JPH0534917A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JPH0534917A JPH0534917A JP21980491A JP21980491A JPH0534917A JP H0534917 A JPH0534917 A JP H0534917A JP 21980491 A JP21980491 A JP 21980491A JP 21980491 A JP21980491 A JP 21980491A JP H0534917 A JPH0534917 A JP H0534917A
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- Japan
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- phenol compound
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度及び焦点深度に優れたレジスト組成物を
提供する。 【構成】 ノボラック樹脂、４価以上のフェノール化合
物のキノンジアジドスルホン酸エステルおよび３価以下
のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステ
ルを含有するポジ型レジスト組成物。
提供する。 【構成】 ノボラック樹脂、４価以上のフェノール化合
物のキノンジアジドスルホン酸エステルおよび３価以下
のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステ
ルを含有するポジ型レジスト組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感度及び焦点深度に優
れたレジスト組成物に関するものである。
れたレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】キノンジアジド基を有する化合物とノボ
ラック樹脂からなる組成物は、３００〜５００ｎｍの光
照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキシル基
を生ずることにより、アルカリ不溶の状態からアルカリ
可溶性になることを利用してポジ型レジストとして用い
られる。このポジ型レジストはネガ型レジストに比べ解
像力が著しく優れているという特長を有し、ＩＣやＬＳ
Ｉなどの集積回路の製作に利用されている。
ラック樹脂からなる組成物は、３００〜５００ｎｍの光
照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキシル基
を生ずることにより、アルカリ不溶の状態からアルカリ
可溶性になることを利用してポジ型レジストとして用い
られる。このポジ型レジストはネガ型レジストに比べ解
像力が著しく優れているという特長を有し、ＩＣやＬＳ
Ｉなどの集積回路の製作に利用されている。
【０００３】近年集積回路については高集積化に伴う微
細化が進み、今やサブミクロンのパターン形成が要求さ
れるに至っている。そのため、露光装置としてステップ
アンドリピート方式の縮小投影露光機（ステッパー）が
用いられている。ところが、ステッパーの縮小投影レン
ズのＮＡ（開口数）を大きくすれば、解像力が増すが焦
点深度が狭くなる、また、ステップアンドリピート方式
の為一括露光方式に比べて、スループットが落ちるとい
った問題が生じるのである。その結果、ポジ型レジスト
についてもより優れた焦点深度と感度が求められるよう
になった。
細化が進み、今やサブミクロンのパターン形成が要求さ
れるに至っている。そのため、露光装置としてステップ
アンドリピート方式の縮小投影露光機（ステッパー）が
用いられている。ところが、ステッパーの縮小投影レン
ズのＮＡ（開口数）を大きくすれば、解像力が増すが焦
点深度が狭くなる、また、ステップアンドリピート方式
の為一括露光方式に比べて、スループットが落ちるとい
った問題が生じるのである。その結果、ポジ型レジスト
についてもより優れた焦点深度と感度が求められるよう
になった。
【０００４】しかし、キノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂からなるレジスト材料において、従来からある材
料では、焦点深度及び感度の向上には限界があった。例
えば、焦点深度を向上させるにはキノンジアジド化合物
の量を増やすことが考えられる。ところが、キノンジア
ジド化合物の量を増やすと、感度の低下や現像残渣の増
加といった重大な欠点が生じる。従って、焦点深度と感
度の向上には制限があった。
ク樹脂からなるレジスト材料において、従来からある材
料では、焦点深度及び感度の向上には限界があった。例
えば、焦点深度を向上させるにはキノンジアジド化合物
の量を増やすことが考えられる。ところが、キノンジア
ジド化合物の量を増やすと、感度の低下や現像残渣の増
加といった重大な欠点が生じる。従って、焦点深度と感
度の向上には制限があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、焦点
深度及び感度の高いポジ型レジスト組成物を提供しよう
とするものである。
深度及び感度の高いポジ型レジスト組成物を提供しよう
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明者は、特
定のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを組合せることにより、焦点深度と感度をともに向
上させることができることを見出し、本発明を完成し
た。本発明は、ノボラック樹脂、４価以上のフェノール
化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルおよび３価
