JP2020004466A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。
<1−1−1>半導体記憶装置10の全体構成
図1は、第1実施形態に係る半導体記憶装置10の全体構成の一例を示すブロック図である。図1に示すように半導体記憶装置10は、メモリセルアレイ11、ロウデコーダモジュール12、センスアンプモジュール13、入出力回路14、レジスタ15、ロジックコントローラ16、シーケンサ17、レディ/ビジー制御回路18、並びに電圧生成回路19を備えている。
図2は、第1実施形態に係る半導体記憶装置10に含まれたメモリセルアレイ11の構成例を示す回路図であり、メモリセルアレイ11内の1つのブロックBLKにおける詳細な回路構成の一例を示している。図2に示すようにブロックBLKは、例えばストリングユニットSU0〜SU3を含んでいる。
図3は、第1実施形態に係る半導体記憶装置10に含まれたロウデコーダモジュール12の詳細な構成例を示すブロック図であり、メモリセルアレイ11に含まれた各ブロックBLKとロウデコーダモジュール12との関係を示している。図3に示すように、ロウデコーダモジュール12は複数のロウデコーダRDを含んでいる。
図4は、第1実施形態に係る半導体記憶装置10に含まれたセンスアンプモジュール13及び電圧生成回路19の詳細な構成例を示すブロック図である。図4に示すように、センスアンプモジュール13は複数のセンスアンプユニットSAUを含み、電圧生成回路19はドライバDR1及びDR2を含んでいる。
以下に、第1実施形態に係る半導体記憶装置10に含まれたメモリセルアレイ11、ロウデコーダモジュール12、及びセンスアンプモジュール13の構造について説明する。
第1実施形態に係る半導体記憶装置10は、読み出し動作において第1キック動作を実行する。第1キック動作とは、ドライバの駆動電圧を一旦目標の電圧値よりも高い値に設定し、一定時間経過後に目標の電圧値に下げる電圧印加方法である。第1キック動作は、例えばワード線WLに対して実行される。例えば、ワード線WLに対して第1キック動作が実行された場合、ワード線WLに対する電流の供給量が増加して、ワード線WLが充電される。尚、以下では、第1キック動作時において、目標の電圧を印加する前に印加される目標の電圧よりも高い電圧のことを第1キック電圧と称し、目標の電圧と第1キック電圧との差分のことを第1キック量と称する。
図9に示すように、時刻T0より前の初期状態では、例えばワード線WL並びに制御信号BLCの電圧が電圧VSSとされ、制御信号LPC、BLQ、XXL、及びSTBの電圧が“L”レベルとされ、ビット線BLの電圧が電圧VSSとされる。
時刻T0において、読み出し動作が開始されると、ロウデコーダモジュール12は、選択されたワード線WL(WL(選択)とも表記)に対して第1キック動作を実行する。この場合、選択されたワード線WLには、例えば所望の電圧より高い第1キック電圧VCGRVKが一時的に印加される。第1キック電圧VCGRVKは、例えばワード線WLのNear側における電圧に表れる。一方で、ワード線WLのFar側においては、配線のRC遅延によって、例えば電圧VCGRVを超えることなく電圧VCGRVまで上昇する。尚、第1キック量の大きさは、任意の数値に設定することが可能である。
時刻T1において、シーケンサ17は、制御信号XXLを“H”レベルにする。制御信号XXLが“H”レベルになると、選択メモリセルの状態に基づいてノードSENの電位が変化する。なお、時刻T1は、選択ワード線WLの電圧がVCGRVに安定する前の時刻である。
そしてシーケンサ17は、ノードSENの電位の変化が落ち着いた時刻T2において、制御信号XXLを“L”レベルにし、制御信号STBを“H”レベルにして、ノードSENの状態に基づいて選択メモリセルの閾値電圧を判定し、判定結果をセンスアンプユニットSAU内のラッチ回路に保持する。
以上で説明した第1実施形態に係る半導体記憶装置10によれば、読み出し動作を高速化することが出来る。以下に、第1実施形態に係る半導体記憶装置10の詳細な効果について説明する。
<1−4−1>動作
以下に、第1実施形態の変形例1の読み出し動作について説明する。
図12に示すように、時刻T0より前の初期状態では、例えばワード線WL並びに制御信号BLCの電圧が電圧VSSとされ、制御信号LPC、BLQ、XXL、及びSTBの電圧が“L”レベルとされ、ビット線BLの電圧が電圧VSSとされる。
時刻T0において、読み出し動作が開始されると、ロウデコーダモジュール12は、ワード線WLに例えば読み出しパス電圧VREADを印加する。
