CN113193062A - 光电传感器及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种光电传感器及其制作方法、显示面板，该光电传感器包括透明衬底基板、空穴传输层、吸光层和电子传输层，通过将空穴传输层设置在靠近透明衬底基板的一侧，并利用位于上方的吸光层和电子传输层对空穴传输层进行遮挡，避免空穴传输层中的氧化钼在膜层清洗的过程中发生溶解，从而降低采用氧化钼作为空穴传输层材料的光电传感器的制程难度。

Description

光电传感器及其制作方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光电传感器及其制作方法、显示面板。
背景技术
随着信息技术的快速发展，利用指纹、语音、面部、手、视网膜或者虹膜作为个人识别系统已经成为安全可靠的生物识别技术。从成本、易用性和准确性等层面上看，指纹识别已经成为用于验证身份的领先方法，以替代常规的密码和密钥。传统的光学指纹识别传感器存在成本高、体积大和图像失真等问题。基于硅芯片的传感器，由于其尺寸小、价格便宜等优势，逐渐取代传统的光学指纹识别传感器。然而，基于硅芯片的传感器存在容易发生静电击穿以及易受环境条件影响等问题，限制了其进一步应用。
相比于硅基PN结传感器，采用半导体异质结构的传感器，具有高光电转化效率、高可靠性、低成本等优势。此外，利用具有高功函数的透明氧化物MoOx作为空穴传输层材料，可以减少光的额外损失，并提升传感器的空穴传输效率。在制备传感器的每一道制程之前都会对膜层表面进行清洗，由于高功函数的MoOx易溶于水，在对由MoOx制备而成的空穴传输层表面进行清洗时，MoOx会发生溶解，导致后续制程无法进行。
综上所述，现有采用氧化钼作为空穴传输层材料的传感器存在制程困难的问题。故，有必要提供一种光电传感器及其制作方法、显示面板。
发明内容
本申请实施例提供一种光电传感器及其制作方法、显示面板，用于解决现有采用氧化钼作为空穴传输层材料的传感器存在制程困难的问题。
本申请实施例提供一种光电传感器，包括：
透明衬底基板；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上；
吸光层，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧；
其中，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼。
根据本申请一实施例，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。
根据本申请一实施例，所述吸光层为本征半导体，所述电子传输层为电子型半导体，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构。
根据本申请一实施例，所述吸光层和所述电子传输层的材料均包括非晶硅、微晶硅和多晶硅中的任意一种。
根据本申请一实施例，所述光电传感器包括：
第一电极，所述第一电极设置于所述透明衬底基板与所述空穴传输层之间；
第二电极，所述第二电极设置于所述电子传输层背离所述吸光层的一侧。
根据本申请一实施例，所述第一电极为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌和氧化镓锌中的至少一种金属氧化物材料形成的单层或多层结构。
根据本申请一实施例，所述第二电极为钼、铜、铝、钛、镍和镉中的至少一种金属材料形成的单层或多层结构。
根据本申请一实施例，所述光电传感器包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述透明衬底基板上，并且覆盖所述第一电极和所述电子传输层，所述绝缘层上设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述第一电极，所述第二过孔暴露出所述电子传输层。
本申请实施例还提供一种光电传感器的制作方法，包括以下步骤：
在透明衬底基板上形成第一电极；
在所述透明衬底基板以及所述第一电极上沉积一层氧化钼；
在所述氧化钼上依次沉积吸光材料和电子传输材料；
对所述电子传输材料、所述吸光材料和所述氧化钼进行图案化工艺，形成依次层叠设置于所述第一电极上的空穴传输层、吸光层和电子传输层。
根据本申请一实施例，所述制作方法还包括以下步骤：
在所述透明衬底基板上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述空穴传输层、所述吸光层和所述电子传输层；
