JP2665767B2 - β―ラクタム化合物 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、式で表わされる（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−
（２−ジメチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕
−４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−ア
ザビシクロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２
−カルボン酸（以下、化合物Ａと略する。）の製造中間
体として有用な、一般式（Ｖ） 〔式中の記号は後記と同じ意味を表わす。〕で表わされ
るβ−ラクタム化合物に関する。 化合物Ａはカルバペネム類に属する化合物であり、幅
広い抗菌スペクトルと強力な抗菌活性を有し、医薬品と
して有用な化合物である。この化合物についてはその非
結晶態が特開昭60−104088号公報（EP126587A）に開示
されており、製造方法および抗菌剤としての用途につい
ても開示されている。 本発明者らは上記化合物Ａを製造するための中間体と
して特に有用な化合物を見出し本発明を完成した。 すなわち、本発明は、 １）一般式（Ｖ） 〔式中、Ｘは水酸基または保護された水酸基を示し、Ｌ
は水酸基の活性エステル基を示し、R2は配位ホスフィン
配位子を有する有機可溶性パラジウム錯体によって除去
可能である置換されてもよい（C3〜C7）低級アルケニル
基を示す。〕で表わされるβ−ラクタム化合物、及び
２）R2がアリル基である前記１に記載の化合物を関す
る。 一般式（Ｖ）中、Ｘにおける水酸基の保護基として
は、通常用いられる保護基であれば特に限定はないが、
例えばｔ−ブトキシカルボニル、２−ヨウ化エチルオキ
シカルボニル、2,2,2−トリクロロエチルオキシカルボ
ニル等の塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子によって
任意に置換されている（C1〜C4）の低級アルコキシカル
ボニル基、例えばアリルオキシカルボニル、２−クロロ
アリルオキシカルボニル等の塩素、臭素等のハロゲン原
子によって任意に置換されている（C3〜C7）低級アルケ
ニルオキシカルボニル基、例えばベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｏ−ニト
ロベンジルオキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオ
キシカルボニル基等のニトロ基、メトキシ基等で任意に
置換されているベンジルオキシカルボニル基、例えばト
リメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−ブチルジメチ
ルシリル等のトリ（C1〜C4）低級アルキルシリル基、例
えばメトキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、メ
チルチオメチル等の置換メチル基、例えばテトラヒドロ
ピラニル基を挙げることができる。 Ｌが示す水酸基の活性エステル基とは、例えばアルコ
ールの置換もしくは無置換アリールスルホン酸エステ
ル、低級アルカンスルホン酸エステル、ハロゲノ低級ア
ルカンスルホン酸エステルまたはジアリールホスホリッ
クアシッドエステルを示すか、またはハロゲン化水素と
のエステルであるハロゲン化物を示す。さらに置換もし
くは無置換アリールスルホン酸エスエルとしては、例え
ばベンゼンスルホン酸エステル、ｐ−トルエンスルホン
酸エステル、ｐ−ニトロベンゼンスルホン酸エステル、
ｐ−ブロモベンゼンスルホン酸エステルなどを、低級ア
ルカンスルホン酸エステルとしては、例えばメタンスル
ホン酸エステル、エタンスルホン酸エステルなどを、ハ
ロゲノ低級アルカンスルホン酸エステルとしては、例え
ばトリフルオロメタンスルホン酸エステルなどを、ジア
リールホスホリックアシッドエステルとしては、例えば
ジフェニルホスホリックアシッドエステルなどを、また
ハロゲン化物としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素化物
などを挙げることができる。このような活性エステルの
中で好適なものとしては、ｐ−トルエンスルホン酸エス
テル、メタンスルホン酸エステル、ジフェニルホスホリ
ックアシッドエステルを挙げることができる。 R2が示す配位ホスフィン配位子を有する有機可溶性パ
ラジウム錯体によって除去可能である置換されてもよい
（C3〜C7）低級アルケニル基とは、ハロゲン原子によっ
て任意に置換されてもよい（C3〜C7）低級アルケニル基
であり、アリル基、２−クロロアリル基などを挙げるこ
とができる。 このような本発明の化合物（Ｖ）は、例えば特開昭60
−104088号（EP126587A）およびEP 188816A明細書に記
載の方法と同様にして製造することができる。以下に本
発明化合物の製造工程、および本発明化合物から医薬品
として有用な化合物Ａへの製造工程の具体例を示す。 〔工程式中、Meはメチル基を示し、X1は保護された水酸
基を示し、COYはカルボキシル基の活性エステルもしく
は活性酸無水物、チオールカルボキシル基の保護基で保
護されたチオールカルボキシル基、置換アリールオキシ
カルボニル基、またはヘテロアリールオキシカルボニル
基を示し、Ｂはアルカリ金属原子を示し、Ｒ−Ａはアル
キル化剤あるいはアシル化剤を示し、R1はアミノ基の保
護基を示し、Ｌ、ＸおよびR2は前述と同様の意味を有す
る。〕 すなわち、一般式（Ｉ）で表わされるβ−ラクタム化
合物を不活性溶媒中塩基で処理して化合物（IV）とし
〔（ｉ）工程〕、この化合物を取り出すことなく、反応
液中の活性エステルもしくは活性酸無水物の残基、置換
アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオ
キシカルボニル基の残基あるいは保護されたチオールカ
ルボキシル基のチオール残基（Y-）をヨードメタン、ヨ
ードプロパン、臭化アリル、臭化ベンジル、ｐ−トルエ
ンスルホン酸メチルエステル等のアルキル化剤、ｐ−ト
ルエンスルホニルクロリド、メタンスルホニルクロリド
等のアシル化剤によって捕捉した後〔（ii）工程〕、水
酸基の活性エステル化剤と処理し、必要により水酸基の
保護基を除去することにより式（Ｖ）で表わされる本発
明のβ−ラクタム化合物へ誘導する〔（iii）工程〕。 工程（iii）で得られた本発明のβ−ラクタム化合物
（Ｖ）は必要に応じ取り出してもよく、あるいはそのま
ま取り出すことなく、メルカプタン化合物（II） 〔式中の記号は前述と同じ意味を有する。〕 および必要に応じて塩基を加えて処理することにより
式（III）で表わされる１β−メチルカルバペネム化合
物へ誘導し〔（iv）工程〕、その後水酸基が保護されて
いる場合は、水酸基の保護基の除去反応に付しアミノ基
の保護基R1およびカルボキシル基の保護基R2を段階的ま
たは同時に除去することにより医薬品として有用な化合
物Ａへと誘導する〔（ｖ）工程〕。 ここで、原料化合物である化合物（Ｉ）について説明
すると、COYがカルボキシル基の活性エステルまたは活
性酸無水物である場合には、Ｙ基としては例えば塩素、
臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、例えばエトキシカルボ
ニルオキシ、イソプロピルオキシカルボニルオキシ、se
c−ブトキシカルボニルオキシ等の（C1〜C5）低級アル
コシキカルボニルオキシ基、例えばメタンスルホニルオ
キシ等の（C1〜C4）低級アルカンスルホニルオキシ基、
例えばｐ−トルエンスルホニルオキシ等のアリールスル
ホニルオキシ基、例えばジメチルホスホリルオキシ、ジ
エチルホスホリルオキシ等のジ（C1〜C4）低級アルキル
ホスホリルオキシ基、例えばジ（フェニル）ホスホリル
オキシ等のジアリールホスホリルオキシ基、例えばＮ−
サクシイミドオキシ、Ｎ−フタルイミドオキシ等の環状
イミドオキシ基、例えばイミダゾール、トリアゾール等
のヘテロアリール基、例えば３−（２−チオキソ）チア
ゾリジニル等のヘテロシクロアルキル基等を挙げること
ができる。 またCOYが保護されたチオールカルボキシル基である
場合に用いられるチオールカルボキシル基の保護基とし
ては一般的に用いられるもので可能であるが、好適に
は、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチ
ル、２−ヨウ化エチル、2,2,2−トリクロロエチル等の
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で任意に置換され
ている（C1〜C4）低級アルキル基、例えばアリル、２−
メチルアリル、２−クロロアリル等の塩素、臭素等のハ
ロゲン原子、あるいはメチル、エチル等の低級アルキル
基で任意に置換されている（C3〜C7）低級アルケニル
基、例えばフェニル、ｐ−クロロフェニル、2,4,6−ト
リクロロフェニル、ｐ−ニトロフェニル、ｏ−ニトロフ
ェニル、ｐ−メトキシフェニル等の塩素、臭素等のハロ
ゲン原子、ニトロ基、メトキシ基で任意に置換されてい
るフェニル基、例えば２−ピリジル、３−ピリジル、４
−ピリジル、２−ピリミジル、２−（4,6−ジメチル）
ピリミジル等のヘテロアリール基等を挙げることができ
る。 （ｉ）工程で使用し得る好適な塩基としては、例えば水
素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金
属類、例えばソジウムメチルスルフィニルメチド、例え
ばリチウムジイソプロピルアミド、リチウムビス（トリ
メチルシリル）アミド、ソジウムアミド等のアミン類の
金属塩を挙げることができる。また同時に用いられる不
活性溶媒としては好適なものとして、例えばジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等およびこれらの混合溶媒を挙げることができ
る。 （iii）工程で使用し得る好適な水酸基の活性エステル
化剤としては、例えばジフェニルホスホリルクロリド、
ｐ−トルエンスルホニルクロリド、メタンスルホニルク
ロリド等を挙げることができる。 （iv）工程で用いられ得る塩基としては、前述の（ｉ）
工程で用いられるものの他に、例えばトリエチルアミ
ン、ジイソプロピルエチルアミン、４−ジメチルアミノ
ピリジン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデシ−７
−エン（DBU）、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−
５−エン（DBN）、1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕オク
タン（DABCO）等の有機塩基を挙げることができる。ま
たこの際に反応促進のために必要に応じ、別の不活性溶
媒を添加することができ、そのような溶媒としては好適
にはアセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等を挙げることができる。 メルカプタン化合物（II）も含め、（ｉ）〜（iv）工
程で用いられる各試剤の使用量は、反応が十分進行する
だけの量が必要であり、好適な量としては（ｉ）工程で
用いられる塩基については２〜４当量であり、その他の
試剤については１〜1.5当量用いて行なうことが望まし
い。反応温度は−78℃〜60℃の範囲で行なうことができ
るが、−40℃〜10℃の範囲が好ましい。 （ｖ）工程の水酸基の保護基の除去方法は保護基の種類
によって異なるがそれ自体公知の一般的な方法、例えば
加水分解、接触還元法、酸または塩基等による処理、あ
るいは還元的手法等により実施することができる。 アミノ基の保護基R1およびカルボキシル基の保護基R2
の除去は、２個の保護基を１段階で同時に除去すること
が好ましい。なお、これら保護基（R1およびR2）の除去
は水酸基の保護基の除去の際、同時に行なうことも可能
である。 アミノ基の保護基R1は、例えばベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｏ−ニト
ロベンジルオキシカルボニル等ニトロ基で任意に置換さ
れているベンジルオキシカルボニル基、例えばアリルオ
キシカルボニル、２−クロロアリルオキシカルボニル
等、塩素、臭素等のハロゲン原子によって任意に置換さ
れている（C3〜C7）低級アルケニルオキシカルボニル
基、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−
ブチルジメチルシリル等、トリ（C1〜C4）低級アルキル
シリル基等を挙げることができる。 上記保護基の除去は一般に知られる公知の方法に従っ
て行なうことができるが、特に、R1がハロゲン原子によ
って任意に置換されている（C3〜C7）低級アルケニルオ
キシカルボニル基の場合、とりわけR1がアリルオキシカ
ルボニル基でR2がアリル基の場合には、低級アルケニル
受容体の存在下、触媒量の例えばテトラキストリフェニ
ルホスフィンパラジウム等の配位ホスフィン配位子を有
する有機可溶性パラジウム錯体と反応させることによっ
て２個の保護基（R1およびR2）を同時に１段階で除去す
ることができる。 低級アルケニル基（とりわけアリル基）に対する適当
な受容体としては、例えばｔ−ブチルアミン等の立体障
害アミン、例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエ
チルアミン等のトリ（C1〜C4）低級アルキルアミン、例
えばピロリジン、ピペリジン、モルホリンまたはチオモ
ルホリン等の環状アミン、例えばアニリン、Ｎ−メチル
アニリン等の芳香族アミン、例えばアセチルアセトン、
エチルアセトアセテート、1,3−シクロヘキサンジオン
またはジメドン等の脂肪族または脂環式β−ジカルボニ
ル化合物、そしてさらに例えば酢酸、プロピオン酸また
は２−エチルヘキサン酸等の（C2〜C9）低級アルカンカ
ルボン酸およびアルカリ金属塩（例えば、ナトリウム塩
またはカリウム塩等）またはこれらの混合物を挙げるこ
とができる。好ましい受容体としては1,3−シクロヘキ
サンジオンまたはジメドン等の脂環式β−ジカルボニル
化合物およびアニリン、Ｎ−メチルアニリン等の芳香族
アミン類を挙げることができる。 反応は化合物Ｂに対して1.5〜10モル当量の低級アル
ケニル基受容体の存在下、２〜20モル％のテトラキスト
リフェニルホスフィンパラジウム触媒を用い、不活性溶
媒中で行なう。 不活性溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、例えばベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、例えば酢酸エ
チル、酢酸イソプロピル等の酢酸エステル類、例えば塩
化メチレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素類、例えばアセトニトリルまたはそ
の混合溶媒を挙げることができる。好ましくは酢酸エス
テル類、テトラヒドロフランおよび塩化メチレンまたは
その混合溶媒を挙げることができる。 反応温度は室温において、またはやや高温または低温
で、例えば約０〜70℃の範囲で行なわれるが、好ましく
は10〜50℃の範囲を挙げることができる。さらに反応は
必要により、例えば窒素またはアルゴン等の不活性ガス
雰囲気下で行なうことができる。 この方法においては、反応終了後反応液に適当量の水
を加え有機溶媒を分離後、有機溶媒に可溶性の不純物を
有機溶媒で洗浄を繰り返すことによって除去することに
より非結晶態の化合物Ａを単離することなく結晶化プロ
セスに付すことができる。 上記の脱保護方法はベンジルオキシカルボニル（オキ
シ）、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル（オキ
シ）、ｏ−ニトロベンジルオキシカルボニル（オキシ）
等ニトロ基で任意に置換されているベンジルオキシカル
ボニル（オキシ）基の脱保護として従来より一般に使用
されている接触水素添加反応による脱保護法に比べ、使
用する溶媒量および触媒中の遷移金属量が少ないことか
らより有利な方法である。 本発明は、以下実施例及び参考例により詳細に説明す
るが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではな
い。なお、略号の意味は次のとおりである。 Ph:フェニル基 Me:メチル基 AOC:アリルオキシカルボニル基 ｔ−Bu:tert−ブチル基 TBDMS:t−ブチルジメチルシリル基 参考例１ （4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１
−ヒドロキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘ
プト−２−エン−７−オン−２−カルボキシレート（含
量67％、1.033g）を酢酸エチル20.7mlにとかし、ジメド
ン0.85gを加え、アルゴンガスを５分間吹込んでから30
℃に加温した。テトラキストリフェニルホスフィンパラ
ジウム155mgを塩化メチレン5mlにとかし、30℃で滴下後
反応混合物を窒素気流下30℃で３時間撹拌した。反応液
を撹拌しながら水10.3mlを加え、水層を分取した後、酢
酸エチル10mlで２回洗浄をくり返し、氷冷したテトラヒ
ドロフラン20mlに少しずつ注入した。30分氷冷下に撹拌
した後（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２−
ジメチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕−４−
メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシ
クロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カル
ボン酸３水和物の結晶約1mgを加え、さらにテトラヒド
ロフラン30mlを少しずつ加え、氷冷下２時間撹拌を継続
した。析出した結晶を濾取し、テトラヒドロフラン（10
ml）で洗浄し、室温で５時間減圧乾燥すると、323mgの
結晶態の（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２
−ジメチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕−４
−メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビ
シクロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボン酸３水和物が得られた。 参考例２ アニリン149mgを酢酸イソプロピル4mlにとかし20分間
還流した後、30℃まで冷却した。次いで（4R,5S,6S,8R,
2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−（１−アリルオキシ
カルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジニ
ル）チオ〕−４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチ
ル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン
−７−オン−２−カルボキシレート（102mg）を、さら
にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム46mgを
30℃で加え、混合物を窒素気流下30℃で３時間撹拌し
た。その後反応液を参考例１と同様の処理に付し、結晶
態の（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２−ジ
メチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕−４−メ
チル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシク
ロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボ
ン酸３水和物を得た。 参考例３ Ｎ−メチルアニリン129mg、酢酸イソプロピル4ml、
（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−（１
−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボ
ニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１−ヒ
ドロキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプ
ト−２−エン−７−オン−２−カルボキシレート102mg
およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム46
mgから参考例１と同様の方法によって結晶態の（4R,5S,
6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２−ジメチルアミノ
カルボニル）ピロリジニルチオ〕−４−メチル−６−
（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.