時刻T11において、読み出し動作が開始されると、ロウデコーダモジュール12は、選択されたワード線WLに対して第2キック動作を実行する。この場合、選択されたワード線WLには、例えば所望の電圧より低い第2キック電圧VCGRVLKが一時的に印加される。第2キック電圧VCGRVLKは、例えばワード線WLのNear側における電圧に表れる。一方で、ワード線WLのFar側においては、配線のRC遅延によって、例えば電圧VCGRVを下回ることなく電圧VCGRVまで降圧される。尚、第2キック量の大きさは、任意の数値に設定することが可能である。
時刻T12において、シーケンサ17は、制御信号XXLを“H”レベルにする。制御信号XXLが“H”レベルになると、選択メモリセルの状態に基づいてノードSENの電位が変化する。そしてシーケンサ17は、ノードSENの電位の変化が落ち着いた時刻T3において、制御信号XXLを“L”レベルとして、制御信号STBを“H”レベルとして、ノードSENの状態に基づいて選択メモリセルの閾値電圧を判定し、判定結果をセンスアンプユニットSAU内のラッチ回路に保持する。なお、時刻T12は、選択ワード線WLの電圧がVCGRVに安定する前の時刻である。
以上で説明した第1実施形態の変形例1に係る半導体記憶装置10によれば、読み出し動作を高速化することが出来る。以下に、第1実施形態の変形例1に係る半導体記憶装置10の詳細な効果について説明する。
第1実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10は、センスアンプモジュール13を4つの領域に分けて、領域毎にノードSENの充電電圧を制御する。以下に、第1実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態と異なる点を説明する。
図14は、第1実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10に含まれたメモリセルアレイ11及びロウデコーダモジュール12の構成例を示すブロック図であり、第1実施形態で図3を用いて説明した構成に対して、定義されている領域の範囲が異なっている。
第1実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10の読み出し動作は、基本的には、図9及び図12で説明した読み出し動作と同様である。
以上のように、第1実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10は、第1実施形態に係る半導体記憶装置10よりも細かく領域をわけることで、読み出し動作を高速化しつつ、より細かくノードSENの充電電圧を制御することができる。
第1実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10は、センスアンプモジュール13を8つの領域に分けて、領域毎にノードSENの充電電圧を制御する。以下に、第1実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態と異なる点を説明する。
図16は、第1実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10に含まれたメモリセルアレイ11及びロウデコーダモジュール12の構成例を示すブロック図であり、第1実施形態で図3を用いて説明した構成に対して、定義されている領域の範囲が異なっている。
第1実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10の読み出し動作は、基本的には、図9及び図12で説明した読み出し動作と同様である。
以上のように、第1実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10は、第1実施形態に係る半導体記憶装置10よりも細かく領域をわけることで、読み出し動作を高速化しつつ、より細かくノードSENの充電電圧を制御することができる。
第1実施形態の変形例4に係る半導体記憶装置10は、ロウデコーダモジュール12を2つの領域(12A、12B)に分けて、ブロックを制御する。以下に、第1実施形態の変形例4に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態と異なる点を説明する。
第1実施形態の変形例5に係る半導体記憶装置10は、第1実施形態の変形例2と、第1実施形態の変形例4とを組み合わせたものである。以下に、第1実施形態の変形例5に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態の変形例2と、第1実施形態の変形例4と異なる点を説明する。
第1実施形態の変形例6に係る半導体記憶装置10は、第1実施形態の変形例3と、第1実施形態の変形例4とを組み合わせたものである。以下に、第1実施形態の変形例6に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態の変形例3と、第1実施形態の変形例4と異なる点を説明する。
