JP3172149B2 - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク及びその製造方法Info
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の背景】高面密度薄膜媒体への要求に合致させ、
ヘッド〜ディスクインタフェースの摩擦学的性能を改善
するために、磁気ディスク表面に織り目作り処理を通し
てランダムな又はパターン化された粗さが付けられる。
この織り目作りは磁気ディスク表面上の環状ヘッドラン
ディングゾーン領域に施される。ランディングゾーン領
域の織り目作りは通常、スパッター層の蒸着前に行われ
る。
ヘッド〜ディスクインタフェースの摩擦学的性能を改善
するために、磁気ディスク表面に織り目作り処理を通し
てランダムな又はパターン化された粗さが付けられる。
この織り目作りは磁気ディスク表面上の環状ヘッドラン
ディングゾーン領域に施される。ランディングゾーン領
域の織り目作りは通常、スパッター層の蒸着前に行われ
る。
【０００２】織り目模様は機械的、化学的或いはレーザ
ー技術で作ることもできる。織り目表面の微細構成は、
ヘッドが飛翔している間はヘッドとディスクが適当に離
れ、ヘッドの着床に際しては良好な表面耐久性を維持で
きるように、厳密に制御されていなければならない。ヘ
ッドが接触する磁気ディスクの表面割合は最小化するの
が望ましいので、粗さは、ヘッドランディングゾーンに
細かな離散的突起又は隆起という形を取る。
ー技術で作ることもできる。織り目表面の微細構成は、
ヘッドが飛翔している間はヘッドとディスクが適当に離
れ、ヘッドの着床に際しては良好な表面耐久性を維持で
きるように、厳密に制御されていなければならない。ヘ
ッドが接触する磁気ディスクの表面割合は最小化するの
が望ましいので、粗さは、ヘッドランディングゾーンに
細かな離散的突起又は隆起という形を取る。
【０００３】ランディングゾーン内のヘッドとディスク
の接触面積を低減するため、突起又は隆起のサイズは最
小化される。これは、レーザー放射を使って織り目を形
成する際に、ディスク表面に接触するレーザービームの
サイズを小さくすることにより達成できる。従来のレー
ザービームのスポットサイズは通常直径１０μｍ以下で
あり、普通５ないし８μｍの範囲にある。放射は普通約
１０ないし１００μｍ離して行われる。しかし、小さな
ビームスポットサイズ（直径約１０μｍ以下）を使用す
れば、レーザービームの焦点深さが劇的に短くなり、製
造環境下で隆起高さを制御するのが困難になる。これは
磁気ディスク表面が完全に平坦なわけではなく、磁気デ
ィスクの厚さ、磁気ディスク表面の平坦度又はうねりの
小さな変化により変動するからである。又、製造環境下
で小径のレーザービームを作り出すのもやや難しい。
の接触面積を低減するため、突起又は隆起のサイズは最
小化される。これは、レーザー放射を使って織り目を形
成する際に、ディスク表面に接触するレーザービームの
サイズを小さくすることにより達成できる。従来のレー
ザービームのスポットサイズは通常直径１０μｍ以下で
あり、普通５ないし８μｍの範囲にある。放射は普通約
１０ないし１００μｍ離して行われる。しかし、小さな
ビームスポットサイズ（直径約１０μｍ以下）を使用す
れば、レーザービームの焦点深さが劇的に短くなり、製
造環境下で隆起高さを制御するのが困難になる。これは
磁気ディスク表面が完全に平坦なわけではなく、磁気デ
ィスクの厚さ、磁気ディスク表面の平坦度又はうねりの
小さな変化により変動するからである。又、製造環境下
で小径のレーザービームを作り出すのもやや難しい。
【０００４】
【発明の概要】本発明は、レーザー放射を使用して磁気
ディスク表面に離散的隆起又は突起を形成するに際して
の問題を、大径のレーザービームを用いて、一連の効果
的にオーバラップしたレーザー放射をランディングゾー
ン表面領域に向け、ランディングゾーン表面から外向き
に広がる連続した嶺を作ることによって解決する。
ディスク表面に離散的隆起又は突起を形成するに際して
の問題を、大径のレーザービームを用いて、一連の効果
的にオーバラップしたレーザー放射をランディングゾー
ン表面領域に向け、ランディングゾーン表面から外向き
に広がる連続した嶺を作ることによって解決する。
【０００５】効果的オーバラップ放射は連続波レーザー
又はパルスレーザーからの連続放射からのものでよく、
放射のオーバラップは、外周がちょうど接触する約０％
から約９９％までとなる。直径８ないし３０μｍ、より
好ましくは１０ないし３０μｍ、のような大径レーザー
ビームを使って連続した嶺を形成すれば、レーザービー
ムの焦点深さは小径レーザービームの場合よりも大きく