对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露出所述第一电极的第一过孔和暴露出所述电子传输层的第二过孔；
在所述电子传输层和所述绝缘层上形成第二电极。
根据本申请一实施例，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。
根据本申请一实施例，所述电子传输层为N型半导体，所述吸光层为本征半导体。
根据本申请一实施例，在所述氧化钼上依次沉积所述吸光材料和所述电子传输材料的方法为化学气相沉积法或者原子层沉积法。
本申请实施例还提供一种显示面板，包括光电传感器和像素单元，所述光电传感器设置于至少部分相邻所述像素单元之间，所述光电传感器包括：
透明衬底基板；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上；
吸光层，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧；
其中，所述像素单元的出光侧朝向所述透明衬底基板，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼。
根据本申请一实施例，所述显示面板包括：
第一电极层，设置于所述透明衬底基板上，所述第一电极层包括同层并间隔设置的第一电极和栅极，所述空穴传输层设置于所述第一电极背离所述透明衬底基板的一侧；
栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上，所述栅极绝缘层暴露出所述第一电极；
有源层，设置于所述栅极绝缘层上，包括非掺杂区和位于所述非掺杂区两侧的掺杂区；
源极和漏极，设置于所述有源层上，并且分别与两所述掺杂区连接；
绝缘层，设置于所述电子传输层、所述源极和所述漏极上，所述绝缘层暴露出所述电子传输层和所述漏极；
第二电极，设置于所述电子传输层背离所述吸光层的一侧，并且与所述漏极连接。
根据本申请一实施例，所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极构成开关薄膜晶体管，所述光电传感单元与所述开关薄膜晶体管连接。
本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供一种光电传感器及其制作方法、显示面板，所述光电传感器包括透明衬底基板、空穴传输层、吸光层和电子传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构，如此通过将空穴传输层设置在靠近透明衬底基板的一侧，并利用位于上方的吸光层和电子传输层对空穴传输层进行遮挡，避免空穴传输层中的氧化钼在膜层清洗的过程中发生溶解，从而降低采用氧化钼作为空穴传输层材料的光电传感器的制程难度。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的光电传感器的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的光电传感器的制作方法的流程图；
图3为本申请实施例提供的光电传感器的制作方法的流程示意图
图4为本申请实施例提供的显示面板的平面示意图；
图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明。
本申请实施例提供一种光电传感器，下面结合图1进行详细说明。如图1所示，图1为本申请实施例提供的光电传感器的结构示意图，所述光电传感器100包括透明衬底基板110、空穴传输层120、吸光层130和电子传输层140，所述空穴传输层120设置于所述透明衬底基板110上，所述吸光层130设置于所述空穴传输层120背离所述透明衬底基板110的一侧，所述电子传输层140设置于所述吸光层130背离所述空穴传输层120的一侧。
在本申请实施例中，所述透明衬底基板110的材料为玻璃。在实际应用中，所述透明衬底基板110的材料不仅限于玻璃，也可以为氧化铝、硅、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或者聚酰亚胺等透明材料。
在本申请实施例中，如图1所示，所述光电传感器100为底部受光结构的光电传感器，所述透明衬底基板110背离所述空穴传输层120的一侧为所述光电传感器100的入光侧。环境光线通过透明衬底基板110背离所述空穴传输层120的一侧照射至所述光电传感器100内部，经过所述空穴传输层120，最终被所述吸光层130所吸收。吸光层130吸收光能后产生光声载流子，并在外加反向电压的作用下，吸光层130内产生的电子-空穴分别向相反的方向加速扩散，漂移到电子传输层140和空穴传输层120，产生了比例于环境光功率的电流，从而将环境光的光信号转变为电信号。
