JP6762390B2 - 研磨用組成物、研磨方法および基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、研磨用組成物、研磨方法および基板の製造方法に関する。
従来、LSIの高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨(以下、単にCMPとも記す)法もその一つであり、LSI製造工程、特にシャロートレンチ分離(STI)、層間絶縁膜(ILD膜)の平坦化、タングステンプラグ形成、銅と低誘電率膜とからなる多層配線の形成などの工程でCMPは用いられている。そのうちSTIでは、pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層(例えば、窒化ケイ素の層)をストッパーとして使用して、CMPにより例えば、酸化ケイ素の層を研磨除去することが一般的である。
しかしながら、酸化セリウム砥粒は一般に高価であり、また、容易に沈降するために保存安定性に劣る点でも不利がある。そのため、酸化セリウム砥粒をコロイダルシリカなどの別の砥粒で代替する要求が生じている。
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、本明細書において、範囲を示す「X〜Y」は「X以上Y以下」を意味し、「重量」と「質量」、「重量%」と「質量%」および「重量部」と「質量部」は同義語として扱う。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温(20〜25℃)/相対湿度40〜50%の条件で測定する。
本発明の研磨対象物はpH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層である。pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質の具体例としては、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化アルミニウム、窒化タングステン等の窒化物、アルミニウム−マグネシウム、シリコン-ゲルマニウム等の合金が挙げられる。
本発明の研磨用組成物は、その特徴的な構成成分として、粒子径(平均二次粒子径)の異なる2種の砥粒を必須に含む。またこの2種の砥粒のうち一方の砥粒は、pH6以下の水溶液中において負のゼータ電位を有し、かつその砥粒の平均二次粒子径の値は、もう一方の砥粒の平均二次粒径の値より小さい値の平均二次粒子径であり、かつ15nm以下である必要がある(その砥粒を本明細書では便宜的に「砥粒(B)」と呼んでいる。)。
研磨用組成物に含まれる砥粒(A)は、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降性シリカのようなシリカであってもよいし、ジルコニア、アルミナ、およびチタニアのようなシリカ以外であってもよい。ただし、研磨用組成物に含まれる砥粒(A)は、好ましくはシリカであり、特に好ましくはコロイダルシリカである。
研磨用組成物に含まれる砥粒(B)は、pH6以下の水溶液中において負のゼータ電位を有し、かつ平均二次粒子径の値が砥粒(A)の平均二次粒子径の値よりも小さく、15nm以下であることを必須の条件とする。
本発明の研磨用組成物のpHは6以下である。仮に、pH6を超えると、pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層の研磨速度を抑制することができない。本発明の研磨用組成物のpHは6以下であればよいが、より好ましくは4以下である。pHは6以下であると、研磨用組成物によるpH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質以外の層(酸化ケイ素等)の研磨速度が向上する有利な効果がある。
本発明の研磨用組成物は、必要に応じて、水、無機塩類、界面活性剤、水溶性高分子、防腐剤、防カビ剤、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。以下、他の成分である、水、無機塩類、界面活性剤、高分子、防腐剤および防カビ剤について説明する。
本発明の研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するための分散媒または溶媒として水を含んでもよい。
本発明の研磨用組成物は、無機塩類を含んでもよい。本発明で添加される無機塩類の具体例としては、例えば硫酸アンモニウム、塩化マグネシウム、酢酸カリウム、および硝酸アルミニウム等が挙げられる。
本発明の研磨用組成物は、界面活性剤を含んでもよい。本発明で添加される界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、および非イオン性界面活性剤のいずれであってもよい。
本発明の研磨用組成物は、水溶性高分子を含んでもよい。本発明で添加される水溶性高分子の具体例としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリイソプレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸との共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、およびキトサン塩類が挙げられる。
本発明で用いられる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オンや5−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは2種以上混合して用いてもよい。
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、研磨用組成物を構成する成分(例えば、砥粒(A)、砥粒(B)およびpH調整剤を含む)および必要に応じて他の成分を、水等の溶媒または分散媒中で攪拌混合することにより得ることができる。
上述のように、本発明の研磨用組成物は、pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層の研磨に好適に用いられる。
また、本発明では、上記説明より明らかなように、pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層の研磨速度を抑制する方法であって、上記研磨用組成物または上記製造方法で製造されてなる研磨用組成物で、上記層を研磨することを有する、上記研磨速度を抑制する方法が提供される。かかる発明の構成要件の具体的な説明は、上記で説明しているものが同様に妥当するので、ここでは説明は省略する。
研磨用組成物は、表1に示す組成で、砥粒(A)および砥粒(B)としてコロイダルシリカと、所定のpHになるように、pH調整剤として酸性側へはリン酸、アルカリ性側へは水酸化カリウムを水中で混合することにより得た(混合温度約25℃、混合時間:約10分)。なお、表1において“−”と表示されているものは、その剤を含んでいないこと示す。
(1)研磨機: 片面CMP研磨機
(2)パッド: ポリウレタン製パッド
(3)圧力: 2psi(約28kPa)
(4)定盤回転数: 100rpm
(5)キャリア回転数: 100rpm
(6)研磨用組成物の流量: 100ml/min
(7)研磨時間:1分
研磨速度は、以下の式により計算した。
直径200mmの酸化ケイ素膜ブランケットウェハを、実施例1〜8、および比較例1〜4の各研磨用組成物を用いて上記研磨条件に記載の条件で1分間研磨したときの酸化ケイ素の研磨速度を表1の酸化ケイ素の研磨速度の欄に示す。酸化ケイ素の研磨速度の値は、光干渉式膜厚測定装置を用いて測定される研磨前後の各ウェハの厚みの差を研磨時間で除することにより求めた。
Claims (7)
- pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層を研磨する用途で使用され、
砥粒(A)と、砥粒(B)と、pH調整剤とを含み、
前記砥粒(A)は、有機酸を表面に固定したコロイダルシリカであり、
前記砥粒(B)は、有機酸を表面に固定したコロイダルシリカであり、pH6以下の水溶液中において負のゼータ電位を有し、かつ、前記砥粒(B)の平均二次粒子径の値が前記砥粒(A)の平均二次粒子径の値よりも小さく、15nm以下である砥粒であり、
前記砥粒(A)の含有量/前記砥粒(B)の含有量が、10〜500であり、
pHが6以下である、研磨用組成物。 - 砥粒(A)の平均一次粒子径が15nm以上であり、前記砥粒(B)の平均一次粒子径が、13nm以下である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒(A)の平均会合度が、2.0以上であり、前記砥粒(B)の平均会合度が、1.7以下である、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層を研磨する用途で使用され、
砥粒(A)と、pH6以下の水溶液中において負のゼータ電位を有し、かつ、前記砥粒(A)の平均二次粒子径の値よりも小さい、平均二次粒子径の値が15nm以下である砥粒(B)と、pH調整剤とを、混合することにより製造され、前記砥粒(A)の含有量/前記砥粒(B)の含有量が、10〜500である、研磨用組成物。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物で、pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層を研磨する、研磨方法。
- 請求項5に記載の研磨方法で研磨する工程を含む、pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層を有する基板の製造方法。
- pH6以下の水溶液中において正のゼータ電位を示すpH領域がある物質を含む層の研磨速度を抑制する方法であって、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物で、前記層を研磨することを有する、方法。
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