JP2629356B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JP2629356B2 JP2629356B2 JP1149931A JP14993189A JP2629356B2 JP 2629356 B2 JP2629356 B2 JP 2629356B2 JP 1149931 A JP1149931 A JP 1149931A JP 14993189 A JP14993189 A JP 14993189A JP 2629356 B2 JP2629356 B2 JP 2629356B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本明は、紫外線、遠紫外線（エキシマーレーザーなど
を含む）、電子線、Ｘ線等の放射線に感応するポジ型レ
ジスト組成物に関するものである。
を含む）、電子線、Ｘ線等の放射線に感応するポジ型レ
ジスト組成物に関するものである。
〈従来の技術〉 キノンジアジド基を有する化合物とアルカリ可溶性樹
脂を含有する組成物は、紫外線などの放射線が照射され
ると、キノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生
ずることにより、アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶
性になることを利用して、ポジ型レジストとして用いら
れている。このポジ型レジストは、ネガ型レジストに比
べ、解像力が著しく優れているという特長を有し、ICや
LSIなどの集積回路の製作に利用されている。
脂を含有する組成物は、紫外線などの放射線が照射され
ると、キノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生
ずることにより、アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶
性になることを利用して、ポジ型レジストとして用いら
れている。このポジ型レジストは、ネガ型レジストに比
べ、解像力が著しく優れているという特長を有し、ICや
LSIなどの集積回路の製作に利用されている。
〈発明が解決しようとする課題〉 近年集積回路については、高集積化に伴う微細化が進
み、今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに至
っている。その結果、ポジ型レジストについてもより優
れた解像度（高いγ値）が求められるようになった。
み、今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに至
っている。その結果、ポジ型レジストについてもより優
れた解像度（高いγ値）が求められるようになった。
しかるに、キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性樹
脂を含有するレジスト組成物において、従来からある材
料の組合せではγ値の向上に限界があった。例えば、γ
値を向上させるためには、キノンジアジド化合物の量を
増やすことが考えられる。ところが、キノンジアジド化
合物の量を増やすことは、感度の低下や現像残渣の増加
といった重大な欠点につながる。したがって、従来の技
術によるγ値の向上には制限があった。
脂を含有するレジスト組成物において、従来からある材
料の組合せではγ値の向上に限界があった。例えば、γ
値を向上させるためには、キノンジアジド化合物の量を
増やすことが考えられる。ところが、キノンジアジド化
合物の量を増やすことは、感度の低下や現像残渣の増加
といった重大な欠点につながる。したがって、従来の技
術によるγ値の向上には制限があった。
本発明の目的は、γ値の高いポジ型レジスト組成物を
提供することにある。
提供することにある。
本発明者らは、特定の構造を有するフェノール化合物
のキノンジアジドスルホン酸エステルを用いれば、著し
くγ値が向上することを見出し、本発明を完成した。
のキノンジアジドスルホン酸エステルを用いれば、著し
くγ値が向上することを見出し、本発明を完成した。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、アルカリ可溶性樹脂ならびに、下記一般式
（Ｉ） 〔式中、Y1およびY2は各々、水素原子、アルキル基また
は−OH基であるが、Y1およびY2のうち少なくとも一つは
−OH基であり、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7は各
々、水素原子、−OH基、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基またはハロゲン原子であるが、Z1、Z2、
Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7のうち少なくとも二つは−OH基
であり、R1、R2およびR3は各々、水素原子、アルキル
基、アルケニル基、シクロアルキル基またはアリール基
である〕 で表されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルの１種または２以上を含有するポジ型レジス
ト組成物を提供するものである。
（Ｉ） 〔式中、Y1およびY2は各々、水素原子、アルキル基また
は−OH基であるが、Y1およびY2のうち少なくとも一つは
−OH基であり、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7は各
々、水素原子、−OH基、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基またはハロゲン原子であるが、Z1、Z2、
Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7のうち少なくとも二つは−OH基