在本申请实施例中，所述空穴传输层120的材料为氧化钼，相较于现有技术中空穴传输层采用的空穴型材料，氧化钼具有较大的禁带宽和功函数，可以有效提高所述空穴传输层120的空穴传输效率，使得所述光电传感器100具有更高的量子效率，同时氧化钼还可以减少空穴传输层120对光线的额外吸收，从而提高所述光电传感器100的灵敏度，并且还可以减少空穴型材料的需求，从而降低生产成本。
通过将空穴传输层120设置在靠近透明衬底基板110的一侧，在实际制程中，依次沉积氧化钼、吸光材料、空穴传输材料，再对空穴传输材料、吸光材料和氧化钼进行图案化工艺，形成层叠设置的空穴传输层120、吸光层130和电子传输层140，如此可以利用位于上方空穴传输层120的吸光层130和电子传输层140对空穴传输层120进行遮挡，避免空穴传输层120中的氧化钼在膜层清洗的过程中发生溶解，从而降低采用MoOx作为空穴传输层120的材料的光电传感器100的制程难度。
进一步的，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。
在本申请实施例中，所述氧化钼的禁带宽为3.2eV，所述氧化钼的功函数为6eV，如此可以使所述氧化钼具有较大的禁带宽和功函数，以此有效提高所述空穴传输层120的空穴传输效率，使得所述光电传感器100具有更高的量子效率，从而提高所述光电传感器100的灵敏度。
在实际应用中，所述氧化钼的禁带宽不仅限于上述的3.2eV，也可以为2.8eV、3eV、3.4eV或者3.6eV等，仅需要介于2.8eV至3.6eV之间即可。所述氧化钼的功函数也不仅限于上述的6eV，也可以为5.2eV、5.6eV、6.4eV或者6.8eV等，仅需要介于5.2eV至6.8eV之间即可。
进一步的，所述吸光层130为本征半导体，所述电子传输层140为电子型半导体，所述空穴传输层120与所述吸光层130和所述电子传输层140构成半导体异质结构。
在本申请实施例中，所述光电传感器100为具有半导体异质结构的光电传感器，所述吸光层130为本征半导体，所述电子传输层140为电子型半导体，所述空穴传输层120与所述吸光层130和所述电子传输层140构成半导体异质结构。由于半导体异质结构中异质结本身的结电容较大，可以充当电路中的存储电容使用，因此光电传感器的电路中无需另外设置存储电容，从而可以有效提高光电传感器的识别率。
具体的，在本申请实施例中，所述吸光层130的材料为本征非掺杂硅，所述本征非掺杂硅中硅的形态为非晶硅。在实际应用中，所述本征非掺杂硅的形态不仅限于非晶硅，还可以为微晶硅或者多晶硅。
具体的，在本申请实施例中，所述电子传输层140的材料为N型重掺杂硅，其中硅的形态与本征非掺杂硅中硅的形态相同，均为非晶硅。在实际应用中，所述N型重掺杂硅中硅的形态不仅限于上述的非晶硅，也可以为非晶硅或者多晶硅，并且所述N型重掺杂硅中硅的形态可以与本征非掺杂硅中硅的形态相同，也可以不同。
进一步的，如图1所示，所述光电传感器100包括第一电极150和第二电极160，所述第一电极150设置于所述透明衬底基板110与所述空穴传输层120之间，所述第二电极160设置于所述电子传输层140背离所述吸光层130的一侧。所述第一电极150和所述第二电极160分别与外部电路连接，用于接入外加的反向电压，使得吸光层130内产生的电子-空穴分别向相反的方向加速扩散，漂移到电子传输层140和空穴传输层120，产生了比例于环境光功率的电流，从而将环境光的光信号转变为电信号。
具体的，所述第一电极150为透明导电电极，所述第一电极150的材料为氧化铟锡，如此可以提高第一电极150的透光率，减少第一电极150对光线的额外吸收，进一步提升所述光电传感器100的灵敏度。在实际应用中，所述第一电极150的材料不仅限于上述的氧化铟锡，也可以为氧化铟锌、氧化锌和氧化镓锌中的任意一种材料，或者也可以为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌和氧化镓锌中的至少一种金属氧化物材料形成多层结构。