以下のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エ
ステルを含有するポジ型レジスト組成物である。
定のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを組合せることにより、焦点深度と感度をともに向
上させることができることを見出し、本発明を完成し
た。本発明は、ノボラック樹脂、４価以上のフェノール
化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルおよび３価
以下のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エ
ステルを含有するポジ型レジスト組成物である。
【０００７】３価以下のフェノール化合物としては、下
記一般式（Ｉ）で表わされる化合物が好ましい。
記一般式（Ｉ）で表わされる化合物が好ましい。
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立に、水素
原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又
はアリール基である。但し、Ｒ1 、Ｒ2 のどちらか一方
はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はア
リール基である。)
原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又
はアリール基である。但し、Ｒ1 、Ｒ2 のどちらか一方
はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はア
リール基である。)
【００１０】上記一般式のＲ1 〜Ｒ5 で示されるアルキ
ル基としては、直鎖又は分岐していてもよい炭素数１〜
５のもの、更には１〜３のものが好ましい。Ｒ1 〜Ｒ5
で示されるアリール基としては、置換していてもよいフ
ェニル基、ナフチル基が好ましい。
ル基としては、直鎖又は分岐していてもよい炭素数１〜
５のもの、更には１〜３のものが好ましい。Ｒ1 〜Ｒ5
で示されるアリール基としては、置換していてもよいフ
ェニル基、ナフチル基が好ましい。
【００１１】上記一般式で表わされるフェノール化合物
としては、
としては、
【００１２】
【化３】
【００１３】等が例示される。
【００１４】上記一般式で表される化合物は酸触媒の存
在下、レゾルシンとケトン類を縮合させることにより得
られる。酸触媒としては、塩酸、硫酸、リン酸、ｐ−ト
ルエンスルホン酸、イオン交換樹脂（-SO3H をもつも
の）等があげられる。ケトン類としては、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルシ
クロヘキシルケトン、アセトフェノン等があげられる。
在下、レゾルシンとケトン類を縮合させることにより得
られる。酸触媒としては、塩酸、硫酸、リン酸、ｐ−ト
ルエンスルホン酸、イオン交換樹脂（-SO3H をもつも
の）等があげられる。ケトン類としては、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルシ
クロヘキシルケトン、アセトフェノン等があげられる。
【００１５】４価以上のフェノール化合物としては、
２，３，３′，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４, ４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２′，５，５′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３′，４′，５−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３′，５，５′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンなどのテトラヒドロキシベンゾフェノン類、
２，２′，３，４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２′，３，４，５′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２′，３，３′，４−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，３，３′，４，５′−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのペンタヒドロキシベンゾ
フェノン類、２，３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，３′，４，
５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン類等が例示される。
２，３，３′，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４, ４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２′，５，５′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３′，４′，５−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３′，５，５′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンなどのテトラヒドロキシベンゾフェノン類、