なり、ディスク表面高さの変動に適応できる。本発明で
は、従来より普通に使用されているレーザービームより
も直径の大きなものを使うことができるが、ヘッド〜デ
ィスクのランディングゾーンを作るのに普通に使われて
いる、より小径のレーザービームを使うこともできる。
本発明はそれ故、２ないし３０μｍのような広範囲のレ
ーザービーム直径で利用できる。
又はパルスレーザーからの連続放射からのものでよく、
放射のオーバラップは、外周がちょうど接触する約０％
から約９９％までとなる。直径８ないし３０μｍ、より
好ましくは１０ないし３０μｍ、のような大径レーザー
ビームを使って連続した嶺を形成すれば、レーザービー
ムの焦点深さは小径レーザービームの場合よりも大きく
なり、ディスク表面高さの変動に適応できる。本発明で
は、従来より普通に使用されているレーザービームより
も直径の大きなものを使うことができるが、ヘッド〜デ
ィスクのランディングゾーンを作るのに普通に使われて
いる、より小径のレーザービームを使うこともできる。
本発明はそれ故、２ないし３０μｍのような広範囲のレ
ーザービーム直径で利用できる。
【０００６】磁気ディスク表面は、連続嶺を有するラン
ディングゾーン領域を含め、耐摩耗コーティングでコー
トされているのが望ましい。例えば、磁気オーバーコー
ト層は、カーボンフィルムを表面上にスパッタリングす
る等して、表面に設けることができる。
ディングゾーン領域を含め、耐摩耗コーティングでコー
トされているのが望ましい。例えば、磁気オーバーコー
ト層は、カーボンフィルムを表面上にスパッタリングす
る等して、表面に設けることができる。
【０００７】ある実施例では、連続嶺は螺旋状に形成さ
れ、或いは一連の同心円模様、又は分離した直線又は曲
線の扇状模様に形成してもよい。多数の斜め螺旋又は円
模様のようなクロス模様も使用できる。レーザー放射
は、基本的にはＶ型のクレーターを作る、制御された、
パルス状のレーザー放射であるのが望ましい。レーザー
ビームが、パルス状レーザービームとは対照的に、連続
波レーザービームである場合、形成される連続嶺は、通
常、レーザーパルスが約９０％オーバラップした際に形
成されるものと同様であり、即ち、形成される連続嶺の
形状はいくつかの因子、特に、基盤の移動速度に依存す
る。一般的には、オーバラップが大きくなるほど、連続
嶺中の高さの変動が小さくなる。
れ、或いは一連の同心円模様、又は分離した直線又は曲
線の扇状模様に形成してもよい。多数の斜め螺旋又は円
模様のようなクロス模様も使用できる。レーザー放射
は、基本的にはＶ型のクレーターを作る、制御された、
パルス状のレーザー放射であるのが望ましい。レーザー
ビームが、パルス状レーザービームとは対照的に、連続
波レーザービームである場合、形成される連続嶺は、通
常、レーザーパルスが約９０％オーバラップした際に形
成されるものと同様であり、即ち、形成される連続嶺の
形状はいくつかの因子、特に、基盤の移動速度に依存す
る。一般的には、オーバラップが大きくなるほど、連続
嶺中の高さの変動が小さくなる。
【０００８】本発明を使えば、非常に小さな接触構造が
形成できるようになるので、従来のレーザー織り目形成
法で用いられているよりも焦点深度が大きことにより製
造容易性を高めながら、摩擦学的性能を改善することが
できる。
形成できるようになるので、従来のレーザー織り目形成
法で用いられているよりも焦点深度が大きことにより製
造容易性を高めながら、摩擦学的性能を改善することが
できる。
【０００９】本発明の他の特徴及び利点は、好適な実施
例を添付図面と共に詳細に説明する以下の解説によって
明らかになるであろう。
例を添付図面と共に詳細に説明する以下の解説によって
明らかになるであろう。
【００１０】
【好適実施例の説明】図１に、コンピューターのハード
ディスクドライブを使ってデータを記録又は記憶するの
に使用する形式の磁気ディスク２，通常は硬質磁気ディ
スクを示す。磁気ディスク２は、データ領域６とヘッド
ランディングゾーン領域８を含む磁気ディスク表面４を
有する。ヘッドランディングゾーン領域８は環状領域で
あり、通常、その上にヘッドが休止できる専用領域を提
供するために使われる。
ディスクドライブを使ってデータを記録又は記憶するの
に使用する形式の磁気ディスク２，通常は硬質磁気ディ
スクを示す。磁気ディスク２は、データ領域６とヘッド
ランディングゾーン領域８を含む磁気ディスク表面４を
有する。ヘッドランディングゾーン領域８は環状領域で
あり、通常、その上にヘッドが休止できる専用領域を提
供するために使われる。
【００１１】ヘッド／磁気記録表面インタフェースでの
摩擦と摩耗を低減するため、先行技術による磁気ディス
