JP7316797B2 - 研磨用組成物および研磨システム - Google Patents
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Description
[酸化ケイ素膜]
本発明に係る研磨対象物は、酸化ケイ素膜を有する。酸化ケイ素膜の例としては、たとえば、オルトケイ酸テトラエチルを前駆体として使用して生成されるTEOS(Tetraethyl Orthosilicate)タイプ酸化ケイ素膜(以下、単に「TEOS」とも称する)、HDP(High Density Plasma)膜、USG(Undoped Silicate Glass)膜、PSG(Phosphorus Silicate Glass)膜、BPSG(Boron-Phospho Silicate Glass)膜、RTO(Rapid Thermal Oxidation)膜等が挙げられる。
[砥粒]
本発明の研磨用組成物に使用される砥粒の種類としては、特に制限されず、たとえば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の金属酸化物が挙げられる。該砥粒は、単独でもよいしまたは2種以上組み合わせても用いることができる。該砥粒は、それぞれ市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
本発明の研磨用組成物は、分配係数の対数値(LogP、以下単に「LogP」とも称する)が1.0以上である化合物(以下、「スクラッチ低減剤」とも称する)を含む。スクラッチ低減剤は、研磨中に発生する疎水性の研磨パッド屑の表面に付着し、研磨パッド屑の表面を親水化する。これにより、研磨パッド屑と砥粒との粗大粒子の形成が抑制され、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物の高い研磨速度を維持しつつ、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物表面のスクラッチを十分に低減することができる。
本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物を構成する各成分の分散のために分散媒が用いられる。分散媒としては、有機溶媒、水が挙げられるが、その中でも水を含むことが好ましい。
本発明の研磨用組成物のpHは、7未満である。pHが7以上であると、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物表面のスクラッチ低減の効果が得られない。また、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物の研磨レートも低下する。該pHは、6.5以下、6以下、5.5以下、5.0以下、5.0未満、4.0以下、3.5以下であってもよい。また、該pHの下限は、1以上、1.5以上、2以上、2.5以上、3以上、3.5以上であってもよい。
本発明に係る研磨用組成物は、pHを上記範囲内に調整する目的で、pH調整剤をさらに含んでいてもよい。
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、キレート剤、増粘剤、酸化剤、分散剤、表面保護剤、濡れ剤、LogPが1.0未満である界面活性剤、防錆剤、防腐剤、防カビ剤等の公知の添加剤をさらに含有してもよい。上記添加剤の含有量は、その添加目的に応じて適宜設定すればよい。
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、たとえば、砥粒、LogPが1.0以上である化合物、および必要に応じて他の添加剤を、分散媒中で攪拌混合することにより得ることができる。各成分の詳細は上述した通りである。したがって、本発明は、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物を研磨するために用いられ、pHが7未満である研磨用組成物の製造方法であって、砥粒と、LogPが1.0以上である化合物と、分散媒と、を混合することを有する、研磨用組成物の製造方法を提供する。
上述のように、本発明の研磨用組成物は、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物を準備する工程と、本発明の研磨用組成物を用いて前記研磨対象物を研磨する工程と、を含む研磨方法を提供する。また、本発明は、酸化ケイ素膜を含む半導体基板を上記研磨方法で研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法を提供する。
本発明は、酸化ケイ素膜を含む研磨対象物、研磨パッド、および研磨用組成物を含む研磨システムであって、前記研磨用組成物は、砥粒と、LogPが1.0以上である化合物と、分散媒と、を含み、前記研磨対象物の表面を前記研磨パッドおよび前記研磨用組成物と接触させる、研磨システムを提供する。
(実施例1)
砥粒としてカチオン変性コロイダルシリカ(平均一次粒子径31nm、平均二次粒子径62nm、平均会合度2.0)を、研磨用組成物の総質量を100質量%として1.5質量%の濃度となるように水に加えた。さらに、酢酸を0.15g/Lの濃度となるように、酢酸アンモニウムを0.06g/Lの濃度となるように、オレイン酸ジエタノールアミドを100質量ppmの濃度となるように、それぞれ添加した。その後、室温(25℃)で30分攪拌混合し、研磨用組成物を調製した。得られた研磨用組成物のpHは、4.5であった。
スクラッチ低減剤の種類およびpH調整剤の種類を下記表1のように変更したこと以外は、実施例1と同様にして、各研磨用組成物を調製した。
研磨対象物として、200mmのBPSG基板(アドバンスマテリアルズテクノロジー株式会社製)を準備した。上記で得られた実施例1~4および比較例1~8の各研磨用組成物を用いて、BPSG基板を以下の研磨条件で研磨した。
研磨機として、Mirra(アプライド マテリアル社製)、研磨パッドとしてIC1000(ロームアンドハース社製)、研磨パッドのコンディショナーとしてA165(3M社製)をそれぞれ用いた。研磨圧力4.0psi(27.59kPa)、定盤回転数123rpm、ヘッド回転数117rpm、研磨用組成物の供給速度130ml/minの条件で、研磨時間は60秒で研磨を実施した。コンディショナーによるパッドコンディショニングは、研磨中に回転数120rpm、圧力5lbf(22.24N)、in-situで行った。
研磨対象物表面のスクラッチ数は、ケーエルエー・テンコール社製のウェーハ検査装置“Surfscan(登録商標)SP2”を用いて、ウェーハ全面(ただし外周2mmは除く)の座標を測定し、測定した座標をReview-SEM(RS-6000、株式会社日立ハイテクノロジーズ製)で全数観察することで、スクラッチ数を測定した。
研磨レート(Removal Rate;RR、研磨速度)は、以下の式により計算した。
砥粒として未変性コロイダルシリカ(平均一次粒子径31nm、平均二次粒子径62nm、平均会合度2.0)を、研磨用組成物の総質量を100質量%として0.5質量%の濃度となるように水に加えた。さらに、エチドロン酸(HEDP)を0.75g/Lの濃度となるように、オレイン酸ジエタノールアミドを100質量ppmの濃度となるように、それぞれ添加した。その後、室温(25℃)で30分攪拌混合し、研磨用組成物を調製した。得られた研磨用組成物のpHは、2.5であった。
