KR102288638B1 - 벌크 루테늄 화학 기계적 연마 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 조성물은 적어도 부분적으로 루테늄을 포함하는 표면 또는 기판을 연마한다. 상기 조성물은 암모니아 및 산소화된 할로겐 화합물의 상승적 조합물을 포함한다. 상기 조성물은 연마제 및 산(들)을 추가로 포함할 수 잇다. 루테늄 물질 상에 사용하기 위한 연마 조성물은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 암모니아; 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 과요오드산수소; 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 12 중량%의 양으로 존재하는 실리카; 및 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 유기 설폰산을 포함할 수 있으며, 여기서, 상기 조성물의 pH는 6 내지 8이다.

Description

벌크 루테늄 화학 기계적 연마 조성물{BULK RUTHENIUM CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITION}
본 발명은 루테늄 물질을 높은 비율로 연마하는데 유리한 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 조성물을 제공한다. 특히, 본 발명의 CMP 조성물은 부분적으로 암모니아와, 퍼할로게네이트 화합물 또는 할로겐 퍼옥시산일 수도 있는 산소화된 할로겐 화합물의 상승적 조합물을 포함한다.
반도체 산업의 BEOL(back-end-of-line) 적용분야에서 루테늄은 이의 우수한 파일링 능력과 우수한 전도성으로 인해 차세대 상호연결 물질 중 하나이다. 코발트와 같은 일부 다른 물질과 달리, 루테늄은 비교적 화학적으로 안정하므로 열화되지 않는다. 또한 유리한 증착 성질들을 갖는다. 그러나, 루테늄은 CMP 공정 동안에 제거하기 어려울 수 있다. 따라서, 충분히 높은 비율로 루테늄을 제거하는 CMP 조성물이 필요하다.
일 양태에서, 본 발명은 암모니아 및 산소화된 할로겐 화합물의 상승적 조합물을 포함하는 CMP 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 또한 연마제, 산 및 기타 안정화제 및 제거율 증강제(removal rate enhancer)를 포함할 수 있다.
또 다른 양상에서, 본원에 개시된 양태는 루테늄 상에 사용하기 위한 연마 조성물에 관한 것으로, 상기 연마 조성물은 암모니아; 산소화된 할로겐 화합물; 연마제; 및 임의의 산을 포함하며; 여기서, 상기 조성물의 pH는 약 5 내지 약 10이다. 본 발명은 또한 회전 연마 패드로 기판을 연마하면서 상기 확인된 조성물을 기판에 도포하는 단계를 포함하여, 기판으로부터 루테늄 물질을 제거하는 방법을 제공한다.
더 또 다른 양상에서, 본원에 개시된 양태는 루테늄 물질 상에 사용하기 위한 연마 조성물에 관한 것으로, 상기 연마 조성물은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 존재하는 암모니아; 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 존재하는 과요오드산수소; 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.01 중량% 내지 약 12 중량%의 양으로 존재하는 실리카; 및 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량%의 양으로 존재하는 유기 설폰산을 포함하며, 여기서, 상기 조성물의 pH은 약 6 내지 약 8이다.
더 또 다른 양상에서, 본원에 개시된 양태는 루테늄 물질 상에 사용하기 위한 연마 슬러리 농축물에 관한 것으로, 상기 연마 슬러리 농축물은 Ru 표면 패시베이션 층 연화제; 제거율 증강제; 연마제; 및 Ru 산화제를 포함하며; 상기 조성물의 pH는 약 6 내지 8이다.
본 발명의 CMP(chemical mechanical polishing) 조성물은 층상 반도체 장치로부터 만족스럽게 높은 비율로 루테늄 물질을 연마하고 제거하는 과제를 해결한다. 본 발명의 CMP 조성물은 암모니아 및 산소화된 할로겐 화합물, 예를 들어 과요오드산염의 상승적 조합물을 포함한다. 본 출원 전반에 걸쳐 암모니아는 수산화암모늄으로 지칭될 수도 있는데 이는 암모니아가 본 발명의 CMP 조성물과 같은 수용액에 용해될 때 취하는 형태이다. 아래에 보다 상세히 논의되는 바와 같이 이들 성분 둘 다를 포함하는 조성물의 루테늄 제거율이 각각의 성분 단독을 함유하는 조성물의 루테늄 제거율에 기초하여 예상되는 것보다 훨씬 더 크기 때문에 조합물은 상승적이다.