クの領域８には、図２Ａに概略表示する多数の突起又は
隆起で形成される粗い面が設けられている。先行技術に
よる隆起の１形式を図２Ａに示す。隆起１０はパルスレ
ーザービームにより作られ、ソンブレロ型隆起模様が形
成される。ソンブレロ型模様は中央に通常円筒／円錐形
の中心部１２があり、それを凹んだ環状領域１４が取り
囲んでおり、その又周囲を環状拡張部１６が取り囲んで
おり、この拡張部１６は基本的に中心部１２よりも低
い。ヘッド／ディスクインタフェース時に所望の摩擦学
的性能を提供するためには、中心部１２の直径は比較的
小さくするのが望ましいので、ビームスポット径が５な
いし８μｍにあるレーザービームが通常使用されてい
る。
摩擦と摩耗を低減するため、先行技術による磁気ディス
クの領域８には、図２Ａに概略表示する多数の突起又は
隆起で形成される粗い面が設けられている。先行技術に
よる隆起の１形式を図２Ａに示す。隆起１０はパルスレ
ーザービームにより作られ、ソンブレロ型隆起模様が形
成される。ソンブレロ型模様は中央に通常円筒／円錐形
の中心部１２があり、それを凹んだ環状領域１４が取り
囲んでおり、その又周囲を環状拡張部１６が取り囲んで
おり、この拡張部１６は基本的に中心部１２よりも低
い。ヘッド／ディスクインタフェース時に所望の摩擦学
的性能を提供するためには、中心部１２の直径は比較的
小さくするのが望ましいので、ビームスポット径が５な
いし８μｍにあるレーザービームが通常使用されてい
る。
【００１２】本発明は、８ないし３０μｍのような大き
な直径を有するレーザービームを使うことができれば、
ランディングゾーン領域の表面の高さの変動によって作
り出され、先行技術の小さなビームスポット直径に伴っ
て生じる焦点問題は大幅に低減できるであろうという理
解に基づいている。そうすれば、所望の特性を持ったヘ
ッドランディングゾーン領域８をより効率的に作り出す
ことができる。これは８ないし３０μｍのような大きな
直径のビームスポットを有するレーザービームを使い、
ヘッドに対するランディングゾーン接触領域を形成する
連続嶺を作るためにレーザービーム放射をオーバラップ
して行うのが好ましい。図３Ｂ及び図４は、ランディン
グゾーン接触領域１８が連続嶺２２の波形の上端２０に
沿った点又は尖端であることを示している。嶺２２の高
さは、磁気ディスク表面４から測って、最低高さ２４か
ら最高高さ２６まで変動している。高さ２６は少なくと
も約１ｎｍから最高約４０ｎｍまで変動するのが望まし
い。
な直径を有するレーザービームを使うことができれば、
ランディングゾーン領域の表面の高さの変動によって作
り出され、先行技術の小さなビームスポット直径に伴っ
て生じる焦点問題は大幅に低減できるであろうという理
解に基づいている。そうすれば、所望の特性を持ったヘ
ッドランディングゾーン領域８をより効率的に作り出す
ことができる。これは８ないし３０μｍのような大きな
直径のビームスポットを有するレーザービームを使い、
ヘッドに対するランディングゾーン接触領域を形成する
連続嶺を作るためにレーザービーム放射をオーバラップ
して行うのが好ましい。図３Ｂ及び図４は、ランディン
グゾーン接触領域１８が連続嶺２２の波形の上端２０に
沿った点又は尖端であることを示している。嶺２２の高
さは、磁気ディスク表面４から測って、最低高さ２４か
ら最高高さ２６まで変動している。高さ２６は少なくと
も約１ｎｍから最高約４０ｎｍまで変動するのが望まし
い。
【００１３】最低高さ２４と最高高さ２６の間の差異
は、通常、連続するレーザー放射の間のオーバラップの
量によって変化する。例えば、図３Ａ−３Ｅの各々にお
いてレーザービームの直径は１２μｍである。図３Ａで
はレーザー放射の間隔は２μｍであり、図３Ｂではそれ
が４μｍに増やされている。図３Ｃ、３Ｄ、３Ｅは各々
間隔６、８、１２μｍを使って形成されている。即ち、
図３Ｅの実施例では、連続する隣接レーザー放射は概ね
互いに接触状態にあって、オーバラップ約０％となって
おり、一方図３Ａの実施例では両者が約８３％オーバラ
ップしている。図３Ａ−３Ｄの実施例は、単一列のレー
ザー放射に対して基本的に２本の平行な連続嶺２２を提
供しているという点においては全て同じであるが、図３
Ｅの連続嶺２２ａはチェーン状であり、一対の概略平行
な嶺というよりは、ほぼ８の字型の連続嶺である。
は、通常、連続するレーザー放射の間のオーバラップの
量によって変化する。例えば、図３Ａ−３Ｅの各々にお
いてレーザービームの直径は１２μｍである。図３Ａで
はレーザー放射の間隔は２μｍであり、図３Ｂではそれ
が４μｍに増やされている。図３Ｃ、３Ｄ、３Ｅは各々
間隔６、８、１２μｍを使って形成されている。即ち、
図３Ｅの実施例では、連続する隣接レーザー放射は概ね
