JP2019522896A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019522896A5 JP2019522896A5 JP2018560761A JP2018560761A JP2019522896A5 JP 2019522896 A5 JP2019522896 A5 JP 2019522896A5 JP 2018560761 A JP2018560761 A JP 2018560761A JP 2018560761 A JP2018560761 A JP 2018560761A JP 2019522896 A5 JP2019522896 A5 JP 2019522896A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slurry composition
- aluminum
- weight
- mechanical polishing
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 51
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 38
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 25
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims description 12
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 12
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M Tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M Tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000003115 biocidal Effects 0.000 claims description 3
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N Methyl iodide Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KTAHKCMWKVRUJV-UHFFFAOYSA-K [Al].Cl[Al](Cl)Cl Chemical compound [Al].Cl[Al](Cl)Cl KTAHKCMWKVRUJV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxyl anion Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- FZTWZIMSKAGPSB-UHFFFAOYSA-N phosphide(3-) Chemical compound [P-3] FZTWZIMSKAGPSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 claims 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K Aluminium chloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H Aluminium sulfate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 6
- GRLPQNLYRHEGIJ-UHFFFAOYSA-J Potassium alum Chemical compound [Al+3].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRLPQNLYRHEGIJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- LCQXXBOSCBRNNT-UHFFFAOYSA-K Ammonium aluminium sulfate Chemical compound [NH4+].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O LCQXXBOSCBRNNT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K Aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PPNXXZIBFHTHDM-UHFFFAOYSA-N Aluminium phosphide Chemical compound P#[Al] PPNXXZIBFHTHDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N Trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 229940103272 aluminum potassium sulfate Drugs 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 229910018626 Al(OH) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- BIGUDPKZXJTJKJ-UHFFFAOYSA-K aluminum;chloride;sulfate Chemical compound [Al].[Cl-].[O-]S([O-])(=O)=O BIGUDPKZXJTJKJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Description
本発明の化学−機械的研磨用スラリー組成物に使用されるアルミニウムは、スラリー組成物の長期保管時、pH等の変化を抑制し、スラリー組成物の安定性を改善させる一種のpH安定化剤(pH stabilizer)と作用する。前記アルミニウムはアルミニウム塩(Aluminum salts、アルミニウム塩化合物)を含み、必要によって、アルミニウム塩で成ることもある。前記アルミニウムはアルミニウムの塩化物(Cl)、硫酸塩(SO4)、アンモニウム塩(NH4)、カリウム塩(K)、水酸化物(OH)、メチル化物(CH3)、リン化物(P)及びこれらの混合物等、具体的には塩化物(Cl)、硫酸塩(SO4)、カリウム(K)及びこれらの混合物等を含むことができて、例えば、塩化アルミニウム(aluminum chloride、AlCl3)、硫酸アルミニウム(aluminum sulfate、Al2(SO4)3)、硫酸アルミニウムアンモニウム(ammonium aluminum sulfate、(NH4)Al(SO4)2)、硫酸アルミニウムカリウム(aluminum potassium sulfate、KAl(SO4)2)、水酸化アルミニウム(aluminum hydroxide、Al(OH)3)、トリメチルアルミニウム(trimethyl aluminum、C6H18Al2)、リン化アルミニウム(aluminum phosphide、AlP)及びこれらの混合物等、具体的には塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硫酸アルミニウムアンモニウム、硫酸アルミニウムカリウム及びこれらの混合物、更に具体的には、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硫酸アルミニウムカリウム及びこれらの混合物、最も具体的には塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム及びこれらの混合物から成る群から選択される。前記アルミニウムはスラリー組成物内で、アルミニウム塩及び/又は研磨剤と結合した形態及び/又はアルミニウムイオンの状態で存在することもある。即ち、本発明の組成物内で、前記アルミニウムはアルミニウム塩、アルミニウム原子が研磨剤表面に吸着された形態及びアルミニウムイオン(Al3+)から成る群から選択される一つ以上の状態で存在できる。