0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボン酸３水
和物を得た。 参考例４ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボニルエチル〕
−１−カルボキシメチル−２−アゼチジノン（含量92.8
％,13.15g）をアリルアルコール14.4mlにとかし、クロ
ルトリメチルシラン（10.8ml）を室温で加え、約1.5時
間撹拌した後、トルエン50mlを加え、反応混合物をその
まま減圧下濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製し、（3S,4S）−３−〔（1
R）−１−ヒドロキシエチル〕−４−〔（1R）−１−フ
ェニルチオカルボニルエチル〕−１−アリルオキシカル
ボニルメチル−２−アゼチジノン（13.4g,収率98.2％）
を得た。 NMR δ（CDCl3）:1.33（3H,d,J＝6.2Hz）、1.34（3H,d,
J＝6.9Hz）、3.16（2H,m）、3.88（1H,ABd,J＝18.1H
z）、4.17（1H,dd,J＝2.3Hzと4.3Hz）、4.23（1H,quint
et,J＝6.2Hz）、4.34（1H,ABd,J＝18.1Hz）、4.62（2H,
d,J＝5.9Hz）、5.25（1H,d,J＝10.2Hz）、5.32（1H,d,J
＝17.2Hz）、5.88（1H,m）、7.42（5H）。 参考例５ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボニルエチル〕
−１−アリルオキシカルボニルメチル−２−アゼチジノ
ン（含量90.6％,14.7g）を乾燥トルエン60mlにとかし、
氷冷下クロルトリメチルシラン（7.8g）、次にトリエチ
ルアミン（7.8g）を加え、室温で40分撹拌した。反応液
をトルエン300mlで希釈し、２％重曹水300mlで洗浄、さ
らに食塩水300mlで２回洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥
し、（3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリル
オキシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカル
ボニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−
２−アゼチジノン（含量90％,16.35g）を得た。 NMR δ（CDCl3）:0.15（9H,s）、1.29（6H,d,J＝6.9H
z）、3.08（1H,dd,J＝2.3と7.6Hz）、3.15（1H,dq,J＝
3.3と6.9Hz）、3.85（1H,ABd,J＝17.2Hz）、4.1〜4.2
（2H,m）、4.33（1H,ABd,J＝17.2Hz）、4.60（2H,d,J＝
5.6Hz）、5.2〜5.3（2H,m）、5.8〜5.92（1H,m）、7.41
（5H,m）。 実施例１ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリルオ
キシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボ
ニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−２
−アゼチジノン（含量90％,1.0g）をトルエン−テトラ
ヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒5.5mlにとかし、水
素化ナトリウム（60％油性）（200mg,5mM）、臭化ベン
ジル（410mg,2.4mM）、トリメチルシラノール（2.7m
g）、トルエン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合
溶媒8.5mlとの懸濁液に−15〜−10℃で滴下し、２時間
撹拌後次に同温度でジフェニルクロロホスフェート（59
0mg,2.2mM）のトルエン（1ml）溶液を滴下した。さらに
４時間撹拌後、〔2S,4S〕−１−アリルオキシカルボニ
ル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−メルカプトピ
ロリジン（670mg,2.6mM）のテトラヒドロフラン（1ml）
溶液を注入し、次いで1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウ
ンデン−７−エン（426mg,2.8mM）を加え、−15〜−10
℃で一夜撹拌を行った。反応混合物に0.1Mリン酸第二水
素カリウム水溶液10mlを加え分液し、水層をトルエン5m
lで２回抽出し、有機層を合わせ、0.1M pH7.0のリン酸
緩衝液、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
−炭酸カリウム（1:1）で乾燥した後、溶媒を減圧留去
した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製
し、（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１
−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビシクロ
〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボキ
シレート（0.90g）を得た。 参考例６ （4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１
−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビシクロ
〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボ
キシレート（600mg,1.04mM）をテトラヒドロフラン6ml
にとかし、pH3のクエン酸緩衝液3mlを加え、室温で1.5
時間激しく撹拌し、酢酸エチル30mlで希釈し、食塩水で
洗浄後、硫酸マグネシウム−炭酸カリウム（1:1）で乾
燥し、溶媒を減圧留去して（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）
−アリル−３−〔４−（１−アリルオキシカルボニル−
２−ジメチルアミノカルボニルピロリジニル）チオ〕−
４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザ
ビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２
−カルボキシレートを得た。 NMR δ（CDCl3）:1.26（3H）、1.36（3H）、1.94（1H,
m）、2.67（1H,m）、2.97,2.99,3.06,3.11（total 6H,e
ach singlet）、3.2〜3.7（4H,m）、4.25（2H,m）、4.4
7〜4.87（5H,m）、5.15〜5.5（4H,m）、5.94（2H,m）。 参考例７ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル〕−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロ
フェニルチオカルボニルエチル〕−１−ｔ−ブトキシカ
ルボニルメチル−２−アゼチジノン1.0gを乾燥塩化メチ
レン10mlに溶かし、アニソール497mgと三フッ化ホウ素
ジエチルエーテル錯体1.04gを加え、38〜42℃で３時間
撹拌した。有機層を水、NaHCO3水で洗浄し、有機層と水
層を分離した。水層を濃塩酸でpH1に調整した後酢酸エ
チルで抽出し、芒硝乾燥、溶媒を減圧留去した。残渣に
酢酸エチル1mlを加え、50℃に保温しトルエン5mlを滴下
後30分間撹拌し、室温に戻した。析出した結晶を濾取し
乾燥することにより（3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒ
ドロキシエチル〕−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロフェ
ニルチオカルボニルエチル〕−１−（１−カルボキシメ
チル）−２−アゼチジノンを得た。 mp:81〜83℃； NMR δ（CDCl3）:1.29（3H,d）、1.31（3H,d）、3.16
（2H,m）、4.08（2H,ABq,J＝18.1Hz）、4.22（1H,dd,J
＝2.3Hzと4.3Hz）、4.27（1H,m）、7.35（1H,ABq,J＝8.