이론에 구애됨이 없이, 암모니아와 산소화된 할로겐 화합물의 본 발명의 조합물은 산소화된 할로겐이 먼저 루테늄을 쉽게 산화시키기 때문에 매우 유리하다고 여겨진다. 이어서, 암모니아는 산화루테늄과 쉽게 착물을 형성할 수 있다. 이러한 암모늄-루테늄 옥사이드 착물의 일례는 하기 구조 및 화학식을 가질 수 있다:
Figure 112019032008018-pat00001
본 발명의 산소화된 할로겐 화합물은 루테늄에 대한 산화제로서 작용한다. 산화루테늄이 형성되고 암모니아와 착물을 형성하면, 연마제의 기계적 작용에 의해 제거될 수 있다. 할로겐은 요오드, 브롬, 또는 염소와 같은 그러나 이에 제한되지 않은 공지된 그룹으로부터 임의의 것일 수 있다. 일 양태에서, 산소화된 할로겐 화합물은 화학식 HIO4(금속 형태) 또는 H5IO6(오르토 형태)을 갖는 과요오드산수소이다. 다른 적합한 화합물은 브롬산수소 또는 염소산수소를 포함한다. 산소화된 할로겐 화합물은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다. 산소화된 할로겐 화합물은 또한 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 2 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다.
상기 논의된 바와 같이, 암모니아는 산소화된 할로겐 화합물과의 반응 후에 형성된 산화루테늄과 반응하거나 이와 착물을 형성할 수 있다. 암모니아는 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다. 암모니아는 또한 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 1 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다.
본 발명은 암모니아/수산화암모늄 대신에 다른 수산화물 화합물이 사용될 수 있음을 고려하지만, 아래에 논의되는 바와 같이 이들은 또한 잘 작동하지 않을 수 있다. 특히, 수산화칼륨은 여전히, 충분히 높은 루테늄 제거율을 생성하기 위해 본 발명의 산소화된 할로겐 화합물을 사용하여 충분히 잘 작동 할 수 있다.
본 발명의 조성물은 또한 연마제를 포함한다. 연마제는 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 이들의 동시-형성된(co-formed) 생성물, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 연마제는 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 12 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다. 연마제는 또한 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 6 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다.
본 발명의 조성물은 또한 루테늄의 제거율 증강제, 또는 표면 조도 조절용 계면활성제로서 작용하는 산을 포함한다. 본 발명의 산은 카복실산, 유기 설폰산, 유기 포스폰산, 또는 이들의 임의의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 유기 설폰산의 예는 1,2-에탄디설폰산, 4-아미노-3-하이드록시-1-나프탈렌설폰산, 8-하이드록시퀴놀린-5-설폰산, 아미노메탄설폰산, 벤젠설폰산, 하이드록실아민 O-설폰산, 메탄설폰산, m-크실렌-4-설폰산, 폴리(4-스티렌설폰산), 폴리아네톨설폰산, P-톨루엔설폰산, 및 트리플루오로메탄-설폰산을 포함한다. 유기 포스폰산의 예는 폴리(비닐포스폰산), 1-하이드록시에탄-1,1-디포스폰산, 니트릴로트리(메틸포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타키스 (메틸포스폰산), N,N,N'N'-에틸렌디아민테트라키스(메틸렌 포스폰산), n-헥실포스폰산, 벤질포스폰산 및 페닐포스폰산을 포함한다. 산은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다. 산은 상기 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 1 중량%의 양으로 또는 그 사이의 임의의 하위범위로 존재할 수 있다.
조성물의 pH는 약산성에서 중성 내지 약알칼리성 범위로 설정되어야 하는데, 이는 이 범위가 루테늄의 보다 높은 제거율을 유도하기 때문이다. 따라서, pH는 5 내지 10 또는 그 사이의 임의의 하위범위, 또는 6 내지 8 또는 그 사이의 임의의 하위범위일 수 있다.
하나의 임의의 양태에서, 본 발명의 조성물은 벤조트리아졸 및 이의 유도체와 같은 아졸을 실질적으로 함유하지 않는다. 본 발명에 사용된 바와 같이 "실질적으로 함유하지 않은"이란 10 ppm 이하, 또는 5 ppm 이하 또는 1 ppm 이하를 의미 할 수 있다. 또 다른 양태에서, 본 발명의 조성물은 임의의 아졸 화합물을 포함하지 않는다.