本発明の化学−機械的研磨用スラリー組成物にあって、前記アルミニウム含量は0.000006乃至0.01重量%、具体的には、0.0001乃至0.005重量%である。前記アルミニウムの含量が少なすぎると、pH経時変化抑制効果が十分ではできないことがあるし、多すぎると、却って粒子大きさが増加される問題が発生することがある。即ち、酸性領域でスラリー内アルミニウムの含量が0.01重量%を超過すると、シリカ表面のシラノール基個数に無関係に電気二重層が圧縮されて凝集が発生して粒度(particle size)が増加する現状を確認した。イオン濃度が高いほど、イオンの原子価が大きいほど、電気二重層がより多く圧縮され凝集が発生される。従って、本発明によると、アルミニウムを少量で含むことによって、粒度増加なく効果的にpHを安定化させることができる。又アルミニウムを過度に多く使用することは、半導体工程を汚染させる恐れがあるので、望ましくない。
前記pH調節剤は、前記スラリー組成物のpHを1乃至6、具体的には1乃至4に調節する役割をして、通常的なスラリー組成物に使用されるpH調節剤(酸、塩基)を制限なく使用できて、例えば、硝酸、塩酸、硫酸等の酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等、具体的には水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の塩基及びこれらの混合物を単独又は混合して使用することができる。前記pH調節剤の含量は、スラリー組成物全体に対し、0.0005乃至5重量%、具体的には0.001乃至1重量%である。前記pH調節剤の含量が前記範囲を外れると、スラリー組成物のpH調節が難しくなることがあるし、金属不純物(metal impurity)と作用しウェハー(wafer)汚染及び不良を誘発することがある。
本発明による化学−機械的研磨用スラリー組成物は0.001乃至20重量%の研磨剤、0.000006乃至0.01重量%のアルミニウム及び残り水を混合し攪拌して製造できるが、必要によって、0.0005乃至5重量%のpH調節剤、0.0001乃至0.05重量%のバイオサイド、0.005乃至10重量%の酸化剤及び0.00001乃至0.5重量%の触媒を更に含むことができる。
前記表2に表した通り、アルミニウムを0.000004重量%適用した比較例3の場合、比較例1に対比してpH経時変化量が減少されたが、効果が足りない反面、アルミニウム含量が0.000006重量%以上適用した実施例1乃至11及び比較例4は比較例1乃至3対比pH経時変化がほとんど発生しないことを知ることができる。又、前記表3に表した通り、アルミニウムを0.000004重量%適用した比較例3の場合、粒子大きさ変化がほとんど発生しなかったがpH変化抑制効果が足りないし、アルミニウムを0.000006乃至0.01重量%適用した実施例1乃至11の場合比較例1乃至2対比粒子大きさ(particle size)経時変化がほとんど発生しない結果を表す。しかし却ってアルミニウム含量が0.01重量%以上である場合、比較例4のように比較例1対比粒子大きさ(particle size)が却って増加する結果を確認できるので、適正含量を使用してこそ経時変化が発生しないようするのに効果的であることを知ることができる。
前記表5及び6に表した通り、塩化アルミニウムの含量が増加することによりSiO2研磨速度に影響を及ばないことを知ることができて、前記実施例7及び8のように塩化アルミニウム及び硫酸アルミニウムカリウムをそれぞれ0.01重量%適用した場合、比較例2対比タングステンの研磨速度に影響を及ばないことを知ることができる。
[参考例1乃至10]シラノール基数に従うスラリー組成物のスクラッチ抑制効果測定
前記表7に表した通り、シリカ表面にシラノール基数が多くなることによってOxide研磨速度が増加する反面Scratchは減少することを知ることができる。又研磨剤表面のシラノール基数が増加することによって常温で保管時pHが増加する現状が確認されたし、特に10個/nm2以上である場合pH変化量が急激に増加することを確認した。
[実施例12乃至23、比較例5乃至10]シラノール基数及びアルミニウム含量によるスラリー組成物の長期保管安定性測定
Claims (16)
- 研磨剤;
アルミニウム0.000006乃至0.01重量%;及び
水を含む化学−機械的研磨用スラリー組成物。 - 前記研磨剤はヒュームドシリカ、コロイダルシリカ、及びこれらの混合物から成る群から選択され、その含量は0.001乃至20重量%である、請求項1に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記研磨剤表面のシラノール基の個数が1乃至10個/nm2である、請求項1又は2に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記アルミニウムはアルミニウム塩、アルミニウム原子が研磨剤表面に吸着された形態、及びアルミニウムイオン(Al3+)から成る群から選択される一つ以上の状態で存在する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記アルミニウムはアルミニウムの塩化物(Cl)、硫酸塩(SO4)、アンモニウム塩(NH4)、カリウム塩(K)、水酸化物(OH)、メチル化物(CH3)、リン化物(P)及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項4に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記研磨剤表面のシラノール基の数とアルミニウム含量が次の数式1の条件を満足する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
[数式1]
0.0005≦(S*C)*100≦4.5
(ここで、Sは研磨剤表面1nm2に存在するシラノール基数であり(単位:個/nm2)、Cはスラリー組成物中のアルミニウム含量(重量%)である。) - 前記スラリー組成物はpH調節剤を更に含み、前記pH調節剤は硝酸、塩酸、硫酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記スラリー組成物は0.005乃至10重量%の酸化剤を更に含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記スラリー組成物は0.0001乃至0.05重量%のバイオサイドを更に含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 前記スラリー組成物は0.00001乃至0.5重量%のナノフェロシリコン又は鉄塩化合物の触媒を更に含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 研磨剤0.001乃至20重量%;
アルミニウム0.000006乃至0.01重量%;
ナノフェロシリコン又は鉄塩化合物の触媒0.00001乃至0.5重量%;及び
残余の水を含む化学−機械的研磨用スラリー組成物。 - 前記スラリー組成物はpHを1乃至6に調節するpH調節剤及び0.0001乃至0.05重量%のバイオサイドを更に含み、
前記pH調節剤は硝酸、塩酸、硫酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項11に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。 - 前記スラリー組成物は酸化剤0.005乃至10重量%を更に含む、請求項11又は12に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
- 研磨剤0.001乃至20重量%;
アルミニウム0.000006乃至0.01重量%;
ナノフェロシリコン又は鉄塩化合物の触媒0.00001乃至0.5重量%;
酸化剤0.005乃至10重量%;及び
残余の水を含む化学−機械的研磨用スラリー組成物。 - 前記研磨剤表面のシラノール基の数とアルミニウム含量が次の数式1の条件を満足する、請求項11〜13のいずれか一項に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
[数式1]
0.0005≦(S*C)*100≦4.5
(ここで、Sは研磨剤表面1nm 2 に存在するシラノール基数であり(単位:個/nm 2 )、Cはスラリー組成物中のアルミニウム含量(重量%)である。) - 前記研磨剤表面のシラノール基の数とアルミニウム含量が次の数式1の条件を満足する、請求項14に記載の化学−機械的研磨用スラリー組成物。
[数式1]
0.0005≦(S*C)*100≦4.5
(ここで、Sは研磨剤表面1nm 2 に存在するシラノール基数であり(単位:個/nm 2 )、Cはスラリー組成物中のアルミニウム含量(重量%)である。)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0061230 | 2016-05-19 | ||
