JP2021005116A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI683801B (zh) 2017-11-30 2020-02-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 兩性離子化合物及包括其之光阻
CN115079517B (zh) 2017-11-30 2026-03-13 杜邦电子材料国际有限责任公司 盐和包含其的光致抗蚀剂
WO2021099051A1 (en) * 2019-11-20 2021-05-27 Asml Netherlands B.V. Resist compositions
CN116601144A (zh) * 2020-12-14 2023-08-15 Agc株式会社 含碲化合物、聚合物和聚合物的制造方法
US12393118B2 (en) * 2021-05-28 2025-08-19 Dupont Electronic Materials International, Llc Composition for photoresist underlayer
US20240369924A1 (en) * 2021-07-30 2024-11-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition and resist film forming method using same
US20240369925A1 (en) * 2021-07-30 2024-11-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist auxiliary film composition, and pattern forming method using said composition
JP7802644B2 (ja) * 2021-11-09 2026-01-20 信越化学工業株式会社 半導体基板パターン倒壊抑制用充填膜形成材料及び半導体基板の処理方法
US20240393689A1 (en) * 2023-05-26 2024-11-28 Dupont Electronic Materials International, Llc Compounds, monomers, polymers, photoresist compositions and pattern formation methods
WO2025197401A1 (ja) * 2024-03-22 2025-09-25 Jsr株式会社 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
WO2026009861A1 (ja) * 2024-07-05 2026-01-08 三菱瓦斯化学株式会社 半導体製造用組成物及び膜形成方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE792908A (fr) * 1971-12-20 1973-04-16 Western Electric Co Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
US4434098A (en) * 1981-07-01 1984-02-28 Eastman Kodak Company Substituted benzotelluropyrones
JPS62287201A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Canon Inc 光学素子用樹脂
GB2192189B (en) * 1986-06-06 1990-08-22 Canon Kk Polymer of vinyl-biphenyl derivative adapted for optical use
US5043477A (en) * 1987-07-13 1991-08-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Methyl allyl telluride
US5264246A (en) * 1989-05-02 1993-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating method
GB8913799D0 (en) * 1989-06-15 1989-08-02 Secr Defence Method for preparation of organotellurium and selenium compounds
US5212046A (en) * 1989-10-17 1993-05-18 Shipley Company Inc. Near UV photoresist
US5164524A (en) * 1990-02-06 1992-11-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing tetra (organyl) telluride compounds
JPH0888159A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Tokyo Gas Co Ltd 高アスペクト比を有するレジストパターン形成方法
US6007963A (en) * 1995-09-21 1999-12-28 Sandia Corporation Method for extreme ultraviolet lithography
JP2001075284A (ja) * 1998-12-03 2001-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US6787281B2 (en) 2002-05-24 2004-09-07 Kodak Polychrome Graphics Llc Selected acid generating agents and their use in processes for imaging radiation-sensitive elements
US7326514B2 (en) 2003-03-12 2008-02-05 Cornell Research Foundation, Inc. Organoelement resists for EUV lithography and methods of making the same
JP2005344009A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料
US7459261B2 (en) * 2005-01-06 2008-12-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
WO2007109633A2 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Andover Healthcare, Inc. Organotellurium and selenium-based antimicrobial antimicrobial formulations and articles
JP2008163242A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Lion Corp コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法
JP5756265B2 (ja) 2009-07-27 2015-07-29 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いられる塩
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
KR101830780B1 (ko) * 2011-08-05 2018-04-05 삼성전자주식회사 박막의 제조방법, 박막, 박막의 제조장치 및 전자소자
JP6550610B2 (ja) * 2013-11-27 2019-07-31 日本ゼオン株式会社 ラジカル重合開始剤、および重合体の製造方法
WO2016035560A1 (ja) * 2014-09-02 2016-03-10 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
US9971243B2 (en) * 2015-06-10 2018-05-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Polymer, organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns
JP6883291B2 (ja) * 2015-08-24 2021-06-09 学校法人 関西大学 リソグラフィー用材料及びその製造方法、リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、並びに、化合物、樹脂、及びこれらの精製方法
JP6998769B2 (ja) * 2015-10-01 2022-01-18 東洋合成工業株式会社 ポリマー、該ポリマーを含有するレジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法
WO2017094479A1 (ja) 2015-12-01 2017-06-08 Jsr株式会社 感放射線性組成物、パターン形成方法及び感放射線性酸発生剤
US10503070B2 (en) * 2015-12-10 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive material and method of lithography
KR20170098173A (ko) * 2016-02-19 2017-08-29 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법
JP7116891B2 (ja) * 2016-04-28 2022-08-12 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、及び、パターン形成方法
JP2019113571A (ja) 2016-04-28 2019-07-11 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、並びに、それを用いたリソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP2017207532A (ja) 2016-05-16 2017-11-24 東洋合成工業株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法
TWI751249B (zh) * 2016-12-21 2022-01-01 日商東洋合成工業股份有限公司 光酸產生劑及抗蝕劑組成物、以及使用該抗蝕劑組成物的裝置的製造方法
JP6820233B2 (ja) * 2017-05-26 2021-01-27 東洋合成工業株式会社 ポリマー、該ポリマーを含有するレジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法
WO2019006600A1 (zh) * 2017-07-03 2019-01-10 深圳市宏昌发科技有限公司 抛光剂、铜件及其抛光处理方法
JP7297256B2 (ja) * 2017-09-29 2023-06-26 学校法人 関西大学 リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、及び化合物
CN115079517B (zh) * 2017-11-30 2026-03-13 杜邦电子材料国际有限责任公司 盐和包含其的光致抗蚀剂
TWI708760B (zh) * 2017-11-30 2020-11-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 鹽及包括其之光阻劑
TWI683801B (zh) * 2017-11-30 2020-02-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 兩性離子化合物及包括其之光阻
TW202003533A (zh) * 2018-04-27 2020-01-16 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 阻劑下層膜形成用組成物及圖型形成方法

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