본 발명의 조성물은 아래 표에 요약되어 있다:
[표 1]
Figure 112019032008018-pat00002
하나 이상의 양태에서, 본 발명의 조성물은 표 1에 열거되지 않고 각 성분에 대하여 본원에서 이전에 기재된 다른 첨가제/성분을 1 중량% 미만 또는 0.1 중량% 미만으로 포함할 수 있다. 하나 이상의 양태에서, 본 발명의 조성물은 단지 표 1에 열거된 그리고 각 성분 및 물에 대하여 본원에서 이전에 기재된 성분들로 이루어진다. 예를 들어, 일부 양태에서, 본 발명의 조성물은 하기 첨가제 성분 중 하나 이상 또는 이들의 임의의 조합물을 구체적으로 배제할 수 있다. 그러한 성분들은 분자량이 250 g/mol 초과 또는 500 g/mol 초과, 또는 1000 g/mol 초과, 또는 일부 양태에서 2000 g/mol 초과인 중합체, 산소 스캐빈저, 4급 암모늄 염(TMAH와 같은 4급 수산화암모늄을 포함함), 아민, KOH, NaOH 및 LiOH와 같은 알칼리 염기, 소포제 이외의 계면활성제, 소포제, 불소 함유 화합물, 실리케이트, 2개 이상의 하이드록실 그룹을 함유하는 하이드록시카복실산, 아미노 그룹이 결핍된 카복실산 및 폴리카복실산, 실란(예를 들어, 알콕시실란), 사이클릭 화합물(예를 들어, 아졸(예컨대 디아졸, 트리아졸, 또는 테트라졸), 트리아진, 및 치환된 또는 치환되지 않은 나프탈렌, 또는 치환된 또는 치환되지 않은 바이페닐에테르와 같은 적어도 2개의 환을 함유하는 사이클릭 화합물), 완충제, 비-아졸 부식 방지제, 및 금속염(예를 들어, 금속 할로겐화물)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
실시예
실시예는 본 발명의 연마 조성물의 성능 및 방법을 추가로 설명하기 위해 제공된다. 제공된 실시예는 의도된 것이 아니며 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
모든 실시예의 경우, Applied Materials Mirra CMP 연마장치는 SKW CVD Ru 웨이퍼를 연마하기 위해 1.5 psi의 다운포스(downforce)와 175 ml/분의 유량으로 사용되었다.
하기 표 1a는 본 발명의 몇몇 예시적인 조성물에 대한 티탄, 루테늄 및 테트라-에틸-오르토-실리케이트(TEOS)에 대한 제거율 데이터를 나타낸다. 두 가지 상이한 유형의 루테늄 층, 즉 물리적 기상 증착(PVD) 및 화학 기상 증착(CVD)으로 적용된 루테늄 층을 시험하였다.
[표 1a]
Figure 112019032008018-pat00003
실시예 2는 실시예 1의 4배 희석물이다. 실시예 3은 실시예 1과 동일한 조성이고 실리카 연마제의 양은 0.5 중량%로 감소된다. 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 3 각각은 높은 루테늄 제거율과 낮은 Ti 및 TEOS 제거율을 갖는다. 중요하게는, 본원의 조성은 PVD 및 CVD를 통해 적용된 루테늄 제거가 동일하게 양호하다.표 1b는 암모니아와 과요오드산염의 양이 변화되는, 본 발명의 몇 가지 추가의 조성에 대한 제거율 데이터를 나타낸다.
[표 1b]
Figure 112019032008018-pat00004
표 1b에서 알 수 있는 바와 같이, 암모니아와 과요오드산염의 양이 증가할 때, 루테늄 제거율은 매우 높을 수 있다.아래 표 2는 암모니아를 수산화물 계열의 다른 화합물과 비교한, 본 발명의 샘플 조성을 나타낸다.
