JP2741705B2 - 炭化ケイ素と窒化ガリウムとの間の緩衝構造体及びそれを利用した半導体デバイス - Google Patents

炭化ケイ素と窒化ガリウムとの間の緩衝構造体及びそれを利用した半導体デバイス

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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、窒化ガリウムを用いて形成される半導体デ
バイスに関し、より詳細には、炭化ケイ素の基板を用い
て窒化ガリウムデバイスを形成する方法に関する。
発明の背景 本発明は、窒化ガリウム（GaN）の構造体、及び、そ
れを利用したデバイスを提供する。窒化ガリウムは、興
味のある半導体化合物であり、その理由は、その直接的
な禁止帯の幅が、青色光を効率良く発光する可能性を与
えるからである。
可視スペクトルの青色部分、及び、隣接する紫外線
（UV）波長（約500−350nm;2.5−3.6eV）は、全電磁ス
ペクトルの重要な領域であると考えられる。青色波長、
紫色波長又は紫外線波長を発光する半導体デバイス（あ
るいは、対応する検知器装置）を製造することに興味あ
るいは関心はあるが、そのような装置あるいはデバイス
を開発する努力は、可能であっても困難であり、大部分
の場合には、成功していない。今日、赤外線波長から緑
色波長まで（約1,000−500nm;1.2−2.5eV）の光線又は
電磁放射線を発生することのできる、多くの発光ダイオ
ード（“LED"、「光学的半導体デバイス」とも呼ばれて
いる）が入手可能である。しかしながら、色、及び、カ
ラーイメージの生成に関する当業者は認識しているよう
に、適正な用途において完全なフルカラー画像及びグラ
フィックス（図形）を形成するためには、可視スペクト
ルの第３の原色として、青色光も必要とされる。例え
ば、Okazaki et al.の米国特許第5,247,533号は、（A
lxGa1-x）yIn1-yNの層を用いて、青色光及び紫色光の範
囲の光線を発生させている。
窒化ガリウム（GaN）は、比較的直接的な禁止帯の幅
を有しているので、青色光発光ダイオードの興味のある
候補物質である。半導体材料及び半導体デバイス、並び
に、半導体材料と光線との相互作用に詳しい人々には周
知のように、人間の目に見える光線の色は、ある波長
（又は、その対応する周波数）を示す。一方、そのよう
な波長及び周波数は、与えられたエネルギ値に対応す
る。従って、可視スペクトルの特定の色は、必要量のエ
ネルギ遷移が起こることのできる材料によってのみ生じ
させることができる。極めて簡単に言えば、ある半導体
材料から成る発光ダイオードによって生じさせることの
できる色は、その材料の禁止帯の幅の正の関数である。
禁止帯の幅が広くなれば、エネルギ遷移が大きくなっ
て、より高いエネルギの光子が生じ、これにより、周波
数がより高い（波長が短い）色が生じる（周波数は、エ
ネルギ遷移に正比例し、波長は周波数に反比例する）。
窒化ガリウムは、可視スペクトルの任意の色（特に青
色光）を発光するに十分な禁止帯の幅（3.4eV）を有し
ているが、幾つかの基本的な困難性を有している。窒化
ガリウムをを半導体発光ダイオードとして用いる際の１
つの困難な問題は、適宜な基板材料を特定するのが困難
なことである。そのようなデバイスの当業者には周知の
ように、LEDは、電流（電子の流れ）が半導体材料のｐ
形層とｎ形層との間の接合部を通過する時に、発光す
る。電子及び電子空位（正孔）が再結合すると、上述の
ように、その材料の禁止帯の幅に何等かの態様で対応す
る波長を有する光子が放出される。しかしながら、一般
的に言えば、そのような層は、単結晶（「エピタキシャ
ル」）の層と特徴づけられるべきものである。上述の層
は、適正な基板の上で成長させる必要がある。従って、
結晶成長に関する当業者には周知のように、そのような
基板は、エピタキシャル成長のメカニズム、並びに、そ
の際に生ずる品質に、大きな影響を与えることになる。
一般的には、所望のタイプのエピタキシャル成長を生じ
させるためには、基板及びエピタキシャル層の結晶格子
パラメータは、同一であるか、あるいは、合理的に互い
に接近していなければならない。結晶層を一致していな
い基板の上に成長させることはできるが、そのような結