であり、R1、R2およびR3は各々、水素原子、アルキル
基、アルケニル基、シクロアルキル基またはアリール基
である〕 で表されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルの１種または２以上を含有するポジ型レジス
ト組成物を提供するものである。
一般式（Ｉ）において、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およ
びZ7の位置にある−OH基の数が等しい化合物の中では、
Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7の残りが水素原子であ
るものが好ましい。例えば、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6お
よびZ7のうちの二つが−OH基である化合物の中では、他
の五つがすべて水素原子であるものが好ましい。Z1、
Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7のうちの二つのみが−OH基
であるものは、レジストのγ値を特に高くするので、好
ましく用いられる。また、Z1、Z2、Z3およびZ4のうち少
なくとも一つが−OH基であり、かつZ5、Z6およびZ7のう
ち少なくとも一つが−OH基であるものは、レジストの残
膜率を高くするので、好ましく用いられる。中でも、
Y2、Z2およびZ6がそれぞれ−OH基であるフェノール化合
物は好適である。
びZ7の位置にある−OH基の数が等しい化合物の中では、
Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7の残りが水素原子であ
るものが好ましい。例えば、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6お
よびZ7のうちの二つが−OH基である化合物の中では、他
の五つがすべて水素原子であるものが好ましい。Z1、
Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7のうちの二つのみが−OH基
であるものは、レジストのγ値を特に高くするので、好
ましく用いられる。また、Z1、Z2、Z3およびZ4のうち少
なくとも一つが−OH基であり、かつZ5、Z6およびZ7のう
ち少なくとも一つが−OH基であるものは、レジストの残
膜率を高くするので、好ましく用いられる。中でも、
Y2、Z2およびZ6がそれぞれ−OH基であるフェノール化合
物は好適である。
上記一般式（Ｉ）におけるR1、R2およびR3としては、
炭素数１〜４のアルキル基、さらにはメチルまたはエチ
ルが好適である。
炭素数１〜４のアルキル基、さらにはメチルまたはエチ
ルが好適である。
一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物として具体
的には、次のようなものが例示される。
的には、次のようなものが例示される。
これらのフェノール化合物は、例えば、酸触媒（塩
酸、硫酸、スルホン酸をもつイオン交換樹脂など）の存
在下、ポリヒドロキシフェノール類とケトン類とを、20
〜80℃で縮合させることにより製造できる。
酸、硫酸、スルホン酸をもつイオン交換樹脂など）の存
在下、ポリヒドロキシフェノール類とケトン類とを、20
〜80℃で縮合させることにより製造できる。
一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物のキノンジ
アジドスルホン酸エステル化は、公知のエステル化反応
に準じて行うことができる。例えば、ナフトキノンジア
ジドスルホン酸ハロゲン化物やベンゾキノンジアジドス
ルホン酸ハロゲン化物と上記のフェノール化合物とを、
炭酸ソーダやトリエチルアミン等のアルカリの存在下で
縮合させることにより、キノンジアジドスルホン酸エス
テルが得られる。
アジドスルホン酸エステル化は、公知のエステル化反応
に準じて行うことができる。例えば、ナフトキノンジア
ジドスルホン酸ハロゲン化物やベンゾキノンジアジドス
ルホン酸ハロゲン化物と上記のフェノール化合物とを、
炭酸ソーダやトリエチルアミン等のアルカリの存在下で
縮合させることにより、キノンジアジドスルホン酸エス
テルが得られる。
本発明において、一般式（Ｉ）で表されるフェノール
化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルは、１種類
を用いてもよいし、上記の定義に入るもの２種類以上を
用いてもよい。
化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルは、１種類
を用いてもよいし、上記の定義に入るもの２種類以上を
用いてもよい。
本発明の組成物には、本発明の効果を損なわないかぎ
り、他の多価フェノール化合物のキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを加えてもよい。エステル化される他の多
価フェノール化合物としては、ハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
3′,4−テトラヒドロキシベンゾフェノンや2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,4,4′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン等のテトラヒドロキシベン
ゾフェノン類、2,2′,3,3′,4−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノンや2,3,3′,4,5′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン等のペンタヒドロキシベンゾフェノン類、没食
子酸アルキルエステル、2,2−ビス（2,4−ジヒドロキシ