[표 2]
Figure 112019032008018-pat00005
실시예 8, 실시예 9, 및 비교예 1 내지 비교예 3은 사용된 암모니아 및 수산화물 화합물을 제외하고는 동일하다. 이들 조성에 사용된 암모니아 및 수산화물 화합물의 중량%는 pH를 일정하게 유지하도록 변화한다. 매우 명확하게 알 수 있는 바와 같이, 매우 적은 양의 암모니아에서도, 본 발명의 실시예 8은 매우 높은 루테늄 제거율을 제공한다. 비교예 1 내지 비교예 3은 보다 많은 양의 수산화물을 함유하고 훨씬 낮은 루테늄 제거율을 제공한다. 이러한 개선된 결과는 암모니아, 산소화된 할로겐 화합물 및 루테늄이 상기된 방식으로 함께 작용하는 방법의 유익하고 예기치 않은 효과에 기인한다. 실시예 9에서, 수산화칼륨이 사용된다. 또한 상기 논의된 바와 같이, 암모니아만큼 효과적이지는 않지만, 수산화칼륨은 암모니아 대신에 사용될 루테늄의 충분히 높은 제거율을 나타낼 수 있다.표 3a는 본 발명의 암모니아가 수산화나트륨으로 대체되고, 과요오드산염의 양이 변화하는 데이터를 나타낸다.
[표 3a]
Figure 112019032008018-pat00006
표 3a는 과요오드산염의 양을 증가시키면 루테늄의 제거율을 증가시킬 수 있음을 나타낸다. 그러나, 비교예 7, 실시예 3(표 1a로부터), 및 실시예 7(표 1b로부터)은 유사한 과요오드산염의 양을 가지며 사실 비교예 7은 다른 두 경우(1.60 중량% 내지 1.5 중량%)보다 약간 더 많다. 비교예 7의 루테늄 제거율은 단지 CVD의 경우 1936 옹스트롬/분이다. 대조적으로, 실시예 3의 경우 CVD 루테늄 제거율은 2724 옹스트롬/분이며, 실시예 7의 경우 CVD 루테늄 제거율은 2604 옹스트롬/분이다. 두 조성물 간의 주요 차이점은 실시예 3과 실시예 7의 암모니아의 양이다. 이는 암모니아가 과요오드산염의 루테늄 제거율을 현저히 향상시킨다는 분명한 징후이다.표 3b는 이 개념을 훨씬 더 명확히 설명한다. 표 3b에서, 암모니아의 양은 변하지만, 과요오드산염은 CMP 조성물에서 금속 산화제인 화합물인 프로피온산으로 대체된다.
[표 3b]
Figure 112019032008018-pat00007
명백히 나타낸 바와 같이, 암모니아 그 자체는 과요오드산염 또는 본 발명의 다른 산소화된 할로겐 화합물 없이 루테늄을 제거하는 능력이 없다. 이것은 암모니아의 양이 증가할 때 조차도 마찬가지이다. 암모니아는 자체적으로 루테늄을 제거할 능력이 없기 때문에 루테늄을 제거하는 산소화된 할로겐 화합물의 능력을 그렇게 크게 향상시킬 수 있다는 사실은 전혀 예상하지 못했다.표 4는 본 발명의 산소화된 할로겐 화합물 이외에 다른 산화제를 사용하는 효과를 나타낸다.
[표 4]
Figure 112019032008018-pat00008
실시예 12(과산화수소) 및 실시예 13(염소산나트륨)은 본 발명에 따른 조성물인 실시예 10보다 상당히 낮은 루테늄 제거율을 나타낸다.표 5는 본 발명의 조성물에 대한 pH의 효과를 나타낸다.
[표 5]
Figure 112019032008018-pat00009
표 5에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 조성물은 약산성, 중성 또는 약 알칼리성 환경에서 Ti 또는 TEOS와 비교하여 매우 높은 루테늄 제거율을 나타낸다. pH가 너무 높은 알칼리성이 되면, 제거율이 나빠질 수 있다.본 발명이 하나 이상의 예시적인 양태를 참조하여 설명되었지만, 당업자라면 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변경이 가해질 수 있고 등가물이 그 요소들로 대체될 수 있음을 이해할 것이다. 또한, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 특정 상황 또는 재료를 본 발명의 교시에 적응시키도록 많은 변형이 가해질 수 있다. 따라서, 본 발명은 고려된 최선의 모드로서 개시된 특정 양태(들)로 제한되지 않지만, 그 개시내용은 첨부된 청구범위의 범위 내에 속하는 모든 양태들을 포함하도록 의도된다.

