面化に応用することも
可能である。
【0017】
【実施例】
[実施例1]連続発振レーザ光源に、出力2Wの連続発
振アルゴンレーザ(単一波長モード515nm、レーザ
ビーム径0.3mmφ)を用い、レーザ出力変調器はA
/O素子(石英製、最大変換効率80%、立ち上がり時
間50nsec)を用いた。A/O素子にデジタルドラ
イバー及びパルス発生器を接続した高速光変換システム
を構成した。図2にこの実施例1の光学系及び加工ステ
ージの模式図を示す。レーザビームは、集光レンズによ
り0.3mmまで絞った後、A/O素子に入射する。A
/O素子にパルス発生器により1MHzの矩形波信号を
導入し、レーザビームは立ち上がり50nsec、最大
出力幅150nsec、レーザ最大最小出力比Imax
/Imin=80、繰り返し変調幅1MHzの出力変調
レーザビームを得た。このレーザビームを、回転数20
00回/分、且つ半径方向に1m/秒で移動する直径9
5mmのNiPメッキAl基板表面に、スポット直径が
3μmになるようにレンズを通して集光した。その結
果、直径3μm、突起高さ25nm、突起外端部間隔5
μm(円周方向)、20μm(円周方向)のレーザテク
スチャ加工(ゾーン幅17〜20mm)が施された。突
起状構造体の総数は約190万点になり、加工に必要な
時間は約2秒であった。また、この実施例1の加工性能
は毎時600枚であった。図3にこの実施例1で得られ
た突起状構造体の拡大断面図を示した。尚、前記レーザ
テクスチャ装置では、突起状構造体を一定の間隔に配列
させるために、基板の回転数、及び半径方向の移動速度
は、コンピュータからのサーボモータ制御信号により一
定の割合で変化させている。また、レーザ、光学レンズ
系、A/O素子、加工ステージは、外部振動によるレー
ザテクスチャ加工間隔の変動を抑制するために防振台に
組み込まれている。
【0018】[実施例2]A/O素子の代わりにE/O
素子を使用した以外は前記実施例1と同様の方法により
発生させた立ち上がり50nsec、最大出力幅150
nsec、レーザ最大最小比Imax/Imin=8
0、繰り返し変調幅500KHzの出力変調レーザビー
ムを、コンピュータからのサーボ信号によりX,Y方向
に連続的に反射角度が変更するガルバノミラーを通した
上で、加工ステージ上に固定された直径95mmのNi
PメッキAl基板表面に、スポット直径が5μmになる
ようにレンズを通して集光した。その結果、直径5μ
m、突起高さ25nm、突起外端部間隔5μm(円周方
向)、20μm(円周方向)のレーザテクスチャ加工
(ゾーン幅17〜20mm)が施された。突起状構造体
の総数は約140万点になり、加工に必要な時間は約3
秒であった。また、この実施例2の加工性能は毎時80
0枚であった。図4にこの実施例2のレーザテクスチャ
装置の光学系及び加工ステージの模式図を示した。
【0019】[実施例3]前記実施例1で発生させた立
ち上がり50nsec、最大出力幅150nsec、レ
ーザ最大最小出力比Imax/Imin=80、繰り返
し変調幅1MHzの出力変調レーザビームを、コンピュ
ータからのサーボ信号によりディスクの半径方向に連続
的に反射角度が変更するガルバノミラーを通した上で、
2000回/分で回転する直径95mmのNiPメッキ
Al基板表面に、スポット直径が5μmになるようにレ
ンズを通して集光した。その結果、直径3μm、突起高
さ25nm、突起外端部間隔5μm(円周方向)、20
μm(円周方向)のレーザテクスチャ加工(ゾーン幅1
7〜20mm)が施された。加工に必要な時間は約2秒
であった。また、この実施例3の加工性能は毎時700
枚であった。尚、突起状構造体を一定の間隔に配列させ
るために、基板の回転数、及び半径方向移動速度は、コ
ンピュータからのサーボモータ制御信号により一定の割
合で変化させている。
【0020】[実施例4]前記実施例1で発生させた立
ち上がり50nsec、最大出力幅150nsec、レ
ーザ最大最小出力比Imax/Imin=80、繰り返
し変調幅1MHzの出力変調レーザビームを、レンズ及
び回折格子を通して径方向に2本のビームに分離し、回
転数2000回/分、且つ半径方向に1m/分で移動す
る直径95mmのNiPメッキAl基板表面で、各ビー
ム直径が3μm、ビーム間隔が20μmになるように集
光した。その結果、直径5μm、突起高さ25nm、突
起外端部間隔5μm(円周方向)、20μm(円周方
向)のレーザテクスチャ加工(ゾーン幅17〜23m
m)が施された。加工に必要な時間は約3秒であった。
また、この実施例4の加工性能は毎時600枚であっ
た。尚、突起状構造体を一定の間隔に配列させるため
に、基板の回転数、及び半径方向移動速度は、コンピュ
ータからのサーボモータ制御信号により一定の割合で変
化させている。
【0021】[実施例5]前記実施例1のアルゴンレー
ザの代わりに半導体レーザ励起の連続発振YAGレーザ
(2倍波モード 波長532nm 出力3W)を用いた
以外は、前記実施例1と同じ装置、方法を用い、直径9
5mmのNiPメッキAl基板表面にレーザテクスチャ
加工を施した。加工時間、加工性能は前記実施例1と同
じであった。
【0022】[比較例1]レーザ光源にパルス発振のN
d−YAGレーザ(発振周波数20KHz、2倍波モー
ド 波長532nm、出力5W)を用い、レーザビーム
をコンピュータからのサーボ信号によりX、Y方向に連
続的に反射角度が変更するガルバノミラーを通した上
で、加工ステージ上に固定された直径95mmのNiP
メッキAl基板表面に、スポット直径が5μmになるよ
うにレンズを通して集光した。その結果、直径5μm、
突起高さ25nm、突起外端部間隔5μm(円周方
向)、20μm(円周方向)のレーザテクスチャ加工