互いに接触状態にあって、オーバラップ約０％となって
おり、一方図３Ａの実施例では両者が約８３％オーバラ
ップしている。図３Ａ−３Ｄの実施例は、単一列のレー
ザー放射に対して基本的に２本の平行な連続嶺２２を提
供しているという点においては全て同じであるが、図３
Ｅの連続嶺２２ａはチェーン状であり、一対の概略平行
な嶺というよりは、ほぼ８の字型の連続嶺である。
【００１４】図５は次記特性を持ったレーザービームに
よる基本的にＶ型のクレーター２８を示す。特性とは即
ち、Ｎｄ：ＹＶＯ4 ダイオードポンプの、波長１．０６
μｍの、Ｑスイッチレーザーである。繰り返し率、パル
ス幅（ＦＷＨＭ）、パワーセットは各々、７０ｋＨｚ、
７０μｍ、２μＪ／パルスである。
よる基本的にＶ型のクレーター２８を示す。特性とは即
ち、Ｎｄ：ＹＶＯ4 ダイオードポンプの、波長１．０６
μｍの、Ｑスイッチレーザーである。繰り返し率、パル
ス幅（ＦＷＨＭ）、パワーセットは各々、７０ｋＨｚ、
７０μｍ、２μＪ／パルスである。
【００１５】通常は好まれないが、図５Ａ及び５Ｂに示
すＷ型クレーター２８ａ、Ｍ型クレーター２８ｂのよう
な他の形式のクレーターも本発明で使用することができ
る。
すＷ型クレーター２８ａ、Ｍ型クレーター２８ｂのよう
な他の形式のクレーターも本発明で使用することができ
る。
【００１６】好適実施例では、連続嶺２２を形成するレ
ーザー放射は領域８内の螺旋経路に沿って方向づけられ
る。円形模様、或いはオフセット螺旋又は円模様のセッ
トのようなクロスする模様のような、他の模様も使用で
きる。
ーザー放射は領域８内の螺旋経路に沿って方向づけられ
る。円形模様、或いはオフセット螺旋又は円模様のセッ
トのようなクロスする模様のような、他の模様も使用で
きる。
【００１７】連続嶺２２の形成後、表面に良好な摩擦、
摩耗特性を与えるために、磁気オーバーコート層、好ま
しくはカーボンスパッター層を表面にコートするのが望
ましい。普通使用されている直径５ないし８μｍのレー
ザービームに対し、直径８ないし３０μｍのレーザービ
ームのような大径のレーザービームを使えば、（１）大
径レーザービームを作るのは易しい、（２）小径レーザ
ービームでは短い被写界深度があるため、レーザービー
ム焦点調整の必要性が軽減又は取り除かれる、という理
由で製作の複雑さが低減できる。
摩耗特性を与えるために、磁気オーバーコート層、好ま
しくはカーボンスパッター層を表面にコートするのが望
ましい。普通使用されている直径５ないし８μｍのレー
ザービームに対し、直径８ないし３０μｍのレーザービ
ームのような大径のレーザービームを使えば、（１）大
径レーザービームを作るのは易しい、（２）小径レーザ
ービームでは短い被写界深度があるため、レーザービー
ム焦点調整の必要性が軽減又は取り除かれる、という理
由で製作の複雑さが低減できる。
【００１８】図３Ｂの例では、連続嶺２２は以下のやり
方で形成された。図６のレーザー３０は、波長１．０６
４μｍ、〜６５ｎｓパルス幅（ＦＷＨＭ）、繰り返し率
７０ｋＨｚ、２μＪ／パルスで作動するＮｄ：ＹＶＯ4
ダイオードポンプ式、Ｑスイッチ個体レーザーである。
レーザービーム３２はビーム拡大光学系３４、最終集束
レンズ３８を通してディスク表面４に焦点を合わせられ
る。焦点スポットサイズは、レーザー波長、焦点距離、
最終集束レンズ３８への入射ビーム径によって決まる。
焦点許容差（焦点深度）は焦点合わせされたスポットの
サイズとレーザー波長によって決まる。ディスク２は並
進線形台４２で支持されているディスク軸４０上に搭載
されている。レーザーによりディスク表面４上に生じる
隆起の間隔と方位は、ディスク軸４０の回転速度と線形
台４２の並進速度によって制御される。
方で形成された。図６のレーザー３０は、波長１．０６
４μｍ、〜６５ｎｓパルス幅（ＦＷＨＭ）、繰り返し率
７０ｋＨｚ、２μＪ／パルスで作動するＮｄ：ＹＶＯ4
ダイオードポンプ式、Ｑスイッチ個体レーザーである。
レーザービーム３２はビーム拡大光学系３４、最終集束
レンズ３８を通してディスク表面４に焦点を合わせられ
る。焦点スポットサイズは、レーザー波長、焦点距離、
最終集束レンズ３８への入射ビーム径によって決まる。
焦点許容差（焦点深度）は焦点合わせされたスポットの
サイズとレーザー波長によって決まる。ディスク２は並
進線形台４２で支持されているディスク軸４０上に搭載
されている。レーザーによりディスク表面４上に生じる
隆起の間隔と方位は、ディスク軸４０の回転速度と線形
台４２の並進速度によって制御される。
【００１９】図３Ｂの連続嶺模様を作り出すため、最終
集束レンズの焦点距離は６０ｍｍに選択され、入射ビー
ムサイズは〜４ｍｍ、個々のレーザーにより生じる隆起