KR20160061230 | 2016-05-19 | ||
PCT/KR2017/005118 WO2017200297A1 (ko) | 2016-05-19 | 2017-05-17 | 화학-기계적 연마용 슬러리 조성물 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522896A JP2019522896A (ja) | 2019-08-15 |
JP2019522896A5 true JP2019522896A5 (ja) | 2020-06-18 |
JP7032327B2 JP7032327B2 (ja) | 2022-03-08 |
Family
ID=60325360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018560761A Active JP7032327B2 (ja) | 2016-05-19 | 2017-05-17 | 化学-機械的研磨用スラリー組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11001732B2 (ja) |
JP (1) | JP7032327B2 (ja) |
KR (1) | KR102450333B1 (ja) |
CN (1) | CN109153889B (ja) |
TW (1) | TWI736623B (ja) |
WO (1) | WO2017200297A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11492513B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-11-08 | Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. | Dispersion liquid of silica particles, polishing composition, and method for producing dispersion liquid of silica particles |
KR102709495B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2024-09-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학-기계적 연마 입자 및 이를 포함하는 연마 슬러리 조성물 |
JPWO2020196542A1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ||
JP7356865B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2023-10-05 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物、及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
JP7356864B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2023-10-05 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物、及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
TW202138504A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-10-16 | 日商福吉米股份有限公司 | 研磨用組合物 |
US11180679B1 (en) | 2020-05-27 | 2021-11-23 | Skc Solmics Co., Ltd. | Composition for semiconductor processing and method for polishing substrate using the same |
WO2023007722A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3922393A (en) * | 1974-07-02 | 1975-11-25 | Du Pont | Process for polishing silicon and germanium semiconductor materials |
JPS6086186A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエ−ハ研摩材 |
US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
JPH0781132B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
JPH1121545A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
US6258140B1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
US20020039839A1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-04-04 | Thomas Terence M. | Polishing compositions for noble metals |
CN1200066C (zh) * | 2000-05-12 | 2005-05-04 | 日产化学工业株式会社 | 抛光剂组合物 |
JP2003197573A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Ekc Technology Kk | メタル膜絶縁膜共存表面研磨用コロイダルシリカ |
US6893476B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-05-17 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal |
TW200516122A (en) * | 2003-06-27 | 2005-05-16 | Showa Denko Kk | Polishing composition and method for polishing substrate using the composition |
US20050104048A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Thomas Terence M. | Compositions and methods for polishing copper |
US8038752B2 (en) * | 2004-10-27 | 2011-10-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Metal ion-containing CMP composition and method for using the same |
JP2006231436A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨用スラリーおよび研磨方法 |
US20070176142A1 (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-02 | Fujifilm Corporation | Metal- polishing liquid and chemical-mechanical polishing method using the same |
JP2007207908A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | バリア層用研磨液 |
JP4954558B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 金属用研磨液、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
JP2007299942A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
