JP3602856B2 - 半導体発光素子およびその製法 - Google Patents
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Description
本発明は、基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層して発光ダイオードや半導体レーザを形成する半導体発光素子に関する。さらに詳しくは、基板とチッ化ガリウム系化合物半導体との間の結晶格子のズレの影響を小さくし、発光特性を向上させ得る半導体発光素子に関する。
背景技術
従来、たとえば青色系(紫外線から黄色)の光を発光するチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子は、図7に示されるような構造になっている。すなわち、サファイア基板21上にたとえばGaNからなる低温バッファ層22と、高温でn形のGaNがエピタキシャル成長されたn形層(クラッド層)23と、バンドギャップエネルギーがクラッド層のそれよりも小さく発光波長を定める材料、たとえばInGaN系(InとGaの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ)化合物半導体からなる活性層24と、p形のAlGaN系(AlとGaの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同じ)化合物半導体層25aおよびGaN層25bからなるp形層(クラッド層)25とからなり、その表面にp側電極28が設けられ、積層された半導体層の一部がエッチングされて露出するn形層23の表面にn側電極29が設けられることにより形成されている。なお、n形層23もp形層25と同様に、キャリアの閉じ込め効果を向上させるため、活性層23側にAlGaN系化合物半導体層が用いられることもある。
前述のように、従来のチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた青色系の半導体発光素子は、サファイア基板上に発光層を形成するGaN、InGaN系、AlGaN系などのチッ化ガリウム系化合物半導体が積層されることにより形成されている。しかし、サファイア基板とチッ化ガリウム系化合物半導体との間では、その格子定数が16%程度も異なっており、結晶性の優れたチッ化ガリウム系化合物半導体層が得られない。この問題を解決するために、前述のように、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体の単結晶層と基板との間に低温で成膜したGaNやAlNなどのバッファ層を介在させることにより、チッ化ガリウム系化合物半導体層の結晶性を向上させることが行われている。
前述の低温で成膜するバッファ層を介在させることにより、発光層の結晶性が改善されて青色系の半導体発光素子の実用化の階段に至っているが、チッ化ガリウム系化合物半導体層の結晶欠陥の問題は完全には解決されておらず、リーク電流が大きくなって充分に輝度を向上させることができなかったり、製造工程の僅かな変化により輝度が充分でなく歩留りが向上しないという問題がある。
本発明の目的は、前述の問題を解決し、チッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体発光素子において、格子定数の差に基づく結晶欠陥を少なくして、リーク電流を小さくし、発光効率の優れた半導体発光素子を提供することにある。
本発明の他の目的は、チッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する際に、格子定数の差に基づく結晶欠陥を少なくすることができる半導体発光素子の製法を提供することにある。
発明の開示
本発明者は、チッ化ガリウム系化合物半導体層からなる発光層形成部を積層する際に、半導体層の結晶欠陥を少なくしてリーク電流を減らし、輝度を向上させるため、鋭意検討を重ねた結果、発光層形成部を構成するチッ化ガリウム系化合物半導体層の少なくとも1層に酸素を含有させることにより、結晶欠陥密度を減少させることができ、輝度を向上させることができることを見出した。1層の半導体層に酸素を含有させる場合、できるだけ下層側に設けられることにより、その上に設けられる半導体層の結晶欠陥が少なくなって輝度が向上し、また、基板と発光層形成部との間にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層が介在される場合、そのバッファ層に酸素が含まれてもその上に積層される半導体層の結晶欠陥が改善されることを見出した。さらに、バッファ層がAlNからなる場合に、そのAlNに酸素を含ませても結晶性の改善が見られ、複数層に酸素を含有させることにより一層の改善が得られることを見出した。