pH調整剤の量およびスクラッチ低減剤の種類を下記表2のように変更したこと以外は、実施例5と同様にして、各研磨用組成物を調製した。
研磨対象物として、300mmのTEOS基板(アドバンテック株式会社製)を準備した。上記で得られた実施例5~7および比較例9の各研磨用組成物を用いて、TEOS基板を上記評価1と同様の研磨条件で研磨した。その後、上記評価1と同様の方法で、スクラッチ数および研磨レートを評価した。結果を下記表2に示す。
Claims (8)
- 酸化ケイ素膜を含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、
砥粒と、分配係数の対数値(LogP)が1.0以上である化合物と、分散媒と、を含有し、酸化剤を実質的に含有せず、
pHが7.0未満であり、
前記化合物は、ソルビタンモノカプリレート、ジメチルラウリルアミンオキシド、ショ糖ラウリン酸エステル、ソルビタンモノラウレート、ミリスチン酸イソプロピル、テトラデカナール、ラウリン酸ナトリウム、ミリスチン酸、ショ糖パルミチン酸エステル、サリチル酸オクチル、プロピレングリコールジカプリラート、ショ糖オレイン酸エステル、リシノール酸、ステアリン酸、オレイン酸ジエタノールアミド、2-ヘキシル-1-デカノール、オレイン酸、オレイン酸ナトリウム、フィトール、パルミチン酸イソオクチル、トリ(カプリル酸/カプリン酸)グリセリド及び酢酸トコフェロールからなる群から選択される1以上であり、
前記砥粒がシリカである、研磨用組成物。 - 前記化合物の分配係数の対数値(LogP)が7.0以下である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記化合物が界面活性剤である、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒は未変性シリカである、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記pHが1.5以上3.5以下である、請求項4に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒はカチオン変性シリカである、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記pHが3.5以上5.5以下である、請求項6に記載の研磨用組成物。
- 前記化合物が、ソルビタンモノカプリレート、ジメチルラウリルアミンオキシド、ショ糖ラウリン酸エステル、ソルビタンモノラウレート、ラウリン酸ナトリウム、ショ糖パルミチン酸エステル、ショ糖オレイン酸エステル、オレイン酸ジエタノールアミド、オレイン酸ナトリウム、パルミチン酸イソオクチルからなる群から選択される1以上である請求項1~7のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231666A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2005529485A (ja) | 2002-06-07 | 2005-09-29 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | low−k絶縁材料用のCMP組成物 |
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JP2007026488A (ja) | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気ディスク基板用水性研磨剤および磁気ディスク基板の製造方法 |
WO2008155987A1 (ja) | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Asahi Glass Co., Ltd. | 研磨用組成物、半導体集積回路表面の研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法 |
JP2014041911A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研磨用組成物および化合物半導体基板の製造方法 |
JP2016194004A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨物の製造方法 |
WO2017070074A1 (en) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Cobalt inhibitor combination for improved dishing |
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002231666A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2005529485A (ja) | 2002-06-07 | 2005-09-29 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | low−k絶縁材料用のCMP組成物 |
JP2006030595A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 映像表示装置 |
JP2007008892A (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Hoyu Co Ltd | 染毛剤組成物 |
JP2007026488A (ja) | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気ディスク基板用水性研磨剤および磁気ディスク基板の製造方法 |
WO2008155987A1 (ja) | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Asahi Glass Co., Ltd. | 研磨用組成物、半導体集積回路表面の研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法 |
JP2014041911A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研磨用組成物および化合物半導体基板の製造方法 |
JP2016194004A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨物の製造方法 |
WO2017070074A1 (en) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Cobalt inhibitor combination for improved dishing |
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