US20070298611A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Jinru Bian | Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing |
EP2052048B1 (en) | 2006-07-12 | 2018-01-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Cmp method for metal-containing substrates |
KR20090010169A (ko) * | 2007-02-20 | 2009-01-29 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 연마 슬러리 및 그 제조 방법과, 질화물 결정체 및 그 표면연마 방법 |
JP2008288537A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及び化学的機械的研磨方法 |
JP2009238930A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液、及び化学的機械的研磨方法 |
JP2009289887A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液、化学的機械的研磨方法、および新規化合物 |
KR100928456B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2009-11-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 이온화되지 않는 열활성 나노촉매를 포함하는 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
US8697576B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-04-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing polysilicon |
MY169261A (en) * | 2012-02-29 | 2019-03-20 | Hoya Corp | Method for manufacturing magnetic-disk glass substrate and method for manufacturing magnetic disk |
JP2013227168A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 表面に凹凸のあるシリカ粒子を有するコロイダルシリカ、その製造方法及びそれを用いた研磨剤 |
CN105189043B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-11-08 | 艺康美国股份有限公司 | 抛光蓝宝石表面的方法 |
KR102427981B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2022-08-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 금속막 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 금속막 연마 시 발생하는 스크래치의 감소 방법 |
CN104650739A (zh) * | 2013-11-22 | 2015-05-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于抛光二氧化硅基材的化学机械抛光液 |
JP6482234B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2019-03-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN104588568B (zh) * | 2014-11-21 | 2016-07-27 | 广东惠和硅制品有限公司 | 一种铝改性硅溶胶的制备方法 |
US9803109B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-10-31 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition for silicon nitride removal |
-
2017
- 2017-05-17 KR KR1020170061076A patent/KR102450333B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-17 CN CN201780030849.5A patent/CN109153889B/zh active Active
- 2017-05-17 JP JP2018560761A patent/JP7032327B2/ja active Active
- 2017-05-17 WO PCT/KR2017/005118 patent/WO2017200297A1/ko active Application Filing
- 2017-05-19 TW TW106116625A patent/TWI736623B/zh active
-
2018
- 2018-11-13 US US16/189,236 patent/US11001732B2/en active Active
- 2018-11-13 US US16/189,207 patent/US20190077993A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019522896A5 (ja) | ||
JP7032327B2 (ja) | 化学-機械的研磨用スラリー組成物 | |
JP6762390B2 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法および基板の製造方法 | |
TWI596203B (zh) | 用於抑制氮化鈦及鈦/氮化鈦移除之化學機械拋光(cmp)方法 | |
JP5619009B2 (ja) | 低k誘電体のためのバリアースラリー | |
JP6482234B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4954462B2 (ja) | 窒化シリコン膜選択的研磨用組成物およびそれを用いる研磨方法 | |
JP5613283B2 (ja) | 研磨スラリー組成物 | |
TWI785220B (zh) | 供使用在釕和銅材料的研磨組成物及用於從半導體元件研磨和移除釕的方法 | |
TWI814030B (zh) | 研磨用組成物、研磨方法、及基板之製造方法 | |
KR102288638B1 (ko) | 벌크 루테늄 화학 기계적 연마 조성물 | |
WO2010040280A1 (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
JP2024008946A (ja) | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法 | |
JP6538701B2 (ja) | 窒化チタン及びチタン/窒化チタン除去の抑制に関するcmp方法 | |
JP2015189898A (ja) | 研磨用組成物 | |
TWI627244B (zh) | 安定可濃縮之矽晶圓硏磨組成物及相關方法 | |
JP6015931B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
JP2019163457A5 (ja) | ||
KR102543680B1 (ko) | 화학기계적 연마 슬러리 조성물 | |
JP7512036B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6461535B2 (ja) | シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物及び関連する方法 | |
TWI463002B (zh) | 研漿組成物 | |
JP5460933B1 (ja) | 研磨組成物 | |
TWI798163B (zh) | 一種鹼性化學機械拋光液 | |
KR20230064440A (ko) | SiC 웨이퍼 세정용 조성물 |