6Hz）。 参考例８ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロフェニルチオカルボニ
ルエチル〕−１−（１−カルボキシメチル）−２−アゼ
チジノン371mgをアリールアルコール0.4mlに溶かし、ト
リメチルクロロシラン0.3mlを加えて室温で１時間撹拌
した。溶媒を減圧留去後残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィーで精製することにより（3S,4S）−３−〔（1R）
−１−ヒドロキシエチル〕−４−〔（1R）−１−ｐ−ク
ロロフェニルチオカルボニルエチル〕−１−（１−アリ
ールオキシカルボニルメチル）−２−アゼチジノンを得
た。 NMR δ（CDCl3）:1.32（3H,d,J＝6.6Hz）、1.33（3H,d,
J＝6.9Hz）、2.36（1H,brs）、3.15（2H,m）、4.10（2
H,ABq,J＝18.1Hz）、4.17（1H,dd,J＝2.3Hzと4.3Hz）、
4.22（1H,m）、4.62（2H,d,J＝5.9Hz）、5.28（2H,
m）、5.87（1H,m）、7.35（4H,ABq,J＝8.6Hz）。 参考例９ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロフェニルチオカルボニ
ルエチル〕−１−（１−アリールオキシカルボニルメチ
ル）−２−アゼチジノン305mgを乾燥トルエン1.5mlに溶
かし、クロロトリメチルシラン145mgとトリエチルアミ
ン150mgを順次加え、室温で１時間撹拌した。有機層を
２％NaHCO3水で１回、飽和食塩水で１回洗浄後芒硝乾
燥、溶媒を減圧留去することにより（3S,4S）−３−
〔（1R）−１−トリメチルシリルオキシエチル〕−４−
〔（1R）−ｐ−クロロフェニルチオカルボニルエチル〕
−１−（１−アリルオキシカルボニルメチル）−２−ア
ゼチジノンを得た。 NMR δ（CDCl3）:0.14（9H,s）、1.30（3H,d,J＝6.9H
z）、1.30（3H,d,J＝6.6Hz）、3.07（1H,m）、3.14（1
H,dq,J＝3.3と6.9Hz）、4.08（2H,ABq,J＝17.8Hz）、4.
10（1H,m）、4.16（1H,m）、4.60（2H,dt,J＝1.3と5.6H
z）、5.27（2H,m）、5.88（1H,m）、7.35（4H,ABq,J＝
8.6Hz）。 実施例２ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリルオ
キシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボ
ニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−２
−アゼチジノン（308mg）をトルエン−テトラヒドロフ
ラン（4:1）の乾燥混合溶媒2mlにとかし、水素化ナトリ
ウム（60％油性）（89.2mg,2.23mM）、臭化アリル（77.
4mg,0.64mM）、トリメチルシラール（0.864mg）、トル
エン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒（2.5
ml）との懸濁液に−15℃で滴下し、−10℃〜−15℃で２
時間撹拌後、次に同温度でジフェニルクロロホスフェー
ト（207mg,0.77mM）のトルエン（0.5ml）溶液を滴下し
た。さらに２時間撹拌後、〔2S,4S〕−１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−メ
ルカプトピロリジン（165mg,0.64mM）のTHF（1ml）溶液
を滴下し、−５〜０℃で１時間撹拌を行った。反応混合
物に0.1M−リン酸二水素カリウム水溶液5mlを加え、分
液し、水層を酢酸エチル5mlで抽出し、有機層を合わせ
食塩水で洗浄後硫酸マグネシウム−炭酸カリウム（1:
1）で乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲル
クロマトグラフィーにて精製し（4R,5S,6S,8R,2′S,4′
Ｓ）−アリル−３−〔４−（１−アリルオキシカルボニ
ル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジニル）チ
オ〕−４−メチル−６−（１−トリメチルシリルオキシ
エチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−
エン−７−オン−２−カルボキシレートを得た。本品は
実施例１で得たものとIRスペクトルが一致した。 実施例３ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリルオ
キシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボ
ニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−２
−アゼチジノン（含量90％,15g）をトルエン−テトラヒ
ドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒65mlにとかし、水素
化ナトリウム（60％油性）（4.2g,105mM）、臭化アリル
（4.0g、33mM）、トリメチルシラノール（28ml）、トル
エン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒115ml
との懸濁液に−15〜−10℃で滴下し、３時間撹拌後次に
同温度でジフェニルクロロホスフェート（9.67g,36mM）
のトルエン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶
媒（15ml）との溶液を−15〜−10℃で滴下し、同温度で
４時間撹拌後、0.1Mリン酸バッファー（pH7.0）を数滴
加えて反応を停止した。同じリン酸バッファー150mlを
加え、酢酸エチル150mlで抽出した。水層部を再度酢酸
エチル100mlで抽出し、先の有機層と合わせ、次いで飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム−炭酸カリウム
（1:1）で乾燥した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーに付しトルエン−酢
酸エチル（95:5〜90:10）で溶出するフラクションを集
め、濃縮することにより（4R,5R,6S,8R）−アリル−３
−（ジフェニルホスホリルオキシ）−４−メチル−６−
（１−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビシ
クロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボキシレートを得た。 NMR δ（CDCl3）:0.11（9H,s）、1.19（3H,d,J＝7.3H
z）1.25（3H,d,J＝6.3Hz）、3.24（1H,dd,J＝3.0および
6.6Hz）、3.46（1H,m）、4.11（1H,dd,J＝3.0および10.
6Hz）、4.18（1H,m）、4.66（2H,d,J＝5.61Hz）、5.20
（1H,d,J＝10.6Hz）、5.37（1H,d,J＝17.2Hz）、5.86
（1H,m）、7.21〜7.41（10H,m）。 参考例10 （4R,5R,6S,8R）−アリル−３−（ジフェニルホスホ
リルオキシ）−４−メチル−６−（１−トリメチルシリ
ルオキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘプト
−２−エン−７−オン−２−カルボキシレート290mgを
乾燥アセトニトリル1.5mlに溶解し、次いで〔2S,4S〕−
１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカル
ボニル−４−メルカプトピロリジン142mgを加え、混合
物を−15℃まで冷却後、ジイソプロピルエチルアミン7
7.5mgの乾燥アセトニトリル溶液（約0.2ml）を滴下し、
−15〜−10℃で５時間撹拌後反応混合物に0.1M−リン酸
二水素カリウム水溶液10ml及び酢酸エチル10mlを加え、
分液後有機層を再び0.1M−リン酸二水素カリウム水溶液
10mlで洗浄し、水層部がpH4〜５であることを確認した
後、有機層をそのまま室温で５〜15時間撹拌した。薄層
クロマトグラフィー〔ベンゼン−酢酸エチル（1:1）〕
でトリメチルシリル基が除去されたことを確認した後飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム−炭酸カリウム
（1:1）で乾燥した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシ
リカゲルクロマトグラフィーにて精製し、（4R,5S,6S,8
R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−（１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジ
ニル）チオ〕−４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチ
ル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン
−７−オン−２−カルボキシレートを得た。 本品は参考例６で得られた化合物とUV、IRおよびNMR
が一致した。 実施例４ 参考例10で述べた方法で（4R,5R,6S,8R）−アリル−
３−（ジフェニルホスホリルオキシ）−４−メチル−６
−（１−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビ
シクロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボキシレートを調製し、カラムクロマトグラフィーに
よる精製を行うことなく粗製物のまま参考例10で述べた
反応に付すことにより（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−ア
リル−３−〔４−（１−アリルオキシカルボニル−２−
ジメチルアミノカルボニルピロリジニル）チオ〕−４−
メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシ
クロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボキシレートを得ることができた。