具体的，所述第二电极160为金属导电电极，所述第二电极160为钼和铜由下至上依次层叠所形成的双层叠构。在实际应用中，所述第二电极160的结构不仅限于上述钼和铜由下至上依次层叠所形成的双层金属结构，还可以为钼、铜或铝等一种金属材料所形成单层或者多层金属叠构；或者也可以为钼/铝、钼/钛/铝、钼/钛/铜、镍/铜、镍/铝、铝/镍、镉/铜、镉/铝、钛/铜、钛/铝等两种或者三种金属材料由下至上依次层叠所形成的双层或者三层金属叠构。
进一步的，如图1所示，所述光电传感器100包括绝缘层170，所述绝缘层170设置于所述透明衬底基板110，并且覆盖所述第一电极150和所述电子传输层140，所述绝缘层170上设有第一过孔171和第二过孔172，所述第一过孔171暴露出所述第一电极150，所述第二过孔172暴露出所述电子传输层140。所述第一过孔171用于暴露出所述第一电极150，以便于第一电极150与光电传感器100的其他电路进行搭接，所述第二电极160通过所述第二过孔172与所述电子传输层140接触。
具体的，所述绝缘层170为氮化硅和氧化硅形成的叠层结构。在实际应用中，所述绝缘层170可以为氧化铝、氮化硅、二氧化硅、氮化铝中至少一种材料形成的单层或者多层结构。
本申请实施例提供的光电传感器100可以应用于多种场景，示例性的，所光电传感器可以应用于指纹识别传感器、掌纹识别传感器或者面部识别传感器等传感器中。
本申请实施例还提供一种光电传感器的制作方法，下面结合图2至图3进行详细说明，其中图2为本申请实施例提供的光电传感器的制作方法的流程图，图3为本申请实施例提供的光电传感器的制作方法的流程示意图，所述制作方法包括以下步骤：
步骤S10：在透明衬底基板110上形成第一电极150。
具体的，所述步骤S10中，所述透明衬底基板110的材料为玻璃。在实际应用中，所述透明衬底基板110的材料不仅限于玻璃，也可以为氧化铝、硅、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或者聚酰亚胺等透明材料。
具体的，所述步骤S10中，需要先在所述透明衬底基板110上沉积一层透明电极材料，再对该层透明电极材料进行图案化制程，形成图案化的第一电极150。所述透明电极材料为氧化铟锡，如此可以提高第一电极150的透光率，减少第一电极150对光线的额外吸收，进一步提升所述光电传感器100的灵敏度。在实际应用中，所述第一电极150的材料不仅限于上述的氧化铟锡，也可以为氧化铟锌、氧化锌和氧化镓锌中的任意一种材料，或者也可以为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌和氧化镓锌中的至少一种金属氧化物材料形成多层结构。
步骤S20：在所述透明衬底基板110以及所述第一电极150上沉积一层氧化钼121。
具体地，所述步骤S20中，沉积一层氧化钼121的方法包括溅射(sputtter)、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)或者蒸镀等。在沉积完成之后，需要对氧化钼121进行退火处理，退火的可以在氧气、氮气、氩气或者空气的气氛中完成，退火工艺所需的时间和温度可以根据设定，此处不做限制。
步骤S30：在所述氧化钼121上依次沉积吸光材料131和电子传输材料141。
具体的，所述步骤S30中，沉积所述吸光材料131和所述电子传输材料141的方法为化学气相沉积法。在实际应用中，沉积所述吸光材料131和所述电子传输材料141的方法不仅限于化学气相沉积法，也可以采用原子层沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法等。
具体的，所述吸光材料131为本征非掺杂硅，本征非掺杂硅的形态为非晶硅。在实际应用中，本征非掺杂硅的形态也可以是微晶硅或者多晶硅。
具体的，所述电子传输材料141为N型重掺杂硅，N型重掺杂硅中硅的形态为非晶硅。在实际应用中，N型重掺杂硅中硅的形态也可以是微晶硅或者多晶硅。
步骤S40：对所述电子传输材料141、所述吸光材料131和所述氧化钼121进行图案化工艺，形成依次层叠设置于所述第一电极150上的空穴传输层120、吸光层130和电子传输层140。
需要说明的是，所述步骤S40中，需要依次对所述电子传输材料141、所述吸光材料131和所述氧化钼121进行图案化工艺，且仅需要一张掩膜板即可完成对上述三个膜层的图案化工艺。在对所述电子传输材料141完成图案化工艺后，图案化的电子传输层140可以作为掩膜板，继续对下层的吸光材料131进行图案化工艺。在吸光材料131完成图案化工艺后，图案化的电子传输层140和吸光层130可以作为掩膜板，继续对下层的氧化钼121进行图案化工艺，以形成图案化的空穴传输层120，从而可以避免对空穴传输层120进行清洗。