本発明による半導体発光素子は、基板と、該基板上に設けられるチッ化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層と、該バッファ層上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される発光層形成部とを有し、前記バッファ層または前記発光層形成部を構成する各半導体層の少なくとも1層がチッ化ガリウム系化合物を構成する元素として酸素を含有する化合物半導体層で形成されている。
ここにチッ化ガリウム系化合物半導体とは、III族元素のGaとV族元素のNとの化合物またはIII族元素のGaの一部がAl、Inなどの他のIII族元素と置換したものおよび/またはV族元素のNの一部がP、Asなどの他のV族元素と置換した化合物からなる半導体をいう。
前記酸素を含有する化合物半導体は、たとえばGa1-x-yAlxInyOzN1-z(0≦x<1、0≦y<1、0<z<1)により構成される。この酸素を含有する化合物半導体には、n形不純物および/またはp形不純物が含有されていてもよい。ここに、n形不純物とは、Si、Se、Teなどの少なくとも1種を意味し、p形不純物とは、Mg、Zn、Beなどの少なくとも1種を意味する。
また、前記酸素を含有する化合物半導体は、前記バッファ層に用いられたり、前記発光層形成部の少なくともバッファ層側の半導体層に用いられたり、前記発光層形成部を構成するn形層およびp形層により挟持される活性層に用いられたり、前記バッファ層および該バッファ層に接する発光層形成部の半導体層などの2層以上に用いられる。
さらに具体的には、前記基板がサファイア基板からなり、前記バッファ層がGaOzN1-z(0<z<1)により構成され、さらに具体的には、前記発光層形成部がn形半導体層およびp形半導体層により活性層が挟持されるダブルヘテロ接合構造からなり、該発光層形成部の少なくとも前記バッファ層に接する半導体層がGaOzN1-z(0<z<1)単結晶層により構成される。
前記バッファ層は、Si、Se、Te、Mg、ZnおよびBeよりなる群れから選ばれた少なくとも1種を含有することができる。
また、本発明の半導体発光素子は、バッファ層の有無またはその材料に拘らず、基板上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されることにより発光層形成部が設けられる場合に、前記発光層形成部を構成する各半導体層の少なくとも1層がチッ化ガリウム系化合物を構成する元素として酸素を含有する化合物半導体層で構成されることにより、半導体層の結晶欠陥が少なくなり、輝度を向上させることができる。
前記基板と前記発光層形成部との間にAlNからなるバッファ層が設けられたり、AlOuN1-u(0<u<1)からなるバッファ層が設けられてもよい。
さらに本発明の半導体発光素子は、基板と、該基板上に設けられるAlOuN1-u(0<u<1)からなるバッファ層と、該バッファ層上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される発光層形成部とを有する構造にすることができる。
前記バッファ層のAlの一部がInと置換されてもよく、前記バッファ層が、Si、Se、Te、Mg、ZnおよびBeよりなる群れから選ばれた少なくとも1種を含有していてもよい。
前記発光層形成部を構成する半導体層の少なくとも1層がGa1-x-yAlxInyOzN1-z(0≦x<1、0≦y<1、0<z<1)からなる場合には、さらに輝度が向上する。さらに具体的には、前記基板がサファイア基板からなり、前記発光層形成部が活性層をn形層およびp形層により挟持するダブルヘテロ接合構造により構成される。
本発明の半導体発光素子の製法は、基板上に有機金属化学気相成長法(MOVPE法:Metal Organic Vapor Phased Epitaxy)、ハイドライド気相成長法(HVPE法:Hydride Vapor Phased Epitaxy)または分子線エピタキシャル成長法(MBE法:Molecular Beam Epitaxy)により、チッ化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層を設け、さらにチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光層形成部を構成する半導体層を順次積層する半導体発光素子の製法であって、前記バッファ層および/または前記発光層形成部を構成する半導体層の少なくとも1層で、化合物を構成する元素として酸素を含有する半導体層を成長する際に、酸化源を供給し、または供給しながら該半導体層の成長をすることを特徴とする。