晶層は、アモルファスの状態あるいは欠陥に満ちた状態
で成長することになり、いずれの状態の結晶層も必然的
に、その電子的あるいは電気光学的な性質を阻害する。
窒化ガリウムのエピタキシャル層の結晶構造は、基板材
料及びその配向によって、非常に強く影響を受けること
が良く分かっている。
窒化ガリウムに対する適正な基板を特定することは、
研究者にとっては困難な仕事であり、その理由は、窒化
ガリウムのバルク基板は、従来満足に製造されていなか
ったからである。サファイア（Al2O3）は、基板の基本
的な選択肢である。今日まで、サファイアは、理想的な
ものではないが、幾分有用なものとされ、窒化ガリウム
に対して、熱的な及び結晶的な一致を示す。
サファイアは、その導電性の欠如において、１つの大
きな欠点を有している。すなわち、サファイアは、ドー
プして導電性の基板を製造することが非常に困難であ
る。デバイスの製造においては、基板が導電性を欠く場
合には、デバイスに対する総ての電気的な接続を基板以
外に対して行わなければならない。その結果、サファイ
ア基板に形成された窒化ガリウムデバイスは、一般に、
少なくとも２本の導線をそのデバイスの同じ表面に設け
ることを必要とする。
別のLED構造が好まれることが多いが、そのような構
造は、「垂直型」構造と呼ばれ、導電性の基板上にLED
を形成することを必要とするようなものである。垂直型
のLEDにおいては、電気的な接続は、デバイスの頂部及
び底部に対して行うことができて、両方の接続を頂部で
行うか、あるいは、一方又は両方の接続を側部で行う必
要がない。両方の接続を頂部で行うか、あるいは、一方
又は両方の接続を側部で行う方法は、代表的なLEDの頂
部及び底部での接続の向きに比較して、通常は、実行す
ることが困難である。
窒化ガリウム、従って、垂直型のGaNのLEDに対する導
電性基板として提案されている１つの候補材料は、炭化
ケイ素（SiC）である。SiCは、窒化ガリウムと熱的に適
正に一致する。すなわち、炭化ケイ素及び窒化ガリウム
の線膨張率は極めて類似している。炭化ケイ素は、導電
ドープを行うことができ、本質的に、青色光の発光体で
ある（例えば、本発明の譲受人に共に譲渡されている、
Edmond et al.の米国特許第4,918,497号及び同第5,02
7,168号をお参照のこと）。
炭化ケイ素は、窒化ガリウムと同一の格子一致を有し
ていないが、良好な材料である。しかしながら、高品質
のGaNのエピタキシャル層をSiCの上に直接形成すること
は困難である。しかしながら、SiCの格子の一致は、サ
ファイアの格子一致に比較すると、GaNに近い（サファ
イアは、15％の格子不一致を有し、GaN及びSiCは、3.5
％の格子不一致を有する）。従って、炭化ケイ素上にGa
Nが形成された垂直型デバイスは、商業的な規模では製
造されていない。
窒化ガリウムの多数の特性、窒化ガリウムの製造に伴
う困難性、及び、そのような問題に対する解決策は、St
rite and Morkocによって述べられている（GaN,AlN,a
nd InN:A Review,J.Vac.Sci.Technol.B.,10（４）,Ju
ly/August 1992,pp.1237−1266）。
発明の目的及び概要 従って、本発明の目的は、単結晶炭化ケイ素の層と単
結晶窒化ガリウムとの間に、格子及び熱膨張率の良好な
一致を有する構造を提供し、上述の垂直型のデバイスを
製造することである。
本発明は、単結晶炭化ケイ素と単結晶窒化ガリウムと
の間に、格子及び熱に関する良好な一致を与える遷移結
晶構造によって、上述の目的を達成する。上記遷移構造
は、窒化ガリウム及び窒化アルミニウム（AlN）から成
る、第１の層と、該第１の層に隣接し、窒化ガリウム及
び窒化アルミニウムから成る、第２の層とから形成され
る、緩衝体を備えており、上記第２の層の窒化アルミニ
ウムのモル百分率は、上記第１の層の窒化アルミニウム
のモル百分率とは、実質的に異なっている。
別の実施例においては、本発明は、上記緩衝層を備え
るデバイス前駆体構造を含んでおり、また、更に別の実
施例においては、本発明は、上記新規な緩衝層を備え
る、種々の垂直型デバイスを含む。
本発明の上述の及び他の目的、並びに、利点は、以下
の詳細な記載及び図面から明瞭に理解されよう。
図面の説明 図面においては、 図１は、本発明の遷移構造の概略的な断面図であり、 図２は、本発明の発光ダイオードの概略的な断面図で