（２−ジメチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕
−４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−ア
ザビシクロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２
−カルボン酸（以下、化合物Ａと略する。）の製造中間
体として有用な、一般式（Ｖ） 〔式中の記号は後記と同じ意味を表わす。〕で表わされ
るβ−ラクタム化合物に関する。 化合物Ａはカルバペネム類に属する化合物であり、幅
広い抗菌スペクトルと強力な抗菌活性を有し、医薬品と
して有用な化合物である。この化合物についてはその非
結晶態が特開昭60−104088号公報（EP126587A）に開示
されており、製造方法および抗菌剤としての用途につい
ても開示されている。 本発明者らは上記化合物Ａを製造するための中間体と
して特に有用な化合物を見出し本発明を完成した。 すなわち、本発明は、 １）一般式（Ｖ） 〔式中、Ｘは水酸基または保護された水酸基を示し、Ｌ
は水酸基の活性エステル基を示し、R2は配位ホスフィン
配位子を有する有機可溶性パラジウム錯体によって除去
可能である置換されてもよい（C3〜C7）低級アルケニル
基を示す。〕で表わされるβ−ラクタム化合物、及び
２）R2がアリル基である前記１に記載の化合物を関す
る。 一般式（Ｖ）中、Ｘにおける水酸基の保護基として
は、通常用いられる保護基であれば特に限定はないが、
例えばｔ−ブトキシカルボニル、２−ヨウ化エチルオキ
シカルボニル、2,2,2−トリクロロエチルオキシカルボ
ニル等の塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子によって
任意に置換されている（C1〜C4）の低級アルコキシカル
ボニル基、例えばアリルオキシカルボニル、２−クロロ
アリルオキシカルボニル等の塩素、臭素等のハロゲン原
子によって任意に置換されている（C3〜C7）低級アルケ
ニルオキシカルボニル基、例えばベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｏ−ニト
ロベンジルオキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオ
キシカルボニル基等のニトロ基、メトキシ基等で任意に
置換されているベンジルオキシカルボニル基、例えばト
リメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−ブチルジメチ
ルシリル等のトリ（C1〜C4）低級アルキルシリル基、例
えばメトキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、メ
チルチオメチル等の置換メチル基、例えばテトラヒドロ
ピラニル基を挙げることができる。 Ｌが示す水酸基の活性エステル基とは、例えばアルコ
ールの置換もしくは無置換アリールスルホン酸エステ
ル、低級アルカンスルホン酸エステル、ハロゲノ低級ア
ルカンスルホン酸エステルまたはジアリールホスホリッ
クアシッドエステルを示すか、またはハロゲン化水素と
のエステルであるハロゲン化物を示す。さらに置換もし
くは無置換アリールスルホン酸エスエルとしては、例え
ばベンゼンスルホン酸エステル、ｐ−トルエンスルホン
酸エステル、ｐ−ニトロベンゼンスルホン酸エステル、
ｐ−ブロモベンゼンスルホン酸エステルなどを、低級ア
ルカンスルホン酸エステルとしては、例えばメタンスル
ホン酸エステル、エタンスルホン酸エステルなどを、ハ
ロゲノ低級アルカンスルホン酸エステルとしては、例え
ばトリフルオロメタンスルホン酸エステルなどを、ジア
リールホスホリックアシッドエステルとしては、例えば
ジフェニルホスホリックアシッドエステルなどを、また
ハロゲン化物としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素化物
などを挙げることができる。このような活性エステルの
中で好適なものとしては、ｐ−トルエンスルホン酸エス
テル、メタンスルホン酸エステル、ジフェニルホスホリ
ックアシッドエステルを挙げることができる。 R2が示す配位ホスフィン配位子を有する有機可溶性パ
ラジウム錯体によって除去可能である置換されてもよい
（C3〜C7）低級アルケニル基とは、ハロゲン原子によっ
て任意に置換されてもよい（C3〜C7）低級アルケニル基
であり、アリル基、２−クロロアリル基などを挙げるこ
とができる。 このような本発明の化合物（Ｖ）は、例えば特開昭60
−104088号（EP126587A）およびEP 188816A明細書に記
載の方法と同様にして製造することができる。以下に本
発明化合物の製造工程、および本発明化合物から医薬品
として有用な化合物Ａへの製造工程の具体例を示す。 〔工程式中、Meはメチル基を示し、X1は保護された水酸
基を示し、COYはカルボキシル基の活性エステルもしく
は活性酸無水物、チオールカルボキシル基の保護基で保
護されたチオールカルボキシル基、置換アリールオキシ
カルボニル基、またはヘテロアリールオキシカルボニル
基を示し、Ｂはアルカリ金属原子を示し、Ｒ−Ａはアル
キル化剤あるいはアシル化剤を示し、R1はアミノ基の保
護基を示し、Ｌ、ＸおよびR2は前述と同様の意味を有す
る。〕 すなわち、一般式（Ｉ）で表わされるβ−ラクタム化
合物を不活性溶媒中塩基で処理して化合物（IV）とし
〔（ｉ）工程〕、この化合物を取り出すことなく、反応
液中の活性エステルもしくは活性酸無水物の残基、置換
アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオ
キシカルボニル基の残基あるいは保護されたチオールカ
ルボキシル基のチオール残基（Y-）をヨードメタン、ヨ
ードプロパン、臭化アリル、臭化ベンジル、ｐ−トルエ
ンスルホン酸メチルエステル等のアルキル化剤、ｐ−ト
ルエンスルホニルクロリド、メタンスルホニルクロリド
等のアシル化剤によって捕捉した後〔（ii）工程〕、水
酸基の活性エステル化剤と処理し、必要により水酸基の
保護基を除去することにより式（Ｖ）で表わされる本発
明のβ−ラクタム化合物へ誘導する〔（iii）工程〕。 工程（iii）で得られた本発明のβ−ラクタム化合物
（Ｖ）は必要に応じ取り出してもよく、あるいはそのま
ま取り出すことなく、メルカプタン化合物（II） 〔式中の記号は前述と同じ意味を有する。〕 および必要に応じて塩基を加えて処理することにより
式（III）で表わされる１β−メチルカルバペネム化合
物へ誘導し〔（iv）工程〕、その後水酸基が保護されて
いる場合は、水酸基の保護基の除去反応に付しアミノ基
の保護基R1およびカルボキシル基の保護基R2を段階的ま
たは同時に除去することにより医薬品として有用な化合
物Ａへと誘導する〔（ｖ）工程〕。 ここで、原料化合物である化合物（Ｉ）について説明
すると、COYがカルボキシル基の活性エステルまたは活
性酸無水物である場合には、Ｙ基としては例えば塩素、
臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、例えばエトキシカルボ
ニルオキシ、イソプロピルオキシカルボニルオキシ、se
c−ブトキシカルボニルオキシ等の（C1〜C5）低級アル
コシキカルボニルオキシ基、例えばメタンスルホニルオ
キシ等の（C1〜C4）低級アルカンスルホニルオキシ基、
例えばｐ−トルエンスルホニルオキシ等のアリールスル
ホニルオキシ基、例えばジメチルホスホリルオキシ、ジ
エチルホスホリルオキシ等のジ（C1〜C4）低級アルキル
ホスホリルオキシ基、例えばジ（フェニル）ホスホリル
オキシ等のジアリールホスホリルオキシ基、例えばＮ−
サクシイミドオキシ、Ｎ−フタルイミドオキシ等の環状
イミドオキシ基、例えばイミダゾール、トリアゾール等
のヘテロアリール基、例えば３−（２−チオキソ）チア
ゾリジニル等のヘテロシクロアルキル基等を挙げること
ができる。 またCOYが保護されたチオールカルボキシル基である
場合に用いられるチオールカルボキシル基の保護基とし
ては一般的に用いられるもので可能であるが、好適に
は、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチ
ル、２−ヨウ化エチル、2,2,2−トリクロロエチル等の
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で任意に置換され
ている（C1〜C4）低級アルキル基、例えばアリル、２−
メチルアリル、２−クロロアリル等の塩素、臭素等のハ
ロゲン原子、あるいはメチル、エチル等の低級アルキル
基で任意に置換されている（C3〜C7）低級アルケニル
基、例えばフェニル、ｐ−クロロフェニル、2,4,6−ト
リクロロフェニル、ｐ−ニトロフェニル、ｏ−ニトロフ
ェニル、ｐ−メトキシフェニル等の塩素、臭素等のハロ
ゲン原子、ニトロ基、メトキシ基で任意に置換されてい
るフェニル基、例えば２−ピリジル、３−ピリジル、４
−ピリジル、２−ピリミジル、２−（4,6−ジメチル）
ピリミジル等のヘテロアリール基等を挙げることができ
る。 （ｉ）工程で使用し得る好適な塩基としては、例えば水
素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金
属類、例えばソジウムメチルスルフィニルメチド、例え
ばリチウムジイソプロピルアミド、リチウムビス（トリ
メチルシリル）アミド、ソジウムアミド等のアミン類の
金属塩を挙げることができる。また同時に用いられる不
活性溶媒としては好適なものとして、例えばジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
類、例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等およびこれらの混合溶媒を挙げることができ
る。 （iii）工程で使用し得る好適な水酸基の活性エステル
化剤としては、例えばジフェニルホスホリルクロリド、
ｐ−トルエンスルホニルクロリド、メタンスルホニルク
ロリド等を挙げることができる。 （iv）工程で用いられ得る塩基としては、前述の（ｉ）
工程で用いられるものの他に、例えばトリエチルアミ
ン、ジイソプロピルエチルアミン、４−ジメチルアミノ
ピリジン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデシ−７
−エン（DBU）、1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノナ−