ここに酸化源とは、酸素、オゾン、N2O、H2Oなどの酸素を供給し得るものを意味し、石英ガラスからなるチャンバなどの成長炉内の酸化物の酸素を遊離し得るものも含む意味である。
さらに別の製法は、基板上にMOVPE法、HVPE法またはMBE法により、酸化源を供給し、または供給しながらAlOuN1-u(0<u<1)からなるバッファ層を設け、さらにチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光層形成部を構成する半導体層を順次エピタキシャル成長することを特徴とする。この場合、前記発光層形成部の少なくとも1種を形成する際に酸化源を供給し、または供給しながら成長し、Ga1-x-yAlxInyOzN1-z(0≦x<1、0≦y<1、0<z<1)からなる半導体層を成長してもよい。
前記酸化源の供給は、前記半導体層を成長する成長炉内への酸化源の導入により行ってもよく、また、前記半導体層を成長する成長炉内の酸化物の酸素を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の半導体発光素子の一実施形態の断面説明図である。
図2は、図1の構成でn形層のGaOzN1-zのzの量を変化させたときのn形層の結晶欠陥密度および発光素子としたときの輝度の変化を示す図である。
図3は、図1の構成でn形層のGaOzN1-zのzの量を変化させたときのリーク電流を示す、電圧を増加させたときに電流値が一定の値になるときの電圧を示す図である。
図4は、バッファ層にGaOzN1-zを用い、そのzの量を変化させたときのn形層の結晶欠陥密度および発光素子としたときの輝度の変化を示す図である。
図5は、バッファ層にGaOzN1-zを用い、そのzの量を変化させたときのリーク電流を示す、電圧を増加させたときに電流値が一定の値になるときの電圧を示す図である。
図6は、半導体発光素子のリーク電流を説明するための、電圧を印加し始めたときの立上り部分の電圧−電流特性を示す図である。
図7は、チッ化ガリウム系化合物半導体を用いた従来の半導体発光素子の一例の斜視説明図である。
発明を実施するための最良の形態
本発明の半導体発光素子は、たとえば図1に一実施形態の断面説明図が示されるように、たとえばサファイア(Al2O3単結晶)などからなる基板1の表面にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層2と、バッファ層2上に発光層を形成すべくn形層3およびp形層5を含むチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される発光層形成部10とを有している。そして図1に示される例では、発光層形成部10を構成するn形層3の半導体層がチッ化ガリウム系化合物に酸素を含有する化合物半導体で形成されていることに特徴がある。
図1に示される例では、サファイア基板1上に積層される半導体層は、たとえばGaNからなる低温バッファ層2が500℃程度の低温で0.01〜0.2μm程度堆積され、ついで1000℃程度の高温でn形のGaOzN1-zからなるn形層(クラッド層)3が1〜5μm程度、ノンドープのInGaN系化合物半導体(青色を発光させる場合、ノンドープでInの割合が0.3〜0.5で、Gaの割合が0.7〜0.5であるが、たとえばSiおよびZnをドープしてInの割合を0.05程度として不純物発光をさせることができる)からなる活性層4が0.002〜0.3μm程度、p形のAlGaN系化合物半導体層5aおよびGaN層5bがそれぞれ0.05〜0.5μm程度づつ積層されるp形層5が、それぞれ順次成長されて発光層形成部10が積層されている。そして、積層された半導体層の表面に、たとえばNiとAuの合金層からなる2〜100nm程度の電流拡散層7を介してp側電流8が形成されると共に、積層された半導体層3〜5の一部が除去されて露出するn形層3にn側電極9が形成されている。
前述のn形層3のGaOzN1-zのOの割合、すなわちzの範囲は、後述するように、0.2以上が好ましいが、0.1でも顕著な効果が現れ、僅かでもよく、0<z<1の範囲で、他の層との関係などにより選定される。
なお、図1に示される例では、p形層5はGaN層5bとAlGaN系化合物半導体層5aとの複層で形成されているが、キャリアの閉じ込め効果の点からAlを含む層が活性層4側に設けられることが好ましいためで、GaN層だけでもよい。また、n形層3にもAlGaN系化合物半導体層を設けて複層にしてもよく、またこれらを他のチッ化ガリウム系化合物半導体層で形成することもできる。さらに、バッファ層2もGaN層により形成されているが、たとえばAlN層や、AlGaN系化合物半導体層、さらにInが添加された層など他の半導体層で形成されていてもよい。