あり、 図３は、更に別の発光ダイオードの概略的な断面図で
あり、 図４は、本発明の構造を含む発光ダイオードの第３の
実施例であり、 図５は、本発明の遷移結晶構造の二次イオン質量分析
（SIMS）のデプスプロファイルであって、その組成を示
しており、 図６は、本発明の窒化ガリウムエピタキシャル層に対
して水銀（Hg）接点を用いて、微分キャパシタンス−電
圧測定によって測定した、ドープ濃度対深さのプロット
であり、 図７乃至図９は、本発明を含まない結晶表面の顕微鏡
写真であり、 図10乃至図12は、本発明の構造を含む窒化ガリウムの
結晶表面の顕微鏡写真である。
詳細な説明 本発明は、単結晶炭化ケイ素と単結晶窒化ガリウムの
層との間に、格子及び熱（熱膨張率）に関する良好な一
致を与える、遷移結晶構造である。そのような遷移構造
が、図１に断面で概略的に示されており、その全体に符
号20が付されている。この遷移構造の優れた特徴は、符
号21で示す緩衝体である。この緩衝体は、窒化ガリウム
及び窒化アルミニウムから成る、第１の層22と、該第１
の層22に隣接し、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムか
ら成る、第２の層23とから形成されている。第２の層23
の窒化アルミニウムのモル百分率は、第１の層22の窒化
アルミニウムのモル百分率とは実質的に異なっている。
図１に更に示されるように、遷移構造は、窒化ガリウ
ム及び窒化アルミニウムから成る第２の層23の上の、単
結晶窒化ガリウムの層24と、炭化ケイ素の単結晶基板25
と、該炭化ケイ素基板の上の窒化アルミニウムの層26と
を含んでいる。
好ましい実施例においては、第１の層22の窒化ガリウ
ムの百分率は、上記第１の層の窒化アルミニウムのモル
百分率よりも大きい。しかしながら、第２の層23におい
ては、窒化アルミニウムのモル百分率は、窒化ガリウム
のモル百分率よりも大きい。そのような関係は、従来発
見されていない幾分予期せぬ構造であって、優れた結果
をもたらす。この構造の成功は、驚くべき程のものであ
り、その理由は、通常の分析では、より大きなモル百分
率の窒化ガリウムを有する層は、純粋な窒化ガリウム層
に比較して、より良好な一致をもたらすと予測されるか
らである。そうではなく、本発明においては、より小さ
いモル百分率の窒化ガリウムを有する層23が、窒化ガリ
ウム24のエピタキシャル層に直ぐ隣接している。
図１に示す構造の好ましい実施例においては、窒化ガ
リウム及び窒化アルミニウムから成る第１の層22の窒化
アルミニウムのモル百分率は、約20乃至50％であり、窒
化アルミニウムのモル百分率は、約30％であるのが最も
好ましい。第２の層23においては、窒化アルミニウムの
モル百分率は、約60乃至95％であり、そのような窒化ア
ルミニウムのモル百分率は、約90％であるのが最も好ま
しい。
当業者には周知のように、また、上述の文献の一部に
特に記載され、また、本明細書にも記載するように、基
板及び緩衝層の品質の１つの目安は、この場合には層24
である、結果として得られる所望の窒化ガリウム層の結
晶品質である。本発明の緩衝体すなわち緩衝層21を用い
ることにより、窒化ガリウム層には、約１×1016cm-3程
度のドナー濃度が形成された（図６参照）。
図１は更に、別の実施例においては、本発明が、垂直
型デバイスの前駆体構造を含むことができることを示し
ており、該前駆体構造は、炭化ケイ素基板25と、該基板
25上の緩衝層21と、該緩衝層の上の窒化ガリウムの単結
晶層24とを含む。上述のように、緩衝層21は、炭化ケイ
素の上の窒化アルミニウム層26と、窒化ガリウム及び窒
化アルミニウムから成り、窒化ガリウムのモル百率が窒
化アルミニウムのモル百分率よりも大きい、第１の層22
と、該第１の層22に隣接し、窒化ガリウム及び窒化アル
ミニウムから成り、窒化アルミニウムのモル百分率が窒
化ガリウムのモル百分率よりも大きい、第２の層23と３
つの層から形成されるのが最も好ましい。
上記緩衝構造、並びに、該緩衝構造から形成すること
のできる垂直型デバイスの前駆体の利点が、図２、図３
及び図４に示されており、これらの図は、垂直型の発光
ダイオードの種々の実施例を示している。図２は、その
全体の符号30が付された、発光ダイオードを示してい