第1実施形態の変形例7に係る半導体記憶装置10は、ロウデコーダモジュール12A及び12Bが各ブロックBLKを両側から駆動する。以下に、第1実施形態の変形例7に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態、第1実施形態の変形例1、及び第1実施形態の変形例4と異なる点を説明する。
第1実施形態の変形例8に係る半導体記憶装置10は、ロウデコーダモジュール12A及び12Bが各ブロックBLKを両側から駆動する。以下に、第1実施形態の変形例8に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態の変形例7と異なる点を説明する。
第2実施形態では、複数のプレーンを備え、非同期で各プレーンに読み出し動作を行う半導体記憶装置10について説明する。以下に、第2実施形態に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態と異なる点を説明する。
図23は、第2実施形態に係る半導体記憶装置10の全体構成の一例を示すブロック図である。図23に示すように半導体記憶装置10は、プレーン<0>、プレーン<1>、センスアンプモジュール130、131、入出力回路14、レジスタ15、ロジックコントローラ16、シーケンサ17、レディ/ビジー制御回路18、並びに電圧生成回路190、191を備えている。
第2実施形態に係る半導体記憶装置10は、各プレーンが独立して読み出し動作を行う事ができる。しかしながら、一方のプレーンの読み出しを行っている最中に、他方のプレーンにおいて所定の動作(例えば、データの出力)などを行うと、信号線CG(例えば図3にて示した信号線CG)の電圧の変動などがノイズとなって、一方のプレーンの読み出しに影響を及ぼす可能性がある。そこで、第2実施形態では、制御回路172が、第1シーケンサ170または第2シーケンサ171からのステータスを監視することで、読み出し動作を行っているプレーンへのノイズを低減する。なお、CG線とは、ロウデコーダを介してワード線WLに接続される配線であり、例えば最上層の配線層である。
読み出し動作が開始されると、第2シーケンサ171は、レディ/ビジー制御回路18を介して、プレーン<1>がビジーであることを示すレディ/ビジー信号を出力する。
上述した実施形態によれば、1つの半導体記憶装置(チップ)内に複数のプレーンを持ち、且つ非同期に読み出し動作を行なうことができる半導体記憶装置において他プレーンのノイズを検知する。そして、読み出し動作を制御するシーケンサは、ノイズを検知することにより、ノードSENの充電電圧を制御する。
第1実施形態に係る半導体記憶装置10は、Near側のメモリセルに対応するセグメントSEG1におけるノードSENの充電電圧を、Far側のメモリセルに対応するセグメントSEG2におけるノードSENの充電電圧よりも、高くした。これに対して、第3実施形態に係る半導体記憶装置10では、Near側のメモリセルに対応するセグメントSEG1におけるセンス期間を、Far側のメモリセルに対応するセグメントSEG2におけるセンス期間よりも、短くする。以下に、第3実施形態に係る半導体記憶装置10について、第1実施形態と異なる点を説明する。
図26は、第3実施形態に係る半導体記憶装置10に含まれたセンスアンプモジュール13及びシーケンサ17の詳細な構成例を示すブロック図である。図26に示すように、センスアンプモジュール13は複数のセンスアンプユニットSAUを含んでいる。
第3実施形態に係る半導体記憶装置10も、第1実施形態に係る半導体記憶装置10と同様に、読み出し動作において第1キック動作を実行する。第1キック動作とは、ドライバの駆動電圧を一旦目標の電圧値よりも高い値に設定し、一定時間経過後に目標の電圧値に下げる電圧印加方法である。このような第3実施形態に係る半導体記憶装置10の読み出し動作時における波形の一例が、図27に示されている。図27では、ワード線WLのNear側部分の波形を実線で示し、ワード線WLのFar側部分の波形を破線で示している。また、図27では、ワード線WLのNear側部分に対応するセンスアンプユニットSAUに与えられる制御信号XXLを実線で示し、ワード線WLのFar側部分に対応するセンスアンプユニットSAUに与えられる制御信号XXLを破線で示す。
図27に示すように、時刻T30より前の初期状態では、例えばワード線WL並びに制御信号BLCの電圧が電圧VSSとされ、制御信号LPC、BLQ、XXL、及びSTBの電圧が“L”レベルとされ、ビット線BLの電圧が電圧VSSとされる。