つぎに、図1に示される構造の半導体発光素子の輝度の向上について説明をする。前述のように、本発明者は、たとえばサファイア基板上に積層される発光層形成部を構成するチッ化ガリウム系化合物半導体層に発生する格子欠陥をできるだけ少なくして輝度を向上させるため、鋭意検討を重ねた結果、たとえば図1に示されるように、基板上に積層されるチッ化ガリウム系化合物半導体層に酸素を含有せしめることにより、結晶欠陥密度が大幅に減少し、輝度も大幅に向上することを見出したものである。
すなわち、図1に示される構造の青色系の半導体発光素子において、GaOzN1-zからなるn形層3の酸素の量(z)を変化させたときのn形層3の表面の結晶欠陥の密度、および発光素子にした状態での輝度のそれぞれの変化を調べた結果、図2に示されるように、zが0.1程度の割合で酸素が含まれるだけで、結晶欠陥密度および輝度が大幅に向上し、zの値が0.2以上になれば結晶欠陥密度は2桁程度、輝度は3倍以上に向上した。図2において、Aが結晶欠陥密度、Bが輝度をそれぞれ示す。なお、n形層3の厚さを5μmとし、それ以外のバッファ層2はGaNで0.03μm程度、活性層4はSiおよびZnドープのIn0.05Ga0.95Nで0.2μm程度、p形層5はAl0.15Ga0.85N層5aが0.2μmとGaN層5bが0.3μm程度の積層構造で一定とし、zの値のみを変化させて製造した。ここで、結晶欠陥密度は、n形層3を積層した状態で、つぎの活性層などの半導体層を積層しないで、その表面をエッチングして、エッチングにより生じる窪みであるピットの数を測定するエッチピット法により測定したもので、輝度はn形層3を積層した後、その上に連続的に活性層4やp形層5などを積層して半導体発光素子とした状態で測定し、従来のn形層をGaNで構成したときの輝度を1とした相対的な輝度で表した結果である。
この結晶欠陥が少ないという現象は、半導体発光素子としてのリーク電流を測定することによっても確認することができた。すなわち、半導体発光素子の電圧(V)と電流(logI(対数目盛))の特性は、図6のCに示されるような特性を一般に示す。このV−logI特性の電圧を高くしても電流が飽和して増えない領域は電極の接触部の抵抗によるものでほぼ一定になるが、リーク電流の大きい半導体発光素子のV−logI特性はDにより示されるように、立上りが早くなる。そのため、一定の電流値(たとえば1μA)logI1のときの電圧V1、V2を測定することにより、電圧の小さいもの(V1を示すカーブD)程リーク電流が大きいことがわかる。前述のGaOzN1-zのzをパラメータとして一定電流のときの電圧をプロットすると図3に示されるようになり、図3からもzが0のときのGaN層に比べ、酸素を含有することにより、明らかにリーク電流が少ない(一定電流のときの電圧が高い)ことがわかる。
図2〜3から明らかなように、n形層3に酸素を含有することにより、結晶欠陥の数が大幅に減少し、輝度も向上する。これは、GaOzN1-zの成長は、GaNに比べて縦方向より横方向の成長が早くて支配的になるため、横方向につながって平坦な膜となってから縦方向に成長していくため欠陥の少ない膜を成長させることができるものと思われる。そして、欠陥の少ない平坦な膜が成膜されると、その上に成長される膜も欠陥の少ない平坦な膜になり、活性層やp形層についても欠陥の少ない平坦な膜が成膜され、高輝度の半導体発光素子が得られる。そのため、1層のみに酸素を添加する場合には、できるだけ下(基板に近い側)の層に添加することが好ましいことが推察される。
この観点から、高温でエピタキシャル成長されるn形層ではなく、低温で成膜されるバッファ層2が酸素を含有することによるn形層の結晶欠陥の状態および輝度の変化を同様に調べた。すなわち、バッファ層2にGaOzN1-zを用いて0.03μm程度を500℃程度で成膜し、そのほかのn形層3はn形のGaNを5μm程度で、活性層4、およびp形層5については前述の例と同様にしてバッファ層2のzの値を種々変化させた。このバッファ層2にGaOzN1-zを用いたときの結晶欠陥の密度および発光素子の輝度を調べ、その結果を図4に示す。なお、図4においてもAが結晶欠陥密度を示し、Bが輝度を示し、結晶の欠陥密度は、バッファ層2上にn形層3をエピタキシャル成長した状態で、前述と同様にエッチングをしてピット数を調べるエッチピット法を用い、輝度については前述と同様に発光素子にした状態で、バッファ層にGaNを用いたときの輝度を基準として相対的な値で調べた。また、前述と同様に、発光素子としたときのリーク電流を示す一定電流のときの電圧の関係を図5に示す。