２，２′，３，４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，２′，３，４，５′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、２，２′，３，３′，４−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、２，３，３′，４，５′−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのペンタヒドロキシベンゾ
フェノン類、２，３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，３′，４，
５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン類等が例示される。
【００１６】上記のフェノール化合物のキノンジアジド
スルホン酸エステルの製造法としては公知の方法が用い
られる。例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ハロゲ
ン化物や、ベンゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化
物と上記のフェノール化合物を、炭酸ソーダ等の弱アル
カリの存在下で縮合することにより得られる。
スルホン酸エステルの製造法としては公知の方法が用い
られる。例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ハロゲ
ン化物や、ベンゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化
物と上記のフェノール化合物を、炭酸ソーダ等の弱アル
カリの存在下で縮合することにより得られる。
【００１７】４価以上のフェノール化合物のエステル化
率が８０％以上であり、かつ３価以下のフェノール化合
物のエステル化率が６０％以上であるもの、更には、該
エステル化率を有する３価以下のフェノール化合物が一
般式（Ｉ）で表わされる化合物であるものが好ましい。
ここでいうエステル化率とは、仕込んだフェノール化合
物の全−ＯＨ基のモル数に対するキノンジアジドスルホ
ン酸ハロゲン化物のモル数の比率をいう。
率が８０％以上であり、かつ３価以下のフェノール化合
物のエステル化率が６０％以上であるもの、更には、該
エステル化率を有する３価以下のフェノール化合物が一
般式（Ｉ）で表わされる化合物であるものが好ましい。
ここでいうエステル化率とは、仕込んだフェノール化合
物の全−ＯＨ基のモル数に対するキノンジアジドスルホ
ン酸ハロゲン化物のモル数の比率をいう。
【００１８】４価以上のフェノール化合物のキノンジア
ジドスルホン酸エステルと、３価以下のフェノール化合
物のキノンジアジドスルホン酸エステルの配合重量比率
は、１：３〜４：１望ましくは、１：２〜３：１が好ま
しい。
ジドスルホン酸エステルと、３価以下のフェノール化合
物のキノンジアジドスルホン酸エステルの配合重量比率
は、１：３〜４：１望ましくは、１：２〜３：１が好ま
しい。
【００１９】本発明に用いられるノボラック樹脂は、フ
ェノール類とアルデヒド類を付加縮合反応して得られる
ものである。ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノ
ール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、エチルフェノール、トリメチルフェノール、プロピ
ルフェノール、ブチルフェノール、ジヒドロキシベンゼ
ン、ナフトール類等を挙げることができる。これらフェ
ノール類は単独で、又は混合して使用することができ
る。フェノール類と付加縮合反応させるアルデヒド類と
してはホルムアルデヒド水溶液（ホルマリン）やパラホ
ルムアルデヒドが用いられる。特に３７％のホルマリン
は工業的に量産されており好都合である。
ェノール類とアルデヒド類を付加縮合反応して得られる
ものである。ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノ
ール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、エチルフェノール、トリメチルフェノール、プロピ
ルフェノール、ブチルフェノール、ジヒドロキシベンゼ
ン、ナフトール類等を挙げることができる。これらフェ
ノール類は単独で、又は混合して使用することができ
る。フェノール類と付加縮合反応させるアルデヒド類と
してはホルムアルデヒド水溶液（ホルマリン）やパラホ
ルムアルデヒドが用いられる。特に３７％のホルマリン
は工業的に量産されており好都合である。
【００２０】フェノール類とアルデヒド類との付加縮合
反応は常法に従って行われる。反応は通常６０〜１２０
℃、２〜３０時間で行なわれる。触媒としては有機酸或
いは無機酸や二価金属塩等が用いられる。具体例として
蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マ
グネシウム等があげられる。また反応はバルクで行なっ
ても適当な溶剤を用いてもよい。
反応は常法に従って行われる。反応は通常６０〜１２０
℃、２〜３０時間で行なわれる。触媒としては有機酸或
いは無機酸や二価金属塩等が用いられる。具体例として
蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マ
グネシウム等があげられる。また反応はバルクで行なっ
ても適当な溶剤を用いてもよい。
【００２１】本発明においてキノンジアジドスルホン酸
エステル成分の添加量は、レジスト組成物中の全固型分
中に占める割合が１５〜５０重量％の範囲であることが
好ましい。又ノボラック樹脂は全固型分中の５０重量％
以上であることが好ましい。
エステル成分の添加量は、レジスト組成物中の全固型分
中に占める割合が１５〜５０重量％の範囲であることが
好ましい。又ノボラック樹脂は全固型分中の５０重量％
以上であることが好ましい。