時刻T30において、読み出し動作が開始されると、ロウデコーダモジュール12は、選択ワード線WLに対して第1キック動作を実行する。その結果、選択ワード線WLのNear側には例えば所望の電圧より高い第1キック電圧VCGRVKが表れ、その一方で、選択ワード線WLのFar側においては、配線のRC遅延によって、例えば電圧VCGRVを超えない電圧VCGRVまで上昇する。
時刻T31において、シーケンサ17は、制御信号XXLを“H”レベルにする。制御信号XXLが“H”レベルになると、選択メモリセルの状態に基づいてノードSENの電位が変化する。なお、時刻T31は、選択ワード線WLの電圧がVCGRVに安定する前の時刻である。
図11に示した比較例において説明したように、選択ワード線WLの電圧がVCGRVに安定する前の時刻T1においてセンスを開始する場合、ワード線WLのNear側部分では、電圧VCGRVよりも高くなるため、メモリセルに流れるセル電流Icellが大きくなり、ワード線WLのFar側部分では、電圧VCGRVよりも低くなるため、メモリセルに流れるセル電流Icellが小さくなる。このため、メモリセルがオフしているかオンしているかを、誤判定する可能性がある。
<3−4−1>動作
以下に、第3実施形態の変形例1の読み出し動作について説明する。
図28に示すように、時刻T40より前の初期状態では、例えばワード線WL並びに制御信号BLCの電圧が電圧VSSとされ、制御信号LPC、BLQ、XXL、及びSTBの電圧が“L”レベルとされ、ビット線BLの電圧が電圧VSSとされる。
時刻T40において、読み出し動作が開始されると、ロウデコーダモジュール12は、ワード線WLに例えば読み出しパス電圧VREADを印加する。
時刻T41において、読み出し動作が開始されると、ロウデコーダモジュール12は、選択されたワード線WLに対して第2キック動作を実行する。
時刻T42において、シーケンサ17は、制御信号XXLを“H”レベルにする。制御信号XXLが“H”レベルになると、選択メモリセルの状態に基づいてノードSENの電位が変化する。なお、時刻T42は、選択ワード線WLの電圧がVCGRVに安定する前の時刻である。
以上で説明した第3実施形態の変形例1に係る半導体記憶装置10によれば、第3実施形態に係る半導体記憶装置10と同様に、誤判定を避けつつ、読み出し動作を高速化することが出来る。
第3実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10は、センスアンプモジュール13を4つの領域に分けて、領域毎に制御信号XXLを制御する。以下に、第3実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10について、第3実施形態と異なる点を説明する。
メモリセルアレイ11の分割方法については、図14で説明したものと同様である。
第3実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10の読み出し動作は、基本的には、図27及び図28で説明した読み出し動作と同様である。
以上のように、第3実施形態の変形例2に係る半導体記憶装置10は、第3実施形態に係る半導体記憶装置10よりも細かく領域をわけることで、読み出し動作を高速化しつつ、より細かくノードSENの充電電圧を制御することができる。
第3実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10は、センスアンプモジュール13を8つの領域に分けて、領域毎にノードSENの充電電圧を制御する。以下に、第3実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10について、第3実施形態と異なる点を説明する。
メモリセルアレイ11の分割方法については、図16で説明したものと同様である。
第3実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10の読み出し動作は、基本的には、図27及び図28で説明した読み出し動作と同様である。
以上のように、第3実施形態の変形例3に係る半導体記憶装置10は、第3実施形態に係る半導体記憶装置10よりも細かく領域をわけることで、読み出し動作を高速化しつつ、より細かくノードSENの充電電圧を制御することができる。
尚、上記実施形態では、全てのビット線BLを対象として読み出し動作が実行される場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、半導体記憶装置10は、読み出し動作が奇数ビット線と偶数ビット線とに分けて実行されるような構成であっても良い。この場合にセンスアンプモジュール13は、例えば奇数ビット線と偶数ビット線とにそれぞれ対応して設けられる。そして、奇数ビット線と偶数ビット線とにそれぞれ対応するセンスアンプモジュール13には、例えば異なる制御信号BLCが供給される。上記実施形態は、このような構成の半導体記憶装置10に対しても適用することが可能である。