のサイズは約１２μｍ（隆起の縁径）である。軸の回転
速度（本例では〜６１０ｒｐｍ）は、隣接するレーザー
放射の中心間の間隔が、オーバラップを作り出すため４
μｍとなるよう制御される。隆起の螺旋間の半径方向間
隔は線形台の速度（本例では〜０．５ｍｍ／秒）によっ
て制御される。
集束レンズの焦点距離は６０ｍｍに選択され、入射ビー
ムサイズは〜４ｍｍ、個々のレーザーにより生じる隆起
のサイズは約１２μｍ（隆起の縁径）である。軸の回転
速度（本例では〜６１０ｒｐｍ）は、隣接するレーザー
放射の中心間の間隔が、オーバラップを作り出すため４
μｍとなるよう制御される。隆起の螺旋間の半径方向間
隔は線形台の速度（本例では〜０．５ｍｍ／秒）によっ
て制御される。
【００２０】図３Ａ及び図３Ｃ−３Ｅの実施例は、レー
ザービーム放射の中心線間隔を変えたことを除いて、図
３Ｂの実施例で用いられたのと基本的に同じ順序で作り
出された。
ザービーム放射の中心線間隔を変えたことを除いて、図
３Ｂの実施例で用いられたのと基本的に同じ順序で作り
出された。
【００２１】開示された実施例には、請求の範囲で定義
するように、本発明の課題から逸脱することなく修正と
変更を加えることができる。例えば、本発明は単一レー
ザービーム３２に関して説明してきた。本発明は、複数
のレーザービーム、普通は１つのレーザービームを幾つ
かのレーザービームに分割したもの、を使うこともでき
る。複数のレーザービームを表面４に同時に当てるよう
に設計することもできれば、ずらして当てるように設計
することもできる。
するように、本発明の課題から逸脱することなく修正と
変更を加えることができる。例えば、本発明は単一レー
ザービーム３２に関して説明してきた。本発明は、複数
のレーザービーム、普通は１つのレーザービームを幾つ
かのレーザービームに分割したもの、を使うこともでき
る。複数のレーザービームを表面４に同時に当てるよう
に設計することもできれば、ずらして当てるように設計
することもできる。
【図１】硬質磁気ディスクの平面図であり、環状ヘッド
ランディングゾーン領域を破線で示す。
ランディングゾーン領域を破線で示す。
【図２】先行技術のヘッドランディングゾーン領域を単
純化した形で示しており、この領域は個別の隆起又は他
の表面突起で形成された粗表面を有している。
純化した形で示しており、この領域は個別の隆起又は他
の表面突起で形成された粗表面を有している。
【図２Ａ】先行技術による、図２のヘッドランディング
ゾーン領域にパルスレーザーにより形成された表面隆起
を示しており、ソンブレロ型隆起が形成されている。
ゾーン領域にパルスレーザーにより形成された表面隆起
を示しており、ソンブレロ型隆起が形成されている。
【図３Ａ】ヘッドランディングゾーン領域から上方に伸
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
２μｍで放射して形成されたものである。
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
２μｍで放射して形成されたものである。
【図３Ｂ】ヘッドランディングゾーン領域から上方に伸
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
４μｍで放射して形成されたものである。
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
４μｍで放射して形成されたものである。
【図３Ｃ】ヘッドランディングゾーン領域から上方に伸
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
６μｍで放射して形成されたものである。
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
６μｍで放射して形成されたものである。
【図３Ｄ】ヘッドランディングゾーン領域から上方に伸
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
８μｍで放射して形成されたものである。
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
８μｍで放射して形成されたものである。
【図３Ｅ】ヘッドランディングゾーン領域から上方に伸
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
１２μｍで放射して形成されたものである。
びる連続嶺の形状を示しており、この連続嶺は、呼び径
１２μｍのパルスレーザービームをレーザーパルス間隔
１２μｍで放射して形成されたものである。
【図４】図３のヘッドランディングゾーン領域の基面上