フェニル）プロパン等のビス（ポリヒドロキシフェニ
ル）アルカン類、２−（３−ヒドロキシフェニル）−２
−２（2,5−ジヒドロキシフェニル）プロパン等の２−
（ヒドロキシフェニル）−２−（ポリヒドロキシフェニ
ル）アルカン類などが例示される。
り、他の多価フェノール化合物のキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを加えてもよい。エステル化される他の多
価フェノール化合物としては、ハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
3′,4−テトラヒドロキシベンゾフェノンや2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,4,4′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン等のテトラヒドロキシベン
ゾフェノン類、2,2′,3,3′,4−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノンや2,3,3′,4,5′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン等のペンタヒドロキシベンゾフェノン類、没食
子酸アルキルエステル、2,2−ビス（2,4−ジヒドロキシ
フェニル）プロパン等のビス（ポリヒドロキシフェニ
ル）アルカン類、２−（３−ヒドロキシフェニル）−２
−２（2,5−ジヒドロキシフェニル）プロパン等の２−
（ヒドロキシフェニル）−２−（ポリヒドロキシフェニ
ル）アルカン類などが例示される。
本発明のレジスト組成物におけるアルカリ可溶性樹脂
としては、ノボラック樹脂が好適に用いられる。ノボラ
ック樹脂は、フェノール類とホルムアルデヒドとの付加
縮合反応により得ることができる。ノボラック樹脂の製
造に用いられるフェノール類の具体例としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
トリメチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフ
ェノール、ジヒドロキシベンゼン、ナフトール類などを
挙げることができる。これらのフェノール類は、それぞ
れ単独で、または２種類以上混合して使用することがで
きる。フェノール類と付加縮合反応させるホルムアルデ
ヒドとしては、ホルムアルデヒド水溶液（ホルマリン）
やパラホルムアルデヒドなどが用いられる。特に37重量
％濃度のホルマリンは工業的に量産されており、好都合
である。
としては、ノボラック樹脂が好適に用いられる。ノボラ
ック樹脂は、フェノール類とホルムアルデヒドとの付加
縮合反応により得ることができる。ノボラック樹脂の製
造に用いられるフェノール類の具体例としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
トリメチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフ
ェノール、ジヒドロキシベンゼン、ナフトール類などを
挙げることができる。これらのフェノール類は、それぞ
れ単独で、または２種類以上混合して使用することがで
きる。フェノール類と付加縮合反応させるホルムアルデ
ヒドとしては、ホルムアルデヒド水溶液（ホルマリン）
やパラホルムアルデヒドなどが用いられる。特に37重量
％濃度のホルマリンは工業的に量産されており、好都合
である。
フェノール類とホルムアルデヒドとの付加縮合反応
は、常法に従って行うことができる。反応は、通常60〜
120℃で２〜30時間行われる。この反応は酸触媒の存在
下で行われ、触媒としては、有機酸、無機酸、二価金属
塩などが用いられる。触媒の具体例としては、蓚酸、塩
酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリク
ロロ酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム
などが挙げられる。この反応は、バルクで行っても、適
当な溶媒中で行ってもよい。
は、常法に従って行うことができる。反応は、通常60〜
120℃で２〜30時間行われる。この反応は酸触媒の存在
下で行われ、触媒としては、有機酸、無機酸、二価金属
塩などが用いられる。触媒の具体例としては、蓚酸、塩
酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリク
ロロ酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム
などが挙げられる。この反応は、バルクで行っても、適
当な溶媒中で行ってもよい。
本発明において、キノンジアジドスルホン酸エステル
成分の量は、レジスト組成物の全固形分中に占める割合
が10〜50重量％の範囲になるようにするのが好ましい。
またアルカリ可溶性樹脂は、全固形分中の30重量％以上
であるのが好ましい。
成分の量は、レジスト組成物の全固形分中に占める割合
が10〜50重量％の範囲になるようにするのが好ましい。
またアルカリ可溶性樹脂は、全固形分中の30重量％以上
であるのが好ましい。
レジスト液の調製は、キノンジアジドスルホン酸エス
テルとアルカリ可溶性樹脂を、溶剤に混合溶解すること
により行われる。ここで用いる溶剤は、適当な乾燥速度
を有し、溶剤が蒸発して均一て平滑な塗膜を与えるもの
がよい。このような溶剤としては、エチルセロソルブア
セテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチ
ルケトン、キシレンなどが挙げられる。
テルとアルカリ可溶性樹脂を、溶剤に混合溶解すること
により行われる。ここで用いる溶剤は、適当な乾燥速度
を有し、溶剤が蒸発して均一て平滑な塗膜を与えるもの