(1)読み出し動作では、“A”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1〜0.24V、0.21〜0.31V、0.31〜0.4V、0.4〜0.5V、0.5〜0.55Vのいずれかの間にしても良い。
“B”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば1.5〜2.3Vの間である。これに限定されることなく、1.65〜1.8V、1.8〜1.95V、1.95〜2.1V、2.1〜2.3Vのいずれかの間にしても良い。
“C”レベルの読み出し動作で選択されたワード線に印加される電圧は、例えば3.0V〜4.0Vの間である。これに限定されることなく、3.0〜3.2V、3.2〜3.4V、3.4〜3.5V、3.5〜3.6V、3.6〜4.0Vのいずれかの間にしても良い。
読み出し動作の時間(tRead)としては、例えば25〜38μs、38〜70μs、70〜80μsの間にしても良い。
書き込み動作において、奇数番目のワード線を選択した際に、選択されたワード線に最初に印加される電圧と、偶数番目のワード線を選択した際に、選択されたワード線に最初に印加される電圧とは、異なっていても良い。書き込み動作において、非選択のワード線が奇数番目のワード線であるか、偶数番目のワード線であるかで、印加するパス電圧を変えても良い。
プログラム動作をISPP方式(Incremental Step Pulse Program)とした場合における、プログラム電圧のステップアップ幅としては、例えば0.5V程度が挙げられる。
書き込み動作の時間(tProg)としては、例えば1700〜1800μs、1800〜1900μs、1900〜2000μsの間にしても良い。
消去動作の時間(tErase)としては、例えば3000〜4000μs、4000〜5000μs、4000〜9000μsの間にしても良い。
11…メモリセルアレイ
12…ロウデコーダモジュール
13…センスアンプモジュール
14…入出力回路
15…レジスタ
16…ロジックコントローラ
17…シーケンサ
18…レディ/ビジー制御回路
19…電圧生成回路
Claims (7)
- 第1及び第2メモリセルと、
前記第1及び第2メモリセルに接続される第1ワード線と、
前記第1メモリセルに接続される第1ビット線と、
前記第2メモリセルに接続される第2ビット線と、
前記第1ビット線に接続される第1センスアンプと、
前記第2ビット線に接続される第2センスアンプと、
前記第1センスアンプに第1電圧を供給する第1ドライバと、
前記第2センスアンプに前記第1電圧と異なる第2電圧を供給する第2ドライバと、
前記第1ワード線に電圧を供給する第1ロウデコーダと、
を備え、
読み出し動作において、
前記第1ロウデコーダは、前記第1ワード線に、読み出し電圧を印加する前に、前記読み出し電圧と異なる第1キック電圧を印加し、
前記第1ドライバは、前記第1センスアンプの第1ノードに、前記第1電圧を供給し、
前記第2ドライバは、前記第2センスアンプの第2ノードに、前記第2電圧を供給し、
前記第1センスアンプは、前記第1ノードが前記第1電圧に充電された後、前記第1ビット線に接続され、
前記第2センスアンプは、前記第2ノードが前記第2電圧に充電された後、前記第2ビット線に接続され、
前記第1センスアンプは、前記第1ビット線に接続された後、前記第1ノードの電位の変動を判定することにより、前記第1メモリセルに記憶されたデータを判定し、
前記第2センスアンプは、前記第2ビット線に接続された後、前記第2ノードの電位の変動を判定することにより、前記第2メモリセルに記憶されたデータを判定する、
半導体記憶装置。 - 第1方向に延伸して設けられ、前記第1ワード線として機能する第1導電体と、
前記第1導電体を通過して設けられ、前記第1導電体との交差部分が前記第1及び第2メモリセルとしてそれぞれ機能する第1及び第2ピラーと、
前記第1導電体上に設けられ、前記第1導電体と電気的に接続された第3ピラーと、
をさらに備え、
前記第3ピラーと前記第1ピラーとの前記第1方向における間隔は、前記第3ピラーと前記第2ピラーとの前記第1方向における間隔よりも短い、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2ビット線にそれぞれ接続され、前記第1及び第2メモリセルと異なるブロックに含まれる第3及び第4メモリセルと、
前記第3及び第4メモリセルに接続される第2ワード線と、
前記第2ワード線に電圧を供給する第2ロウデコーダと、
を更に備え、
読み出し動作において、
前記第2ロウデコーダは、前記第2ワード線に、読み出し電圧を印加する前に、前記読み出し電圧よりも高い第2キック電圧を印加し、