の連続嶺の高さの変化を示す単純化した側面図である。
の連続嶺の高さの変化を示す単純化した側面図である。
【図５】図３Ａ−３Ｅに示す実施例で使用される形式
の、基本的にＶ形のクレーターを示す。
の、基本的にＶ形のクレーターを示す。
【図５Ａ】本発明で使用できる代替クレーター形状であ
るＷ型のクレーター形状を示す。
るＷ型のクレーター形状を示す。
【図５Ｂ】本発明で使用できる代替クレーター形状であ
るＭ型のクレーター形状を示す。
るＭ型のクレーター形状を示す。
【図６】図３Ｂの連続嶺を有する図１の磁気ディスクを
作るために使用される装置の概略図を示す。
作るために使用される装置の概略図を示す。
２ 磁気ディスク ４ ディスク表面 ６ データ領域 ８ ヘッドランディングゾーン領域 １０ 隆起 １２ 中心部 １４ 環状部 １６ 環状拡張部 １８ ランディングゾーン接触領域 ２０ 波形上端 ２２ 連続嶺 ２４ 最低高 ２６ 最大高 ２８ Ｖ型クレーター ３０ レーザー ３２ レーザービーム ３４ ビーム拡大光学系 ３８ 集束レンズ ４０ ディスク軸 ４２ 並進線形台
フロントページの続き (72)発明者 ウェンユン リ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フリーモント ドウ コート 129 (56)参考文献 特開 平３−272018（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−147684（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−176358（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−124435（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−231559（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−269563（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/82 G11B 5/84
Claims (11)
- 【請求項１】 ディスク表面を含む本体から成る磁気デ
ィスクであって、 前記ディスク表面はデータ面領域とヘッドランディング
ゾーン面領域から成り、 前記ヘッドランディングゾーン面領域は逐次的なパルス
状のレーザービームによって形成されたものであって、
該レーザービームの断面領域がパルス間でオーバーラッ
プするように制御されており、これによって、前記ヘッ
ドランディングゾーン面が、 前記基本面から外向きに波状に変化する上端部まで伸び
る、基本面と連続した嶺から成り、 前記嶺の上端は、規則的に変化する頂上とこれに沿って
延びる谷間とを有しており、隣り合う頂上の間隔が、前
記上端と前記基本面との間の測定された平均高さより小
さくなっていることを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項２】 前記ヘッドランディングゾーン面領域が
複数の前記嶺から成り、前記嶺が連続した螺旋経路をた
どることを特徴とする、改善された、上記請求項１に記
載のディスク。 - 【請求項３】 前記ヘッドランディングゾーン領域が全
体にわたって延びる外側のスパッタリングされたカーボ
ン層であることを特徴とする、改善された、上記請求項
１に記載のディスク。 - 【請求項４】 磁気ディスクのランディングゾーン面領
域にランディングゾーン構造を制作する方法において、 一連の逐次的なパルス状のレーザービームをランディン
グゾーン面領域に方向付ける段階と、 レーザービーム放射をレーザービームの断面領域がパル
ス間でオーバーラップし、これによってランディングゾ
ーン面領域の基面から外向きに伸びる連続した嶺を形成
するように制御し、前記嶺が波状に変化する上端を形成
する段階とから成ることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 前記レーザービームは概ね円形の断面形
状を有することを特徴とする、上記請求項４に記載の方
法。 - 【請求項６】 前記レーザービーム放射が前記レーザー
ビームの断面領域が該断面領域の８３％よりも少ない量
だけパルス間でオーバーラップするように制御されるこ
とを特徴とする、請求項４に記載の方法。 - 【請求項７】 前記方向付ける段階が、連続する嶺がそ
の高さが変化するように調整されている嶺となるように
実行されることを特徴とする、上記請求項５に記載の方
法。 - 【請求項８】 表面コーティングを前記連続する嶺を覆