【００２２】レジスト液の調製は、キノンジアジドスル
ホン酸エステルとノボラック樹脂を溶剤に混合溶解する
ことにより行なう。用いる溶剤は、適当な乾燥速度を有
し、溶剤が蒸発して均一で平滑な塗膜を与えるものがよ
い。
ホン酸エステルとノボラック樹脂を溶剤に混合溶解する
ことにより行なう。用いる溶剤は、適当な乾燥速度を有
し、溶剤が蒸発して均一で平滑な塗膜を与えるものがよ
い。
【００２３】このような溶剤としては、エチルセロソル
ブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソ
ブチルケトン、キシレン等があげられる。以上の方法で
得られたレジスト組成物は、さらに必要に応じて付加物
として少量の樹脂や染料等が添加されていてもよい。
ブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチルイソ
ブチルケトン、キシレン等があげられる。以上の方法で
得られたレジスト組成物は、さらに必要に応じて付加物
として少量の樹脂や染料等が添加されていてもよい。
【００２４】
【実施例】次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限
定されるものではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限
定されるものではない。
【００２５】参考例１
内容積３００mlの三ツ口フラスコに、特開昭55-139375
の実施例１と同様にして合成した下式 (１) で表わされ
る化合物６．００ｇ、ナフトキノン−（１，２）−ジア
ジド−（２）−５−スルホン酸クロリド 10.75ｇ、（反
応モル比１：２、エステル化率６７％）およびジオキサ
ンを１６８ｇ仕込んだのち、攪拌して完溶させた。その
のち、攪拌しながら、フラスコを水浴に浸して、反応温
度を２０〜２５℃にコントロールし、トリエチルアミン
４．４５ｇを滴下ロートを用いて３０分間で滴下させ
た。そののち、反応温度を２０〜２５℃に保ちながら４
時間攪拌を続けた。反応後、イオン交換水にチャージし
たのち濾過、乾燥させることによって、感放射線性成分
Ａを得た。
の実施例１と同様にして合成した下式 (１) で表わされ
る化合物６．００ｇ、ナフトキノン−（１，２）−ジア
ジド−（２）−５−スルホン酸クロリド 10.75ｇ、（反
応モル比１：２、エステル化率６７％）およびジオキサ
ンを１６８ｇ仕込んだのち、攪拌して完溶させた。その
のち、攪拌しながら、フラスコを水浴に浸して、反応温
度を２０〜２５℃にコントロールし、トリエチルアミン
４．４５ｇを滴下ロートを用いて３０分間で滴下させ
た。そののち、反応温度を２０〜２５℃に保ちながら４
時間攪拌を続けた。反応後、イオン交換水にチャージし
たのち濾過、乾燥させることによって、感放射線性成分
Ａを得た。
【００２６】
【化４】
【００２７】参考例２
参考例１における化合物（１）とキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドの反応モル比を１：２．４（エステル化率
８０％）にした以外は、参考例１と同様にして感放射線
性成分Ｂを得た。
ン酸クロリドの反応モル比を１：２．４（エステル化率
８０％）にした以外は、参考例１と同様にして感放射線
性成分Ｂを得た。
【００２８】参考例３および４
式（Ｉ）で表わされる化合物のかわりに、２，３，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン (反応モル比
１：４、エステル化率１００％）及び２，２′，３，
４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン（反応モル
比１：５、エステル化率１００％）を各々用いた以外は
参考例１と同様にして感放射線性成分を得た。得られた
感放射線性成分をそれぞれＣ、Ｄとする。
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン (反応モル比
１：４、エステル化率１００％）及び２，２′，３，
４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン（反応モル
比１：５、エステル化率１００％）を各々用いた以外は
参考例１と同様にして感放射線性成分を得た。得られた
感放射線性成分をそれぞれＣ、Ｄとする。
【００２９】実施例及び比較例
参考例で得られた感放射線性成分をノボラック樹脂とと
もに、表１に示す組成で、エチルセロソルブアセテート
４８部に溶解した。調合したこの溶液を 0.2μｍのテフ
ロン製フィルターで濾過することにより、レジスト液を
調整した。これを常法によって洗浄したシリコンウエハ
ーに回転塗布機を用いて 1.3μｍ厚に塗布した。ついで
このシリコンウエハーを１００℃のホットプレートで６
０秒間ベークした。ついでこのウエハーに４３６ｎｍ
（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影露光機（ニコン製
NSR−1505G3C NA=0.42)を用いて、ラインアンドスペー
スパターンを、焦点及び露光量を段階的に変化させて露
光した。これを１１０℃のホットプレートで６０秒間露
光後ベーク（Post Exposure Bake) したのち、住友化学
製現像液ＳＯＰＤで１分間現像することにより、ポジ型
パターンを得た。ついで 0.6μｍのラインアンドスペー
スパターンの断面をＳＥＭで観察し、ベストフォーカス
におけるラインアンドスペースが１：１となる露光量を
実効感度、その露光量で 0.6μｍのラインアンドスペー
スパターンが膜減りなく解像する焦点ずれの範囲を焦点
深度とした。結果を表１に示す。
もに、表１に示す組成で、エチルセロソルブアセテート
４８部に溶解した。調合したこの溶液を 0.2μｍのテフ
ロン製フィルターで濾過することにより、レジスト液を