５−エン（DBN）、1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕オク
タン（DABCO）等の有機塩基を挙げることができる。ま
たこの際に反応促進のために必要に応じ、別の不活性溶
媒を添加することができ、そのような溶媒としては好適
にはアセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等を挙げることができる。 メルカプタン化合物（II）も含め、（ｉ）〜（iv）工
程で用いられる各試剤の使用量は、反応が十分進行する
だけの量が必要であり、好適な量としては（ｉ）工程で
用いられる塩基については２〜４当量であり、その他の
試剤については１〜1.5当量用いて行なうことが望まし
い。反応温度は−78℃〜60℃の範囲で行なうことができ
るが、−40℃〜10℃の範囲が好ましい。 （ｖ）工程の水酸基の保護基の除去方法は保護基の種類
によって異なるがそれ自体公知の一般的な方法、例えば
加水分解、接触還元法、酸または塩基等による処理、あ
るいは還元的手法等により実施することができる。 アミノ基の保護基R1およびカルボキシル基の保護基R2
の除去は、２個の保護基を１段階で同時に除去すること
が好ましい。なお、これら保護基（R1およびR2）の除去
は水酸基の保護基の除去の際、同時に行なうことも可能
である。 アミノ基の保護基R1は、例えばベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｏ−ニト
ロベンジルオキシカルボニル等ニトロ基で任意に置換さ
れているベンジルオキシカルボニル基、例えばアリルオ
キシカルボニル、２−クロロアリルオキシカルボニル
等、塩素、臭素等のハロゲン原子によって任意に置換さ
れている（C3〜C7）低級アルケニルオキシカルボニル
基、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−
ブチルジメチルシリル等、トリ（C1〜C4）低級アルキル
シリル基等を挙げることができる。 上記保護基の除去は一般に知られる公知の方法に従っ
て行なうことができるが、特に、R1がハロゲン原子によ
って任意に置換されている（C3〜C7）低級アルケニルオ
キシカルボニル基の場合、とりわけR1がアリルオキシカ
ルボニル基でR2がアリル基の場合には、低級アルケニル
受容体の存在下、触媒量の例えばテトラキストリフェニ
ルホスフィンパラジウム等の配位ホスフィン配位子を有
する有機可溶性パラジウム錯体と反応させることによっ
て２個の保護基（R1およびR2）を同時に１段階で除去す
ることができる。 低級アルケニル基（とりわけアリル基）に対する適当
な受容体としては、例えばｔ−ブチルアミン等の立体障
害アミン、例えばトリエチルアミン、ジイソプロピルエ
チルアミン等のトリ（C1〜C4）低級アルキルアミン、例
えばピロリジン、ピペリジン、モルホリンまたはチオモ
ルホリン等の環状アミン、例えばアニリン、Ｎ−メチル
アニリン等の芳香族アミン、例えばアセチルアセトン、
エチルアセトアセテート、1,3−シクロヘキサンジオン
またはジメドン等の脂肪族または脂環式β−ジカルボニ
ル化合物、そしてさらに例えば酢酸、プロピオン酸また
は２−エチルヘキサン酸等の（C2〜C9）低級アルカンカ
ルボン酸およびアルカリ金属塩（例えば、ナトリウム塩
またはカリウム塩等）またはこれらの混合物を挙げるこ
とができる。好ましい受容体としては1,3−シクロヘキ
サンジオンまたはジメドン等の脂環式β−ジカルボニル
化合物およびアニリン、Ｎ−メチルアニリン等の芳香族
アミン類を挙げることができる。 反応は化合物Ｂに対して1.5〜10モル当量の低級アル
ケニル基受容体の存在下、２〜20モル％のテトラキスト
リフェニルホスフィンパラジウム触媒を用い、不活性溶
媒中で行なう。 不活性溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、例えばベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、例えば酢酸エ
チル、酢酸イソプロピル等の酢酸エステル類、例えば塩
化メチレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素類、例えばアセトニトリルまたはそ
の混合溶媒を挙げることができる。好ましくは酢酸エス
テル類、テトラヒドロフランおよび塩化メチレンまたは
その混合溶媒を挙げることができる。 反応温度は室温において、またはやや高温または低温
で、例えば約０〜70℃の範囲で行なわれるが、好ましく
は10〜50℃の範囲を挙げることができる。さらに反応は
必要により、例えば窒素またはアルゴン等の不活性ガス
雰囲気下で行なうことができる。 この方法においては、反応終了後反応液に適当量の水
を加え有機溶媒を分離後、有機溶媒に可溶性の不純物を
有機溶媒で洗浄を繰り返すことによって除去することに
より非結晶態の化合物Ａを単離することなく結晶化プロ
セスに付すことができる。 上記の脱保護方法はベンジルオキシカルボニル（オキ
シ）、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル（オキ
シ）、ｏ−ニトロベンジルオキシカルボニル（オキシ）
等ニトロ基で任意に置換されているベンジルオキシカル
ボニル（オキシ）基の脱保護として従来より一般に使用
されている接触水素添加反応による脱保護法に比べ、使
用する溶媒量および触媒中の遷移金属量が少ないことか
らより有利な方法である。 本発明は、以下実施例及び参考例により詳細に説明す
るが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではな
い。なお、略号の意味は次のとおりである。 Ph:フェニル基 Me:メチル基 AOC:アリルオキシカルボニル基 ｔ−Bu:tert−ブチル基 TBDMS:t−ブチルジメチルシリル基 参考例１ （4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１
−ヒドロキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘ
プト−２−エン−７−オン−２−カルボキシレート（含
量67％、1.033g）を酢酸エチル20.7mlにとかし、ジメド
ン0.85gを加え、アルゴンガスを５分間吹込んでから30
℃に加温した。テトラキストリフェニルホスフィンパラ
ジウム155mgを塩化メチレン5mlにとかし、30℃で滴下後
反応混合物を窒素気流下30℃で３時間撹拌した。反応液
を撹拌しながら水10.3mlを加え、水層を分取した後、酢
酸エチル10mlで２回洗浄をくり返し、氷冷したテトラヒ
ドロフラン20mlに少しずつ注入した。30分氷冷下に撹拌
した後（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２−
ジメチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕−４−
メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシ
クロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カル
ボン酸３水和物の結晶約1mgを加え、さらにテトラヒド
ロフラン30mlを少しずつ加え、氷冷下２時間撹拌を継続
した。析出した結晶を濾取し、テトラヒドロフラン（10
ml）で洗浄し、室温で５時間減圧乾燥すると、323mgの
結晶態の（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２
−ジメチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕−４
−メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビ
シクロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボン酸３水和物が得られた。 参考例２ アニリン149mgを酢酸イソプロピル4mlにとかし20分間
還流した後、30℃まで冷却した。次いで（4R,5S,6S,8R,
2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−（１−アリルオキシ
カルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジニ
ル）チオ〕−４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチ
ル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン
−７−オン−２−カルボキシレート（102mg）を、さら
にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム46mgを
30℃で加え、混合物を窒素気流下30℃で３時間撹拌し
た。その後反応液を参考例１と同様の処理に付し、結晶
態の（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２−ジ
メチルアミノカルボニル）ピロリジニルチオ〕−４−メ
チル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシク
ロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボ
ン酸３水和物を得た。 参考例３ Ｎ−メチルアニリン129mg、酢酸イソプロピル4ml、
（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−（１
−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボ
ニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１−ヒ
ドロキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプ
ト−２−エン−７−オン−２−カルボキシレート102mg
およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム46
mgから参考例１と同様の方法によって結晶態の（4R,5S,
6S,8R,2′S,4′Ｓ）−３−〔４−（２−ジメチルアミノ
カルボニル）ピロリジニルチオ〕−４−メチル−６−
（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.