図4〜5から明らかなように、バッファ層に酸素を添加したGaOzN1-zを用いることによっても、前述のn形層に用いる場合よりは結晶欠陥密度および輝度共に低下するものの、従来の構造よりは明らかな向上が見られる。これはつぎのように考えられる。すなわち、バッファ層2の成長は低温であるため、成長時には単結晶にはならずアモルファスの状態であり、酸素が含有されていても、前述のGaOzN1-zの単結晶層のように緻密な膜で結晶欠陥の少ない層は得られにくいと考えられる。しかし、つぎのn形層3の高温による成長時に少なくともバッファ層2の表面は単結晶化される。そして、その単結晶化された層は酸素を含有することにより、緻密で結晶欠陥の少ない層となり、その上に成膜される単結晶層もそのバッファ層表面の結晶欠陥の少ない層に揃って積層されるため結晶欠陥の少ない半導体層が得られるものと考えられる。その結果、バッファ層に酸素を含むチッ化ガリウム系化合物半導体が用いられることにより、その上に積層される半導体層が酸素を含まないチッ化ガリウム系化合物半導体層であっても、結晶欠陥が少なく、輝度の大きい半導体発光素子が得られる。
もちろんバッファ層および発光層形成部の半導体層共に酸素を含むチッ化ガリウム系化合物半導体が用いられることにより、一層結晶欠陥を少なくすることができ、輝度を向上させることができる。さらに、前述の構造の発光層形成部の活性層にも酸素を添加することにより、一層の輝度の向上を得ることができた。
本発明者は、さらにバッファ層としてAlNが用いられる場合に、AlNを成膜する際に酸化源を供給するころにより、酸素を含ませたAlOuN1-u(0<u<1)の組成で形成する場合の結晶性についても調べた。このとき発光層形成部10は前述のバッファ層2にGaOzN1-zを用いた場合と同様の構成にし、バッファ層2は500℃程度の低温で0.03μm程度成膜した。この場合も、前述のGaOzN1-zをバッファ層2とする場合と同様に酸素を含ませる割合、すなわちuの値が0.2程度で欠陥密度が2桁程度低下し、輝度が顕著に上昇し、uの他の値でも同様の効果が得られるものと考えられる。これは、前述のGaOzN1-zの場合と同様に、バッファ層2の成長は低温であるため、成長時には単結晶にはならずアモルファスの状態でAlOuN1-uが形成され、単結晶層のように緻密な膜で結晶欠陥の少ない層は得られにくいと考えられるが、つぎのn形層3の高温による成長時に少なくともバッファ層2の表面は単結晶化されて緻密となり、前述と同様に、結晶欠陥の少ない半導体層が積層されるためと考えられる。その結果、バッファ層2に酸素を含むAlOuN1-uが用いられることにより、その上に積層されるチッ化ガリウム系化合物半導体層は結晶欠陥が少なく、輝度の大きい半導体発光素子が得られる。ここで、バッファ層2の厚さは、バッファ機能をもたせる点からも、前述と同様に0.01〜0.2μm程度設けられることが好ましい。
なお、サファイア基板の表面を平坦化することにより、結晶欠陥の少ないチッ化ガリウム系化合物半導体層を得るために、サファイア基板の表面をチッ化させてAl2(ON)3とし、その上にGaNからなる低温のバッファ層を成膜し、その上にチッ化ガリウム系化合物半導体を積層する方法が知られている。しかし、この場合も、サファイア基板の表面をチッ化させてAl2(ON)3とするだけで、バッファ層は低温で成長されたGaN層であり、たとえサファイア基板表面の平坦化が図られていても、サファイア基板上にGaN層が直接成膜されるのと同様に、緻密な膜が成膜されず、また、本発明のようにその上に高温で成長されるチッ化ガリウム系化合物半導体層を緻密な膜にする作用もしない。
つぎに、図1に示される半導体発光素子の製法について説明をする。
MOVPE法により、キャリアガスH2と共にトリメチリガリウム(TMG)、アンモニア(NH3)などの反応ガスを供給して、まず、たとえばサファイアからなる基板1上に、たとえば400〜600℃程度の低温で、GaN層からなる低温バッファ層2を0.01〜0.2μm程度程度成膜する。
ついで、たとえば600〜1200℃程度の高温で前述の反応ガスに、n形のドーパントガスとしてのSiH4など、さらに酸化源としてのO2を追加し、n形のGaOzN1-zからなるn形層3を1〜5μm程度成長する。ついで、反応ガスにトリメチルインジウム(以下、TMInという)を加え、ドーパントガスのSiH4にさらにジメチル亜鉛(DMZn)を加え、SiおよびZnドープのInGaN系化合物半導体からなる活性層4を0.002〜0.3μm程度形成する。ついで、TMInに代えてトリメチルアルミニウム(以下、TMAという)を導入し、さらにドーパントガスをシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはジメチル亜鉛(DMZn)にして、p形のAlGaN系化合物半導体層5aを0.05〜0.5μm程度成長し、ついでTMAを止めてp形のGaNを0.05〜0.5μm程度成長し、p形層5を全体として0.1〜1μm程度形成する。
