JP7409918B2 - 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る研磨対象物は、p型不純物がドープされた多結晶シリコン(ポリシリコン)を含む。すなわち、本発明に係る研磨対象物は、p型不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨する用途で使用される。
[砥粒]
本発明の研磨用組成物は、砥粒を含む。本発明の研磨用組成物において、砥粒は、負(マイナス)のゼータ電位を有する。ここで、「ゼータ(ζ)電位」とは、互いに接している固体と液体とが相対運動を行なったときの両者の界面に生じる電位差のことである。
本発明の研磨用組成物は、添加剤として、第3級窒素原子を有する架橋二環式化合物(「ビシクロ化合物」とも称される)を含む。第3級窒素原子とは、炭素原子が3つ結合した窒素原子(N原子)を意味する。よって、架橋二環式化合物内に存在する窒素原子は、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基と結合していることが好ましい。架橋二環式化合物において、第3級窒素原子と結合する基は、脂肪族炭化水素基であることがより好ましく、アルキル基(アルキレン基)であることがさらに好ましい。架橋二環式化合物内に存在する窒素原子が第3級窒素原子であることにより、窒素原子の求核性がより高くなる。これにより、研磨用組成物により研磨を行う際に、研磨対象物の膜表面(具体的には、膜表面に形成された化学結合)に対して添加剤が効果的に作用することができる。
Xは、それぞれ独立して、窒素原子またはCHであり、
Yは、-NH-、-NR1-または-R2-であり、この際、R1は、置換または非置換の炭素数1~3のアルキル基であり、R2は置換または非置換の炭素数1~3のアルキレン基であり、
nおよびmは、それぞれ独立して、0~2の整数であり、
ただし、Xのうち少なくとも一つがNであるか、またはYが-NR1-である。
本発明の研磨用組成物のpHは5未満である。仮に、pH5以上となると、研磨対象物の研磨速度を向上させることができない。本発明の研磨用組成物のpHは5未満であればよいが、好ましくはpH4.9以下であり、より好ましくはpH4.5以下であり、さらに好ましくはpH4以下であり、特に好ましくはpH3以下、もっとも好ましくはpH2.5以下である。pHが5未満であると、研磨対象物、特にp型不純物を含む多結晶シリコンの研磨速度が向上する有利な効果がある。pHの下限は、1.0以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましい。
本発明の研磨用組成物は、各成分を分散するための分散媒を含む。分散媒としては、水;メタノール、エタノール、エチレングリコール等のアルコール類;アセトン等のケトン類等や、これらの混合物などが例示できる。これらのうち、分散媒としては水が好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態によると、分散媒は水を含む。本発明のより好ましい形態によると、分散媒は実質的に水からなる。なお、上記の「実質的に」とは、本発明の目的効果が達成され得る限りにおいて、水以外の分散媒が含まれ得ることを意図し、より具体的には、好ましくは90質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上10質量%以下の水以外の分散媒とからなり、より好ましくは99質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上1質量%以下の水以外の分散媒とからなる。最も好ましくは、分散媒は水である。
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、酸化剤、錯化剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、砥粒、添加剤、pH調整剤、および必要に応じて他の成分を、分散媒(例えば、水)中で攪拌混合することにより得ることができる。各成分の詳細は上述した通りである。したがって、本発明は、前記砥粒、前記添加剤、前記pH調整剤および前記分散媒を混合する工程を含む、本発明の研磨用組成物の製造方法を提供する。
上述のように、本発明の研磨用組成物は、p型不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、p型不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を、本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法を提供する。また、本発明は、p型不純物がドープされた多結晶シリコンを含む半導体基板を前記研磨方法で研磨する工程を含む半導体基板の製造方法を提供する。
(表面修飾コロイダルシリカの準備)
コロイダルシリカとして、平均一次粒子径13.5nm、平均二次粒子径31.0nm、平均会合度2.3、D90/D10:2.3(D90:44nm、D10:19nm)のスルホン酸修飾コロイダルシリカを、“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003)に記載の方法で作製したものを準備した。なお、スルホン酸修飾コロイダルシリカの平均一次粒子径、平均二次粒子径は、下記砥粒の粒子径の測定方法に従って測定した。
砥粒として上記で得られたスルホン酸修飾コロイダルシリカ(コロイダルシリカ;平均一次粒子径:13.5nm、平均二次粒子径:31.0nm、平均会合度:2.3、D90/D10:2.3)を4質量%、添加剤としてトリエチレンジアミンを0.1質量%の最終濃度となるように、それぞれ分散媒である純水に室温(25℃)で加え、混合液を得た。
[砥粒のゼータ電位]