0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボン酸３水
和物を得た。 参考例４ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボニルエチル〕
−１−カルボキシメチル−２−アゼチジノン（含量92.8
％,13.15g）をアリルアルコール14.4mlにとかし、クロ
ルトリメチルシラン（10.8ml）を室温で加え、約1.5時
間撹拌した後、トルエン50mlを加え、反応混合物をその
まま減圧下濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製し、（3S,4S）−３−〔（1
R）−１−ヒドロキシエチル〕−４−〔（1R）−１−フ
ェニルチオカルボニルエチル〕−１−アリルオキシカル
ボニルメチル−２−アゼチジノン（13.4g,収率98.2％）
を得た。 NMR δ（CDCl3）:1.33（3H,d,J＝6.2Hz）、1.34（3H,d,
J＝6.9Hz）、3.16（2H,m）、3.88（1H,ABd,J＝18.1H
z）、4.17（1H,dd,J＝2.3Hzと4.3Hz）、4.23（1H,quint
et,J＝6.2Hz）、4.34（1H,ABd,J＝18.1Hz）、4.62（2H,
d,J＝5.9Hz）、5.25（1H,d,J＝10.2Hz）、5.32（1H,d,J
＝17.2Hz）、5.88（1H,m）、7.42（5H）。 参考例５ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボニルエチル〕
−１−アリルオキシカルボニルメチル−２−アゼチジノ
ン（含量90.6％,14.7g）を乾燥トルエン60mlにとかし、
氷冷下クロルトリメチルシラン（7.8g）、次にトリエチ
ルアミン（7.8g）を加え、室温で40分撹拌した。反応液
をトルエン300mlで希釈し、２％重曹水300mlで洗浄、さ
らに食塩水300mlで２回洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥
し、（3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリル
オキシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカル
ボニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−
２−アゼチジノン（含量90％,16.35g）を得た。 NMR δ（CDCl3）:0.15（9H,s）、1.29（6H,d,J＝6.9H
z）、3.08（1H,dd,J＝2.3と7.6Hz）、3.15（1H,dq,J＝
3.3と6.9Hz）、3.85（1H,ABd,J＝17.2Hz）、4.1〜4.2
（2H,m）、4.33（1H,ABd,J＝17.2Hz）、4.60（2H,d,J＝
5.6Hz）、5.2〜5.3（2H,m）、5.8〜5.92（1H,m）、7.41
（5H,m）。 実施例１ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリルオ
キシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボ
ニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−２
−アゼチジノン（含量90％,1.0g）をトルエン−テトラ
ヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒5.5mlにとかし、水
素化ナトリウム（60％油性）（200mg,5mM）、臭化ベン
ジル（410mg,2.4mM）、トリメチルシラノール（2.7m
g）、トルエン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合
溶媒8.5mlとの懸濁液に−15〜−10℃で滴下し、２時間
撹拌後次に同温度でジフェニルクロロホスフェート（59
0mg,2.2mM）のトルエン（1ml）溶液を滴下した。さらに
４時間撹拌後、〔2S,4S〕−１−アリルオキシカルボニ
ル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−メルカプトピ
ロリジン（670mg,2.6mM）のテトラヒドロフラン（1ml）
溶液を注入し、次いで1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウ
ンデン−７−エン（426mg,2.8mM）を加え、−15〜−10
℃で一夜撹拌を行った。反応混合物に0.1Mリン酸第二水
素カリウム水溶液10mlを加え分液し、水層をトルエン5m
lで２回抽出し、有機層を合わせ、0.1M pH7.0のリン酸
緩衝液、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
−炭酸カリウム（1:1）で乾燥した後、溶媒を減圧留去
した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製
し、（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１
−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビシクロ
〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボキ
シレート（0.90g）を得た。 参考例６ （4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジニル）チオ〕−４−メチル−６−（１
−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビシクロ
〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２−カルボ
キシレート（600mg,1.04mM）をテトラヒドロフラン6ml
にとかし、pH3のクエン酸緩衝液3mlを加え、室温で1.5
時間激しく撹拌し、酢酸エチル30mlで希釈し、食塩水で
洗浄後、硫酸マグネシウム−炭酸カリウム（1:1）で乾
燥し、溶媒を減圧留去して（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）
−アリル−３−〔４−（１−アリルオキシカルボニル−
２−ジメチルアミノカルボニルピロリジニル）チオ〕−
４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザ
ビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２
−カルボキシレートを得た。 NMR δ（CDCl3）:1.26（3H）、1.36（3H）、1.94（1H,
m）、2.67（1H,m）、2.97,2.99,3.06,3.11（total 6H,e
ach singlet）、3.2〜3.7（4H,m）、4.25（2H,m）、4.4
7〜4.87（5H,m）、5.15〜5.5（4H,m）、5.94（2H,m）。 参考例７ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル〕−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロ
フェニルチオカルボニルエチル〕−１−ｔ−ブトキシカ
ルボニルメチル−２−アゼチジノン1.0gを乾燥塩化メチ
レン10mlに溶かし、アニソール497mgと三フッ化ホウ素
ジエチルエーテル錯体1.04gを加え、38〜42℃で３時間
撹拌した。有機層を水、NaHCO3水で洗浄し、有機層と水
層を分離した。水層を濃塩酸でpH1に調整した後酢酸エ
チルで抽出し、芒硝乾燥、溶媒を減圧留去した。残渣に
酢酸エチル1mlを加え、50℃に保温しトルエン5mlを滴下
後30分間撹拌し、室温に戻した。析出した結晶を濾取し
乾燥することにより（3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒ
ドロキシエチル〕−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロフェ
ニルチオカルボニルエチル〕−１−（１−カルボキシメ
チル）−２−アゼチジノンを得た。 mp:81〜83℃； NMR δ（CDCl3）:1.29（3H,d）、1.31（3H,d）、3.16
（2H,m）、4.08（2H,ABq,J＝18.1Hz）、4.22（1H,dd,J
＝2.3Hzと4.3Hz）、4.27（1H,m）、7.35（1H,ABq,J＝8.
6Hz）。 参考例８ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロフェニルチオカルボニ
ルエチル〕−１−（１−カルボキシメチル）−２−アゼ
チジノン371mgをアリールアルコール0.4mlに溶かし、ト
リメチルクロロシラン0.3mlを加えて室温で１時間撹拌
した。溶媒を減圧留去後残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィーで精製することにより（3S,4S）−３−〔（1R）
−１−ヒドロキシエチル〕−４−〔（1R）−１−ｐ−ク
ロロフェニルチオカルボニルエチル〕−１−（１−アリ
ールオキシカルボニルメチル）−２−アゼチジノンを得
た。 NMR δ（CDCl3）:1.32（3H,d,J＝6.6Hz）、1.33（3H,d,
J＝6.9Hz）、2.36（1H,brs）、3.15（2H,m）、4.10（2
H,ABq,J＝18.1Hz）、4.17（1H,dd,J＝2.3Hzと4.3Hz）、
4.22（1H,m）、4.62（2H,d,J＝5.9Hz）、5.28（2H,
m）、5.87（1H,m）、7.35（4H,ABq,J＝8.6Hz）。 参考例９ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−ヒドロキシエチル〕
−４−〔（1R）−１−ｐ−クロロフェニルチオカルボニ
ルエチル〕−１−（１−アリールオキシカルボニルメチ
ル）−２−アゼチジノン305mgを乾燥トルエン1.5mlに溶
かし、クロロトリメチルシラン145mgとトリエチルアミ
ン150mgを順次加え、室温で１時間撹拌した。有機層を
２％NaHCO3水で１回、飽和食塩水で１回洗浄後芒硝乾
燥、溶媒を減圧留去することにより（3S,4S）−３−
〔（1R）−１−トリメチルシリルオキシエチル〕−４−
〔（1R）−ｐ−クロロフェニルチオカルボニルエチル〕
−１−（１−アリルオキシカルボニルメチル）−２−ア
ゼチジノンを得た。 NMR δ（CDCl3）:0.14（9H,s）、1.30（3H,d,J＝6.9H
z）、1.30（3H,d,J＝6.6Hz）、3.07（1H,m）、3.14（1
H,dq,J＝3.3と6.9Hz）、4.08（2H,ABq,J＝17.8Hz）、4.