がよい。このような溶剤としては、エチルセロソルブア
セテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソブチ
ルケトン、キシレンなどが挙げられる。
このようにして得られるレジスト組成物は、さらに必
要に応じて、付加物として少量の樹脂や染料などが添加
されてもよい。
要に応じて、付加物として少量の樹脂や染料などが添加
されてもよい。
〈発明の効果〉 本発明のポジ型レジスト組成物は、基板上に塗布し、
放射線照射、現像することにより、高いγ値を与える。
そして、現像残渣の増加などの問題点もない。
放射線照射、現像することにより、高いγ値を与える。
そして、現像残渣の増加などの問題点もない。
〈実施例〉 次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定され
るものではない。例中にある％および部は、特にことわ
らないかぎり重量基準である。
るが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定され
るものではない。例中にある％および部は、特にことわ
らないかぎり重量基準である。
合成例１ 20％塩酸100gに４−クロロレゾルシン14.5gを加え、
撹拌下、50〜60℃に昇温して均一溶液にした。そこへ、
アセトン3.8gを15分かけて滴下し、さらに20時間撹拌し
た。反応中、温度は50〜60℃に保った。
撹拌下、50〜60℃に昇温して均一溶液にした。そこへ、
アセトン3.8gを15分かけて滴下し、さらに20時間撹拌し
た。反応中、温度は50〜60℃に保った。
反応終了後、室温まで冷却し、デカンテーションを行
った。次に、水200gを加えて洗浄し、１時間撹拌した。
その後、再び室温でデカンテーションを行った。得られ
たオイル状物質に酢酸エチル50gを加えて抽出を行い、
酢酸エチル層を水50gで２回洗浄した。これを濃縮して
得られたオイル状物質7.5gに、トルエン15gとヘキサン5
gを加え、氷冷して再結晶を行った。濾過、乾燥後に得
られた結晶は3.5gであり、これが下式（１）の構造を有
する化合物であることはマススペクトルにより確認し
た。
った。次に、水200gを加えて洗浄し、１時間撹拌した。
その後、再び室温でデカンテーションを行った。得られ
たオイル状物質に酢酸エチル50gを加えて抽出を行い、
酢酸エチル層を水50gで２回洗浄した。これを濃縮して
得られたオイル状物質7.5gに、トルエン15gとヘキサン5
gを加え、氷冷して再結晶を行った。濾過、乾燥後に得
られた結晶は3.5gであり、これが下式（１）の構造を有
する化合物であることはマススペクトルにより確認し
た。
マススペクトル:m/e 368（M+） 合成例２ 40％硫酸150gに1,2,4−トリヒドロキシベンゼン15.7g
を加え、20〜30℃で撹拌して均一溶液にした。そこへ、
アセトン2.5gを10分かけて滴下し、さらに14時間撹拌し
た。
を加え、20〜30℃で撹拌して均一溶液にした。そこへ、
アセトン2.5gを10分かけて滴下し、さらに14時間撹拌し
た。
反応終了後、濾過を行った。得られた塊に水500gを加
えて70℃まで昇温し、洗浄した。この洗浄操作を３回繰
り返したあとに、ウェットケーキ5gが得られた。これに
酢酸エチル15gを加えて洗浄し、この洗浄操作を３回繰
り返した後乾燥させて、3.5gの結晶を得た。これが下式
（２）の構造を有する化合物であることを、マススペク
トルにより確認した。
えて70℃まで昇温し、洗浄した。この洗浄操作を３回繰
り返したあとに、ウェットケーキ5gが得られた。これに
酢酸エチル15gを加えて洗浄し、この洗浄操作を３回繰
り返した後乾燥させて、3.5gの結晶を得た。これが下式
（２）の構造を有する化合物であることを、マススペク
トルにより確認した。
マススペクトル:m/e 332（M+） 参考例１ 内容積300mlの三つ口フラスコに、特開昭55−139375
号公報の実施例１に記載の反応を行うことにより得られ
た下式（３） で表される化合物を6.00g、ナフトキノン−（1,2）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリドを13.98g（反
応モル比1:2.6）、およびジオキサンを200g仕込んだの
ち、撹拌して完溶させた。その後、撹拌しながらフラス
コを水浴に浸して、反応温度を20〜30℃にコントロール
し、滴下ロートを用いてトリエチルアミン5.97gを30分
間で滴下した。さらに、反応温度を20〜25℃に保ちなが
ら４時間撹拌を続けた。反応後、反応混合物をイオン交
換水にチャージし、濾過、乾燥することにより、感放射
線成分Ａを得た。
号公報の実施例１に記載の反応を行うことにより得られ
た下式（３） で表される化合物を6.00g、ナフトキノン−（1,2）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリドを13.98g（反
応モル比1:2.6）、およびジオキサンを200g仕込んだの
ち、撹拌して完溶させた。その後、撹拌しながらフラス
コを水浴に浸して、反応温度を20〜30℃にコントロール
し、滴下ロートを用いてトリエチルアミン5.97gを30分
間で滴下した。さらに、反応温度を20〜25℃に保ちなが
ら４時間撹拌を続けた。反応後、反応混合物をイオン交
換水にチャージし、濾過、乾燥することにより、感放射
線成分Ａを得た。
参考例２ 式（３）の化合物に代えて、合成例１で得られた式
（１）の化合物を用いた以外は、参考例１と同様に操作
して、感放射性成分Ｂを得た。
（１）の化合物を用いた以外は、参考例１と同様に操作
して、感放射性成分Ｂを得た。
参考例３ 式（３）を化合物に代えて、合成例２で得られた式
（２）の化合物を用い、それとナフトキノン−（1,2）
−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドとの反応