調整した。これを常法によって洗浄したシリコンウエハ
ーに回転塗布機を用いて 1.3μｍ厚に塗布した。ついで
このシリコンウエハーを１００℃のホットプレートで６
０秒間ベークした。ついでこのウエハーに４３６ｎｍ
（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影露光機（ニコン製
NSR−1505G3C NA=0.42)を用いて、ラインアンドスペー
スパターンを、焦点及び露光量を段階的に変化させて露
光した。これを１１０℃のホットプレートで６０秒間露
光後ベーク（Post Exposure Bake) したのち、住友化学
製現像液ＳＯＰＤで１分間現像することにより、ポジ型
パターンを得た。ついで 0.6μｍのラインアンドスペー
スパターンの断面をＳＥＭで観察し、ベストフォーカス
におけるラインアンドスペースが１：１となる露光量を
実効感度、その露光量で 0.6μｍのラインアンドスペー
スパターンが膜減りなく解像する焦点ずれの範囲を焦点
深度とした。結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
＊ノボラック樹脂
メタクレゾール／パラクレゾール＝４／６，クレゾール
／ホルマリン＝１／0.8 のモル比で、シュウ酸触媒を用
い還流下に反応させることにより得られた重量平均分子
量 5500(ポリスチレン換算) のノボラック樹脂。
／ホルマリン＝１／0.8 のモル比で、シュウ酸触媒を用
い還流下に反応させることにより得られた重量平均分子
量 5500(ポリスチレン換算) のノボラック樹脂。
【００３１】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、焦点
深度及び、感度に優れたポジ型レジスト組成物である。
そして現像残渣の増加等の問題点もない。
深度及び、感度に優れたポジ型レジスト組成物である。
そして現像残渣の増加等の問題点もない。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 塙 良太郎
大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番98
号 住友化学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】ノボラック樹脂、４価以上のフェノール化
合物のキノンジアジドスルホン酸エステルおよび３価以
下のフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エス
テルを含有するポジ型レジスト組成物。 - 【請求項２】４価以上のフェノール化合物のエステル化
率が８０％以上であり、かつ３価以下のフェノール化合
物のエステル化率が６０％以上である請求項１記載のポ
ジ型レジスト組成物。 - 【請求項３】３価以下のフェノール化合物が、下記一般
式（Ｉ）で表わされる化合物である請求項１または２記
載のポジ型レジスト組成物。 【化１】 （式中Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立に、水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリール基
である。但し、Ｒ1 、Ｒ2 のどちらか一方はアルキル
基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリール基で
ある。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21980491A JPH0534917A (ja) | 1991-03-14 | 1991-08-30 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4943791 | 1991-03-14 | ||
| JP3-49437 | 1991-03-14 | ||
| JP21980491A JPH0534917A (ja) | 1991-03-14 | 1991-08-30 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534917A true JPH0534917A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=26389831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21980491A Pending JPH0534917A (ja) | 1991-03-14 | 1991-08-30 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486743A (en) * | 1992-11-19 | 1996-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inverter and air conditioner controlled by the same |
| US5695906A (en) * | 1993-10-28 | 1997-12-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photosensitive resin composition and method for forming a pattern using the composition |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP21980491A patent/JPH0534917A/ja active Pending
Cited By (2)
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