具体地，对所述电子传输材料141、所述吸光材料131和所述氧化钼121进行图案化工艺的方法为干法刻蚀。在实际应用中，也可以采用湿法刻蚀对所述电子传输材料141、所述吸光材料131和所述氧化钼121进行图案化工艺。如此，可以利用位于上方空穴传输层120的吸光层130和电子传输层140对空穴传输层120进行遮挡，避免空穴传输层120中的氧化钼在膜层清洗的过程中发生溶解，从而降低采用氧化钼作为空穴传输层120的材料的光电传感器100的制程难度。
在本申请实施例中，所述吸光层130为本征半导体，所述电子传输层140为电子型半导体，所述空穴传输层120与所述吸光层130和所述电子传输层140构成半导体异质结构。由于半导体异质结构中异质结本身的结电容较大，可以充当电路中的存储电容使用，因此光电传感器的电路中无需另外设置存储电容，从而可以有效提高光电传感器的识别率。
进一步的，所述制作方法还包括以下步骤：
步骤S50：在所述透明衬底基板110上形成绝缘层170，所述绝缘层170覆盖所述空穴传输层120、所述吸光层130和所述电子传输层140。
具体的，所述绝缘层170为氮化硅和氧化硅形成的叠层结构。在实际应用中，所述绝缘层170可以为氧化铝、氮化硅、二氧化硅、氮化铝中至少一种材料形成的单层或者多层结构。
步骤S60：对所述绝缘层170进行刻蚀，形成暴露出所述第一电极150的第一过孔171和暴露出所述电子传输层140的第二过孔172。
具体地，所述步骤S60中，所述第一过孔171暴露出部分所述第一电极150，用于后续将第一电极150与光电传感器的其他电路进行搭接。第二过孔172暴露出部分所述电子传输层140，用于后续形成的第二电极160与电子传输层140接触。
步骤S70：在所述电子传输层140和所述绝缘层170上形成第二电极160。
具体地，所述步骤S70中，所述第二电极160为金属导电电极，所述第二电极160为钼和铜由下至上依次层叠所形成的双层叠构。在实际应用中，所述第二电极160的结构不仅限于上述钼和铜由下至上依次层叠所形成的双层金属结构，还可以为钼、铜或铝等一种金属材料所形成单层或者多层金属叠构；或者也可以为钼/铝、钼/钛/铝、钼/钛/铜、镍/铜、镍/铝、铝/镍、镉/铜、镉/铝、钛/铜、钛/铝等两种或者三种金属材料由下至上依次层叠所形成的双层或者三层金属叠构。
进一步的，所述氧化钼121的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。
在本申请实施例中，所述氧化钼121的禁带宽为3.2eV，所述氧化钼的功函数为6eV，如此可以使所述氧化钼具有较大的禁带宽和功函数，以此有效提高所述空穴传输层120的空穴传输效率，使得所述光电传感器100具有更高的量子效率，从而提高所述光电传感器100的灵敏度。
在实际应用中，所述氧化钼121的禁带宽不仅限于上述的3.2eV，也可以为2.8eV、3eV、3.4eV或者3.6eV等，仅需要介于2.8eV至3.6eV之间即可。所述氧化钼的功函数也不仅限于上述的6eV，也可以为5.2eV、5.6eV、6.4eV或者6.8eV等，仅需要介于5.2eV至6.8eV之间即可。
本申请实施例还提供一种显示面板，下面结合图4和图5进行详细说明，其中图4为本申请实施例提供的显示面板的平面示意图，图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图，所述显示面板包括上述实施例所提供的光电传感器100和像素单元200，所述光电传感器100设置于至少部分相邻所述像素单元200之间，采用这种方式并不会影响到所述像素单元200的像素排布以及显示效果。
所述光电传感器100包括透明衬底基板110、空穴传输层120、吸光层130和电子传输层140，所述空穴传输层120设置于所述透明衬底基板110上，所述吸光层130设置于所述空穴传输层120背离所述透明衬底基板110的一侧，所述电子传输层140设置于所述吸光层130背离所述空穴传输层120的一侧。
在本申请实施例中，所述显示面板为底发光结构的有机发光二极管显示面板，所述像素单元200形成于所述透明衬底基板110上，所述像素单元200的出光侧朝向所述透明衬底基板110，所述透明衬底基板110背离所述空穴传输层120的一侧为所述光电传感器100的入光侧。
在本申请实施例中，所述空穴传输层120的材料为氧化钼，相较于现有技术中空穴传输层采用的空穴型材料，氧化钼具有较大的禁带宽和功函数，可以有效提高所述空穴传输层120的空穴传输效率，使得所述光电传感器100具有更高的量子效率，同时氧化钼还可以减少空穴传输层120对光线的额外吸收，从而提高所述光电传感器100的灵敏度，并且还可以减少空穴型材料的需求，从而降低生产成本。