モル比を1:4とした以外は、参考例１と同様に操作し
て、感放射性成分Ｃを得た。
（２）の化合物を用い、それとナフトキノン−（1,2）
−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドとの反応
モル比を1:4とした以外は、参考例１と同様に操作し
て、感放射性成分Ｃを得た。
参考例４〜５ 式（３）の化合物に代えて、2,2′,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノンまたは2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノンをそれぞれ同じ反応モル比で用いた以外は、参
考例１と同様に操作して、感放射線性成分を得た。これ
らの感放射性成分をそれぞれＤおよびＥとする。
シベンゾフェノンまたは2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノンをそれぞれ同じ反応モル比で用いた以外は、参
考例１と同様に操作して、感放射線性成分を得た。これ
らの感放射性成分をそれぞれＤおよびＥとする。
実施例および比較例 参考例１〜５で得られたそれぞれの感放射線性成分
を、、ノボラック樹脂とともに表−１に示す組成でエチ
ルセロソルブアセテート48部に溶かし、さらに孔径0.2
μｍのテフロン製フィルターで濾過して、レジスト液を
調製した。これを、常法により洗浄したシリコンウェハ
ーに、回転塗布機を用いて1.3μｍ厚に塗布した。次
に、このシリコンウェハーを100℃のホットプレートで6
0秒間ベークした。こうしてレジスト膜が形成されたウ
ェハーに、436mm（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影
露光機（GCA社製、DSW4800、NA＝0.28）を用いて、露光
量を段階的に変化させてパターニング露光した。これ
を、住友化学工業（株）製の現像液SOPDで１分間現像す
ることにより、ポジ型パターンを得た。
を、、ノボラック樹脂とともに表−１に示す組成でエチ
ルセロソルブアセテート48部に溶かし、さらに孔径0.2
μｍのテフロン製フィルターで濾過して、レジスト液を
調製した。これを、常法により洗浄したシリコンウェハ
ーに、回転塗布機を用いて1.3μｍ厚に塗布した。次
に、このシリコンウェハーを100℃のホットプレートで6
0秒間ベークした。こうしてレジスト膜が形成されたウ
ェハーに、436mm（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影
露光機（GCA社製、DSW4800、NA＝0.28）を用いて、露光
量を段階的に変化させてパターニング露光した。これ
を、住友化学工業（株）製の現像液SOPDで１分間現像す
ることにより、ポジ型パターンを得た。
各々のレジスト液から得られたパターンにつき、露光
量の対数に対する規格化膜厚（＝残膜厚／初期膜厚）を
プロットし、その傾きθを求め、tanθwoγ値とした。
結果を表−１に示す。
量の対数に対する規格化膜厚（＝残膜厚／初期膜厚）を
プロットし、その傾きθを求め、tanθwoγ値とした。
結果を表−１に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花畑 誠 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 花元 幸夫 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 大井 册雄 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−97278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−139375（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−51470（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289947（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂ならびに、下記一般式
（Ｉ） 〔式中、Y1およびY2は各々、水素原子、アルキル基また
は−OH基であるが、Y1およびY2のうち少なくとも一つは
−OH基であり、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7は各
々、水素原子、−OH基、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基またはハロゲン原子であるが、Z1、Z2、
Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7うち少なくとも二つは−OH基で
あり、R1、R2およびR3は各々、水素原子、アルキル基、
アルケニル基、シクロアルキル基またはアリール基であ
る〕 で表されるフェノール化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルの１種または２種以上を含有するポジ型レジ
スト組成物。 - 【請求項２】Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6およびZ7のうち二
つが−OH基である請求項１記載のポジ型レジスト組成
物。 - 【請求項３】Z1、Z2、Z3およびZ4のうち少なくとも一つ
が−OH基であり、かつZ5、Z6およびZ7のうち少なくとも
一つが−OH基である請求項１記載のポジ型レジスト組成
物。 - 【請求項４】Y2、Z2およびZ6がそれぞれ−OH基である請
求項１記載のポジ型レジスト組成物。
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