(ゾーン幅17〜20mm)が施された。突起状構造体
の総数は約140万点になり、加工に必要な時間は約1
分10秒であった。また、この比較例1の加工方法を用
いたレーザテクスチャ装置の加工性能は毎時50枚であ
った。
【0023】前記実施例1〜5、比較例1で作製したレ
ーザテクスチャ基板に、引き続き、基板温度200℃に
て下地層としてCr100nm、磁性層としてCoCr
Ta合金20nm、保護層としてカーボン20nmを逐
次スパッタ成膜し、さらにPFPE(パーフルオロポリ
エーテル)系潤滑剤を塗布成膜して磁気記録媒体を作製
した。得られた磁気記録媒体は、CSS特性及びスティ
クション値が著しく向上したものであった。したがっ
て、本発明によれば、CSS特性の優れた磁気ディスク
を高速で、即ち高い生産性でもって作製することでき
る。
【0024】以上本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特
許請求の範囲に記載の構成を変更しない限りどのように
でも実施することができる。例えば、基板の上に成膜す
る各層、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜等は、特にそ
の材質や組成、成膜方法等を限定するものではなく、公
知の材料、公知の方法を適宜に選定、組み合わせて使用
することができる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ出力強度比を連続的に変調させた連続発振レーザ
ビームを用いることにより、具体的には連続発振レーザ
に外部光変調器としてA/O素子或いはE/O素子を組
み合わせることにより、従来の十数倍にも及ぶ高速で、
任意の直径、間隔、高さの突起状構造体を基板表面に形
成することができるために、ヘッドの構造に応じたレー
ザテクスチャ設計が容易となり、CSS特性の優れた磁
気ディスクを高い生産性で生産することができる等の極
めて優れた効果を示す。また、本発明によれば、CSS
特性の優れた磁気ディスクを安定且つ大量に生産するこ
とができるために、不良発生率の低下及び製造コストの
低下を可能とする等の極めて優れた効果を示す。
【0026】特にレーザビームを2〜10本の平行光線
に分離し、基板表面にレンズを通して集光することによ
り、加工時間をさらに短縮させることができる。
【0027】また、波長が可視光域、望ましくは400
〜600nmにある連続発振レーザを用いることによ
り、より安定なテクスチャ加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザ光強度比を連続的に変調させた
連続発振レーザビームの説明図である。
【図2】実施例1のレーザテクスチャ装置の光学系及び
加工ステージを示す模式図である。
【図3】本発明により形成される突起状構造体を模式的
に示す拡大断面図である。
【図4】実施例2のレーザテクスチャ装置の光学系及び
加工ステージを示す模式図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザビームを照射して基板にテクスチ
    ャ加工を施す工程を含む磁気記録媒体の製造方法におい
    て、レーザ出力強度比がImax/Imin=10〜1
    00の範囲で連続的に変調するレーザビームを照射し、
    基板表面に突起状の構造体を形成することを特徴とする
    磁気記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項2】 連続的に変更される速度で回転すると共
    に半径方向に移動する基板表面に、レーザビームをスポ
    ット直径が1〜10μmになる様にレンズを通して集光
    することにより、突起状の構造体を一定の間隔に配列さ
    せ、しかも基板表面に帯状に分布させることを特徴とす
    る請求項1記載の磁気記録媒体の製造方法。
  3. 【請求項3】 固定された基板表面に、レーザビームを
    連続的に反射角度が変更されるミラーを通した上で、ス
    ポット直径が1〜10μmになる様にレンズを通して集
    光することにより、突起状構造体を一定の間隔に配列さ
    せ、しかも基板表面に帯状に分布させることを特徴とす
    る請求項1記載の磁気記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項4】 レーザビームを2〜10本の平行光線に
    分離し、基板表面にレンズを通して集光することによ
    り、基板表面に突起状構造体を形成することを特徴とす
    る請求項1〜3の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製
    造方法。
  5. 【請求項5】 レーザビームによって基板表面に形成さ
    れる突起状構造体の大きさが直径1〜10μm、高さ1
    〜30nm、外端部間隔1〜50μmであり、それの基
    板表面に対する占有面積の割合が0.1〜99.9%で
    あることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載
    の磁気記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項6】 波長が可視光域、望ましくは400〜6
    00nmにある連続発振(CW)レーザを用いることを
    特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の磁気記録
    媒体の製造方法。
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