その後、たとえばNiおよびAuを真空蒸着などにより積層してシンターすることにより合金化し、電流拡散層7を、2〜100nm程度形成する。ついで、表面にレジスト膜を設け、パターニングをして塩素ガスなどによる反応性イオンエッチングにより、積層された半導体層の一部を除去してn形層3を露出させ、たとえばリフトオフ法により、p形層5と電気的に接続されるようにTiとAuとを積層して両金属の積層構造からなるp側電極8を形成する。また同様に、たとえばリフトオフ法により、n形層3と電気的に接続されるように、TiとAlをそれぞれ積層してシンターすることにより両金属の合金層からなるn側電極9を形成する。その結果、図1に示される半導体発光素子が得られる。
この例では、MOVPE法により半導体層を成長させたが、HVPE法、またはMBE法によっても同様に半導体層を成長させることができる。また、酸化源としてO2を用いたが、これに限定されることなく、酸化させ得るものであればよい。したがって、N2O、H2O、または成長炉内の石英ガラスなどの酸化物から遊離する酸素または還元剤を導入することにより遊離させ得る酸素などを利用することもできる。
前述の各例では、酸素を含有するチッ化ガリウム系化合物半導体層として、GaN層の場合の例であったが、AlGaN系化合物半導体層や、InGaN系化合物半導体層など、他のIII族元素が加えられた混晶のチッ化ガリウム系化合物半導体でも同様の結果が得られた。
さらに前述の例では、バッファ層をノンドープで製造したが、Si、Se、Teなどのn形不純物を導入してn形としてもよく、また、Mg、Zn、Beなどのp形不純物を導入してp形とし、発光層形成部のp形層を先に成長させてもよい。また、前述の例では、発光層形成部のn形層に酸素を含有させたが、p形層やノンドープ層に含有させてもよい。とくに、基板側にp形層が形成され、その上に活性層やn形層が積層されることにより発光層形成部が設けられる構造の場合には、p形層が下層になるためp形層に酸素が含まれることが好ましい。要は、GaおよびNを含む化合物半導体層に本発明を適用することができる。
また、バッファ層として、GaN、GaOzN1-z、AlOzN1-zの例であったが、発光層形成部に酸素を含有するチッ化ガリウム系化合物半導体が用いられる場合は、バッファ層はAlNなどの他の組成でも効果が現れる。また、AlOzN1-zをバッファ層とする場合でも、Alの一部がInなど他のIII族元素と置換される構造の者や,前述のn形および/またはp形の不純物が添加される構造のものでも同様である。
さらに、前述の例では、基板としてサファイア基板が用いられたが、サファイア基板に限定されるものではなく、SiC基板や、Si基板、GaAs基板など他の半導体基板でも、チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する場合に本発明を適用することができる。
また、前述の各例では、活性層をSiおよびZnドープで形成したが、ノンドープで形成してもよい。さらに、発光層形成部として、n形層とp形層とで活性層を挟持するダブルヘテロ接合構造の例であったが、n形層とp形層とが直接接合するpn接合構造でも同様である。
本発明によれば、チッ化ガリウム系化合物半導体層を格子定数が異なる基板上に成長する場合でも、チッ化ガリウム系化合物半導体層の少なくとも1層、および/またはバッファ層のGaN系もしくはAlN系化合物半導体に酸素が含有さていることにより、発光層形成部の半導体層の結晶性が大幅に向上する。その結果、輝度が大きくなり、また製造上のバラツキが小さくなり、高輝度で安価な青色系の半導体発光素子が得られる。
産業上の利用性
本発明の半導体発光素子によれば、輝度の大きい青色(B)系の光が得られ、青色系の種々の光源として利用することができると共に、他の赤色(R)や緑色(G)の発光素子と共に用いることにより、その混色のあらゆる色の光源とすることができ、信号機や、大型ディスプレーなどの表示器などの幅広い分野で利用することができる。
Claims (22)
- 基板と、該基板上に設けられるチッ化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層と、該バッファ層上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される発光層形成部とを有し、前記バッファ層または前記発光層形成部を構成する各半導体層の少なくとも1層がチッ化ガリウム系化合物を構成する元素として酸素を含有する化合物半導体層である半導体発光素子。
- 前記酸素を含有する化合物半導体がGa1-x-yAlxInyOzN1-z(0≦x<1、0≦y<1、0<z<1)からなる請求の範囲第1項記載の半導体発光素子。
