JP2018014372A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 単結晶ＳｉＣ基板と、多結晶ＳｉＣ基板と、を備える半導体基板であって、
前記単結晶ＳｉＣ基板と前記多結晶ＳｉＣ基板とが界面層を介して接合しており、
前記界面層は、母体結晶であるＳｉＣを構成する炭素およびシリコン、及びＳｉＣの固溶限を超える濃度の特定元素を含んだ、母体結晶と異なる構造を有する複合材料であり、
前記特定元素は、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）の少なくとも何れか１つであることを特徴とする半導体基板。 - 単結晶ＳｉＣ基板と、多結晶ＳｉＣ基板と、を備える半導体基板であって、
前記単結晶ＳｉＣ基板と前記多結晶ＳｉＣ基板とが界面層を介して接合しており、
前記界面層は炭素およびシリコンを含んだ複合材料であり、
前記界面層は、１×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上のシリコン（Ｓｉ）原子を含んでおり、
前記複合材料の元素の組成比において、シリコンの割合が炭素よりも多いことを特徴とする半導体基板。 - 単結晶ＳｉＣ基板と、多結晶ＳｉＣ基板と、を備える半導体基板であって、
前記単結晶ＳｉＣ基板と前記多結晶ＳｉＣ基板とが界面層を介して接合しており、
前記界面層は炭素およびシリコンを含んだ複合材料であり、
前記界面層は、１×１０２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上の炭素（Ｃ）原子を含んでおり、
前記複合材料の元素の組成比において、炭素の割合がシリコンよりも多いことを特徴とする半導体基板。 - 前記界面層の厚さは０．２５ナノメートル以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体基板。
- 前記界面層は炭素、シリコンおよび窒素を含んだ複合材料であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体基板。
- 前記界面層は、炭素、シリコンおよびリンを含んだ複合材料であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体基板。
- 前記界面層は１×１０２２（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上の前記シリコン原子を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の半導体基板。
- 前記界面層の元素の組成比において、前記シリコン原子の比率は１０（ａｔｏｍｉｃ％）以上であることを特徴とする請求項２または７に記載の半導体基板。
- 前記界面層は１×１０２２（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以上の前記炭素原子を含んでいることを特徴とする請求項３に記載の半導体基板。
- 前記界面層の元素の組成比において、前記炭素原子の比率は１０（ａｔｏｍｉｃ％）以上であることを特徴とする請求項３または９に記載の半導体基板。
- 前記単結晶ＳｉＣ基板は、４Ｈ−ＳｉＣであることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体基板。
- 前記多結晶ＳｉＣ基板は、３Ｃ−ＳｉＣであることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の半導体基板。
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