进一步的，所述显示面板包括第一电极层10、栅极绝缘层20、有源层30、源极40、漏极50、层间介质层60、绝缘层170、第二电极160。所述第一电极层10设置于所述透明衬底基板110上，所述第一电极层10包括同层并间隔设置的第一电极150和栅极151，所述空穴传输层120设置于所述第一电极150背离所述透明衬底基板110的一侧。所述栅极绝缘层20设置于所述第一电极层10上，所述栅极绝缘层20暴露出所述第一电极150。所述有源层30设置于所述栅极绝缘层20上，包括非掺杂区310和位于所述非掺杂区310两侧的掺杂区320。所述源极40和所述漏极50设置于所述有源层30上，并且分别与位于非掺杂区310两侧的两个所述掺杂区320连接。
所述层间介质层60覆盖所述源极40、所述漏极50和所述栅极绝缘层20，所述绝缘层170设置于所述层间介质层60、所述电子传输层140、所述源极40和所述漏极50上，并暴露出所述电子传输层140和所述漏极50，所述第二电极160设置于所述电子传输层140背离所述吸光层130的一侧，并且与所述漏极50连接。
进一步的，所述栅极151与所述有源层30、所述源极40和所述漏极50构成开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管与所述光电传感器100连接。
所述显示面板还包括盖板70，所述盖板70面向所述透明衬底基板110的一侧设有黑色矩阵80，所述开关薄膜晶体管与所述黑色矩阵80对位设置，所述光电传感器100设置于所述黑色矩阵80的覆盖范围之外。
所述透明衬底基板110上还包括图中未示意的扫描线和信号线，所述光敏元件与所述开关薄膜晶体管电连接，所述开关薄膜晶体管的栅极151与所述扫描线电连接，所述开关薄膜晶体管的源极40与所述信号线电连接，所述开关薄膜晶体管的漏极与所述光电传感器100的第二电极160电连接，所述信号线用于读取所述光电传感器100输出的光电流信号，从而实现光电传感器100的光电传感功能。
在本申请实施例提供的显示面板中，光电传感器100可以应用于多种场景，示例性的，所光电传感器可以应用于指纹识别传感器、掌纹识别传感器或者面部识别传感器等传感器中。
综上所述，本申请实施例提供一种光电传感器及其制作方法、显示面板，所述光电传感器包括透明衬底基板、空穴传输层、吸光层和电子传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构，如此通过将空穴传输层设置在靠近透明衬底基板的一侧，并利用位于上方的吸光层和电子传输层对空穴传输层进行遮挡，避免空穴传输层中的氧化钼在膜层清洗的过程中发生溶解，从而降低采用氧化钼作为空穴传输层材料的光电传感器的制程难度。
综上所述，虽然本申请以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (16)

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
透明衬底基板；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上；
吸光层，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧；
其中，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼。
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。
3.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述吸光层为本征半导体，所述电子传输层为电子型半导体，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构。
4.如权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述吸光层和所述电子传输层的材料均包括非晶硅、微晶硅和多晶硅中的任意一种。
5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括：
第一电极，所述第一电极设置于所述透明衬底基板与所述空穴传输层之间；
第二电极，所述第二电极设置于所述电子传输层背离所述吸光层的一侧。