- 前記酸素を含有する化合物半導体に、n形不純物および/またはp形不純物が含有されてなる請求の範囲第2項記載の半導体発光素子。
- 前記酸素を含有する化合物半導体が前記バッファ層に用いられてなる請求の範囲第1項、第2項または第3項記載の半導体発光素子。
- 前記酸素を含有する化合物半導体が前記発光層形成部の少なくとも前記バッファ層側の半導体層に用いられてなる請求の範囲第1項、第2項、第3項または第4項記載の半導体発光素子。
- 前記発光層形成部が活性層をn形層およびp形層により挟持するダブルヘテロ接合構造からなり、前記酸素を含有する化合物半導体が前記活性層に用いられてなる請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項または第5項記載の半導体発光素子。
- 前記基板がサファイア基板からなり、前記バッファ層がGaOzN1-z(0<z<1)からなる請求の範囲第2項または第3項記載の半導体発光素子。
- 前記バッファ層が、Si、Se、Te、Mg、ZnおよびBeよりなる群れから選ばれた少なくとも1種を含有する請求の範囲第7項記載の半導体発光素子。
- 前記発光層形成部がn形半導体層およびp形半導体層により活性層が挟持されるダブルへテロ接合構造からなり、該発光層形成部の少なくとも前記バッファ層に接する半導体層がGaOzN1-z(0<z<1)単結晶層からなる請求の範囲第2項、第3項、第7項または第8項記載の半導体発光素子。
- 基板上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されることにより発光層形成部が設けられる半導体発光素子であって、前記発光層形成部を構成する各半導体層の少なくとも1層がチッ化ガリウム系化合物を構成する 元素として酸素を含有する化合物半導体層である半導体発光素子。
- 前記基板と前記発光層形成部との間にAlNからなるバッファ層が設けられてなる請求の範囲第10項記載の半導体発光素子。
- 前記基板と前記発光層形成部との間にAlOuN1-u(0<u<1)からなるバッファ層が設けられてなる請求の範囲第10項記載の半導体発光素子。
- 基板と、該基板上に設けられるAlOuN1-u(0<u<1)からなるバッファ層と、該バッファ層上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される発光層形成部とを有する半導体発光素子。
- 前記バッファ層のAlの一部がInと置換されてなる請求の範囲第13項記載の半導体発光素子。
- 前記バッファ層が、Si、Se、Te、Mg、ZnおよびBeよりなる群れから選ばれた少なくとも1種を含有する請求の範囲第13項または第14項記載の半導体発光素子。
- 前記発光層形成部を構成する半導体層の少なくとも1層がGa1-x-yAlxInyOzN1-z(0≦x<1、0≦y<1、0<z<1)からなる請求の範囲第13項、第14項または第15項記載の半導体発光素子。
- 前記基板がサファイア基板からなり、前記発光層形成部が活性層をn形層およびp形層により挟持するダブルヘテロ接合構造からなる請求の範囲第13項または第16項記載の半導体発光素子。
- 基板上にMOVPE法、HVPE法またはMBE法により、チッ化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層を設け、さらにチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光層形成部を構成する半導体層を順次積層する半導体発光素子の製法であって、前記バッファ層および/または前記発光層形成部を構成する半導体層の少なくとも1層で、化合物を構成する元素として酸素を含有する半導体層を成長する際に、酸化源を供給し、または供給しながら該半導体層の成長をする半導体発光素子の製法。
- 基板上にMOVPE法、HVPE法またはMBE法により、酸化源を供給し、または供給しながらAlOuN1-u(0<u<1)からなるバッファ層を設け、さらにチッ化ガリウム系化合物半導体からなる発光層形成部を構成する半導体層を順次エピタキシャル成長する半導体発光素子の製法。
- 前記発光層形成部の少なくとも1層を形成する際に酸化源を供給し、または供給しながら成長し、Ga1-x-yAlxInyOzN1-z(0≦x<1、0≦y<1、0<z<1)からなる半導体層を成長する請求の範囲第19項記載の製法。
- 前記酸化源の供給を、前記半導体層を成長する成長炉内への酸化源の導入により行う請求の範囲第18項または第19項記載の製法。
- 前記酸化源の供給を、前記半導体層を成長する成長炉内の酸化物の酸素を用いることにより行う請求の範囲第18項または第19項記載の製法。
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