前記第1ドライバは、前記第1センスアンプの第1ノードに、前記第1電圧を供給し、
前記第2ドライバは、前記第2センスアンプの第2ノードに、前記第2電圧を供給し、
前記第1センスアンプは、前記第1ノードが前記第1電圧に充電された後、前記第1ビット線に接続され、
前記第2センスアンプは、前記第2ノードが前記第2電圧に充電された後、前記第2ビット線に接続され、
前記第1センスアンプは、前記第1ビット線に接続された後、前記第1ノードの電位の変動を判定することにより、第1メモリセルに記憶されたデータを判定し、
前記第2センスアンプは、前記第2ビット線に接続された後、前記第2ノードの電位の変動を判定することにより、第2メモリセルに記憶されたデータを判定する、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 第1方向に延伸して設けられ、前記第1ワード線として機能する第1導電体と、
前記第1方向に延伸して設けられ、前記第2ワード線として機能する第2導電体と、
前記第1導電体を通過して設けられ、前記第1導電体との交差部分が前記第1及び第2メモリセルとしてそれぞれ機能する第1及び第2ピラーと、
前記第2導電体を通過して設けられ、前記第2導電体との交差部分が前記第3及び第4メモリセルとしてそれぞれ機能する第3及び第4ピラーと、
前記第1導電体上に設けられ、前記第1導電体と電気的に接続された第5ピラーと、
前記第2導電体上に設けられ、前記第2導電体と電気的に接続された第6ピラーと、
をさらに備え、
前記第5ピラーと前記第1ピラーとの前記第1方向における間隔は、前記第5ピラーと前記第2ピラーとの前記第1方向における間隔よりも短く、
前記第6ピラーと前記第4ピラーとの前記第1方向における間隔は、前記第6ピラーと前記第3ピラーとの前記第1方向における間隔よりも短い、
請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1センスアンプは、前記第1ノードが前記第1電圧に充電された後、且つ前記第1ワード線が読み出し電圧になる前に、前記第1ビット線に接続され、
前記第2センスアンプは、前記第2ノードが前記第2電圧に充電された後、且つ前記第1ワード線が読み出し電圧になる前に、前記第2ビット線に接続される
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。 - 複数のメモリセルを備える第1プレーンと、
複数のメモリセルを備える第2プレーンと、
前記第1プレーンのデータを判定する第1センスアンプと、
前記第2プレーンのデータを判定する第2センスアンプと、
前記第1センスアンプに電圧を供給する第1ドライバと、
前記第2センスアンプに電圧を供給する第2ドライバと、
前記第1プレーン、前記第1センスアンプ、及び前記第1ドライバを制御する第1シーケンサと、
前記第2プレーン、前記第2センスアンプ、及び前記第2ドライバを制御する第2シーケンサと、
前記第1及び第2シーケンサを制御する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、
前記第1シーケンサが読み出し動作を行なう場合、
前記第1ドライバに、前記第1センスアンプの第1ノードへ第1電圧を供給させ、
前記第1シーケンサから第1レベルの第1クロックを受信している間に、前記第2シーケンサから前記第1レベルの第2クロックを受信する場合、
前記第1ドライバに、前記第1センスアンプの第1ノードへ前記第1電圧と異なる第2電圧を供給させ、
前記第1センスアンプは、前記第1ノードの電位の変動を判定することにより、第1プレーンに記憶されたデータを判定する
半導体記憶装置。 - 第1及び第2メモリセルと、
前記第1及び第2メモリセルに接続される第1ワード線と、
前記第1メモリセルに接続される第1ビット線と、
前記第2メモリセルに接続される第2ビット線と、
前記第1ビット線に接続される第1センスアンプと、
前記第2ビット線に接続される第2センスアンプと、
前記第1センスアンプと前記第2センスアンプに制御信号を供給する制御回路と、
前記第1ワード線に電圧を供給する第1ロウデコーダと、
を備え、
読み出し動作において、
前記第1ロウデコーダは、前記第1ワード線に、読み出し電圧を印加する前に、前記読み出し電圧と異なる高い第1キック電圧を印加し、
前記制御回路は、前記第1センスアンプを前記第1ビット線と接続させるための第1制御信号を供給するとともに、前記第2センスアンプを前記第2ビット線と接続させるための第2制御信号を供給し、
前記第1制御信号の供給が終了するタイミングと前記第2制御信号<<XXL>>の供給が終了するタイミングとが異なる、
半導体記憶装置。
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