る。このダイオード30は、単結晶炭化ケイ素基板31と、
符号32で纏めて示される緩衝体と、該緩衝体32の上に設
けられると共に第１の導電タイプ有する、窒化ガリウム
の第１の単結晶層33と、該ｋ第１の層33の上の、窒化ガ
リウムの第２の単結晶層34とを含んでおり、上記第２の
層は、上記第１の層とは反対の導電タイプを有してお
り、これにより、第１及び第２の層33、34はその間、
に、ｐ−ｎ接合を形成する。
基板31、並びに、窒化ガリウムの第２の層34に対す
る、オーミック・コンタクト35、36が形成されている。
上述の実施例と同様に、緩衝体32は、炭化ケイ素基板
31の上の、窒化アルミニウム37のエピタキシャル層37
と、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成り、窒化
ガリウムのモル百分率が窒化アルミニウムのモル百分率
よりも大きい、第１の層40と、該第１の層に隣接すると
共に、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成り、窒
化アルミニウムのモル百分率が窒化ガリウムのモル百分
率よりも大きい、第２の層41とを含んでいる。
図２の実施例においては、緩衝体32は、ドープされて
おらず、絶縁体として作用し、従って、図示のLED30は
更に、基板31と窒化ガリウム33の第１の単結晶層33との
間に電気経路を形成するための、短絡接点42、43を備え
ている。
図３は、その全体が符号45で示されている、本発明の
LEDの第２の実施例を示している。このダイオード45
は、炭化ケイ素基板46と、符号47でその全体を纏めて示
す緩衝体と、窒化ガリウムの第１の層48と、該第１の層
48とは反対の導電タイプを有する、窒化ガリウム49の第
２の層49と、対応する窒化ガリウム層48、49の間の窒化
ガリウム合金の層50とを備えている。この合金層50は、
窒化ガリウムの第１の層48と同じ導電タイプを有してお
り、従って、第２の窒化ガリウム層49と窒化ガリウム合
金層50との間に、ｐ−ｎ接合が形成されている。そのよ
うな構造は、当業界においては、二重ヘテロ構造と呼ば
れており、該構造は、電流を合金層の領域に閉じ込め
て、デバイス全体のこれにより高める助けをする。基板
４も、第１の窒化ガリウム層48と同じ導電タイプを有し
ている。
好ましい実施例においては、上記合金層は、窒化ガリ
ウムインジウム（InGaN）を含んでおり、約410乃至470
ナノメートル（nm）の波長においてピーク発光を示すデ
バイスをもたらす。窒化ガリウムも、緑色光（例えば、
470−560nm）を含む他の色を高高率で生ずることができ
る。
図３はまた、一組の短絡接点51、52と、第２の窒化ガ
リウム層及び炭化ケイ素基板46に対するそれぞれのオー
ミック・コンタクト53、54とを示している。
図４は、本発明のLEDの第３の実施例を示しており、
この実施例においては、緩衝体がドープされているの
で、上述の短絡接点を使用しなくても良い。より詳細に
言えば、図４は、ダイオード60を示しており、このダイ
オートは、炭化ケイ素基板61と、符号62で纏めて示す緩
衝構造と、第１の窒化ガリウム層63と、窒化ガリウム合
金層64と、窒化ガリウムの第２の層65とを備えている。
窒化ガリウム層65に対するオーミック・コンタクトが、
符号66で示されており、また、炭化ケイ素基板61に対す
るオーミック・コンタクトが、符号67で示されている。
図３の実施例と同様に、合金層64は、第２の窒化ガリウ
ム層65とは反対の導電性を有しており、第２の窒化ガリ
ウム層と共に、ｐ−ｎ接合を形成している。しかしなが
ら、合金層64は、GaN層63及びSiC基板61と同じ導電性を
有している。
図４のデバイスは、導電性の緩衝構造を有しているの
で、図２及び図３に示す短絡接点は必要としない。
本発明の幾つかの特定の実施例においては、最大６ミ
クロンの厚みを有する単結晶窒化ガリウム層が、6H炭化
ケイ素基板の上に成長された。Ｘ線ロッキング・カーブ
（ｘ−ray rocking curve）の半値幅（θ−２θスキ
ャン）は、54アークセカンド（arc seconds）であっ
た。SiC上で成長されたフォトポンプされた（photopump
ed）窒化ガリウム層からの励起放出物が、最初に観察さ
れた。そのような励起放出物の波長は、300Kにおいて、
376nmであった。