Claims (23)

  1. 루테늄 연마 조성물로서,
    상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 1 중량%의 양으로 존재하는, 암모니아;
    루테늄 산화제로서 작용하며, 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 산소화된 할로겐 화합물;
    연마제;
    물; 및
    1 중량% 미만의 임의의 추가의 성분;을 포함하며,
    여기서, 상기 루테늄 연마 조성물의 pH는 6 내지 8이며,
    상기 산소화된 할로겐 화합물은 요오드, 브롬, 염소, 및 이들의 임의의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 할로겐을 포함하며,
    상기 루테늄 연마 조성물은 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 미포함하는, 루테늄 연마 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산소화된 할로겐 화합물이 과요오드산수소인, 루테늄 연마 조성물.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 산소화된 할로겐 화합물이 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 2 중량%의 양으로 존재하는, 루테늄 연마 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 연마제가 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아 및 이들의 임의의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 루테늄 연마 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 연마제가 실리카인, 루테늄 연마 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 연마제가 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 12 중량%의 양으로 존재하는, 루테늄 연마 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 연마제가 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 6 중량%의 양으로 존재하는, 루테늄 연마 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄 연마 조성물은 산(acid)을 더 포함하며,
    상기 산이 카복실산, 유기 설폰산, 유기 포스폰산, 또는 이들의 임의의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 루테늄 연마 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄 연마 조성물은 산(acid)을 더 포함하며,
    상기 산이 1,2-에탄디설폰산, 4-아미노-3-하이드록시-1-나프탈렌설폰산, 8-하이드록시퀴놀린-5-설폰산, 아미노메탄설폰산, 벤젠설폰산, 하이드록실아민 O-설폰산, 메탄설폰산, m-크실렌-4-설폰산, 폴리(4-스티렌설폰산), 폴리아네톨설폰산, P-톨루엔설폰산, 및 트리플루오로메탄-설폰산, 폴리(비닐포스폰산), 1-하이드록시에탄-1,1-디포스폰산, 니트릴로트리(메틸포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타키스 (메틸포스폰산), N,N,N'N'-에틸렌디아민테트라키스(메틸렌 포스폰산), n-헥실포스폰산, 벤질포스폰산, 페닐포스폰산, 및 이들의 임의의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 루테늄 연마 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄 연마 조성물은 산(acid)을 더 포함하며,
    상기 산이 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는, 루테늄 연마 조성물.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄 연마 조성물은 산(acid)을 더 포함하며,
    상기 산이 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 1 중량%의 양으로 존재하는, 루테늄 연마 조성물.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄 연마 조성물은 아졸을 함유하지 않는, 루테늄 연마 조성물.
  17. 삭제
  18. 제1항에 있어서,
    상기 루테늄 연마 조성물이 상기 암모니아, 상기 산소화된 할로겐 화합물, 상기 연마제, 상기 물 및 산으로 이루어진, 루테늄 연마 조성물.
  19. 삭제
  20. 제1항에 있어서,
    상기 산소화된 할로겐 화합물은 과요오드산수소이며, 상기 과요오드산수소는 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하며;
    상기 연마제는 실리카이며, 상기 실리카는 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 12 중량%의 양으로 존재하며;
    상기 루테늄 연마 조성물은, 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 유기 설폰산을 더 포함하는, 루테늄 연마 조성물.
  21. 기판으로부터 루테늄 물질을 제거하는 방법에 있어서,
    회전 연마 패드로 기판을 연마하면서 제1항의 루테늄 연마 조성물을 상기 기판에 도포하는 단계를 포함하는, 기판으로부터 루테늄 물질을 제거하는 방법.
  22. 삭제
  23. 루테늄 연마 조성물로서,
    0.01 중량% 내지 1 중량%의 양으로 존재하는, 암모니아;
    요오드, 브롬, 염소, 및 이들의 임의의 조합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 할로겐을 포함하며, 상기 루테늄 연마 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는, 산소화된 할로겐 화합물;
    연마제;
    물;
    1 중량% 미만의 임의의 추가의 성분; 및
    산(acid);을 포함하며,
    여기서, 상기 루테늄 연마 조성물의 pH는 6 내지 8이고,
    상기 루테늄 연마 조성물은 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 미포함하는, 루테늄 연마 조성물.
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