JP2014120735A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014120735A5
JP2014120735A5 JP2012277254A JP2012277254A JP2014120735A5 JP 2014120735 A5 JP2014120735 A5 JP 2014120735A5 JP 2012277254 A JP2012277254 A JP 2012277254A JP 2012277254 A JP2012277254 A JP 2012277254A JP 2014120735 A5 JP2014120735 A5 JP 2014120735A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
nitride film
boron
effect
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012277254A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014120735A (ja
JP6071524B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012277254A priority Critical patent/JP6071524B2/ja
Priority claimed from JP2012277254A external-priority patent/JP6071524B2/ja
Priority to US14/108,633 priority patent/US9349876B2/en
Publication of JP2014120735A publication Critical patent/JP2014120735A/ja
Publication of JP2014120735A5 publication Critical patent/JP2014120735A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6071524B2 publication Critical patent/JP6071524B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

また、図3に示す積層構造のシリコン窒化膜38にボロン(B)を添加し、シリコン酸化膜32にストレスを印加した際のシリコン酸化膜32の劣化量について図5を参照して説明する。ここで、シリコン窒化膜38に添加されたボロンの量は約2at%である。図5からわかるように、シリコン窒化膜38にボロンを添加することにより、水素放出を抑制する効果があることがわかる。この効果は、ボロンを導入することで、B−N結合がシリコン窒化膜38の中の空隙表面にあるN−H結合を置換することによると考えられる。そのため、水素拡散防止膜14であるシリコン窒化膜も、ボロンを添加することによって、水素放出を抑制する効果があると考えられる。
JP2012277254A 2012-12-19 2012-12-19 不揮発性半導体記憶装置 Active JP6071524B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012277254A JP6071524B2 (ja) 2012-12-19 2012-12-19 不揮発性半導体記憶装置
US14/108,633 US9349876B2 (en) 2012-12-19 2013-12-17 Nonvolatile semiconductor memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012277254A JP6071524B2 (ja) 2012-12-19 2012-12-19 不揮発性半導体記憶装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014120735A JP2014120735A (ja) 2014-06-30
JP2014120735A5 true JP2014120735A5 (ja) 2015-06-25
JP6071524B2 JP6071524B2 (ja) 2017-02-01

Family

ID=50929926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012277254A Active JP6071524B2 (ja) 2012-12-19 2012-12-19 不揮発性半導体記憶装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9349876B2 (ja)
JP (1) JP6071524B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102293874B1 (ko) 2014-12-10 2021-08-25 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102321877B1 (ko) * 2015-02-16 2021-11-08 삼성전자주식회사 전하 저장층들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치
US9806092B1 (en) 2016-09-12 2017-10-31 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same
US10243052B2 (en) 2016-09-14 2019-03-26 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
WO2018167591A1 (ja) 2017-03-13 2018-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
US20220336679A1 (en) * 2021-04-19 2022-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure with barrier and method for manufacturing the same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321237A (ja) * 1994-05-25 1995-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP3529989B2 (ja) * 1997-09-12 2004-05-24 株式会社東芝 成膜方法及び半導体装置の製造方法
JP2000269366A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
JP2000353757A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
US6518618B1 (en) * 1999-12-03 2003-02-11 Intel Corporation Integrated memory cell and method of fabrication
JP2003243625A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Seiko Epson Corp 強誘電体メモリ装置およびその製造方法
US8367493B1 (en) * 2005-04-20 2013-02-05 Spansion Llc Void free interlayer dielectric
JP2007184323A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5032145B2 (ja) * 2006-04-14 2012-09-26 株式会社東芝 半導体装置
JP2008166518A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2008177343A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Renesas Technology Corp 半導体装置とその製造方法
JP2009054951A (ja) 2007-08-29 2009-03-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶素子及びその製造方法
JP5112201B2 (ja) * 2008-07-11 2013-01-09 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP5279403B2 (ja) * 2008-08-18 2013-09-04 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5416936B2 (ja) * 2008-09-02 2014-02-12 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP5472894B2 (ja) 2008-09-25 2014-04-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2010177323A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
JP5336872B2 (ja) * 2009-02-06 2013-11-06 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011071334A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2011187794A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014120735A5 (ja)
JP2011176038A5 (ja)
JP2012033615A5 (ja)
CO6640208A2 (es) Composiciones solidas
JP2013234106A5 (ja)
JP2011008248A5 (ja)
EP2270112A4 (en) EPOXY-BASED COMPOSITION, ADHESIVE, CUTTING OF CHIP-RESISTANT FOIL AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
JP2013102150A5 (ja)
JP2012220659A5 (ja)
JP2013028525A5 (ja)
MY163177A (en) Release agent composition and release film for forming ceramic green sheet
JP2013521162A5 (ja)
JP2013538128A5 (ja)
JP2017005148A5 (ja)
EP2626905A3 (en) Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP2015041624A5 (ja)
JP2015115404A5 (ja)
WO2011134869A3 (de) Hydrophile polyorganosiloxane
JP2013132155A5 (ja)
MY163176A (en) Release agent composition and release film for forming ceramic green sheet
JP2013512203A5 (ja)
JP2013204136A5 (ja)
WO2016006773A8 (ko) 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기
TWM403102U (en) Semiconductor substrate
JP2012516825A5 (ja)