意識的にではなくドープされた層は、一般に、約1016
cm-3（Nd−Na）の濃度までドープされた。ドープされた
ｎ形層に関しては、正味のドナー濃度は、１×17から４
×1018cm-3まで制御され、また、ｐ形層に関しては、濃
度Na−Ndは、１×1017から２×1018cm-3まで制御され
た。青色光発光ダイオードは、そのような層から形成さ
れた。375nmの波長におけるエッジエミッションが、約4
10乃至470nmのピークを有する電場発光スペクトルにお
いて観察された。
上述のように、本発明は、結晶欠陥の数が少ないので
極めて高い品質を有する窒化ガリウムデバイスを提供
し、また、導電性の炭化ケイ素基板の上に優れた窒化ガ
リウムを組み合わせることができる。
炭化ケイ素基板は、Carter et al.の米国特許第4,8
66,005号に例示される態様で、成長させることができ、
また、窒化ガリウム、窒化ガリウム合金、及び、緩衝層
は総て、通常の化学蒸着（CVD）技術を用いて成長され
た。CVDエピタキシャル成長におけるガスの流量、圧
力、及び、温度に関する種々のパラメータは、系毎に変
えることができるが、本明細書に記載する層は、他の装
置を用いて、当業者が過度の実験を行うことなく、上述
の方法で成長させることができる。
図５は、SIMS（二次イオン質量分析）のプロファイル
であって、本発明の構造的な特徴を更に示している。図
５に示すように（右から左に向かって）、スキャンすな
わち走査は、ケイ素及び炭素（すなわち、SiC）の存在
を示し、次に、アルミニウム及び窒素（AlN）の存在を
示し、その次に、ガリウム及びアルミニウム並びに窒素
（GaN及びAlN）の存在を示し、最後に、最上層のガリウ
ム及び窒素（GaN）の存在を示している。
図６は、ドーピング対幅のプロットであって、本発明
を用いて炭化ケイ素の上に成長させた窒化ガリウムのエ
ピタキシャル層の極めて低い独自のドナー濃度（1E16す
なわち1016））を示している。
図７、図８及び図９は、約200乃至400倍の倍率で撮影
した顕微鏡写真であって、窒化ガリウムを炭化ケイ素の
上に直接成長させようとした場合の望ましくない結果を
示している。
図10は、窒化ガリウムの表面を示しており、次善の緩
衝体を用いた場合の若干改善された結果を示している。
図11及び図12も400倍の倍率で撮影された顕微鏡写真
であって、本発明を利点を示しており、特に、図７乃至
図10と比較した場合に、GaNの結晶表面が比較的滑らか
であり、組織に欠陥のないことを示している。
図面及び明細書に本発明の代表的な好ましい実施例を
特定の用語を用いて説明したが、そのような用語は、説
明上の便宜のために一般的な意味を用いたものであっ
て、限定的な意味で用いたものではなく、本発明の範囲
は、以下の請求の範囲に記載されている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アーヴィン，ケネス アメリカ合衆国ノースカロライナ州 27511，キャリー，ステファニー・ドラ イブ 104エイチ (56)参考文献 特開 平２−275682（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−242985（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−297023（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63236（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−206513（ＪＰ，Ａ)

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】単結晶炭化ケイ素と単結晶窒化ガリウムの
    層との間に、格子及び熱に関する良好な一致をもたらす
    ための遷移結晶構造であって、 緩衝体（21）を備え、該緩衝体が、 窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成り、窒化ガリ
    ウムのモル百分率が、窒化アルミニウムのモル百分率よ
    りも大きい、第１の層（22）と、 該第１の層に隣接し、窒化ガリウム及び窒化アルミニウ
    ムから成り、窒化アルミニウムのモル百分率が、窒化ガ