って施す段階を更に含むことを特徴とする、上記請求項
４に記載の方法。 - 【請求項９】 前記表面コーティングを施す段階が磁気
及び保護オーバーコート層をランディングゾーン面領域
にスパッタリングすることにより行われることを特徴と
する、上記請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 レーザービームが８μｍないし３０μ
ｍの範囲の直径を有するように配置されることを特徴と
する請求項１に記載の磁気ディスク。 - 【請求項１１】 一連の逐次的なパルスレーザービーム
をランディングゾーン面領域の上に指向させることが、
８μｍないし３０μｍの範囲の断面直径を有するレーザ
ービームを使用こすることを備えていること特徴とする
請求項５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/063880 | 1998-04-21 | ||
| US09/063,880 US6146736A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Magnetic disk landing zone and method for making |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003513A JP2000003513A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3172149B2 true JP3172149B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=22052117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11184899A Expired - Fee Related JP3172149B2 (ja) | 1998-04-21 | 1999-04-20 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6146736A (ja) |
| JP (1) | JP3172149B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6299947B1 (en) | 1999-01-20 | 2001-10-09 | Komag, Inc. | Method of forming a magnetic hard disk with elliptical shaped laser bumps |
| US6395349B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-05-28 | Komag, Inc. | Method of marking disks |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| US5108781A (en) * | 1990-03-12 | 1992-04-28 | Magnetic Peripherals Inc. | Process for manufacturing selectively textured magnetic recording media |
| WO1993021629A1 (en) * | 1992-04-15 | 1993-10-28 | Tulip Memory Systems, Inc. | Precision-etched textured stop/start zone for magnetic-recording disks |
| US5768076A (en) * | 1993-11-10 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk having a laser-textured surface |
-
1998
- 1998-04-21 US US09/063,880 patent/US6146736A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-20 JP JP11184899A patent/JP3172149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000003513A (ja) | 2000-01-07 |
| US6146736A (en) | 2000-11-14 |
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