JP2013234106A5 - - Google Patents

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  1. ＭｏＯ ｙ （２＜ｙ＜３）で表される組成を有するモリブデン酸化物を含有することを特徴とするｐ型半導体材料。
  2. ＭｏＯ ｙ （２＜ｙ＜３）で表される組成を有するモリブデン酸化物と、
    ＭｏＯ３と、を含有することを特徴とするｐ型半導体材料。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記ＭｏＯ ｙ （２＜ｙ＜３）で表される組成を有するモリブデン酸化物を含有する割合は、４％以上であることを特徴とするｐ型半導体材料。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のｐ型半導体材料を有する半導体装置。
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