    リウムのモル百分率よりも大きい、第２の層（23）と、 窒化ガリウム及び窒化アルミニウムから成る前記第２の
    層の上に設けられる、単結晶窒化ガリウムの層（24）と
    から形成されたものであることを特徴とする、遷移結晶
    構造。
  2. 【請求項２】請求項１の遷移結晶構造において、単結晶
    炭化ケイ素の基板（25）を更に備え、 前記緩衝体（21）が更に、前記炭化ケイ素基板の上に窒
    化アルミニウムのエピタキシャル層（26）を含むことを
    特徴とする、遷移結晶構造。
  3. 【請求項３】請求項２の遷移結晶構造において、窒化ガ
    リウム及び窒化アルミニウムから成る前記第１の層が、
    約20乃至50モル百分率の窒化アルミニウムを含むことを
    特徴とする、遷移結晶構造。
  4. 【請求項４】請求項２の遷移結晶構造において、窒化ガ
    リウム及び窒化アルミニウムから成る前記第１の層が、
    約30モル百分率の窒化アルミニウムを含むことを特徴と
    する、遷移結晶構造。
  5. 【請求項５】請求項２の遷移結晶構造において、窒化ガ
    リウム及び窒化アルミニウムから成る前記第２の層が、
    約60乃至約95モル百分率の窒化アルミニウムを含むこと
    を特徴とする、遷移結晶構造。
  6. 【請求項６】請求項２の遷移結晶構造において、窒化ガ
    リウム及び窒化アルミニウムから成る前記第２の層が、
    約90モル百分率の窒化アルミニウムを含むことを特徴と
    する、遷移結晶構造。
  7. 【請求項７】請求項２の遷移結晶構造において、前記基
    板が、6H、4H及び3Cポリタイプの炭化ケイ素から成る群
    から選択されることを特徴とする、遷移結晶構造。
  8. 【請求項８】請求項１の遷移結晶構造から形成され、前
    記基板（31）が、単結晶炭化ケイ素の基板である、垂直
    型の発光ダイオード（30）であって、 前記緩衝体（32）の窒化ガリウムの前記単結晶層（33）
    が、第１の導電タイプを有しており、当該発光ダイオー
    ドは更に、 前記単結晶窒化ガリウムの層の上に、窒化ガリウムの第
    ２の単結晶層（34）であって、前記第１の導電タイプと
    は反対の導電タイプを有しており、前記単結晶窒化ガリ
    ウム層との間にｐ−ｎ接合を形成している、第２の単結
    晶層と、 前記基板及び前記第２の窒化ガリウム層に対する、オー
    ミック・コンタクト（35）、（36）とを備えることを特
    徴とする、発光ダイオード。
  9. 【請求項９】請求項８の発光ダイオードにおいて、前記
    緩衝体が更に、前記炭化ケイ素基板（37）の上に窒化ア
    ルミニウムのエピタキシャル層（37）を備えることを特
    徴とする、発光ダイオード。
  10. 【請求項１０】請求項８の発光ダイオードにおいて、前
    記緩衝体（32）が、導電ドープされていることを特徴と
    する、発光ダイオード。
  11. 【請求項１１】請求項８の発光ダイオードにおいて、前
    記緩衝体（32）が、絶縁体であり、当該発光ダイオード
    は更に、前記基板（31）と窒化ガリウムの前記第１の単
    結晶層（33）との間の短絡接点（42）、（43）を備える
    ことを特徴とする、発光ダイオード。
  12. 【請求項１２】請求項８の発光ダイオード（45）におい
    て、前記第１及び第２の窒化ガリウムの層（48）、（4
    9）の間に、窒化ガリウム合金のエピタキシャル層（5
    0）を更に備えることを特徴とする、発光ダイオード。
  13. 【請求項１３】請求項12の発光ダイオードにおいて、前
    記窒化ガリウム合金（50）が、窒化ガリウムインジウム
    を含むことを特徴とする、発光ダイオード。
  14. 【請求項１４】請求項８の発光ダイオードにおいて、約
    410乃至470nmの波長にピーク放出物を有することを特徴
    とする、発光ダイオード。
  15. 【請求項１５】請求項８の発光ダイオードにおいて、約
    470乃至560nmの波長にピーク放出物を有することを特徴
    とする、発光ダイオード。
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