6.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述第一电极为氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌和氧化镓锌中的至少一种金属氧化物材料形成的单层或多层结构。
7.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述第二电极为钼、铜、铝、钛、镍和镉中的至少一种金属材料形成的单层或多层结构。
8.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述透明衬底基板上，并且覆盖所述第一电极和所述电子传输层，所述绝缘层上设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述第一电极，所述第二过孔暴露出所述电子传输层。
9.一种光电传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在透明衬底基板上形成第一电极；
在所述透明衬底基板以及所述第一电极上沉积一层氧化钼；
在所述氧化钼上依次沉积吸光材料和电子传输材料；
对所述电子传输材料、所述吸光材料和所述氧化钼进行图案化工艺，形成依次层叠设置于所述第一电极上的空穴传输层、吸光层和电子传输层。
10.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括以下步骤：
在所述透明衬底基板上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述空穴传输层、所述吸光层和所述电子传输层；
对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露出所述第一电极的第一过孔和暴露出所述电子传输层的第二过孔；
在所述电子传输层和所述绝缘层上形成第二电极。
11.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述氧化钼的禁带宽大于或等于2.8eV且小于或等于3.6eV，所述氧化钼的功函数大于或等于5.2eV且小于或等于6.8eV。
12.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述电子传输层为N型半导体，所述吸光层为本征半导体，所述空穴传输层与所述吸光层和所述电子传输层构成半导体异质结构。
13.如权利要求9所述的光电传感器的制作方法，其特征在于，在所述氧化钼上依次沉积所述吸光材料和所述电子传输材料的方法为化学气相沉积法或者原子层沉积法。
14.一种显示面板，其特征在于，包括光电传感器和像素单元，所述光电传感器设置于至少部分相邻所述像素单元之间，所述光电传感器包括：
透明衬底基板；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述透明衬底基板上；
吸光层，所述吸光层设置于所述空穴传输层背离所述透明衬底基板的一侧；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述吸光层背离所述空穴传输层的一侧；
其中，所述像素单元的出光侧朝向所述透明衬底基板，所述透明衬底基板背离所述空穴传输层的一侧为所述光电传感器的入光侧，所述空穴传输层的材料为氧化钼。
15.如权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
第一电极层，设置于所述透明衬底基板上，所述第一电极层包括同层并间隔设置的第一电极和栅极，所述空穴传输层设置于所述第一电极背离所述透明衬底基板的一侧；
栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上，所述栅极绝缘层暴露出所述第一电极；
有源层，设置于所述栅极绝缘层上，包括非掺杂区和位于所述非掺杂区两侧的掺杂区；
源极和漏极，设置于所述有源层上，并且分别与两所述掺杂区连接；
绝缘层，设置于所述电子传输层、所述源极和所述漏极上，所述绝缘层暴露出所述电子传输层和所述漏极；
第二电极，设置于所述电子传输层背离所述吸光层的一侧，并且与所述漏极连接。
16.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极构成开关薄膜晶体管，所述光电传感器与所述开关薄膜晶体管连接。
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