JPS6086186A - 半導体ウエ−ハ研摩材 - Google Patents
半導体ウエ−ハ研摩材Info
- Publication number
- JPS6086186A JPS6086186A JP58193624A JP19362483A JPS6086186A JP S6086186 A JPS6086186 A JP S6086186A JP 58193624 A JP58193624 A JP 58193624A JP 19362483 A JP19362483 A JP 19362483A JP S6086186 A JPS6086186 A JP S6086186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- abrasive material
- semiconductor wafer
- fused quartz
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコン単結晶などの半導体ウェーハ裏面を研
摩する際に使用される研摩材に関するものである。半導
体素子は、例えはシリコン単結晶からウェー７１状に切
り出し九基板上に形成されたエピタキシャル膜中に形成
されるが、単結晶からウェー／・状に切り出したままで
はその表面に種々の傷があり平滑な面とは云えない。
摩する際に使用される研摩材に関するものである。半導
体素子は、例えはシリコン単結晶からウェー７１状に切
り出し九基板上に形成されたエピタキシャル膜中に形成
されるが、単結晶からウェー／・状に切り出したままで
はその表面に種々の傷があり平滑な面とは云えない。
このため良好なエピタキシャル膜は得られず、その上に
パターンを転写する場合に鮮明な転写ができない。
パターンを転写する場合に鮮明な転写ができない。
このため、従来から切り出したウェーハの表面を平滑に
研摩しているが、その際に使用される研摩材としてはＡ
ｊ２２０３ 、’ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の微粒子が用い
られている。これらの研摩材は研摩速度、平滑度、光沢
等に難点がろり、近年５ｉ０２の微粒子が試用さ詐るよ
うになって来た。この５ｉ０２微粒子を半導体ウェーハ
用妨摩材として使用する際には粒形をほぼ球形にする必
要があり、そのためＳｉＣノ、を加水分解して製造さ詐
ていたが、この方法によシ製造されたものはきわめて高
価なものであった。又、この合成石英の粒子はアルカリ
性に対する耐性が弱く、研摩液としてのアルカリ溶液中
で浸蝕されて研摩効果が急速に低下するという欠点があ
った。
研摩しているが、その際に使用される研摩材としてはＡ
ｊ２２０３ 、’ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の微粒子が用い
られている。これらの研摩材は研摩速度、平滑度、光沢
等に難点がろり、近年５ｉ０２の微粒子が試用さ詐るよ
うになって来た。この５ｉ０２微粒子を半導体ウェーハ
用妨摩材として使用する際には粒形をほぼ球形にする必
要があり、そのためＳｉＣノ、を加水分解して製造さ詐
ていたが、この方法によシ製造されたものはきわめて高
価なものであった。又、この合成石英の粒子はアルカリ
性に対する耐性が弱く、研摩液としてのアルカリ溶液中
で浸蝕されて研摩効果が急速に低下するという欠点があ
った。
本発明は安価で研摩速度の速い５ｉ０２微粒子の半導体
ウェーッ・用研摩材を開発したもので、アルカリ性溶液
中に分散させる砥粒として純度９５チ以上の溶融石英ｔ
＃粉砕したものｔ訣用し、かつ、粒径０．１〜１０μ惧
の範囲のものが砥粒全体の７０重量％以上となるように
したものである。粒径０，１〜ｌＯμ？ルのものを７０
重重量板上含む討融石英微粒子は研摩ウェーハ（ＩＪ＋
摩面に著しく大きな傷を作ることなく、シかも好筐しい
４ｄｆ厚効果をあげることができる。
ウェーッ・用研摩材を開発したもので、アルカリ性溶液
中に分散させる砥粒として純度９５チ以上の溶融石英ｔ
＃粉砕したものｔ訣用し、かつ、粒径０．１〜１０μ惧
の範囲のものが砥粒全体の７０重量％以上となるように
したものである。粒径０，１〜ｌＯμ？ルのものを７０
重重量板上含む討融石英微粒子は研摩ウェーハ（ＩＪ＋
摩面に著しく大きな傷を作ることなく、シかも好筐しい
４ｄｆ厚効果をあげることができる。
本発明において砥粒が粒径０．１−１０μｎＬの範囲の
粒子が全体の７０％以上としたものは、７０饅以下でか
つ粗い粒子の多いものでは研＃速度は速くなるが研摩面
に傷が残りやすく、又７０優以下でかつ細かい粒子の多
いものでは好ましい研＃速度が得られないためである。
粒子が全体の７０％以上としたものは、７０饅以下でか
つ粗い粒子の多いものでは研＃速度は速くなるが研摩面
に傷が残りやすく、又７０優以下でかつ細かい粒子の多
いものでは好ましい研＃速度が得られないためである。
又、純度９５％以上の浴融石英を原料として使用したも
のは、不純物の多いＳ ｉ Ｏ２微粒子のものではアル
カリ性溶液によって浸蝕を受け易く、研摩速度が低下し
、又ウェーハの表面を汚架するなどの欠点を有するため
である。
のは、不純物の多いＳ ｉ Ｏ２微粒子のものではアル
カリ性溶液によって浸蝕を受け易く、研摩速度が低下し
、又ウェーハの表面を汚架するなどの欠点を有するため
である。
浴融石英は前述した５ｉＣ）４を加水分解したようなも
のと異なシ、微粉砕によっても比軟的球形を保ち、しか
も各粒子が密なものであるためアルカリ性溶液による浸
蝕を受けにくいという特徴を有する。
のと異なシ、微粉砕によっても比軟的球形を保ち、しか
も各粒子が密なものであるためアルカリ性溶液による浸
蝕を受けにくいという特徴を有する。
なお、アルカリ性浴液中に溶融石英の微粉砕粉を分散さ
せたものは長時間貯蔵すると微粉が沈澱し、固化するた
め研摩の際に改めて攪拌しなければならない。これを防
止するためには、例えば硫酸アルミニウムのような分散
剤全添加することが好ましい。
せたものは長時間貯蔵すると微粉が沈澱し、固化するた
め研摩の際に改めて攪拌しなければならない。これを防
止するためには、例えば硫酸アルミニウムのような分散
剤全添加することが好ましい。
以下に本発明のものと比較例のものとの粒度による研摩
速度および研摩面の状態について比較した実施例につい
て述べる。