得られた研磨用組成物を、砥粒濃度が0.01質量%になるように希釈し、この研磨用組成物の希釈液をゼータ電位測定装置(スペクトリクス社マルバーン・パナメトリクス事業部製zetasizer-nanoに供し、測定温度25℃でキャピラリーセルを用い、レーザードップラー法(電気泳動光散乱測定法)により測定を行った。得られたデータをSmoluchowskiの式で解析することにより、砥粒のゼータ電位を算出した。
砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の“Flow SorbII 2300”を用いて測定されたBET法による砥粒の比表面積と、砥粒の密度とから算出した。また、砥粒の平均二次粒子径は、日機装株式会社製 動的光散乱式粒子径・粒度分布装置 UPA-UTI151により測定した。
添加剤の種類と含有量、砥粒の種類と含有量、およびpH(pH調整剤の含有量)を下記表1のように変更したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2~11、比較例1~16、参考例1、2の各研磨用組成物を調製した。なお、下記表1および表2において「-」と表示されているものは、その剤を含んでいないことを示す。得られた各研磨用組成物のpH、各研磨用組成物中のスルホン酸修飾コロイダルシリカまたは未修飾コロイダルシリカの平均二次粒子径、ゼータ電位は、下記表1および表2に示す。
上記で得られた各研磨用組成物を用いて、下記の研磨対象物のいずれかに対して、以下の研磨条件で研磨した際の研磨速度を測定した。
研磨装置:日本エンギス株式会社製 ラッピングマシーン EJ-380IN-CH
研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製 硬質ポリウレタンパッド IC1010
研磨圧力:3.0psi(1psi=6894.76Pa)
研磨定盤回転数:60rpm
ヘッド(キャリア)回転数:60rpm
研磨用組成物の供給:掛け流し
研磨用組成物供給量:100mL/分
研磨時間:60秒。
研磨対象物は、以下の300mmブランケットウェーハを準備した。それぞれのウェーハを30mm×30mmのチップに切断したクーポンを試験片とし、研磨試験を実施した。試験に用いた研磨対象物の詳細を下記に示す。なお、不純物の含有量(ドープ量)は、ポリシリコンおよび不純物の合計100at%に対する量である。
・p型不純物がドープされたポリシリコン
(1)ホウ素ドープトポリシリコン(ホウ素含有量:11.5at%)
(2)アルミニウムドープトポリシリコン(アルミニウム含有量:10at%)
なお、多結晶シリコンにドープされるp型不純物の含有量は、下記機器を用いて下記条件により算出される。
機器名および製造会社:PHI5000 Versa Probe アルバック・ファイ株式会社製
測定:ホウ素ドープトポリシリコンの場合、測定元素はホウ素、シリコン、酸素、炭素の4種類であり、測定機器のsweep回数は各元素とも10回とし、そのポリシリコンの出力値(Poly-Si出力値;すなわち、Si、OおよびCの合計出力値)とホウ素の出力値(B出力値)とを用いて、下記式(i)によりポリシリコンとホウ素との合計100at%に対するホウ素の含有量(B含有量)(at%)を算出した。
B含有量(at%)=B出力値(%)/(Poly-Si出力値(%)+B出力値(%))。
研磨速度(研磨レート)は、以下の式により計算した。
Claims (9)
- 砥粒と、添加剤と、pH調整剤と、分散媒と、を含む研磨用組成物であって、
前記砥粒のゼータ電位が、負であり、
前記添加剤が、第3級窒素原子を有する架橋二環式化合物であり、
前記添加剤の含有量が、研磨用組成物全質量に対して0質量%を超えて0.5質量%未満であり、
pHが、5未満である、研磨用組成物。 - 前記添加剤が、環形成原子として第3級窒素原子を有し、かつ炭素数6~12のアザビシクロ化合物である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記添加剤が、下記構造式(1):
式(1)中、
Xは、それぞれ独立して、窒素原子またはCHであり、
Yは、-NH-、-NR1-または-R2-であり、この際、R1は、置換または非置換の炭素数1~3のアルキル基であり、R2は置換または非置換の炭素数1~3のアルキレン基であり、
nおよびmは、それぞれ独立して、0~2の整数であり、
ただし、Xのうち少なくとも一つがNであるか、またはYが-NR1-である、
で表される化合物である、請求項1または2に記載の研磨用組成物。 - 前記砥粒の含有量が、研磨用組成物全質量に対して1質量%を超えて10質量%以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、有機酸を表面に固定化したコロイダルシリカである、請求項1~4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒のゼータ電位が、-45mV以上-15mV以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- p型不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨する用途で使用される、請求項1~6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1~7のいずれか1項に記載の研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨する工程を含む、研磨方法。
- p型不純物がドープされた多結晶シリコンを含む半導体基板を、請求項8に記載の研磨方法により研磨する工程を有する、半導体基板の製造方法。
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