10（1H,m）、4.16（1H,m）、4.60（2H,dt,J＝1.3と5.6H
z）、5.27（2H,m）、5.88（1H,m）、7.35（4H,ABq,J＝
8.6Hz）。 実施例２ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリルオ
キシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボ
ニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−２
−アゼチジノン（308mg）をトルエン−テトラヒドロフ
ラン（4:1）の乾燥混合溶媒2mlにとかし、水素化ナトリ
ウム（60％油性）（89.2mg,2.23mM）、臭化アリル（77.
4mg,0.64mM）、トリメチルシラール（0.864mg）、トル
エン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒（2.5
ml）との懸濁液に−15℃で滴下し、−10℃〜−15℃で２
時間撹拌後、次に同温度でジフェニルクロロホスフェー
ト（207mg,0.77mM）のトルエン（0.5ml）溶液を滴下し
た。さらに２時間撹拌後、〔2S,4S〕−１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−メ
ルカプトピロリジン（165mg,0.64mM）のTHF（1ml）溶液
を滴下し、−５〜０℃で１時間撹拌を行った。反応混合
物に0.1M−リン酸二水素カリウム水溶液5mlを加え、分
液し、水層を酢酸エチル5mlで抽出し、有機層を合わせ
食塩水で洗浄後硫酸マグネシウム−炭酸カリウム（1:
1）で乾燥し、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲル
クロマトグラフィーにて精製し（4R,5S,6S,8R,2′S,4′
Ｓ）−アリル−３−〔４−（１−アリルオキシカルボニ
ル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジニル）チ
オ〕−４−メチル−６−（１−トリメチルシリルオキシ
エチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−
エン−７−オン−２−カルボキシレートを得た。本品は
実施例１で得たものとIRスペクトルが一致した。 実施例３ （3S,4S）−３−〔（1R）−１−トリメチルシリルオ
キシエチル〕−４−〔（1R）−１−フェニルチオカルボ
ニルエチル〕−１−アリルオキシカルボニルメチル−２
−アゼチジノン（含量90％,15g）をトルエン−テトラヒ
ドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒65mlにとかし、水素
化ナトリウム（60％油性）（4.2g,105mM）、臭化アリル
（4.0g、33mM）、トリメチルシラノール（28ml）、トル
エン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶媒115ml
との懸濁液に−15〜−10℃で滴下し、３時間撹拌後次に
同温度でジフェニルクロロホスフェート（9.67g,36mM）
のトルエン−テトラヒドロフラン（4:1）の乾燥混合溶
媒（15ml）との溶液を−15〜−10℃で滴下し、同温度で
４時間撹拌後、0.1Mリン酸バッファー（pH7.0）を数滴
加えて反応を停止した。同じリン酸バッファー150mlを
加え、酢酸エチル150mlで抽出した。水層部を再度酢酸
エチル100mlで抽出し、先の有機層と合わせ、次いで飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム−炭酸カリウム
（1:1）で乾燥した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーに付しトルエン−酢
酸エチル（95:5〜90:10）で溶出するフラクションを集
め、濃縮することにより（4R,5R,6S,8R）−アリル−３
−（ジフェニルホスホリルオキシ）−４−メチル−６−
（１−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビシ
クロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボキシレートを得た。 NMR δ（CDCl3）:0.11（9H,s）、1.19（3H,d,J＝7.3H
z）1.25（3H,d,J＝6.3Hz）、3.24（1H,dd,J＝3.0および
6.6Hz）、3.46（1H,m）、4.11（1H,dd,J＝3.0および10.
6Hz）、4.18（1H,m）、4.66（2H,d,J＝5.61Hz）、5.20
（1H,d,J＝10.6Hz）、5.37（1H,d,J＝17.2Hz）、5.86
（1H,m）、7.21〜7.41（10H,m）。 参考例10 （4R,5R,6S,8R）−アリル−３−（ジフェニルホスホ
リルオキシ）−４−メチル−６−（１−トリメチルシリ
ルオキシエチル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕ヘプト
−２−エン−７−オン−２−カルボキシレート290mgを
乾燥アセトニトリル1.5mlに溶解し、次いで〔2S,4S〕−
１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカル
ボニル−４−メルカプトピロリジン142mgを加え、混合
物を−15℃まで冷却後、ジイソプロピルエチルアミン7
7.5mgの乾燥アセトニトリル溶液（約0.2ml）を滴下し、
−15〜−10℃で５時間撹拌後反応混合物に0.1M−リン酸
二水素カリウム水溶液10ml及び酢酸エチル10mlを加え、
分液後有機層を再び0.1M−リン酸二水素カリウム水溶液
10mlで洗浄し、水層部がpH4〜５であることを確認した
後、有機層をそのまま室温で５〜15時間撹拌した。薄層
クロマトグラフィー〔ベンゼン−酢酸エチル（1:1）〕
でトリメチルシリル基が除去されたことを確認した後飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム−炭酸カリウム
（1:1）で乾燥した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシ
リカゲルクロマトグラフィーにて精製し、（4R,5S,6S,8
R,2′S,4′Ｓ）−アリル−３−〔４−（１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジ
ニル）チオ〕−４−メチル−６−（１−ヒドロキシエチ
ル）−１−アザビシクロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン
−７−オン−２−カルボキシレートを得た。 本品は参考例６で得られた化合物とUV、IRおよびNMR
が一致した。 実施例４ 参考例10で述べた方法で（4R,5R,6S,8R）−アリル−
３−（ジフェニルホスホリルオキシ）−４−メチル−６
−（１−トリメチルシリルオキシエチル）−１−アザビ
シクロ〔3.2.0〕ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボキシレートを調製し、カラムクロマトグラフィーに
よる精製を行うことなく粗製物のまま参考例10で述べた
反応に付すことにより（4R,5S,6S,8R,2′S,4′Ｓ）−ア
リル−３−〔４−（１−アリルオキシカルボニル−２−
ジメチルアミノカルボニルピロリジニル）チオ〕−４−
メチル−６−（１−ヒドロキシエチル）−１−アザビシ
クロ〔3.2.0〕−ヘプト−２−エン−７−オン−２−カ
ルボキシレートを得ることができた。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 五十部 穣
大阪府茨木市蔵垣内１丁目３番45号 住
友製薬株式会社内
(72)発明者 野口 哲男
大阪府茨木市蔵垣内１丁目３番45号 住
友製薬株式会社内
(72)発明者 尾崎 行雄
大阪府茨木市蔵垣内１丁目３番45号 住
友製薬株式会社内
(56)参考文献 特開 昭60−104088（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−103084（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．一般式（Ｖ） 〔式中、Ｘは水酸基または保護された水酸基を示し、Ｌ
は水酸基の活性エステル基を示し、R2は配位ホスフィン
配位子を有する有機可溶性パラジウム錯体によって除去
可能である置換されてもよい（C3〜C7）低級アルケニル
基を示す。〕で表わされるβ−ラクタム化合物。 ２．R2がアリル基である特許請求の範囲第１項に記載の
化合物。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-179321 | 1986-07-30 | ||
| JP17932186 | 1986-07-30 | ||
| JP15776987 | 1987-06-26 | ||
| JP62-157769 | 1987-06-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6434986A JPS6434986A (en) | 1989-02-06 |
| JP2665767B2 true JP2665767B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=26485103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117078A Expired - Lifetime JP2665767B2 (ja) | 1986-07-30 | 1988-05-16 | β―ラクタム化合物 |
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