速度および研摩面の状態について比較した実施例につい
て述べる。
純度９８％の溶融石英塊を、アルミナで内張すしたボー
ルミルを使用して湿式粉砕した０１００時間粉砕後分級
して、０．１−１０μｍのものが９０％含むものと６０
％含むもの（比較例）との２棟類の砥粒を得た。
ルミルを使用して湿式粉砕した０１００時間粉砕後分級
して、０．１−１０μｍのものが９０％含むものと６０
％含むもの（比較例）との２棟類の砥粒を得た。
両者の粒度分布を第１図に示す。これらを、Ｎｆ（３０
Ｈ浴液にそれぞれ３０重量楚混合し分散剤として硫酸ア
ルミニウムを加えて研摩材とした。
Ｈ浴液にそれぞれ３０重量楚混合し分散剤として硫酸ア
ルミニウムを加えて研摩材とした。
これらを用いて常法によりシリコン単結晶の研摩を行っ
た。研摩速度、研摩後のウェーハの表面状態を表に示す
。
た。研摩速度、研摩後のウェーハの表面状態を表に示す
。
表から明らかなように、本発明の研摩材は研摩後部を残
さず、研摩速度も良好なものであった。又分散剤を加え
ることによって砥粒が沈澱固化するのを防ぐことができ
、簡単な攪拌で容易に使用可能となる。粉砕は必ずしも
湿式で行う必９はなく、ボールミルもアルミナ内張りの
ものに限らない。又、アルカリ溶液についてもＮＨ４０
ＨｒＧ液のみでなく、通常使用されているものでも可能
であるがｐＨ値は９〜１２であることが好ましい。
さず、研摩速度も良好なものであった。又分散剤を加え
ることによって砥粒が沈澱固化するのを防ぐことができ
、簡単な攪拌で容易に使用可能となる。粉砕は必ずしも
湿式で行う必９はなく、ボールミルもアルミナ内張りの
ものに限らない。又、アルカリ溶液についてもＮＨ４０
ＨｒＧ液のみでなく、通常使用されているものでも可能
であるがｐＨ値は９〜１２であることが好ましい。
第１図本発明と比較例との粒度分布を示す図でｂる〇
Claims (2)
- （１） アルカリ性溶液中に分散された砥粒が、純度９
５チ以上の溶融石英粉であって、かつその粒径が０．１
−１０μフルの微粒子が７０重量φ以上含むものである
ことを特徴とする半導体ウェーハ研摩材。 - （２）分散剤を添加したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の研摩材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193624A JPS6086186A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体ウエ−ハ研摩材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193624A JPS6086186A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体ウエ−ハ研摩材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086186A true JPS6086186A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0238114B2 JPH0238114B2 (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=16311032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193624A Granted JPS6086186A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体ウエ−ハ研摩材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086186A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04355920A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板およびその製造方法 |
| JPH083540A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-09 | Sony Corp | 化学機械研磨用微粒子およびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法 |
| CN109153889A (zh) * | 2016-05-19 | 2019-01-04 | 东进世美肯株式会社 | 用于化学机械抛光的浆料组合物 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193624A patent/JPS6086186A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04355920A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板およびその製造方法 |
| JPH083540A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-09 | Sony Corp | 化学機械研磨用微粒子およびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法 |
| CN109153889A (zh) * | 2016-05-19 | 2019-01-04 | 东进世美肯株式会社 | 用于化学机械抛光的浆料组合物 |
| US11001732B2 (en) | 2016-05-19 | 2021-05-11 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Polishing slurry composition |
| CN109153889B (zh) * | 2016-05-19 | 2021-10-29 | 东进世美肯株式会社 | 用于化学机械抛光的浆料组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0238114B2 (ja) | 1990-08-29 |
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